專利名稱：確定rfid器件的性能的方法
技術領域：
0001本發(fā)明涉及射頻識別(RFID)器件領域，更具體地涉及確定 或預測這種RFID器件的性能的方法。
背景技術：
0002射頻識別(RFID)標牌和標簽(本文通稱為"器件")被廣 泛地用于將物件與識別碼相關聯(lián)。RFID器件一般地具有天線和模擬電 路和/或數(shù)字電路的組合，其可以包含例如通信電路、數(shù)據(jù)存儲器和控 制邏輯。例如，RFID標牌被用于在汽車中和安全鎖聯(lián)合使用、用于建 筑物的進入控制以及用于跟蹤存貨目錄和包裹。RFID標牌和標簽的一 些例子出現(xiàn)在編號為6,107,920、 6，206，292以及6，262，692的美國專利之 中，所有這些以其全部內容通過參考合并于此。
0003如上述，RFID器件一般地被分為標簽或標牌。RFID標簽是被 膠著地或具有直接地貼在物件上的表面的RFID器件。相反，RFID標牌 通過其它手段被牢固到物件，例如通過使用塑料扣件、鏈條或者其它 緊固手段。
0004RFID器件包括有源標牌和標簽，其包括電源，以及無源標牌 和標簽，其不含電源。對于無源標牌，為了從芯片上取回信息， 一"基 站"或者"讀出器(reader)"發(fā)送激勵信號到RFID標牌或標簽。該激 勵信號為該標牌或標簽供給能量，并且RFID電路傳輸存儲的信息到讀 出器。該"讀出器"接收和解碼來自RFID標牌的信息。 一般地，RFID 標牌可以保留和傳輸足夠的信息來唯一地識別個體、包裹、存貨等。 RFID標牌和標簽也能夠被特性化為信息僅被寫入一次(盡管該信息可 能被重復地讀取)，以及被特性化為在使用中信息可能被寫入。例如， RFID標牌可能存儲環(huán)境數(shù)據(jù)(其可能由相關聯(lián)的傳感器所探測)、后 勤歷史、狀態(tài)數(shù)據(jù)等。
0005常常需要測試RFID器件的性能以確定可接受的性能水平。這
些測試常常在受控模擬條件下進行。例如，標牌可以在類似于其實際 使用中期望的距離被單獨地測試，以確定該標牌或其它器件可接受地 運轉。
0006對于這類測試具有很多潛在的問題。第一，這種測試需要相 對大的空間。第二，該過程不支持大量的制造環(huán)境。第三，這種測試 的結果可能受多種因素的影響，諸如被測RFID器件周圍的環(huán)境的變化。
這可能導致需要小心地對測試所在的環(huán)境進行控制，例如保持測試附 近的任何導電物品的位置。為了維持測試的可重復性，可能需要測試 室將被測器件與周圍環(huán)境隔離開。應該理解，在一些情況下，在進行 測試時可能需要單個地隔離器件以防止來自于一個RFID器件的響應與
來自于其它的相鄰器件的響應相干擾。因此，應該理解，在間隔很小 的器件(諸如在薄片上或巻上的器件)上進行這種測試可能是不現(xiàn)實 的和/或昂貴的。
0007承前所述，應該理解需要對RFID器件的測試進行改進。

發(fā)明內容
0008根據(jù)本發(fā)明的一方面，預測或確定RFID器件的性能的方法包 括基于來自于近場測試或測量的結果來預測或確定遠場性能。
0009根據(jù)本發(fā)明的另一方面，確定RFID器件的遠場性能的方法包 括測量近場性能，以及在數(shù)學上將一個或多于一個近場性能測量轉換 為遠場性能的預測。
0010根據(jù)本發(fā)明的另一方面，確定或預測RFID器件的性能的方法 包括使用近場測試結果來預測一個或多于一個下述參數(shù)的遠場性能 范圍、容限、靈敏度、頻率性能、讀出靈敏度、寫入靈敏度、峰值操 作頻率以及給定頻帶上的平均靈敏度。
0011根據(jù)本發(fā)明的另一方面，確定RFID器件的遠場性能的方法包 括以下步驟在RFID器件上進行近場測試；以及從近場測試的測試結 果確定RFID器件的遠場性能。
0012為了實現(xiàn)前述的和相關的目標，本發(fā)明包括下面充分描述的 特征和在權利要求中特別地指出的特征。下面的描述和附圖詳細地闡 明本發(fā)明的某些說明性實施例。但是這些實施例僅示出可以使用本發(fā)
