專利名稱：用于測(cè)試和分析集成電路的裝置、系統(tǒng)和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于在裝置的第一面和第二面上測(cè)試和分析集成電路的裝置。本發(fā)明也涉及用于在裝置的第一面和第二面上測(cè)試和分析集成電路的 系統(tǒng)，其中所述系統(tǒng)包括這種裝置。本發(fā)明進(jìn)一步涉及用于在第一面和第二面上測(cè)試和分析集成電路的方 法，其中使用根據(jù)本發(fā)明的裝置。
背景技術(shù)：
從美國(guó)專利6， 127， 833已知這種類型的裝置。該文獻(xiàn)描述了包括絕 緣基板的半導(dǎo)體測(cè)試載體，該絕緣基板具有頂表面、底表面和周邊；矩形 腔居中地位于頂表面上并延伸穿過而到達(dá)底表面。在腔的周邊，在頂表面 上形成導(dǎo)電接地跡線，與接地跡線的每個(gè)拐角相鄰地形成導(dǎo)電拐角電力跡 線，規(guī)則圖案的導(dǎo)電線鍵合焊盤包圍拐角電力跡線。在包圍電力跡線的四 個(gè)側(cè)邊的每一個(gè)側(cè)邊上按照線性陣列形成線鍵合焊盤。第一中間球焊盤陣 列(interstitial ball pad array)包圍導(dǎo)電線鍵合焊盤，并通過導(dǎo)電通路與底 表面連接，與底表面上的第二中間球焊盤陣列連通。將玻璃板附加到絕緣 基板的底側(cè)上以在矩形腔中形成底部支撐表面。將半導(dǎo)體裝置放置在腔中， 并且其背側(cè)粘附連接到玻璃板上。釆用冶金鍵合的導(dǎo)電線，將器件合適的 輸入/輸出端子連接到基板頂表面上的合適的線鍵合焊盤和跡線上。采用密 封聚合物密封線的露出端部。已知裝置的問題是它僅適合于測(cè)試和分析集成電路原型。所形成的裝 置是不適合于用于產(chǎn)品的一次性集成電路封裝。因此， 一旦如此封裝，集 成電路就不再能被用于產(chǎn)品，意味著在已經(jīng)測(cè)試和分析之后，可以丟棄這 些集成電路。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種在開頭段落中限定的那種類型的裝置，通過 該裝置可以在前面和背面上按照其常規(guī)的封裝進(jìn)行分析和測(cè)試。根據(jù)本發(fā)明，該目的借助于一種具有第一面和第二面的裝置來實(shí)現(xiàn)， 該裝置具有垂直于裝置的第一面的第一假想對(duì)稱平面，該裝置還包括信號(hào) 導(dǎo)體組，并且在裝置的兩面上均包括信號(hào)觸點(diǎn)組，在裝置的第二面上的信 號(hào)觸點(diǎn)組位于相對(duì)于裝置的第一面上的信號(hào)觸點(diǎn)組的鏡像位置處，并且裝 置兩面上的信號(hào)觸點(diǎn)組相對(duì)于第一假想對(duì)稱平面對(duì)稱設(shè)置。由于所述措施，已經(jīng)可能安裝傳統(tǒng)封裝的集成電路。該裝置在信號(hào)觸點(diǎn)位置方面的對(duì)稱性以及從該裝置的兩面可接近性(accessibility)進(jìn)一步 使得可能將該裝置安裝在測(cè)試系統(tǒng)的兩個(gè)使用位置中。關(guān)于此點(diǎn)，當(dāng)將裝 置安裝在第二使用位置時(shí)，發(fā)現(xiàn)信號(hào)觸點(diǎn)位于與第一使用位置的信號(hào)觸點(diǎn) 的位置相匹配的位置上。因而，在一個(gè)使用位置，可以測(cè)試和分析集成電 路的第一側(cè)，并且在另一個(gè)使用位置，可以測(cè)試和分析集成電路的第二側(cè)。 因此，不需要制作測(cè)試封裝以便測(cè)試和分析集成電路。根據(jù)本發(fā)明的該裝置的附加優(yōu)點(diǎn)是它也適合于測(cè)試和分析由于其中有 問題而被客戶退回的集成電路。進(jìn)一步地，應(yīng)當(dāng)觀察到，本發(fā)明具有通用的布局，使得可能進(jìn)行在集 成電路的第一面(例如在前面)、在第二面(例如在背面)、或在兩個(gè)面 上要求接近的寬范圍的測(cè)試和分析。