專(zhuān)利名稱(chēng)：：生成器件測(cè)試圖形的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件測(cè)試方法，特別涉及一種半導(dǎo)體器件測(cè)試圖形的生成方法。
背景技術(shù)：
：工藝開(kāi)發(fā)需要大量的測(cè)試圖形來(lái)驗(yàn)證版圖設(shè)計(jì)規(guī)則，比如，一種高壓晶體管往往需要上百個(gè)測(cè)試圖形來(lái)驗(yàn)證它所涉及的各種器件參數(shù)。對(duì)于這些測(cè)試圖形的生成，目前大多數(shù)工藝開(kāi)發(fā)商還是采用手動(dòng)版圖的方法來(lái)設(shè)計(jì)測(cè)試圖形。考慮到這些測(cè)試圖形只是由于器件參數(shù)的變化而引起的版圖變化，圖形的層次和相對(duì)位置還是一致的，所以有些EDA供應(yīng)商提供了一種Pcell(parameterizedcell)的功能，就是通過(guò)設(shè)計(jì)一個(gè)復(fù)雜的參數(shù)化單元來(lái)實(shí)現(xiàn)參數(shù)值的變化。這種方法可以解決手動(dòng)重復(fù)操作的問(wèn)題，然而設(shè)計(jì)Pcell的時(shí)間仍然會(huì)很長(zhǎng)，且Pcell設(shè)計(jì)過(guò)程中無(wú)法預(yù)見(jiàn)最終的生成結(jié)果。上述方法有一個(gè)明顯的缺點(diǎn)，就是無(wú)法在短時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)測(cè)試圖形的快速生成。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種生成器件測(cè)試圖形的方法，可以在短時(shí)間內(nèi)生成大量測(cè)試圖形。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明生成器件測(cè)試圖形的方法，包括以下步驟首先繪制一個(gè)作為模版的測(cè)試圖形，其余同類(lèi)測(cè)試圖形將以此為基礎(chǔ)生成；設(shè)定一平面坐標(biāo)系并獲取模板測(cè)試圖形中各幾何圖形頂點(diǎn)的坐標(biāo)，將幾何坐標(biāo)平面分別在x軸方向按需要變化的各個(gè)器件參數(shù)進(jìn)行分段，在y軸方向按需要變化的各個(gè)器件參數(shù)進(jìn)行分段；獲取待形成的測(cè)試圖形中幾何圖形與模板測(cè)試圖形中相應(yīng)幾何圖形頂點(diǎn)坐標(biāo)之間的偏置值，偏置值等于相應(yīng)坐標(biāo)軸在相應(yīng)坐標(biāo)區(qū)段內(nèi)的各個(gè)器件參數(shù)變化所帶來(lái)的幾何坐標(biāo)值的變化之和；獲取待形成的測(cè)試圖形中各幾何圖形頂點(diǎn)的坐標(biāo)，得到偏置值后，待形成fe測(cè)試圖形中各幾何圖形頂點(diǎn)的坐標(biāo)就等于模板測(cè)試圖形中相應(yīng)幾何圖形頂點(diǎn)坐標(biāo)加上相應(yīng)的偏置值，得到待形成的測(cè)試圖形中各幾何圖形頂點(diǎn)的坐標(biāo)后，即完成待形成的測(cè)試圖形。本發(fā)明直接利用現(xiàn)有測(cè)試圖形進(jìn)行幾何坐標(biāo)變換，可以在極短的時(shí)間內(nèi)生成大量測(cè)試圖形。圖1是一種CMOS管的測(cè)試用幾何平面圖示意；圖2是圖1所示CMOS管的幾何坐標(biāo)系示意圖3是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中對(duì)模板測(cè)試圖形進(jìn)行幾何坐標(biāo)變換生成新測(cè)試圖形的前后對(duì)比圖。具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。工藝開(kāi)發(fā)用的測(cè)試圖形是由一些幾何圖形組成的，每一類(lèi)幾何圖形都和一個(gè)特定的工藝步驟相對(duì)應(yīng)。如圖1所示的CMOS管幾何平面圖，它由多晶硅(poly)、通孔(contact)、擴(kuò)散層(diffbsion)、阱(well)四個(gè)矩形組成。當(dāng)然實(shí)際上可能會(huì)有更多幾何圖形，為了敘述簡(jiǎn)化起見(jiàn)，在此以四個(gè)矩形為例進(jìn)行說(shuō)明，同時(shí)將所有通孔看成一個(gè)矩形。