明的原理的各種方式中的一些。通過以下對本發(fā)明的詳細描述并結合 附圖進行考慮，本發(fā)明的其它目標、優(yōu)點和新特征將變得明顯。


0013在不必按比例的附圖中-
0014圖l是根據(jù)本發(fā)明的方法的高階流程0015圖2是圖1的方法中使用的近場測試器的局部示意圖；以及
0016圖3是圖2中的近場測試器的功能圖。
具體實施例方式
0017確定諸如在標牌、標簽、包裹、薄膜、紙箱、包裝或這些中 的一部分的里面或上面的RFID器件的遠場性能的方法，其包括進行 RFID器件的近場測試或測量，以及基于該近場測試或測量的結果確定 或預測遠場性能。遠場性能的確定或預測可以涉及基于近場結果或測 量來計算遠場性能的測量。作為替代，對遠場性能的預測可以從其它 來源獲得，諸如從基于在近場測試結果或測量與遠場結果之間的現(xiàn)有 關系的查尋表。該預測的遠場性能可以包括各種性能因子中的任何一 個，包括范圍、靈敏度、頻率性能、讀出靈敏度、寫入靈敏度、峰值 操作頻率和/或給定頻帶上的平均靈敏度。使用近場測試結果來預測遠 場性能可以允許使用小型測試設備、RFID器件的現(xiàn)場測試和/或RFID 器件的更快和/或更低成本的測試。
0018在對該方法進行描述之前，提供對本文所用的術語和慣用語 的一些相關定義。"發(fā)射應答器芯片"或"芯片"定義為用于通過天 線提供合適的交互以與外部器件如讀出器通信的器件。芯片可以包括 各種合適的電子元件，諸如電阻器、電容器、感應器、電池、存儲器 器件和處理器。應該理解RFID器件的很多發(fā)射應答器芯片是眾所周知 的。該術語"發(fā)射應答器芯片"有意包括很大范圍的這些器件，其在 復雜度和功能性上可能變化很大。
0019本文使用的術語"RFID器件"被廣泛地定義為包括含有耦合 到用于和外部器件通信的天線的芯片的器件。RFID器件可以包括在標 牌、標簽、包裹、薄膜、紙箱、包裝或這些中的一部分的里面或上面
的RFID器件。在RFID器件中，芯片可以通過各種手段中的任何一個被 耦合到天線。例如，在天線和芯片上的觸點之間可以具有直接的電連 接。作為替代，芯片可以是依次操作性地耦合到天線的直插件
(interposer)或帶片(strap)的一部分。該芯片可以通過直接的歐姆 電連接被耦合到天線。作為替代，或者附加地，非直接的電耦合如電 容性和/或磁性耦合可以被用來操作性地將芯片耦合到天線。
0020除了芯片和天線，RFID器件可以包括其它層和域結構。這些 附加層的例子包括用于支持芯片和/或天線的基底，諸如紙質或聚合物 材料基底；保護層；粘貼劑層；以及信息承載層，例如具有字和/或圖 形的印刷層。
0021主要地，RFID器件的天線用來與外部器件如合適的讀出器進 行長距離遠場的射頻耦合。本文使用的遠場指的是大于從射頻能量發(fā) 射器件諸如發(fā)射超高頻射頻能量的器件起大約15毫米的距離。在遠場 中RFID器件的耦合也可被稱為"遠場耦合"?？砂l(fā)生短距離耦合的近 場被定義為從射頻能量發(fā)射器件起大約15毫米范圍之內。小的電偶極 的近場和遠場之間的空間的更精確分界線被稱為反應場，其可能是 X/2tt，其中X是射頻耦合的射頻能量的波長。這種定義可以在IEEE Standard Test Procedures for Antennas (天線的IEEE標準測試程序)， IEEE Std 149-1979，附錄A， 139頁找到。使用該定義，對于915MHZ 的射頻能量，近場和遠場之間的分界線在從器件起大約52毫米處。
0022近場和遠場之間的分界線也可能以RFID器件的接收孔的最大 尺寸和射頻信號的波長來定義。該分界線可以使用公式f2D"X來定 義，其中r是遠場控制的最小距離(近場和遠場之間的分界線)，D是 RFID器件的接收孔的最大尺寸，而X是射頻信號的波長。在較不特殊的 術語中，近場可以被定義為發(fā)射源和接收孔之間的空間區(qū)域，其中發(fā) 射波峰沒有足夠的時間(或距離)使振幅衰減l/一倍。近場包括反應區(qū) 和輻射區(qū)。該反應區(qū)處于緊緊環(huán)繞著發(fā)射孔(如讀出器、測試器或其 它發(fā)射器的孔)的空間。該輻射區(qū)存在于反應區(qū)以外的空間。被發(fā)射 的信號的振幅在輻射區(qū)衰減l/r倍，其中r是發(fā)射源和接收RFID器件之間
