專利名稱：用于調節(jié)老化期間的溫度的系統(tǒng)和方法
技術領域：
本發(fā)明的實施例涉及半導體器件的老化。其還涉及用于控制老化期間的溫度的系統(tǒng)和方法。
背景技術：
通過執(zhí)行老化操作，針對缺陷來篩選半導體器件(例如，微處理器)，其中老化操作使器件經(jīng)受測試條件，包括升溫測試條件。然而，由于老化功率、環(huán)境溫度、氣流和熱沉性能方面的差異，所有的待測試器件可能在測試期間并不經(jīng)歷相同的溫度。
晶片制造工藝的差異是老化功率的差異的主要原因。制造工藝的差異可以引起一個部分與另一部分的泄漏電流相差多達100％。盡管來自芯片的泄漏電流與芯片上的晶體管的數(shù)目成比例，但是泄漏電流與晶體管的關鍵尺寸成反比。當前芯片制作中越來越趨向于增加晶體管的數(shù)目和減小晶體管的尺寸，這使得上述情況惡化。提供一種可以改善由老化功率的差異引起的問題的解決方案將是有利的。

發(fā)明內(nèi)容
因此，提供一種用于控制老化期間的溫度使得所有器件在老化期間經(jīng)歷基本相同的溫度的系統(tǒng)和/或方法是有價值的。
相應地，公開了用于控制老化測試期間的溫度的系統(tǒng)和方法。在一個實施例中，使待測試器件每個都經(jīng)受一個體偏置電壓。該體偏置電壓可用于控制“結溫(junction temperature)”(例如，在待測試器件處測量的溫度)?？梢灾鹌骷卣{整施加到每個待測試器件的體偏置電壓，以在每個器件處獲得基本相同的結溫。
描述了用于減少老化測試期間的溫度耗散的系統(tǒng)和方法。使待測試器件每個都經(jīng)受一個體偏置電壓。該體偏置電壓可用于控制結溫(例如，在待測試器件處測量的溫度)?？梢灾鹌骷卣{整施加到每個待測試器件的體偏置電壓，以在每個器件處獲得基本相同的結溫。


包含在本說明書中并且形成本說明書的一部分的附圖示出了本發(fā)明的實施例，并且與描述一起用來解釋本發(fā)明的原理。
圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例在N阱中形成的p溝道場效應晶體管的頂視圖；圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的用于老化測試的集成電路器件的一個示例性布局；圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的用于老化測試的集成電路器件的一個橫截面?zhèn)纫晥D；圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的用于控制老化測試期間的溫度的方法的流程圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將具體參考本發(fā)明的各個實施例，其例子示出在附圖中。盡管將結合這些實施例來描述本發(fā)明，但是應該理解其并不旨在將本發(fā)明限制于這些實施例。相反，本發(fā)明旨在覆蓋可以包括在如所附的權利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍之內(nèi)的替代、修改和等同方案。此外，在本發(fā)明的以下詳細描述中，為了提供對本發(fā)明的全面理解，陳述了大量的特定細節(jié)。然而，本領域的普通技術人員將認識到可以在沒有這些細節(jié)的情況下實施本發(fā)明。在其他情況中，對于眾所周知的方法、過程、組件和電路沒有進行詳細描述，從而不會不必要地使本發(fā)明的方面變得模糊。
以下的詳細描述中的某些部分是以過程、邏輯塊、處理和計算機存儲器內(nèi)的基于數(shù)據(jù)比特的操作的其他符號表示來呈現(xiàn)的。這些描述和表示是數(shù)據(jù)處理領域的普通技術人員將他們工作的內(nèi)容最有效地傳送給該領域的其他技術人員時所用的手段。此處一般地將過程、邏輯塊、處理等構思為導向所需結果的一系列自相容的步驟或指令。步驟是那些需要對物理量進行物理操作的步驟。盡管不是必需的，但是通常這些量采取電子或磁信號的形式，其能夠在計算機系統(tǒng)中進行存儲、傳遞、組合、比較和另外的操縱。已經(jīng)證明，主要出于通用的原因，有時可以方便地將這些信號稱為比特、字節(jié)、值、元素、符號、字符、條件、數(shù)目等。