在下文中將給出可能的測(cè)試和分析的 非限制性總結(jié)-使用ATE (自動(dòng)測(cè)試設(shè)備，例如Agilent 93000系統(tǒng))的功能測(cè)試和 調(diào)試測(cè)試；一使用顯微鏡的光學(xué)成像； 一基于激光的分析技術(shù)，如 一LVP (激光電壓探針)； —SDL (軟缺陷定位)； 一RIL (電阻互連定位)； 一DLS (動(dòng)態(tài)激光掃描)； 一基于光發(fā)射的分析技術(shù)，如一SPE (靜態(tài)光子發(fā)射)；—時(shí)間分辨發(fā)射測(cè)量(例如借助于EMI顯示鏡(EMI scope));一PICA (皮秒成像電路分析)；一電子束探針；一等等。在根據(jù)本發(fā)明的該裝置的改進(jìn)實(shí)施例中，該裝置的特征在于它具有電 源觸點(diǎn)組，該裝置第二面上的電源觸點(diǎn)組位于相對(duì)于該裝置的第一面上的 電源觸點(diǎn)組的鏡像位置處，并且該裝置兩個(gè)面上的電源觸點(diǎn)組也是相對(duì)于 第一假想對(duì)稱平面對(duì)稱設(shè)置。該實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)是更適合于將集成電路安裝 在裝置的兩個(gè)面上。關(guān)于此點(diǎn)，當(dāng)按照第二使用位置安裝裝置時(shí)，也發(fā)現(xiàn) 電源觸點(diǎn)位于與第一使用位置中的電源觸點(diǎn)相匹配的位置處。根據(jù)本發(fā)明的該裝置優(yōu)選地特征在于該裝置具有接地觸點(diǎn)組，該裝 置第二面上的接地觸點(diǎn)組位于相對(duì)于該裝置第一面上的接地觸點(diǎn)組的鏡像 位置處，并且在該裝置的兩個(gè)面上的接地觸點(diǎn)組也相對(duì)于第一假想對(duì)稱平 面對(duì)稱設(shè)置。該實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)是對(duì)于在第二使用位置連接觸點(diǎn)而言，不再 需要附加的措施，因?yàn)楝F(xiàn)在所有的觸點(diǎn)都位于對(duì)稱的位置處。在根據(jù)本發(fā)明的裝置的所述實(shí)施例的第一變體中，該裝置的特征在于 該裝置第二面上的信號(hào)觸點(diǎn)組的位置與該裝置第一面上的信號(hào)觸點(diǎn)組的位 置相對(duì)于第二假想對(duì)稱平面彼此成鏡像，該第二假想對(duì)稱平面位于該裝置 的中間并與該裝置的第一面平行延伸。在該第一變體中，第一使用位置和 第二使用位置中的觸點(diǎn)位置一致。在信號(hào)觸點(diǎn)的位置將總是可以發(fā)現(xiàn)信號(hào) 觸點(diǎn)；在電源觸點(diǎn)的初始位置總是可以發(fā)現(xiàn)電源觸點(diǎn)，在接地觸點(diǎn)的初始 位置總是可以發(fā)現(xiàn)接地觸點(diǎn)。因此該變體的重大優(yōu)點(diǎn)是在第一使用位置和 第二使用位置，從例如集成電路測(cè)試儀到該裝置的觸點(diǎn)的所有連接都可以 保持不變。在根據(jù)本發(fā)明的該裝置的所述實(shí)施例的第二變體中，該裝置的特征在 于該裝置第二面上的信號(hào)觸點(diǎn)組的位置和該裝置第一面上的信號(hào)觸點(diǎn)組 的位置相對(duì)于假想軸彼此成鏡像，該假想軸由第一假想對(duì)稱平面和位于該 裝置的中間、并且與該裝置的第一面平行延伸的假想平面的交叉線限定。 由于該措施，該裝置具有在兩個(gè)使用位置中有恰好相同的每個(gè)觸點(diǎn)位置的 特點(diǎn)。這是為何該變體除了第一變體的優(yōu)點(diǎn)之外還有第二個(gè)重大優(yōu)點(diǎn)。對(duì) 該裝置提供的所有激勵(lì)(stimuli)可以繼續(xù)提供給相同的觸點(diǎn)。在第一變體中，必須通過交換不同通道上的激勵(lì)軟件交換激勵(lì)。該附加措施在第二 變體中已經(jīng)完全是多余的了。因而，在第二使用位置根本不需要任何改變。 如果信號(hào)觸點(diǎn)組中一個(gè)信號(hào)觸點(diǎn)的四個(gè)最接近的觸點(diǎn)中的至少之一是 電源觸點(diǎn)，那么將獲得對(duì)前述實(shí)施例的進(jìn)一步改進(jìn)。如果信號(hào)觸點(diǎn)組中一 個(gè)信號(hào)觸點(diǎn)的四個(gè)最接近的觸點(diǎn)中的至少之一是接地觸點(diǎn)，那么按照模擬 的方式將獲得對(duì)這些相同實(shí)施例的改進(jìn)。