的距離。在遠場中，被發(fā)射信號的振幅一般衰減l/一倍。0023"近場測試器"在本文被定義為用于和RFID器件在近場通信
的測試器。該測試器可以包括操作性地耦合到耦合器的讀出器。該耦
合器可以包括天線和/或孔，且被用來在測試器和RFID器件之間發(fā)送和 /或傳輸信號。讀出器被用來解釋由耦合器接收的信號，并可以被用來 控制通過耦合器發(fā)送的信號。
0024"非輻射近場耦合器"被定義為具有使其適合于進行下述近 場測試或測量的某些特性的耦合器。這些特性包括下述特性中的一個 或多于一個使相鄰RFID器件的交叉耦合最小化的配置；對在所需頻 帶上的RFID器件負載提供良好的射頻匹配；用兩個信號路徑驅動RFID 器件的能力，在所需頻帶上一個信號路徑在正相位(0°)而另一個信 號路徑在反相位(180°);當RFID器件在所需頻帶上被考慮和不被考 慮時，展現(xiàn)與讀出器的良好匹配的能力；以及具有使用TEM類型電路 設計技術(帶狀線快閃微帶布局(strip line flash micro strip topology)) 的反饋電路以避免來自電路元件和/或連接點的寄生輻射，否則該寄生 輻射會導致與相鄰的RFID器件的交叉耦合的問題。
0025現(xiàn)在參考圖l，確定或預測RFID器件的方法10包括在步驟12 中進行對器件短距離近場測試或測量。使用由短距離測試或測量得到 的數(shù)據(jù)，在步驟14中確定或預測遠場性能。方法10廣泛地涵蓋使用來 自近場操作的數(shù)據(jù)來預測或確定RFID器件的遠場性能的核心概念。在
近場測試或測量中收集的數(shù)據(jù)可以是各種性能數(shù)據(jù)中的任何一個，諸 如但不限于器件靈敏度(RFID器件開始反應外部信號的最小入射功率 水平)、容限、峰值操作頻率、最壞情況操作頻率、頻率性能響應形 狀、所選頻帶上的平均靈敏度、RFID器件讀出靈敏度(讀出操作的靈 敏度)或RFID器件寫入靈敏度(寫入操作的靈敏度)。在近場測試獲 得的數(shù)據(jù)可以包括各種合適的模擬測量中的任何一個。從所收集的近 場測試數(shù)據(jù)確定或預測的遠場器件性能可以包括各種合適的性能測量 中的任何一個。除了與上述近場數(shù)據(jù)相應的遠場性能測量之外，上述 遠場性能可以包括遠場性能的更抽象特性，諸如器件是否符合預設的 遠場性能規(guī)范或標準。因此，遠場性能的確定或預測可以包括對RFID 器件是否符合預定的性能標準進行簡單的合格/不合格確定。但是應注 意，任何簡單的性能標準均基于RFID器件的遠場性能，且其滿足或不
滿足至少部分地基于近場測試結果。
0026使用近場測試或測量結果來生成遠場性能的預測或確定應被 寬泛地解釋為包括至少部分地基于近場測試結果來預測遠場性能的各 種合適的方法。該確定或解釋可以是直接在數(shù)學上操作該近場測試結 果的直接數(shù)學方法，諸如通過使用公式或方程式，來提供遠場性能的 一些方面的數(shù)值指示。作為替代，查尋表或查尋圖可以被使用來提供 基于近場測量的預測的遠場器件性能。作為另一種替代，來自接受近 場和遠場測試的現(xiàn)有器件的數(shù)據(jù)庫的數(shù)據(jù)可以被用來從近場測試結果 或測量提供遠場性能的預測?？梢詫碜约河衅骷臏y試結果進行適 當?shù)膬炔搴屯馔啤?br> 0027此外，合適的曲線擬合方法可以被使用以從近場和遠場性能 數(shù)據(jù)組中得到預測性的數(shù)學算法。合適的方法也可以被用來利用這些 數(shù)據(jù)進行內插或外推。
