專(zhuān)利名稱(chēng)：用于測(cè)試圖像傳感器的承接座的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本創(chuàng)作涉及一種用于測(cè)試圖像傳感器的承接座，尤其涉及一種適用于互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(Complementary Metal-Oxide Semiconductor；CMOS)圖像傳感器，以改善測(cè)試光線(xiàn)的照射面積和照射質(zhì)量的承接座。
背景技術(shù)：
CMOS圖像傳感器是標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體制程產(chǎn)生的光電元件，即可利用現(xiàn)有的半導(dǎo)體設(shè)備制造，同時(shí)具有高度系統(tǒng)集成的特性，所以漸漸朝向單芯片集成的技術(shù)方向發(fā)展。CMOS圖像傳感器目前已大量應(yīng)用在數(shù)碼相機(jī)、圖像電話(huà)和第三代手機(jī)等各方面，以作為圖像檢索用途的光學(xué)傳感元件。與發(fā)展時(shí)間較久的電荷耦合元件(Charge Coupled Device；CCD)相比，CMOS圖像傳感器已經(jīng)成為圖像科技發(fā)展的另一主流。
由于圖像傳感器的功能為檢索物件的圖像，除了如同其它半導(dǎo)體元件于測(cè)試制程中需要檢測(cè)在輸出和接收電子信號(hào)時(shí)是否有正確的反應(yīng)，更重要的是要確認(rèn)圖像傳感器能否正確傳感圖像。換句話(huà)說(shuō)，圖像傳感器在封裝完成后，需要檢驗(yàn)是否符合設(shè)計(jì)時(shí)預(yù)定的規(guī)格，例如像素、焦距和圖像范圍偏移度等相關(guān)參數(shù)，如此才可確保圖像傳感器裝設(shè)于應(yīng)用系統(tǒng)或電子產(chǎn)品后，能感測(cè)到正確的圖像而使系統(tǒng)或電子產(chǎn)品有正確的性能表現(xiàn)。
隨著封裝技術(shù)的不斷進(jìn)步，封裝后的光電元件的外觀均朝向輕、薄、短、小的趨勢(shì)變化。傳統(tǒng)圖像傳感器是以大體積的無(wú)導(dǎo)引腳芯片承載(Leadless Chip Carrier；LCC)型式進(jìn)行封裝，然而逐漸已被芯片尺寸封裝(Chip Scale Package；CSP)型式的技術(shù)所取代。圖1是一常規(guī)芯片尺寸封裝型式的圖像傳感器的外觀示意圖。所述圖像傳感器10的封裝體13表面具有一可接受光線(xiàn)的圖像傳感區(qū)11，另一表面則設(shè)有作為元件輸入/輸出(I/O)的復(fù)數(shù)個(gè)錫球12。另一方面，隨著像素?cái)?shù)量的提升，圖像傳感區(qū)11的外圍也越來(lái)越靠近封裝體13邊緣，也就是非傳感區(qū)的面積或所占比例變得更小。
當(dāng)測(cè)試時(shí)，圖像傳感器10是置于一測(cè)試用的承接座20上，通常所述承接座20會(huì)讓所述封裝體13的四個(gè)邊緣或三個(gè)邊緣承靠其上，如圖2所示。承接座20具有一可放置待測(cè)試圖像傳感器的容室21，又鄰近容室21底部有一凸緣23，可供封裝體13上具圖像傳感區(qū)11的表面承靠。當(dāng)測(cè)試光線(xiàn)80由凸緣23向上照射，圖像傳感區(qū)11可接受所述測(cè)試光線(xiàn)80。最后圖像傳感器10將測(cè)試光線(xiàn)80轉(zhuǎn)換為電氣信號(hào)，而由上方的錫球12輸出到測(cè)試主機(jī)(未圖示)。
就目前芯片尺寸封裝型式而言，圖像傳感器10的非圖像傳感區(qū)的寬度h約為0.1mm，相對(duì)承接座20上凸緣23寬度H則很難做到小于0.1mm而仍能具有承靠功能，因此H必須大于h。如圖3所示圖2中A區(qū)域的放大圖，如此一來(lái)凸緣23的承靠面22不僅遮住圖像傳感區(qū)11的邊緣，使得圖像傳感區(qū)11的邊緣無(wú)法接受測(cè)試光線(xiàn)80，會(huì)造成測(cè)試上死角而影響測(cè)試結(jié)果的完整性；或者是產(chǎn)生陰影而使圖像傳感區(qū)11局部失真，而同樣會(huì)影響測(cè)試結(jié)果的正確性。
綜上所述，市場(chǎng)上急切需要一種不僅可有效固定圖像傳感器，還能增進(jìn)測(cè)試結(jié)果完整性和正確性的承接座。
實(shí)用新型內(nèi)容本創(chuàng)作的目的是提供一種用于測(cè)試圖像傳感器的承接座，其改善承接座的承靠結(jié)構(gòu)而增進(jìn)測(cè)試結(jié)果的完整性和正確性。