兩種所述測(cè)量使得如果需要，可 以將每一個(gè)信號(hào)觸點(diǎn)經(jīng)由直接的電連接耦合到地電位或電源電位。該措施 也稱為硬布線。在對(duì)所述實(shí)施例的進(jìn)一步改進(jìn)中，屬于第一信號(hào)觸點(diǎn)組中一個(gè)信號(hào)觸 點(diǎn)和第二信號(hào)觸點(diǎn)中的一個(gè)信號(hào)觸點(diǎn)的信號(hào)導(dǎo)體被電連接到另一個(gè)信號(hào)導(dǎo) 體，該另一個(gè)信號(hào)導(dǎo)體被電連接到位于該裝置一面上的又一個(gè)信號(hào)觸點(diǎn)， 所述又一個(gè)信號(hào)觸點(diǎn)的四個(gè)最接近的觸點(diǎn)中的至少之一是電源觸點(diǎn)或接地 觸點(diǎn)。該實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)在于在信號(hào)觸點(diǎn)和電源觸點(diǎn)或接地觸點(diǎn)之間提供 直接的硬布線，可以轉(zhuǎn)移到該裝置有更多空間的區(qū)域。因?yàn)椋赡馨l(fā)生沒 有物理空間用于電連接的情形。在其它情形下，這種直接電連接可以采用 相對(duì)于該裝置安裝的兩個(gè)使用位置的方式。在兩種情形下，本文限定的本 發(fā)明的實(shí)施例提供了解決方案。本發(fā)明也涉及用于在第一面和第二面上測(cè)試和分析集成電路的系統(tǒng)， 特征在于該系統(tǒng)形成了通用部分和一些種類的集成電路的專用部分，所 述專用部分包括如前述權(quán)利要求之一所述的裝置。該系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)在于適合 于在第一面和第二面上測(cè)試和分析集成電路，同時(shí)僅一個(gè)專用部分是必需 的。對(duì)上述實(shí)施例的一個(gè)延伸特征在于該系統(tǒng)包括具有用于在集成電路 的第一側(cè)上接收集成電路的電觸點(diǎn)的連接裝置，所述連接裝置被安裝在裝 置的第一面上，并且連接裝置的電觸點(diǎn)與裝置上的觸點(diǎn)電互連。這在以下 方面是優(yōu)點(diǎn)可以選擇與待測(cè)試和分析的集成電路相匹配的連接裝置。該 措施可以使得該裝置適合于特定的集成電路。關(guān)于此點(diǎn)，集成電路可能在 其觸點(diǎn)數(shù)量和觸點(diǎn)位置方面不同。此外，集成電路的封裝取決于應(yīng)用。根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)優(yōu)選地特征在于該系統(tǒng)具有延伸穿過所述裝置和 所述連接裝置二者的孔隙，用于使得可從所述裝置的第二面接近集成電路 的第一側(cè)。兩面接近對(duì)于各種測(cè)試和分析是首要的。本發(fā)明還涉及用于在第一面和第二面上測(cè)試和分析集成電路的方法。 該方法利用根據(jù)本發(fā)明的裝置并包括以下步驟 一將集成電路安裝在裝置上；一按照第一使用位置安裝裝置；一對(duì)集成電路執(zhí)行第一測(cè)試或分析；一按照第二使用位置安裝裝置；一對(duì)集成電路執(zhí)行第二測(cè)試或分析；通過圍繞由第一假想對(duì)稱平面和位于該裝置的中間、并且與該裝置的 第一面平行延伸的另一假想平面的交叉線限定的假想鏡像軸，從第一使用 位置將該裝置旋轉(zhuǎn)180°，獲得該裝置的第二使用位置。根據(jù)本發(fā)明的方法提供了用于在兩面上測(cè)試和分析集成電路的靈活且 通用的解決方案。這要求僅一個(gè)專用部分，導(dǎo)致不僅更簡(jiǎn)單、而且更成本 有效的方法。此外，該方法具有如下的附加優(yōu)點(diǎn)由于其通用結(jié)構(gòu)，它與 用于測(cè)量集成電路的現(xiàn)有方法相比設(shè)計(jì)更快。該方法優(yōu)選地特征在于該裝置在第一使用位置和第二使用位置中安裝在通用部分上。使用通用部分的優(yōu)點(diǎn)在于它們?cè)谑袌?chǎng)上被合理地標(biāo)準(zhǔn)化，結(jié)果可以按照簡(jiǎn)單的方式連接到測(cè)試儀。


