專利名稱：一種測量刻蝕機(jī)反應(yīng)腔室漏率的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體刻蝕領(lǐng)域，具體涉及一種測量刻蝕機(jī)反應(yīng)腔室漏率的方法。
背景技術(shù)：
刻蝕機(jī)的反應(yīng)腔室要求必須要有很好的密封性，這是因?yàn)樵谶M(jìn)行工藝試驗(yàn)時(shí)，需要?dú)怏w的壓力能控制在30mTorr左右，這就對腔室的密封性要求很高，使腔室工作在可控條件下；同時(shí)，因?yàn)檫M(jìn)行工藝時(shí)，會使用到一些有毒氣體，所以也必須保證腔室的密封，以防止氣體泄漏對人體產(chǎn)生危害。在反應(yīng)腔室投入使用前，都需要進(jìn)行漏率的測量；如果在工藝試驗(yàn)中出現(xiàn)壓力不可控的情況，也需要測量漏率，從而查找原因。
目前對于漏率的測量是由人參與來完成的。沒有形成一個(gè)獨(dú)立的功能單元，本方法提供了一個(gè)解決方法，使使用者能便捷的獲得漏率值。

發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術(shù)問題本發(fā)明的目的是提供一種便捷、有效的測量刻蝕機(jī)反應(yīng)腔室漏率的方法。
(二)技術(shù)方案為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的方法包括如下步驟(1)漏率測量程序啟動(dòng)；
(2)漏率測量程序檢測反應(yīng)腔室的類型，并根據(jù)反應(yīng)腔室類型從數(shù)據(jù)表中選擇該類型反應(yīng)腔室對應(yīng)的氣壓穩(wěn)定時(shí)間T1、測量間隔時(shí)間T2；(3)將反應(yīng)腔室抽真空至真空壓力P，然后將反應(yīng)腔室的所有進(jìn)氣口封閉；(4)延時(shí)T1時(shí)間；(5)測量腔室初始壓力P1，延時(shí)時(shí)間T2后，測量腔室的結(jié)束壓力P2；(6)計(jì)算(P2-P1)/T2即可得到腔室的漏率。
其中，還包括所述數(shù)據(jù)表中的反應(yīng)腔室類型、氣壓穩(wěn)定時(shí)間、測量間隔時(shí)間的對應(yīng)關(guān)系由用戶根據(jù)工藝需要添加和設(shè)置。
其中，所述數(shù)據(jù)表的對應(yīng)關(guān)系中還包括反應(yīng)腔室的漏率允許值Y。
(三)有益效果由于采用以上技術(shù)方案，本發(fā)明在工藝過程中，能適用于各種不同類型的反應(yīng)腔室，并且測試過程全部由計(jì)算機(jī)完成，使使用者能便捷的獲得漏率值。


圖1是本發(fā)明所述方法的計(jì)算機(jī)控制設(shè)備連接示意圖；圖2是本發(fā)明所述方法的硬件設(shè)備結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明所述方法的程序流程圖；以上附圖中，1、閥門；2、擺閥；3、閥門；4、分子泵；5、干泵；6、壓力規(guī)；7、反應(yīng)腔室；11、工控機(jī)；12、CPCI板卡。
具體實(shí)施例方式
以下實(shí)施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
本發(fā)明的計(jì)算機(jī)控制設(shè)備連接圖如圖1所示，晶片刻蝕工藝中，工控機(jī)11通過CPCI(Compact Peripheral Component Interconnect，緊湊式外圍設(shè)備互聯(lián))板塊12與各種受控器件連接，包括閥門1、擺閥2、閥門3、分子泵4、干泵5和壓力規(guī)6。
如圖2所示，壓力規(guī)6置于反應(yīng)腔室7內(nèi)，用于實(shí)時(shí)測量反應(yīng)腔室7的壓力值。
如圖3所示，漏率測量程序啟動(dòng)時(shí)，檢測反應(yīng)腔室的類型，并根據(jù)反應(yīng)腔室類型，從數(shù)據(jù)表中讀取對應(yīng)的氣壓穩(wěn)定時(shí)間為T1、測量間隔時(shí)間為T2和漏率允許值Y；依次關(guān)閉擺閥2、閥門3和閥門1，打開干泵5，讀取壓力規(guī)6的壓力值，若壓力值大于80mTorr，則打開閥門1，并且每隔兩分鐘檢測一次壓力規(guī)6的壓力值，直至壓力值小于80mTorr；關(guān)閉閥門1，打開擺閥2、閥門3和分子泵4，當(dāng)壓力規(guī)6的壓力值小于1mTorr時(shí)，關(guān)閉擺閥2；延時(shí)T1，此時(shí)反應(yīng)腔室的壓力至穩(wěn)定狀態(tài)，記錄壓力規(guī)5的壓力值為P1，延時(shí)T2時(shí)間，記錄壓力規(guī)5的壓力值為P2；計(jì)算(P2-P1)/T2即可得到腔室的漏率；若腔室的漏率(P2-P1)/T2＞Y，則發(fā)出告警。
權(quán)利要求
1.一種測量刻蝕機(jī)反應(yīng)腔室漏率的方法，其特征在于所述方法包括如下步驟(1)漏率測量程序啟動(dòng)；(2)漏率測量程序檢測反應(yīng)腔室的類型，并根據(jù)反應(yīng)腔室類型從數(shù)據(jù)表中選擇該類型反應(yīng)腔室對應(yīng)的氣壓穩(wěn)定時(shí)間T1、測量間隔時(shí)間T2；(3)將反應(yīng)腔室抽真空至真空壓力P，然后將反應(yīng)腔室的所有進(jìn)氣口封閉；(4)延時(shí)T1時(shí)間；(5)測量腔室初始壓力P1，延時(shí)時(shí)間T2后，測量腔室的結(jié)束壓力P2；(6)計(jì)算(P2-P1)/T2即可得到腔室的漏率。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述數(shù)據(jù)表中的反應(yīng)腔室類型、氣壓穩(wěn)定時(shí)間、測量間隔時(shí)間的對應(yīng)關(guān)系由用戶根據(jù)工藝需要添加和設(shè)置。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于所述數(shù)據(jù)表的對應(yīng)關(guān)系中還包括反應(yīng)腔室的漏率允許值Y。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體刻蝕領(lǐng)域，本發(fā)明提供了一種測量刻蝕機(jī)反應(yīng)腔室漏率的方法，本發(fā)明的方法建立了一個(gè)數(shù)據(jù)表，該數(shù)據(jù)表保存了各種反應(yīng)腔室的類型對應(yīng)的氣壓穩(wěn)定時(shí)間和測量間隔時(shí)間數(shù)據(jù)，漏率檢測程序啟動(dòng)后，自動(dòng)檢測反應(yīng)腔室類型，并根據(jù)數(shù)據(jù)表中的數(shù)據(jù)，設(shè)定相應(yīng)的氣壓穩(wěn)定時(shí)間和測量間隔時(shí)間，本發(fā)明的技術(shù)方案能適用于各種不同類型的反應(yīng)腔室，并且測試過程全部由計(jì)算機(jī)完成，使使用者能便捷的獲得漏率值。
文檔編號G01M3/32GK1847814SQ20051012644
公開日2006年10月18日 申請日期2005年12月9日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月9日
發(fā)明者張京華 申請人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司