0028作為進一步的替代，應該理解遠場性能的簡單的合格/不合格 結果可以基于近場測試中的合適閾值或性能水平被確定。而且，應該 理解近場測試結果或測量之外的因素可以被用來確定遠場性能。例如， 不同類型的補償因子可能被用來補償在器件和/或測試或配置中的不 同。進一步地，在部分地基于近場測試數(shù)據(jù)或測量來確定或預測遠場 性能時有可能使用一些遠場測試數(shù)據(jù)或測量。 一般地，本文中涉及的 基于近場數(shù)據(jù)或測量來確定遠場性能廣泛地指預測是至少部分地基于 近場數(shù)據(jù)或測量的情況。
0029圖2示出可以被用來對RFID器件22進行近場測試的測試器20。 該測試器20包括通過電纜30耦合到讀出器28的測試頭24。該測試頭24 包括近場耦合器34。該近場耦合器34被置于電介質材料塊36之中。該 電介質材料塊36可以是低介電常數(shù)材料，例如合適的聚合物材料(如 聚苯乙烯)塊。塊36將近場耦合器34維持在從RFID器件22被放置于其 上的柔性表面40起一指定的合適距離。該柔性表面材料40可以是合適 的聚合物泡沫。近場耦合器34位于柔性表面40的指定的附近。近場耦 合器34可以有利地具有以下特性它在RFID器件22的天線結構42的所 有關鍵部分中感應電流和電壓。
0030讀出器28中的電源和軟件通過電纜30發(fā)送合適的信號到近場 耦合器34。從近場耦合器34發(fā)射的射頻信號與天線42以及RFID器件22
的芯片42交互。該交互導致來自RFID器件22的有源或無源響應。該響 應由近場耦合器34接收或者影響近場耦合器34。這些效應能夠由讀出 器28中的軟件所測量。測量結果可以被顯示在耦合到讀出器28的顯示 器46上。作為替代或者附加地，應該理解可以使用合適的數(shù)據(jù)存儲器 器件存儲結果，和/或將結果傳輸?shù)狡渌幚砥?。作為進一步替代，應 該理解讀出器28的軟件可以基于所做的測量自行預測或確定RFID器件 22的遠場性能。
0031應該理解由測試器20所做的測量可以是前述多種測量中的任 何一個。該測試可能涉及進行多種類型的測量和/或在多種操作條件下 如在多個頻率下進行測量。
0032應該理解其它元件可以被用作近場測試器20的一部分。例如， 可以利用隔離室來幫助將被測器件與外界物品隔離開來，否則該外界 物品會影響性能。然而，應該理解與傳統(tǒng)的遠場測試相比，近場測試 可能對這種影響更不敏感。
0033圖3示出測試器20的功能圖。該功能圖示出各種信號和數(shù)據(jù)在 讀出器28和測試頭24之間是怎樣被傳送的，以及是怎樣在讀出器28的 各種內部硬件和軟件部件之間移動的。圖3還示出可以被耦合到讀出器 28的各種外部器件，包括個人計算機50、圖形用戶界面(GUI) 52 (其 可以是顯示器46的一部分)以及可以通過網(wǎng)絡58耦合到計算機50的輔 助或管理計算機54。
0034現(xiàn)在描述的是基于近場靈敏度性能推導用于確定或預測遠場 靈敏度性能的公式。應該理解這僅是近場數(shù)據(jù)可以用來確定或預測遠 場器件性能的多種方法的一個例子。
0035近場容限(超過RFID器件靈敏度的過量功率)可被表示為 Mnf (dB) = Pr醫(yī)a! - g2國pnf - S (O 在該公式中，M。f是近場容限；Pr是RFID讀出器輸出功率(dBm)(典 型值+30dBm) ; q是近場輻射區(qū)耦合系數(shù)(dB) =10*log(l/r)，其中 r是RFID器件和耦合器之間的自由空間距離；ci2是耦合器和RFID器件之 間的耦合系數(shù)(dB) =10*log(A2/Al)，其中Al是耦合器的耦合面積， A2是RFID器件的重疊面積；Pn產(chǎn)近場中的RFID嵌體的失配損耗(dB) =10*log(l-p2)，其中p是反射系數(shù)，p = (VSWR-l)/(VSWR+l)= 10八(返回
損耗(dB)/20)，其中VSWR是電壓駐波比，即反射電壓與傳輸源電壓的 比值；以及S是集成電路運行所需的最小射頻功率。0036遠場容限可以被表示為
Mff(dB)二Pt + Gtx - Lrange - Pff畫S (2) 在該公式中Mff是近場容限；Pt是RFID讀出器輸出功率(dBm) ; 是傳輸天線的增益(dBi)，即典型RFID遠場讀出器天線的增益(典型