將參照附圖進(jìn)一步解釋根據(jù)本發(fā)明的裝置、系統(tǒng)和方法的這些和其它方面，其中圖la是說明根據(jù)本發(fā)明的裝置的原理的示意性平面圖；圖lb示出了 從方向Dl看時(shí)圖la的裝置的示意性側(cè)視圖；圖2a示出了從方向Dl看時(shí)圖la的裝置的第一實(shí)施例的示意性側(cè)視圖；圖2b示出了從方向Dl看時(shí)圖la的裝置的第二實(shí)施例的示意性側(cè)視圖；圖3a和3b示出了本發(fā)明的裝置實(shí)施例的詳細(xì)實(shí)例；圖4a示出了根據(jù)本發(fā)明的裝置實(shí)施例的第一面的照片；圖4b示出了根據(jù)本發(fā)明的裝置實(shí)施例的第二面的照片；圖5a示出了根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)的平面圖照片，該系統(tǒng)按照第一使用位置安裝在通用部分上；圖5b示出了根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)的側(cè)視圖照片，該系統(tǒng)按照第一使用位 置安裝在通用部分上；圖6a示出了根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)的平面圖照片，該系統(tǒng)按照第二使用位 置安裝在通用部分上；圖6b示出了根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)的側(cè)視圖照片，該系統(tǒng)按照第二使用位 置安裝在通用部分上；圖7a示出了根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)的照片，該系統(tǒng)按照第一使用位置安裝 在替代的通用部分上；以及圖7b示出了根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)的照片，該系統(tǒng)按照第二使用位置安裝 在替代的通用部分上。
具體實(shí)施方式
在圖la和圖lb中，參照根據(jù)本發(fā)明的裝置的平面圖的示意性表示解 釋本發(fā)明的基本原理。裝置1包括載體5，在其兩面Al、 A2上設(shè)置觸點(diǎn) Pla、 Plb、 P2、 Pla， 、 Plb， 、 P2'。載體5例如可以是印刷電路板(PCB)。 在該實(shí)例中，載體5具有圓形的形狀(并非必要)，具有8英寸的直徑和 約3mmm的厚度。觸點(diǎn)的含義應(yīng)當(dāng)理解為或者經(jīng)由或者不經(jīng)由某些接口可以連接測(cè)試系 統(tǒng)(未示出)的端子。測(cè)試系統(tǒng)也可以包括例如Agilent 93000的測(cè)試儀。 這些觸點(diǎn)可以是空洞或從表面突出的突出物，或者二者的組合。觸點(diǎn)Pla、 Plb、 P2、 Pla' 、 Plb， 、 P2'可以是信號(hào)觸點(diǎn)，也可以例如是電源觸點(diǎn)或 接地觸點(diǎn)。在本說明書的詳細(xì)實(shí)例中，載體5總是具有圓形的形狀，但這 不是必需的。另一方面，對(duì)于載體5真正重要的是具有有關(guān)觸點(diǎn)Pla、 Plb、 P2、 Pla， 、 Plb， 、 P2，的位置的第一假想對(duì)稱平面(在圖la和圖lb中， 該平面由虛線S1限定)。載體5的形狀不需要相對(duì)于對(duì)稱平面S1對(duì)稱， 只要該裝置5可以經(jīng)由觸點(diǎn)Pla、 Plb、 P2、 Pla， 、 Plb， 、 P2，安裝在兩 個(gè)使用位置上就行。觸點(diǎn)Pla和Plb相對(duì)于對(duì)稱平面Sl等距dl。觸點(diǎn)P2 具有位于對(duì)稱平面S1中的特定性質(zhì)，因此與其鏡像相等。至少用于在裝置 1的第一面Al上測(cè)試和分析的觸點(diǎn)Pla、 Plb、 P2也優(yōu)選地具有在裝置1 的第二面A2上的相關(guān)觸點(diǎn)Pla， 、 Plb， 、 P2，觸點(diǎn)Pla、 Plb、 P2經(jīng)由信號(hào)導(dǎo)體Cla、 Clb、 C2與觸點(diǎn)Pla， 、 Plb， 、 P2連接。裝置1第二面 A2上的觸點(diǎn)Pla， 、 Plb， 、 P2，的位置應(yīng)當(dāng)位于相對(duì)于裝置1第一面Al 上的觸點(diǎn)Pla、 Plb、 P2的鏡像位置上。