這些矩形又是由四個(gè)幾何頂點(diǎn)連接而成，每一個(gè)幾何頂點(diǎn)都有自己的x軸坐標(biāo)和y軸坐標(biāo)。假設(shè)由于工藝測(cè)試的需要，要對(duì)圖1所示的CMOS管幾何平面圖中所表示的晶體管寬度(width)和晶體管溝道長(zhǎng)度(length)進(jìn)行尺寸上的變化，且尺寸變化如表l所示<table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table>表1CMOS管尺寸變化示例上表只列出了5組尺寸，但由于實(shí)際操作中這些尺寸變化數(shù)量會(huì)非常巨大，因此手動(dòng)進(jìn)行版圖修改就顯得非常不便。本發(fā)明提供了另一種實(shí)現(xiàn)的方法，以解決短時(shí)間內(nèi)，完成大量測(cè)試圖形生成的問(wèn)題。首先繪制一個(gè)作為模版的測(cè)試圖形，其余同類(lèi)測(cè)試圖形將以此為基礎(chǔ)生成。用epoiy、econtact、ediffustion、ewell分別表示多晶硅、通孑L、擴(kuò)散層、阱四類(lèi)幾何圖形。這時(shí)可以建立如圖2所示的幾何坐標(biāo)系，其原點(diǎn)可設(shè)在阱矩形左下角處，其X軸和Y軸分別沿阱矩形的邊的平行線(xiàn)延伸，以使得每個(gè)幾何圖形的頂點(diǎn)坐標(biāo)均大于零而便于計(jì)算。每個(gè)幾何圖形的各個(gè)頂點(diǎn)以(x，y)形式表示，x為頂點(diǎn)的x軸坐標(biāo)，y為頂點(diǎn)的y軸坐標(biāo)；用xmax、xmin、ymax、yn^分別表示幾何圖形e的最大X軸頂點(diǎn)坐標(biāo)、最小X軸頂點(diǎn)坐標(biāo)、最大y軸頂點(diǎn)坐標(biāo)、最小y軸頂點(diǎn)坐標(biāo)。這時(shí)將坐標(biāo)平面分別在x軸方向按晶體管溝道長(zhǎng)度(length)進(jìn)行分段，在y軸方向按晶體管寬度(width)進(jìn)行分段，其中l(wèi)ength=xmax—xmin，xE{epolynediffi)Stion};width=ymax—ymin，yE{ep0lynediffilstion}，其中epolyneai泡sti。n表示ep一和ed跑sti。n交疊所形成的幾何圖形。假設(shè)圖l所示CMOS管幾何平面圖中的length為length。-0.25um,width為width(TlOum，那么對(duì)應(yīng)前述表l中的各個(gè)length和width值可以得到相應(yīng)的lengh和width偏置值lengthbias和widthbias，如表2所示<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>表2lengh和width偏置值示例在圖2所示的坐標(biāo)系中，對(duì)于x》x,。，可以得到x^xo+lengthb^;對(duì)于x《xmin()，可以得到x=xo;同樣，對(duì)于y>ymax，可以得到y(tǒng)=yo+widthbias;對(duì)于y《ymin，可以得到y(tǒng):yo。其中，xG、yo分別代表作為模板的測(cè)試圖形的頂點(diǎn)的x軸坐標(biāo)和y軸坐標(biāo)。綜合以上的推導(dǎo)，可以得到「x=x0+lengthbiasx>xmin0lengthbias=length-lengtholength0=xmax0—xmin0xe{epoly門(mén)ediffilstion}「y=yo+widthbiasy>ymin0Ly=yoy%minowidthbias=width-widthowidth0=ymax0—ymin0ye{epoly門(mén)ediffUstion}上面的例子中，在x軸方向需要變化的參數(shù)是晶體管寬度，在y軸方向需要變化的參數(shù)是晶體管溝道長(zhǎng)度。推而廣之，當(dāng)在某個(gè)方向上存在多個(gè)需要變化的器件參數(shù)時(shí)，可以得到x=x0+ZxbiasxminO<X《Xmaxoy=y0+1]ybiasymin0<y《ymaxo其中I>bias為在(Xmin(),Xmaxo]區(qū)域內(nèi)器件參數(shù)值變化所引起的X軸方向偏置值之和，Eyb&為在(y^0，ymaxo]區(qū)域內(nèi)器件參數(shù)值變化所引起的y軸方向偏置值之和。