值是+6.0dBi); L咖ge是傳輸天線和嵌體之間的空間損耗-l(mog [(4TOVa)2]
(在l米范圍和915MHz頻率時等于31.68dB) ; Pff是遠場中RFID嵌體的 失配損耗(dB) =10*log(l-p2)，其中p是和上述相同的反射系數(shù)；S是
集成電路在近場運行所需的最小射頻功率。反射系數(shù)Pff和Pnf需要針對
典型的RFID器件倍特征化/測量。典型的RFID器件在遠場(自由空間) 具有反射系數(shù)Pff，但是在近場，耦合器能夠加載RFID器件，將其阻抗 改變?yōu)镻nf。該反射系數(shù)在金屬、液體和其它電介質材料存在時也被改 變。
0037公式(1)和公式(2)可以進行如下組合。首先，兩個公式 可以解出其各自的靈敏度
<formula>formula see original document page 12</formula> (5)
<formula>formula see original document page 12</formula>(6)
通過代入，
<formula>formula see original document page 12</formula>(7)
解Mff^去除相同的項得到以下表達式，
Mff = Gtx - Lrajlge- pff +(^ + 02 + pnf + Mnf (8) 公式(8)給出從近場容限預測或確定遠場容限的簡單表達式。0038利用方法IO，可以使用近場和遠場測試通過測試多個RFID器 件22來收集數(shù)據(jù)。該數(shù)據(jù)可以被處理并且被用來生成表格或算法，該 表格或算法用于在已知條件下以確定的精確度預測RFID器件的性能。 給出簡單的例子，對RFID器件的一個近場測試器的單個頻率測試可以 足夠在指定的精確度(諸如土0.5dB)下預測遠場性能。在更復雜的例 子中，在不同測試系統(tǒng)中不同頻率下的多個測量可以被組合以允許不 僅對一般的遠場性能進行可靠預測，而且對當被附連在一系列產(chǎn)品上 時的遠場性能進行可靠預測，這些產(chǎn)品中的一些可能影響器件操作頻
率和帶寬。
0039因此，方法10可以涉及使用一種算法或一組算法，這些算法 本質上被調適以基于近場測試數(shù)據(jù)鑒別RFID器件的遠場性能。該算法 或多個算法可以被用來生成索引表，該索引表根據(jù)終端用戶的要求提 供對RFID器件的有效性的決策。該索引表可以具有對不同種類用法和 器件性能相關聯(lián)的有效范圍，從而一組讀出性能輸入可以提供在一些 應用中接受該器件而在其它應用中拒絕該器件的基礎。例如，對附連 在導電物體(諸如金屬罐)上的器件和被附連在不導電物體(諸如塑 料瓶)上的器件可以使用不同的標準。更廣泛地，方法10可以被用來 預測不同環(huán)境中RFID的性能如鄰近不同類型的物體和域在具有不同 類型的可能競爭射頻信號的環(huán)境中。應該理解操作環(huán)境可以具有多種 其它變體。
0040因此可以從RFID器件的近場頻率性能預測或確定遠場頻率性 能響應的多種特性。例如，具有在某一頻帶上相同的平均響應的不同 器件可以適合不同類型的環(huán)境。
0041盡管針對特定的優(yōu)選實施例或多個實施例已經(jīng)示出和描述了 本發(fā)明，但通過對該說明書和附圖的閱讀和理解，很明顯本領域技術 人員容易想到等價的變化和修改。特別是對于由上述元件(部件、配 件、器件、合成物等)執(zhí)行的各種功能，除非另外指出，用來描述這 些元件的術語(含"手段")，意在對應于執(zhí)行所述元件的特定功能 的任何元件(即功能等價)，即使結構上并不等價于本發(fā)明的示例性 實施例或多個實施例中所公開的執(zhí)行該功能的結構。此外，雖然已通 過幾個示例性實施例中的一個或多于一個描述了本發(fā)明的具體特征， 該特性可與其它實施例的一個或多于一個其它特性相結合，這對于任 何給定的或特定的應用可能是需要和有利的。