在圖lb的該實(shí)例中，所述觸點(diǎn)相 對(duì)于第二假想對(duì)稱平面S2在兩面上成鏡像，第二假想對(duì)稱平面S2在載體 中部與兩個(gè)面A1、 A2平行延伸。正如隨后從說明書中將清楚的那樣，也 有其它的選項(xiàng)。圖lb示出了從方向Dl看時(shí)的裝置1。裝置1具有兩個(gè)使 用位置，裝置1的第二使用位置可以通過將其相對(duì)于假想軸M將第一使用 位置旋轉(zhuǎn)180。而獲得。本說明書隨后將更詳細(xì)地進(jìn)行討論。在該實(shí)例中， 觸點(diǎn)Plb，然后將停止在觸點(diǎn)Pla的初始位置，而觸點(diǎn)Plb'停止在觸點(diǎn)Plb 的初始位置。顯然，兩個(gè)觸點(diǎn)Pla和Plb為相同類型是必需的，例如為信 號(hào)觸點(diǎn)，使得例如僅觸點(diǎn)Pla和Plb上的信號(hào)需要交換以進(jìn)行測(cè)試或分析。 可以觀察到至裝置1的連接可保持不變。如果使用測(cè)試儀，則適配只是軟 件的適配(因此是最小的適配)。如果兩個(gè)觸點(diǎn)Pla和Plb例如是電源觸 點(diǎn)或接地觸點(diǎn)，則為了進(jìn)行測(cè)試或分析不需要做任何事。應(yīng)當(dāng)進(jìn)一步觀察到，該裝置也可包括相對(duì)于第一假想對(duì)稱平面Sl未對(duì) 稱設(shè)置的觸點(diǎn)組。觸點(diǎn)組也可存在于裝置1的第一面Al，而沒有對(duì)應(yīng)觸點(diǎn) 組位于裝置l的第二面A2。此外，與本發(fā)明的想法一致的是關(guān)于觸點(diǎn)的位置，可以有不同的對(duì) 稱平面，例如圖1中的平面S3。圖1是對(duì)觸點(diǎn)Pla和Plb的說明。觸點(diǎn) Pla和Plb"對(duì)于對(duì)稱平面S3是等距d2的，同樣，觸點(diǎn)Plb和Plb"對(duì)于對(duì) 稱平面S3是等距d2的。這種雙對(duì)稱的結(jié)果是該裝置獲得了更多使用位置 (posu)，這在某些情形下是有利的。圖2a和圖2b更詳細(xì)地說明根據(jù)本發(fā)明的發(fā)明的兩個(gè)基本實(shí)施例。為 了清楚起見，圖2a和圖2b沒有示出將觸點(diǎn)P3a、 P4a、 P5a、 P3b、 P4b、 P5b連接到待測(cè)試和分析的集成電路的信號(hào)導(dǎo)體。在圖2a的第一基本實(shí)施例中，發(fā)現(xiàn)裝置1的兩個(gè)面A1、 A2中任一個(gè) 上的觸點(diǎn)組位于相對(duì)于與表面Al和A2平行延伸的第二假想對(duì)稱平面S2 的鏡像位置上。讓我假定按第二使用位置安裝裝置1，通過相對(duì)于假想軸 M將裝置1旋轉(zhuǎn)180°,獲得裝置1的第二使用位置，該軸M由第一假想 對(duì)稱平面Sl和第二假想對(duì)稱平面S2的交叉線限定，第二假想對(duì)稱平面S2 位于裝置1的中間并與裝置1的第一面Al平行延伸。然后，例如發(fā)現(xiàn)觸點(diǎn)P3a、 P4a、 P5a、 P5b、 P4b、 P3b為處于第二使用位置的觸點(diǎn)P3a、 P4a、 P5a處的端子(未示出)與其它信號(hào)導(dǎo)體C3b、 C4b、 C5b物理連接。如果 例如P3a的觸點(diǎn)組及其相對(duì)于第一假想對(duì)稱平面Sl的鏡像例如P3b為相 同的類型，例如信號(hào)觸點(diǎn)，則在裝置第二使用位置中的測(cè)試陣列(未示出) 中不需要對(duì)硬件作任何改變。至多需要交換在兩個(gè)信號(hào)觸點(diǎn)P3a， P3b上提 供的信號(hào)。這可以在測(cè)試程序(軟件)中，在測(cè)試儀上以簡(jiǎn)單的方式實(shí)現(xiàn)。在圖2b中的第二基本實(shí)施例中，發(fā)現(xiàn)觸點(diǎn)組在相對(duì)于假想軸M的鏡 像位置處裝置2的兩個(gè)面Al、 A2中的任一個(gè)面上。該實(shí)施例具有高度的 優(yōu)點(diǎn)，因?yàn)樵诘诙褂梦恢弥?，第二使用位置中的觸點(diǎn)P3a、 P4a、 P5a、 P3b、 P4b、 P5b處的端子(未示出)與相同的信號(hào)導(dǎo)體C3a、 C4a、 C5a、 C3b、 C4b、 C5b物理連接。