這樣，就可以獲取待形成的測(cè)試圖形中幾何圖形與模板測(cè)試圖形中相應(yīng)幾何圖形頂點(diǎn)坐標(biāo)之間的偏置值，偏置值等于相應(yīng)坐標(biāo)軸在相應(yīng)坐標(biāo)區(qū)段內(nèi)的各個(gè)器件參數(shù)變化所帶來(lái)的幾何坐標(biāo)值的變化之和。獲取待形成的測(cè)試圖形中各幾何圖形頂點(diǎn)的坐標(biāo)，得到偏置值后，待形成的測(cè)試圖形中各幾何圖形頂點(diǎn)的坐標(biāo)就等于模板測(cè)試圖形中相應(yīng)幾何圖形頂點(diǎn)坐標(biāo)加上相應(yīng)的偏置值，得到待形成的測(cè)試圖形中各幾何圖形頂點(diǎn)的坐標(biāo)后，待形成的測(cè)試圖形即告完成。以圖1所示CMOS管為例，假設(shè)只需要更改length和width兩個(gè)幾何制約，建立附圖2所示的幾何坐標(biāo)系，即可得到-if(x《xmin0)x=x0;elsex=x0+lengthbias;if(y%min0)y=yo;elsey=y0+widthbias;其中，lengthbias=length-length0，length0=x,0一XminO,XE{epoiyPiedifftjstion}，widthbias=width-width0,width0=ymax0-ymin0賃yE{e—Dediffbstion}。圖3是對(duì)圖2所示模板測(cè)試圖形進(jìn)行坐標(biāo)變換的前后對(duì)比圖。由于本發(fā)明所提供的方法是直接利用現(xiàn)有測(cè)試圖形進(jìn)行幾何坐標(biāo)變換，所以可以在極短的時(shí)間內(nèi)，生成大量測(cè)試圖形。權(quán)利要求1、一種生成器件測(cè)試圖形的方法，其特征是，包括以下步驟首先繪制一個(gè)作為模版測(cè)試圖形，其余同類(lèi)測(cè)試圖形將以此為基礎(chǔ)生成；設(shè)定一平面坐標(biāo)系并獲取模板測(cè)試圖形中各幾何圖形頂點(diǎn)的坐標(biāo)，將幾何坐標(biāo)平面分別在x軸方向按需要變化的各個(gè)器件參數(shù)進(jìn)行分段，在y軸方向按需要變化的各個(gè)器件參數(shù)進(jìn)行分段；然后獲取待形成的測(cè)試圖形中幾何圖形與模板測(cè)試圖形中相應(yīng)幾何圖形頂點(diǎn)坐標(biāo)之間的偏置值，偏置值等于相應(yīng)坐標(biāo)軸在相應(yīng)坐標(biāo)區(qū)段內(nèi)的各個(gè)器件參數(shù)變化所帶來(lái)的幾何坐標(biāo)值的變化之和；再獲取待形成的測(cè)試圖形中各幾何圖形頂點(diǎn)的坐標(biāo)，得到偏置值后，待形成的測(cè)試圖形中各幾何圖形頂點(diǎn)的坐標(biāo)就等于模板測(cè)試圖形中相應(yīng)幾何圖形頂點(diǎn)坐標(biāo)加上相應(yīng)的偏置值，得到待形成的測(cè)試圖形中各幾何圖形頂點(diǎn)的坐標(biāo)后，即完成待形成的測(cè)試圖形。2、根據(jù)權(quán)利要求l所述的生成器件測(cè)試圖形的方法，其特征是，所述模板測(cè)試圖形和所述待形成的測(cè)試圖形中的幾何圖形均為矩形。3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的生成器件測(cè)試圖形的方法，其特征是，所述平面坐標(biāo)系的x軸和y軸分別沿所述矩形的邊的平行線(xiàn)延伸。全文摘要本發(fā)明公開(kāi)了一種生成器件測(cè)試圖形的方法，先繪制一個(gè)作為模版的測(cè)試圖形，然后獲取待形成的測(cè)試圖形中幾何圖形與模板測(cè)試圖形中相應(yīng)幾何圖形頂點(diǎn)坐標(biāo)之間的偏置值，得到偏置值后，待形成的測(cè)試圖形中各幾何圖形頂點(diǎn)的坐標(biāo)就等于模板測(cè)試圖形中相應(yīng)幾何圖形頂點(diǎn)坐標(biāo)加上相應(yīng)的偏置值，得到待形成的測(cè)試圖形中各幾何圖形頂點(diǎn)的坐標(biāo)后，即完成待形成的測(cè)試圖形。本發(fā)明直接利用現(xiàn)有測(cè)試圖形進(jìn)行幾何坐標(biāo)變換，可以在極短的時(shí)間內(nèi)生成大量測(cè)試圖形。文檔編號(hào)G01R31/26GK101201382SQ20061011939公開(kāi)日2008年6月18日申請(qǐng)日期2006年12月11日優(yōu)先權(quán)日2006年12月11日發(fā)明者張興洲申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司