權利要求
1. 一種確定RFID器件的遠場性能的方法，所述方法包括在所述RFID器件上執(zhí)行近場測試；從所述近場測試的測試結果確定所述RFID器件的所述遠場性能；其中所述確定包括使用數(shù)學算法來確定所述遠場性能；以及其中所述使用數(shù)學算法包括計算遠場性能參數(shù)。
2. 根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述執(zhí)行近場測試包括 將所述RFID器件放在接近于近場測試器的近場耦合器處；以及使用所述近場耦合器從所述測試器發(fā)送信號到所述RFID器件 和所述測試器的讀出器。
3. 根據(jù)權利要求2所述的方法，其中所述發(fā)送信號包括在一個頻 率范圍上發(fā)送信號。
4. 根據(jù)權利要求2或3所述的方法，其中所述執(zhí)行近場測試進一 步包括所述測試器接收來自所述RFID器件的信號。
5. 根據(jù)權利要求2到4中的任何一個所述的方法，其中所述測試 器包括測試頭，所述測試頭包括所述近場耦合器和其中放置所述近場 耦合器的電介質材料塊。
6. 根據(jù)權利要求5所述的方法，其中所述測試頭還包含在所述電介質材料塊上的柔性表面；以及其中所述測試包括將所述RHD器件放置在所述柔性表面上。
7. 根據(jù)權利要求1至6中的任何一個所述的方法，其中所述使用數(shù)學算法包括使用査尋圖或查尋表。
8. 根據(jù)權利要求1至7中的任何一個所述的方法，其中所述確定 包括確定數(shù)值的遠場性能參數(shù)。
9. 根據(jù)權利要求1至8中的任何一個所述的方法，其中所述確定 包括確定所述RFID器件是否滿足遠場性能閾值。
10. 根據(jù)權利要求1至9中的任何一個所述的方法，其中所述確 定包括確定靈敏度、容限、峰值操作頻率、頻率性能響應形狀、所選 頻帶上的平均響應、讀出靈敏度以及寫入靈敏度中的一個或多于一個。
11. 根據(jù)權利要求1至10中的任何一個所述的方法，其中所述確 定包括確定遠場性能在不同遠場操作環(huán)境中的適合性。
12. 根據(jù)權利要求1至11中的任何一個所述的方法，其中所述測 試包括執(zhí)行多個測試。
13. 根據(jù)權利要求12所述的方法，其中所述測試包括在一系列頻 率上測試。
14. 根據(jù)權利要求12或權利要求13所述的方法，其中所述測試 包括用多個測試器測試。
15. 根據(jù)權利要求12至14中的任何一個所述的方法，其中所述 測試包括在多個操作環(huán)境中測試。
16. 根據(jù)權利要求1至15所述的方法，其中所述測試包括在所述 RFID器件的天線結構的所有關鍵部分中感應電流和電壓。
17. —種RFID器件測試器，其包括 電介質材料塊；所述電介質材料塊中的近場耦合器；以及 電耦合到所述近場耦合器的讀出器；其中所述近場耦合器被置于離所述測試器的表面一指定距離， RFID器件要放置在所述表面上。
18.根據(jù)權利要求17所述的測試器，其中所述表面是附在所述電 介質塊的柔性表面材料的柔性表面。
全文摘要
一種用于確定諸如處于標牌、標簽、包裹、薄膜、紙箱、包裝或這些中的一部分的里面或上面的RFID器件的遠場性能的方法，其包括執(zhí)行RFID器件的近場測試或測量，以及基于近場測試或測量的結果確定或預測遠場性能。確定或預測遠場性能可以涉及基于近場結果或測量計算遠場性能的測量。被預測的遠場性能可以包括多種性能因素中的任何一個，包括范圍、靈敏度、頻率性能、讀出靈敏度、寫入靈敏度、峰值操作頻率和/或給定頻帶上的平均靈敏度。使用近場測試結果來預測遠場性能可以允許使用小型測試設備、RFID器件的現(xiàn)場測試、快速測試和/或較低成本測試。
文檔編號G01R29/08GK101384911SQ200680053190
公開日2009年3月11日 申請日期2006年11月2日 優(yōu)先權日2006年2月22日
發(fā)明者I·J·福斯特, T·C·威克利 申請人:艾利丹尼森公司