然而，需要牢記所有這些和類似術語是與適當?shù)奈锢砹肯嚓P聯(lián)的并且僅僅是應用于這些量的方便的標簽。從以下討論可以顯然看出，除非另外特別聲明，否則應明白，貫穿本發(fā)明，利用諸如“施加”、“選擇”、“測量”、“調整”、“調節(jié)”、“存取”等術語的討論指的是計算機系統(tǒng)或類似智能電子計算設備的動作和過程(例如圖4的流程圖400)，其將表示為計算機系統(tǒng)的寄存器和存儲器內(nèi)的物理(電子)量的數(shù)據(jù)操縱并轉換成類似地表示為計算機系統(tǒng)的存儲器或寄存器或其他這類信息存儲、傳輸或顯示設備內(nèi)的物理量的其他數(shù)據(jù)。
本發(fā)明的實施例的以下描述描述了將體偏置電壓耦合到當利用p型襯底和N阱工藝時經(jīng)由n型摻雜的傳導子表面(sub-surface)區(qū)域而在表面N阱中形成的p溝道場效應晶體管(pFET)或p型金屬氧化物半導體場效應晶體管(p型MOSFET)。然而，根據(jù)本發(fā)明的實施例可以等同地應用于將體偏置電壓耦合到當利用n型襯底和P阱工藝時經(jīng)由p型摻雜的傳導子表面區(qū)域而在表面P阱中形成的n溝道FET(nFET)或n型MOSFET。因此，根據(jù)本發(fā)明的實施例適合于利用和以p型或n型材料形成的半導體。
圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的當利用p型襯底和N阱工藝時在N阱10中形成的pFET50(或p型MOSFET)的頂視圖。N阱10具有n型摻雜。利用n型摻雜劑摻雜的半導體器件區(qū)域具有一種類型的傳導性，而利用p型摻雜劑摻雜的區(qū)域具有另一種類型的傳導性。典型地，在半導體器件的不同區(qū)域中利用各種不同的摻雜劑濃度。
在本實施例中，pFET50具有施加到其塊或體端子B的體偏置電壓Vnw。如圖1所示，pFET 50具有柵極G、漏極D(p型摻雜)、源極S(p型摻雜)和塊/體端子B。特別地，塊/體端子B耦合到N阱10。因此，施加到塊/體端子B的電壓被N阱10接收。在體偏置的情況下，塊/體端子B接收體偏置電壓Vnw。因此，體偏置電壓Vnw被施加到N阱10。
將pFET 50進行體偏置以影響其性能。在不進行體偏置的情況下，源極S和塊/體端子B被耦合到一起。在進行體偏置的情況下，源極S和塊/體端子B不被耦合到一起。體偏置使得能夠控制pFET 50的源極S與塊/體端子B之間的電位差，由此提供控制pFET 50的閾值電壓電平的能力。由此還可以控制諸如與pFET 50關聯(lián)的泄漏電流之類的其他參數(shù)。增大閾值電壓將減小泄漏電流。因此，用于增大閾值電壓的體偏置可用于減小泄漏電流。
用于檢測集成電路缺陷的老化操作一般在應變溫度(例如150攝氏度)、應變電壓(例如1.5倍的正常操作電壓)下并且以低操作頻率(通常比正常操作頻率低的量級)執(zhí)行。
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的一個示例性裝置100，其包括配置用于老化操作的多個待測試器件(DUT)101、102、...、N(例如，集成電路器件)。根據(jù)本發(fā)明的實施例，集成電路器件101、102、...、N由圖1的pFET 50進行例示。如上所注，集成電路器件101、102、...、N可以替換為nFET。
圖2的集成電路101、102、...、N可以排列在印刷線路板110上，該印刷線路板110可以包括用于接納集成電路器件101、102、...、N的插槽。因為理想的情況是在升溫下操作待測試的集成電路器件，所以典型地將線路板110放置在能夠進行測試溫度(例如，150攝氏度)下的溫度調節(jié)的溫度室中。典型的老化測試室可以包括多個線路板。
線路板110包括例如在各種電源、測試控制器和/或測量儀器與待測試的集成電路器件101、102、...、N之間傳導電信號的布線走線(trace)。在本實施例中，線路板110包括操作電壓源分布系統(tǒng)151和測試控制分布系統(tǒng)152。應該明白，分布系統(tǒng)151和152可以使用總線、點對點、單獨的拓撲等進行配置。
測試控制分布系統(tǒng)152耦合測試控制器150和待測試集成電路器件101、102、...、N，并且將信號從測試控制器150遞送到待測試集成電路器件101、102、...、N。如以下將更詳細描述的，測試控制器150還可以耦合到電壓源、溫度監(jiān)測設備和環(huán)境溫度傳感器，以便測量和控制有關待測試集成電路器件101、102、...、N的功率消耗和溫度的電參數(shù)。