本創(chuàng)作的另一目的是提供一種兼容于目前測(cè)試設(shè)備的承接座，除了有效固定圖像傳感器外，不需任何轉(zhuǎn)換就能直接用于目前的測(cè)試設(shè)備。
為達(dá)到上述目的，本創(chuàng)作揭示一種用于測(cè)試圖像傳感器的承接座，其包含一基座和一高透光率的板材。所述基座具有一可放置待測(cè)試圖像傳感器的容室，所述容室的側(cè)壁可以限定所述圖像傳感器于待測(cè)位置。又所述板材是固定于所述基座上，并與所述側(cè)壁鄰接形成所述容室的一封閉端。所述圖像傳感器是由相對(duì)于所述基座的開(kāi)放端置入所述容室內(nèi)，且將所述圖像傳感器的圖像傳感區(qū)抵靠于所述板材表面。所述板材的面積要大于所述圖像傳感區(qū)的面積，因此測(cè)試光線(xiàn)可充分進(jìn)入所述圖像傳感區(qū)內(nèi)。所述板材可以是一透明玻璃或一均光片，以便測(cè)試光線(xiàn)穿過(guò)。
通過(guò)上述設(shè)計(jì)，本創(chuàng)作的承載座使用了高透光率的板材，可以在不遮住圖像傳感區(qū)或其邊緣的同時(shí)，承載圖像傳感器，從而不會(huì)阻擋照射圖像傳感區(qū)的測(cè)試光線(xiàn)，影響測(cè)試結(jié)果的完整性或是使圖像傳感區(qū)局部失真。因而，本創(chuàng)作提供了一種可有效固定圖像傳感器并且增進(jìn)測(cè)試結(jié)果完整性和正確性的承載座。
此外，可以于所述板材表面疊放一均光片、濾光片、偏光片或減光片，所述測(cè)試光線(xiàn)先經(jīng)過(guò)所述均光片、濾光片、偏光片或減光片再穿透所述板材到圖像傳感。


圖1是一常規(guī)芯片尺寸封裝型式的圖像傳感器的外觀示意圖；圖2是常規(guī)用于測(cè)試圖像傳感器的承接座的剖視圖；圖3是圖2中A部分的放大視圖；圖4是本創(chuàng)作用于測(cè)試圖像傳感器的承接座的剖視圖；和圖5是本創(chuàng)作另一實(shí)施例的承接座的剖視圖。
具體實(shí)施方式
圖4是本創(chuàng)作用于測(cè)試圖像傳感器的承接座的剖視圖。承接座40包含一基座41和一高透光率的板材42，所述基座41具有一可放置待測(cè)試圖像傳感器10的容室411。容室411的大小恰好可容納圖像傳感器10的封裝體13，即容室411的側(cè)壁412可以限定所述圖像傳感器10于一待測(cè)位置。又所述板材42是固定于所述基座41的固定槽413內(nèi)，并與側(cè)壁412鄰接而形成所述容室411的一封閉端，其表面可托住整個(gè)圖像傳感區(qū)11卻不遮住測(cè)試光線(xiàn)80的進(jìn)入。板材42與基座41的固接方式并不受本實(shí)施例限制，還可以固定件(圖未示)或其它方式將板材42邊緣固鎖于基座41上。
板材42可以是透明玻璃和均光片的其中一者，由于板材42的面積大于所述圖像傳感區(qū)11的面積，因此測(cè)試光線(xiàn)80可充分進(jìn)入所述圖像傳感區(qū)11內(nèi)。并且可將基座41靠近測(cè)試光線(xiàn)80進(jìn)入端形成包含斜面414的棱角，如此可避免斜射光線(xiàn)被擋住而造成圖像傳感區(qū)11上的陰影。四周的斜面414形成一圓錐體的部分錐狀表面，能減少不必要的陰影產(chǎn)生。實(shí)際上，本創(chuàng)作并不限定采用如圖所示的斜面結(jié)構(gòu)，其它朝向所述圖像傳感區(qū)11方向呈漸縮的結(jié)構(gòu)，也為本創(chuàng)作所包含。
圖5是本創(chuàng)作另一實(shí)施例的承接座的剖視圖。承接座40′同樣包含一基座41′和一高透光率的板材42，所述基座41′具有一可放置待測(cè)試圖像傳感器10的容室411′。容室411′的大小恰好可容納圖像傳感器10的封裝體13，即容室411′的側(cè)壁412′可以限定所述圖像傳感器10于圖示的待測(cè)位置。又所述板材42是固定于所述基座41′的固定槽413′內(nèi)，并與側(cè)壁412′鄰接而形成所述容室411′的一封閉端，其表面可托住整個(gè)圖像傳感區(qū)11卻不遮住測(cè)試光線(xiàn)80的進(jìn)入板材42。
與圖4相比較，圖5是于高透光率的板材42表面疊置一光學(xué)處理片43，例如均光片、濾光片、偏光片或減光片，所述測(cè)試光線(xiàn)80先經(jīng)過(guò)所述光學(xué)處理片43再穿透所述板材42到圖像傳感區(qū)11。并且可將基座41′靠近測(cè)試光線(xiàn)80進(jìn)入端形成包含斜面414′的棱角，如此可避免斜射光線(xiàn)被擋住而造成圖像傳感區(qū)11上的陰影。
本創(chuàng)作的板材42可以確實(shí)承扥住圖像傳感器10。與圖2中凸緣23相比較，則可能因?yàn)閳D像傳感器10置入承接座20的角度偏差，而無(wú)法確實(shí)承托住圖像傳感器10，甚至讓圖像傳感器10卡住或落到下方而損壞。