因?yàn)樵谳d體5中，信號(hào)導(dǎo)體與相對(duì)于軸M成 鏡像的導(dǎo)體連接，所以如此。這意味著在裝置2的第二使用位置，不需要 對(duì)測(cè)試陣列(未示出)在硬件和軟件兩方面作出任何改變。在圖2a的第一基本實(shí)施例中，將信號(hào)導(dǎo)體C3a、 C4a、 C5a、 C3b、 C4b、 C5b示出為固體導(dǎo)體。自然地，這些導(dǎo)體也可能是空洞，使得連接觸點(diǎn)(未 示出)可以完全穿過裝置1，或者導(dǎo)體和觸點(diǎn)為一體，完全穿過裝置面而 延伸，然后可能形成突起物用作觸點(diǎn)。最后，應(yīng)當(dāng)觀察到，兩個(gè)基本實(shí)施 例的混合也是可能的。圖3給出了根據(jù)本發(fā)明的裝置1的實(shí)施例的更詳細(xì)的示意圖，同樣考 慮了載體5上不同類型的觸點(diǎn)(信號(hào)觸點(diǎn)、電源觸點(diǎn)和接地觸點(diǎn))的位置。 在該實(shí)施例中，信號(hào)觸點(diǎn)位于信號(hào)觸點(diǎn)區(qū)40，該信號(hào)觸點(diǎn)區(qū)相對(duì)于假想對(duì) 稱平面按照鏡像的方式設(shè)置，在該實(shí)例中，在提供接地觸點(diǎn)的接地觸點(diǎn)區(qū) 30處與裝置相交。進(jìn)而，在電源觸點(diǎn)20中提供電源觸點(diǎn)，該電源觸點(diǎn)區(qū) 也相對(duì)于假想對(duì)稱平面按照鏡像的方式設(shè)置。載體1還具有延伸穿過載體 5的孔隙10。需要該孔隙10以使半導(dǎo)體器件(未示出)在面對(duì)裝置1的面 上可用于測(cè)試和分析。在孔隙10的周圍可提供粘合劑(未示出)，然后， 在所述粘合劑上可容納半導(dǎo)體器件。然后，半導(dǎo)體器件也應(yīng)當(dāng)在載體5的 孔隙10的位置處具有孔隙。圖3b示出了裝置1的信號(hào)觸點(diǎn)區(qū)(sca) 40的放大Z。在該實(shí)例中， 區(qū)域4具有兩個(gè)子區(qū)域Rl和R2。在子區(qū)域Rl中是希望用于連接測(cè)試系 統(tǒng)(未示出)(的接口)的信號(hào)觸點(diǎn)45。在內(nèi)部，信號(hào)觸點(diǎn)45經(jīng)由信號(hào)導(dǎo)體(未示出)連接到裝置1的另一面上的信號(hào)觸點(diǎn)(未示出)。子區(qū)域R2容納另外的信號(hào)觸點(diǎn)45'，該另外的信號(hào)觸點(diǎn)經(jīng)由另外的信號(hào)導(dǎo)體連接 到與信號(hào)觸點(diǎn)45相關(guān)的信號(hào)導(dǎo)體。在載體5上接近該另外的信號(hào)觸點(diǎn)45， 的子區(qū)域R2中設(shè)置電源觸點(diǎn)25'和接地觸點(diǎn)35'。該措施使得可以將該另 外的信號(hào)觸點(diǎn)45，(以及因而初始的信號(hào)觸點(diǎn)45)例如直接耦合到地電位 或電源電位。這也被本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員稱為硬布線。在所討論的實(shí)例 中，與子區(qū)域R1相比，子區(qū)域R2沒有更多的空間用于接地觸點(diǎn)35'、電 源觸點(diǎn)25'，以及用于該另外的信號(hào)觸點(diǎn)45'和接地觸點(diǎn)35'和電源觸點(diǎn)25' 之間的直接連接。這使得該實(shí)施例有吸引力。此外，為了在子區(qū)域R1中 在兩側(cè)上可接近信號(hào)觸點(diǎn)45，有利的是實(shí)現(xiàn)位于子區(qū)域Rl外部的子區(qū)域 R2的直接連接。結(jié)果，信號(hào)觸點(diǎn)45在該子區(qū)域Rl中繼續(xù)是更好的物理 接近。圖4a和圖4b分別示出了根據(jù)本發(fā)明的裝置1的第一面和第二面。圖 4a示出了在孔隙10周圍應(yīng)用的連接裝置50。該連接裝置50也被專家稱作 是IC插座，并希望用于接收集成電路。在該實(shí)例中，連接裝置50的厚度 是7至12mm。圖4a進(jìn)一步示出了子區(qū)域R2中的直接硬布線60。電源觸 點(diǎn)25和接地觸點(diǎn)35相對(duì)于假想對(duì)稱平面對(duì)稱設(shè)置，該假想對(duì)稱平面垂直 于該裝置，并與穿過接地觸點(diǎn)35的假想線相交。