測試控制器150可以位于線路板110上。然而，由于各種因素(例如，用于實現(xiàn)測試控制器150的設備的物理大小和/或特性)，根據(jù)本發(fā)明的實施例也適合于使測試控制器150組件位于測試環(huán)境內(nèi)的另一地方(例如，在耦合到線路板110的單獨的線路板上，或者在熱測試室之外)。例如，如果測試控制器150被實現(xiàn)為工作站計算機，則由于其大小和操作溫度的限制，將這種工作站放置在熱測試室中通常是不切實際的。
測試單元控制器可以是也可以不是測試控制器150的一部分，其可被用于利用測試圖案序列和/或測試命令來模擬待測試集成電路器件101、102、...、N，并且用于存取結果。根據(jù)本發(fā)明的實施例也適合于廣泛的測試單元控制器和測試方法，包括例如聯(lián)合測試行動組(JTAG)邊界掃描和陣列內(nèi)置自測試(ABIST)。
操作電壓源分布系統(tǒng)151耦合操作電壓源140和待測試集成電路器件101、102、...、N。操作電壓源140提供電壓(Vdd)和電流以操作待測試集成電路器件101、102、...、N。在本實施例中，操作電壓源140還通過例如總線156耦合到測試控制器150，因此操作電壓源140可以從測試控制器150接收控制信號。
在本實施例中，每個待測試集成電路器件101、102、...、N都耦合到各自的正體偏置電壓生成器121、122、...、N。正體偏置電壓生成器121、122、...、N將正體偏置電壓提供給在待測試集成電路器件101、102、...、N中的pFET器件之下布置的n型阱。這種體偏置使得能夠例如調整pFET器件的閾值電壓以減小pFET器件的泄漏電流。在一個實施例中，由生成器121、122、...、N提供的體偏置電壓在大約零到五伏的范圍內(nèi)。在本實施例中，正體偏置電壓生成器121、122、...、N還通過例如總線157耦合到測試控制器150，因此體偏置電壓生成器可以從測試控制器150接收控制信號。
以類似的方式，每個待測試集成電路器件101、102、...、N都耦合到各自的負體偏置電壓生成器131、132、...、N。負體偏置電壓生成器131、132、...、N將負體偏置電壓提供給在待測試集成電路器件101、102、...、N中的nFET器件之下布置的p型阱。這種體偏置使得能夠例如調整nFET器件的閾值電壓以減小nFET器件的泄漏電流。在一個實施例中，由生成器131、132、...、N提供的體偏置電壓在大約零到負十伏的范圍內(nèi)。在本實施例中，負體偏置電壓生成器131、132、...、N還通過例如總線157耦合到測試控制器150，因此體偏置電壓生成器可以從測試控制器150接收控制信號。
應該明白，根據(jù)本發(fā)明的實施例，正體偏置生成器121、122、...、N和負體偏置電壓生成器131、132、...、N可以位于線路板110上，或者它們可以位于線路板110之外。
通常，體偏置電壓生成器121、122、...、N和131、132、...、N是可變電壓源。它們的輸出電壓可以設置為(一個范圍內(nèi)的)特定值。數(shù)字地(例如通過來自測試控制器150的命令)設置該特定值是理想的，但不是必需的。體偏置電流典型地在每個集成電路小于微安的量級上。因此，偏置電壓生成器121、122、...、N和131、132、...、N可以是相對小且便宜的電壓源。
在本實施例中，裝置100還包括環(huán)境溫度監(jiān)測器160，其測量測試室內(nèi)的環(huán)境溫度。環(huán)境溫度測量例如經(jīng)由總線154向回報告給測試控制器150。裝置100可以包括多個環(huán)境溫度監(jiān)測器。
繼續(xù)參考圖2，每個待測試集成電路器件101、102、...、N都耦合到各自的溫度監(jiān)測器111、112、...、N。該溫度監(jiān)測器111、112、...、N測量各自的待測試集成電路器件101、102、...、N處的溫度。該溫度測量例如經(jīng)由總線153向回報告給測試控制器150。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的配置用于老化測試的集成電路器件101的橫截面?zhèn)纫晥D。圖3示出了通過多個管腳350連接到線路板110的集成電路器件101。在本實施例中，集成電路器件101包括球柵陣列(BGA)340、封裝330、管芯(die)320和熱沉310。應該明白，包括集成電路器件101的元件只是作為示例，并且本發(fā)明不局限于使用由圖3例示的集成電路器件。