本創(chuàng)作的技術(shù)內(nèi)容和技術(shù)特點(diǎn)已揭示如上，然而所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員仍可能基于本創(chuàng)作的教示和揭示而作種種不背離本創(chuàng)作精神的替換和修改。因此，本創(chuàng)作的保護(hù)范圍應(yīng)不限于實(shí)施例所揭示的內(nèi)容，而應(yīng)包括各種不背離本創(chuàng)作的替換和修改，并為所附的權(quán)利要求書(shū)所涵蓋。
權(quán)利要求1.一種用于測(cè)試圖像傳感器的承接座，可使至少一待測(cè)試的圖像傳感器限定于測(cè)試位置，并讓測(cè)試光線(xiàn)照射所述圖像傳感器的圖像傳感區(qū)，其特征在于包含一基座，具有一可放置所述圖像傳感器的容室，所述容室的側(cè)壁可以限定所述圖像傳感器于所述測(cè)試位置；和一高透光率的板材，是固定于所述基座且和所述側(cè)壁相鄰接，所述板材的第一表面可托住所述圖像傳感器；其中所述板材的面積大于所述圖像傳感區(qū)的面積，測(cè)試光線(xiàn)可穿透所述板材而進(jìn)入所述圖像傳感區(qū)內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于測(cè)試圖像傳感器的承接座，其特征在于所述板材是與所述側(cè)壁形成所述容室的一封閉端。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于測(cè)試圖像傳感器的承接座，其特征在于所述板材是一透明玻璃或一均光片。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于測(cè)試圖像傳感器的承接座，其特征在于所述承接座另外包含一疊置于所述板材的第二表面的光學(xué)處理片。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于測(cè)試圖像傳感器的承接座，其特征在于所述光學(xué)處理片是一均光片、濾光片、偏光片或減光片。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于測(cè)試圖像傳感器的承接座，其特征在于所述基座具有可固定所述板材的固定槽。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于測(cè)試圖像傳感器的承接座，其特征在于所述基座接受所述測(cè)試光線(xiàn)進(jìn)入處是一漸縮結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于測(cè)試圖像傳感器的承接座，其特征在于所述基座接受所述測(cè)試光線(xiàn)進(jìn)入處的側(cè)壁為斜面，所述斜面圍繞形成一圓錐體部分的錐狀表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于測(cè)試圖像傳感器的承接座，其特征在于所述容室恰好可容納所述圖像傳感器的封裝體。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于測(cè)試圖像傳感器的承接座，其特征在于所述圖像傳感器是互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體型式的元件。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于測(cè)試圖像傳感器的承接座，其特征在于所述圖像傳感器是采用芯片尺寸封裝。
專(zhuān)利摘要一種用于測(cè)試圖像傳感器的承接座，其包含一基座和一高透光率的板材。所述基座具有一可放置待測(cè)試圖像傳感器的容室，所述容室的側(cè)壁可以限定所述圖像傳感器于待測(cè)位置。又，所述板材是固定于所述基座上，并與所述側(cè)壁鄰接形成所述容室的一封閉端。所述圖像傳感器是由相對(duì)于所述基座的開(kāi)放端置入所述容室內(nèi)，且將所述圖像傳感器的圖像傳感區(qū)抵靠于所述板材表面。所述板材的面積要大于所述圖像傳感區(qū)的面積，因此測(cè)試的光線(xiàn)可充分進(jìn)入所述圖像傳感區(qū)內(nèi)。
文檔編號(hào)G01M11/00GK2916645SQ20062000236
公開(kāi)日2007年6月27日 申請(qǐng)日期2006年2月17日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月17日
發(fā)明者潘敬忠, 翁煥翔 申請(qǐng)人:原相科技股份有限公司