如果將集成電路設(shè)置在連 接裝置50上，采用傳統(tǒng)的集成電路封裝，通過去除封裝的頂部可以容易地 接近集成電路的上面。圖4b示出了裝置1的第二面。如果集成電路設(shè)置在 連接裝置50上，通過孔隙10可以接近集成電路的下面。這里，希望集成 電路的上面被理解為設(shè)置晶體管和連接的面。在一些類型的封裝中，集成 電路被封裝成該側(cè)面直接朝著封裝的外部連接(例如在球柵陣列類型的封 裝的倒裝鍵合的情形下)，而在其它情形下，集成電路取向?yàn)閮H另一面(主 要是襯底側(cè))朝著封裝的外部連接(例如，采用對(duì)于傳統(tǒng)的線鍵合類型的 封裝)。圖5a和圖5b分別示出了根據(jù)本發(fā)明的裝置1的平面圖和正視圖，該 裝置按照第一使用位置(pou)安裝在通用器件部分100上。圖6a和圖5b 分別示出了根據(jù)本發(fā)明的裝置1的平面圖和正視圖，該裝置按照第一使用 位置安裝在通用器件部分100上。該通用部分IOO然后可連接到測(cè)試儀(未 示出)。在這些圖中示出的通用部分IOO被設(shè)置用于直接連接到測(cè)試儀，也稱作直接對(duì)接(docking)。在一些措施和分析中，該裝置是優(yōu)選的。 圖7a和圖7b示出了另一個(gè)陣列，即，其中分別處于第一和第二使用位置的裝置1被安裝在分析裝置150的接口上。該接口 150通過電纜175連接到通用部分200上，后者又可以連接到測(cè)試儀上。本說明書中的所有附圖僅示意性示出，而且未按比例。已經(jīng)將這些附圖用于闡明實(shí)施例和本發(fā)明相關(guān)的技術(shù)背景。圖中的邊界面事實(shí)上可能有與圖中表示不同的形式。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將能夠設(shè)計(jì)本發(fā)明的新實(shí)施例。然而，它們落入本申請(qǐng)的權(quán)利要求書的范圍。本說明書給出的實(shí)例的一個(gè)可能變體與所述類型的觸點(diǎn)有關(guān)。除了電源觸點(diǎn)和接地觸點(diǎn)，也可有其它基本的模擬觸點(diǎn)，例如用于提供集成電路上的電源電壓或反偏置電壓。術(shù)語信號(hào)觸點(diǎn)也應(yīng)當(dāng)理解為表示含義是用于承載時(shí)鐘信號(hào)、觸發(fā)信號(hào)、握手信號(hào)等的觸點(diǎn)。這些變體無論如何都沒有損害本發(fā)明的構(gòu)思，因此落入權(quán)利要求書的范圍。
權(quán)利要求
1.一種用于測(cè)試和分析集成電路的裝置(1)，該裝置具有第一面和第二面，第一假想對(duì)稱平面(S1)與裝置(1)的第一面垂直，所述裝置(1)進(jìn)一步包括信號(hào)導(dǎo)體組(Cla、C1b)，并在裝置(1)的兩面(A1、A2)上包括信號(hào)觸點(diǎn)組(P1a、P1b、P1a’、P1b’、45)，所述裝置(1)的第二面(A2)上的信號(hào)觸點(diǎn)組(P1a’、P1b’)位于相對(duì)于所述裝置(1)的第一面(A1)上的信號(hào)觸點(diǎn)組(P1a、P1b)的鏡像位置處，并且所述裝置(1)的兩面(A1、A2)上的信號(hào)觸點(diǎn)組(P1 a、P1b、P1a’、P1b’、45)相對(duì)于第一假想對(duì)稱平面(S1)對(duì)稱設(shè)置。
2. 按照權(quán)利要求l的裝置(1)，特征在于所述裝置(1)具有電源 觸點(diǎn)組(25)，所述裝置(1)的第二面(A2)上的電源觸點(diǎn)組(25)位 于相對(duì)于裝置(1)的第一面(Al)上的電源觸點(diǎn)組(25)的鏡像位置處， 并且所述裝置(1)的兩面(Al、 A2)上的電源觸點(diǎn)組(25)也相對(duì)于 第一假想對(duì)稱平面對(duì)稱設(shè)置。
3. 按照權(quán)利要求1或2的裝置(1)，特征在于所述裝置(1)具有 接地觸點(diǎn)組(35)，所述裝置(1)的第二面(A2)上的接地觸點(diǎn)組(35) 位于相對(duì)于所述裝置(1)的第一面(A2)上的接地觸點(diǎn)組(35)的鏡 像位置處，所述裝置(1)的兩面(Al、 A2)上的接地觸點(diǎn)組(35)還 相對(duì)于第一假想對(duì)稱平面(Sl)對(duì)稱設(shè)置。