在本實施例中，溫度監(jiān)測器111位于熱沉310與管芯320之間。溫度監(jiān)測器111例如可以是熱電偶。溫度監(jiān)測器111連接到走線315，該走線315又可以連接到圖2的總線153，或者該走線315又可以代表圖2的總線153的一部分。
此處將在待測試集成電路器件處測量的溫度稱為“結溫”。在圖3的例子中，結溫是指管芯320處的溫度。
參考圖2，待測試集成電路器件101、102、...、N的結溫(Tjunction)可以根據(jù)以下關系來近似Tjunction＝Tambient+Pθi[1]其中，Tambient是由環(huán)境溫度監(jiān)測器160測量的環(huán)境溫度；P是由集成電路器件消耗的功率；以及θi是集成電路器件的熱阻(例如，與從圖3的管芯320到周圍空氣的熱傳遞相關聯(lián)的熱阻)。
消耗的功率(P)是提供給到集成電路的操作電壓以及施加到集成電路的體偏置電壓二者的函數(shù)。根據(jù)本發(fā)明的實施例，可以將θi視為對于所有的待測試集成電路器件101、102、...、N是常數(shù)，因為(如將可以看出的)可以調整功率消耗P使得結溫對于所有的待測試集成電路器件101、102、...、N基本相同。
現(xiàn)在以根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的操作描述圖2的裝置100。概括地說，即使集成電路的操作電壓保持恒定，也可以通過調整集成電路的閾值電壓來調整集成電路的功率消耗(等式[1]中的P)?？梢酝ㄟ^調整供給到在集成電路的有源半導體之下布置的體偏置阱的體偏置電壓來調整閾值電壓。調整集成電路的閾值電壓可以增大或減小集成電路的泄漏電流，泄漏電流是集成電路的功率消耗P的重要成分，尤其在低頻率操作期間，例如在老化工藝期間，更是如此。因此，控制泄漏電流提供對功率消耗的控制，并且控制體偏置電壓來控制泄漏電流。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，如上文的等式[1]所示，當環(huán)境溫度(Tambient)和熱阻(θi)基本恒定時，可以通過控制集成電路消耗的功率(P)來控制待測試集成電路的結溫(Tjunction)。由操作于固定操作電壓下的集成電路所消耗的功率(P)可以通過調整施加到該集成電路的體偏置電壓來控制。
參考圖2，選擇一個特定的結溫(例如，150攝氏度)用于老化測試。也可以指定熱測試室的環(huán)境溫度。與每個待測試集成電路器件101、102、...、N相關聯(lián)的熱阻(θi)也是已知量，至少是符合要求的近似值。而且已知操作電壓源140所供給的電壓。使用該信息，可以近似出在測試開始時施加到每個待測試集成電路器件101、102、...、N的體偏置電壓的初始量值。
然而，因為使用溫度監(jiān)測器111、112、...、N分別監(jiān)測每個待測試集成電路器件101、102、...、N處的溫度，所以不需要確定初始施加到待測試器件的體偏置電壓的量。相反，可以通過測量結溫來根據(jù)經(jīng)驗確定要施加的體偏置電壓的量，并且然后通過調整體偏置電壓以獲得老化測試所需的結溫。
在老化測試操作開始之后，監(jiān)測每個待測試集成電路器件101、102、...、N處的結溫。如果任何一個待測試器件經(jīng)歷與老化測試所需的結溫不同的結溫，則可以調整(增大或減小)待測試器件的體偏置電壓，直到結溫返回到所需值。在本實施例中，集成電路器件101、102、...、N每個都與各自的正體偏置電壓生成器121、122、...、N和負體偏置電壓生成器131、132、...、N相關聯(lián)，并且因此可以調整施加到一個待測試器件的體偏置電壓而不影響施加到其他待測試器件的體偏置電壓。
施加到每個待測試集成電路器件101、102、...、N的體偏置電壓可以通過測試控制器150基于來自溫度監(jiān)測器的反饋來自動地進行調整，或者可以手動地對其進行調整。
因此，可以通過控制施加到每個器件的體偏置電壓，分別地控制每個待測試集成電路器件101、102、...、N處的結溫。以這種方式，可以處理從一個待測試器件到另一個待測試器件的差異性，使得每個器件經(jīng)受相同的測試溫度。
例如，測試室內(nèi)的環(huán)境溫度可能不均勻，因此一些待測試器件經(jīng)受比其他待測試器件高的環(huán)境溫度。假設該情況發(fā)生，則其將反映到結溫的測量中，因為結溫是環(huán)境溫度的函數(shù)(參見上文的等式[1])。因此，處于測試室的較高溫度區(qū)域中的器件的結溫可以通過調整施加到這些器件的體偏置電壓來進行調整，直到它們各自的結溫達到所需的測試溫度。
以類似的方式，可以解決從一個待測試器件到另一個待測試器件的熱沉性能的差異?？赡艽嬖谄渌淖兞繒绊懡Y溫并且會引入各種不同待測試器件之間的差異性。一般來說，通過根據(jù)需要給不同的待測試器件施加不同的體偏置電壓，可以減少從一個器件到下一個器件的差異性，使得每個待測試器件經(jīng)受基本相同的老化測試溫度。
另外，可以隨著老化測試的過程調整體偏置電壓以解決可能隨時間發(fā)生的測試條件的變化。例如，當測試室開始加熱時，可以調整體偏置電壓，以便不僅維持所需的結溫，而且使環(huán)境溫度控制在可接受的限制內(nèi)。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的用于控制老化測試期間的溫度的方法的流程圖400。盡管在流程圖400中公開了特定的步驟，但是這些步驟是示例性的。也就是說，本發(fā)明也適合于執(zhí)行各種其他步驟或流程圖400中敘述的步驟的變體。應該明白，流程圖400中的步驟可以以與示出的順序不同的順序來執(zhí)行。
在圖4的塊410中，給待測試器件施加操作電壓。
在塊420中，給待測試器件施加體偏置電壓。選擇體偏置電壓的量使得在待測試器件處獲得特定的測試溫度。在一個實施例中，待測試器件包括P溝道金屬氧化物半導體(PMOS)器件，并且體偏置電壓在大約零到五伏的范圍內(nèi)。在另一個實施例中，待測試器件包括n溝道金屬氧化物半導體(NMOS)器件，并且體偏置電壓在大約零到負十伏的范圍內(nèi)。
在塊430中，測量待測試器件處的溫度(例如，結溫)。
在塊440中，如有必要，對施加到待測試器件的體偏置電壓的量進行調整，并且調整一個必要量以維持待測試器件處的所需測試溫度(例如，結溫)。然后流程圖400返回塊430。以這種方式，在老化期間連續(xù)地測量溫度，并且調整體偏置電壓以在整個老化期間維持恰當?shù)慕Y溫。
例如，參考圖2，待測試集成電路器件101接收由電壓源140供給的操作電壓。待測試集成電路器件101還接收來自正體偏置電壓生成器121(如果器件101是NFET器件)或負體偏置電壓生成器131(如果器件101是PFET器件)的體偏置電壓。使用溫度監(jiān)測器111測量待測試集成電路器件101處的溫度。將待測試集成電路器件101處的溫度提供給測量控制器150。如果待測試集成電路器件101處的溫度小于或者大于所需的測試溫度，則測試控制器150可以調整由正體偏置電壓生成器121或負體偏置電壓生成器131提供給器件的體偏置電壓。類似地，如果環(huán)境溫度監(jiān)測器160測量的溫度增大，則測試控制器150可以調整由正體偏置電壓生成器121或負體偏置電壓生成器131提供給待測試集成電路器件101的體偏置電壓，以維持器件處的所需測試溫度。
總而言之，本發(fā)明的實施例提供用于控制老化期間的溫度使得所有器件在老化期間經(jīng)歷基本相同的溫度的系統(tǒng)和方法。因此，所有待測試器件可以經(jīng)受基本相同的測試條件。從而，可以消除一個不穩(wěn)定源，否則該不穩(wěn)定源會被引入測試結果。
盡管針對其中使所有待測試器件經(jīng)受基本相同的測試溫度的測試進行了描述，但是應該明白，本發(fā)明的實施例同時還可以用于測試處于一定范圍的溫度下的器件。例如，通過使各種不同的待測試器件經(jīng)受不同的體偏置電壓，可以在一個結溫下測試一些器件，而在另一個結溫下測試其他器件。
另外，盡管針對其中使待測試器件經(jīng)受在老化操作期間基本保持恒定的測試溫度的測試進行了描述，但是應該明白，本發(fā)明的實施例還可以用于改變在測試期間的溫度。例如，通過以受控的方式改變老化期間的體偏置電壓，也以受控的方式改變了老化期間的結溫。
因此，根據(jù)本發(fā)明的實施例，描述了用于控制老化期間的溫度的系統(tǒng)和方法。盡管已經(jīng)在特定實施例中描述了本發(fā)明，但是應該明白，本發(fā)明不應該解釋為受限于這些實施例，而是應該解釋為根據(jù)以下的權利要求進行限制。