4. 按照前述權(quán)利要求之一的裝置(1)，特征在于所述裝置(1)的 第二面(A2)上的信號(hào)觸點(diǎn)組(45)的位置和所述裝置(O的第一面(Al)上的信號(hào)觸點(diǎn)組(45)的位置相對(duì)于位于所述裝置(1)中間、 并與所述裝置(1)的第一面(Al)平行延伸的第二假想對(duì)稱平面(S2) 彼此成鏡像。
5. 按照權(quán)利要求1-3之一的裝置(1),特征在于所述裝置(1)的 第二面(A2)上的信號(hào)觸點(diǎn)組(45)的位置和所述裝置(1)的第一面(Al)上的信號(hào)觸點(diǎn)組(45)的位置相對(duì)于由第一假想對(duì)稱平面(Sl) 和位于所述裝置(1)的中間、并與所述裝置(1)的第一面(Al)平行延伸的假想平面(S2)的交叉線限定的假想軸(M)彼此成鏡像。
6. 按照前述權(quán)利要求之一的裝置(1)，特征在于信號(hào)觸點(diǎn)組(45) 中一個(gè)信號(hào)觸點(diǎn)的四個(gè)最接近觸點(diǎn)中的至少之一是電源觸點(diǎn)(25)。
7. 按照前述權(quán)利要求之一的裝置(1)，特征在于信號(hào)觸點(diǎn)組(45) 中一個(gè)信號(hào)觸點(diǎn)的四個(gè)最接近觸點(diǎn)中的至少之一是接地觸點(diǎn)(35)。
8. —種用于在第一面和第二面上測(cè)試和分析集成電路的系統(tǒng)，特征 在于所述系統(tǒng)形成通用部分O00)和專用于一些種類的集成電路的專用 部分(1)，所述專用部分包括按照前述權(quán)利要求之一的裝置(1)。
9. 按照權(quán)利要求8的系統(tǒng)，特征在于該系統(tǒng)包括連接裝置(50)， 該連接裝置(50)具有用于在集成電路的第一面上接收集成電路的電觸 點(diǎn)，該連接裝置(50)被安裝在所述裝置(1)的第一面(Al)，并且該 連接裝置的電觸點(diǎn)與所述裝置(1)的觸點(diǎn)電互連。
10. 按照權(quán)利要求8的系統(tǒng)，特征在于所述系統(tǒng)包括穿過裝置(O 和連接裝置(50) 二者延伸的孔隙(10)，使得可從所述裝置(1)的第 二面(A2)接近集成電路的第一面。
11. 一種用于測(cè)試和分析集成電路并使用按照權(quán)利要求1-6之一的 裝置(1)的方法，包括以下步驟在裝置(1)上安裝集成電路； 按照第一使用位置安裝裝置(1); 執(zhí)行對(duì)集成電路的第一測(cè)試或分析； 按照第二使用位置安裝裝置(1); 執(zhí)行對(duì)集成電路的第二測(cè)試或分析；通過圍繞假想軸(M)將所述裝置(1)從第一使用位置旋轉(zhuǎn)180° ， 獲得所述裝置(1)的第二使用位置，該假想軸(M)由第一假想對(duì)稱平 面(Sl)和位于所述裝置(1)的中間、并與所述裝置(1)的第一面(Al) 平行延伸的另一個(gè)假想平面(S2)的交叉線限定。
12. 按照權(quán)利要求11的方法，特征在于處于第一使用位置和第二使 用位置的裝置(1)均被安裝在通用部分(100)上。
全文摘要
本發(fā)明涉及在第一面和第二面上測(cè)試和分析集成電路(1)的半導(dǎo)體裝置。該半導(dǎo)體裝置(1)具有第一表面(A1)和第二表面(A2)，兩個(gè)表面都有觸點(diǎn)組(P3a、P3b、P3a’、P3b’)。所述觸點(diǎn)組對(duì)稱地位于相對(duì)于第一假想對(duì)稱平面(S1)和第二假想對(duì)稱平面(S2)的位置上。半導(dǎo)體裝置(1)具有至少第一使用位置和第二使用位置，從而通過圍繞假想軸(M)將第一使用位置中的半導(dǎo)體裝置(1)旋轉(zhuǎn)180°而獲得第二使用位置。該軸(M)由第一假想對(duì)稱平面(S1)和第二假想對(duì)稱平面(S2)的交叉線確定。這樣獲得的半導(dǎo)體裝置提供了用于在兩面上測(cè)試和分析集成電路的靈活且一般的解決方案。
文檔編號(hào)G01R31/28GK101248362SQ200680018641
公開日2008年8月20日 申請(qǐng)日期2006年5月12日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月27日
發(fā)明者安東尼·S·J·格默 申請(qǐng)人:Nxp股份有限公司