權利要求
1.一種用于老化測試的裝置，包括待測試器件，其適于接收體偏置電壓；電壓源，其用于給所述待測試器件提供所述體偏置電壓；以及線路板，其用于耦合所述待測試器件和所述電壓源，其中所述待測試器件經(jīng)受根據(jù)所述體偏置電壓調節(jié)的測試溫度。
2.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中選擇所述體偏置電壓以獲得在所述待測試器件處測量的特定的測試溫度。
3.根據(jù)權利要求1所述的裝置，還包括測試控制器，其經(jīng)由所述線路板耦合到所述待測試器件。
4.根據(jù)權利要求1所述的裝置，還包括第二電壓源，其用于給所述待測試器件提供操作電壓。
5.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中所述待測試器件包括p溝道金屬氧化物半導體(PMOS)器件。
6.根據(jù)權利要求5所述的裝置，其中所述體偏置電壓在大約零到五伏的范圍內(nèi)。
7.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中所述待測試器件包括n溝道金屬氧化物半導體(NMOS)器件。
8.根據(jù)權利要求7所述的裝置，其中所述體偏置電壓在大約零到負十伏的范圍內(nèi)。
9.一種對待測試器件進行老化測試的方法，所述方法包括給所述待測試器件施加操作電壓；給所述待測試器件施加體偏置電壓，其中選擇所述體偏置電壓以獲得在所述待測試器件處測量的特定的測試溫度；以及測量所述待測試器件處的溫度。
10.根據(jù)權利要求9所述的方法，還包括調整所述體偏置電壓以調整所述待測試器件處的溫度。
11.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中所述待測試器件包括p溝道金屬氧化物半導體(PMOS)器件。
12.根據(jù)權利要求11所述的方法，其中所述體偏置電壓在大約零到五伏的范圍內(nèi)。
13.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中所述待測試器件包括n溝道金屬氧化物半導體(NMOS)器件。
14.根據(jù)權利要求13所述的方法，其中所述體偏置電壓在大約零到負十伏的范圍內(nèi)。
15.一種用于老化測試的裝置，包括多個待測試器件，每個待測試器件都適于接收體偏置電壓，其中監(jiān)測每個待測試器件處的溫度；電壓源，其用于給所述待測試器件提供體偏置電壓；以及線路板，其包括電路，所述電路將每個待測試器件分別耦合到所述電壓源，使得每個待測試器件可以接收不同的體偏置電壓。
16.根據(jù)權利要求15所述的裝置，還包括測試控制器，其經(jīng)由所述線路板耦合到所述待測試器件。
17.根據(jù)權利要求15所述的裝置，還包括電壓源，其用于給所述待測試器件提供操作電壓。
18.根據(jù)權利要求15所述的裝置，其中所述待測試器件包括p溝道金屬氧化物半導體(PMOS)器件。
19.根據(jù)權利要求18所述的裝置，其中所述體偏置電壓在大約零到五伏的范圍內(nèi)。
20.根據(jù)權利要求18所述的裝置，其中所述待測試器件包括n溝道金屬氧化物半導體(NMOS)器件。
21.根據(jù)權利要求20所述的裝置，其中所述體偏置電壓在大約零到負十伏的范圍內(nèi)。
22.根據(jù)權利要求15-21中任意一項所述的裝置，其中選擇施加到待測試器件的體偏置電壓以獲得在所述待測試器件處測量的特定的測試溫度。
23.根據(jù)權利要求1-8中任意一項所述的裝置，其中通過調整所述體偏置電壓來進行所述測試溫度的所述調節(jié)，并且所述待測試器件經(jīng)受老化測試溫度。
全文摘要
描述了用于減少老化測試期間的溫度耗散的系統(tǒng)和方法。待測試器件每個都經(jīng)受一個體偏置電壓。體偏置電壓可用于控制結溫(例如，在待測試器件處測量的溫度)?？梢灾鹌骷卣{整施加到每個待測試器件的體偏置電壓，以便在每個器件處獲得基本相同的結溫。
文檔編號G01R31/28GK1997904SQ200580006304
公開日2007年7月11日 申請日期2005年3月1日 優(yōu)先權日2004年3月1日
發(fā)明者埃里克·千里·盛, 戴維·H·霍夫曼, 約翰·勞倫斯·尼文 申請人:全美達股份有限公司