專利名稱：用于在材料加工時(shí)監(jiān)測過程的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于監(jiān)測工件的加工區(qū)域的方法，在該工件上進(jìn)行激 光加工，在該方法中，由加工區(qū)域發(fā)射的輻射通過一個(gè)探測系統(tǒng)以局部解
析(ortsaufgel6st)的方式檢測；本發(fā)明還涉及一種用于監(jiān)測工件的激光加 工的裝置，該裝置具有一個(gè)濾波裝置和一個(gè)探測系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
在激光加工方法中通常期望并且也必需的是，確定加工時(shí)預(yù)給定加工 區(qū)域內(nèi)部的溫度，以便例如可得出加工時(shí)分別需遵守的質(zhì)量、確定的加工 區(qū)域的遵守、用于該加工的調(diào)節(jié)裝置的推論。
因?yàn)樵诩庸て陂g，相應(yīng)加工區(qū)域的不同位置上的溫度根據(jù)一些參數(shù)(例 如在加工時(shí)使用的相應(yīng)激光器功率、激光射束的掃描速度和/或掃描方向和 當(dāng)時(shí)待加工的工件)在時(shí)間上并且局部地改變，所以期望加工區(qū)域內(nèi)部溫 度的局部解析的確定。
公知的系統(tǒng)利用單個(gè)的光電二極管或者CCD/CMOS攝像機(jī)測量和評(píng) 判焊接過程。在此，以簡單的輻射強(qiáng)度測量的形式檢測紅外線輻射。在該 輻射測量時(shí)，主要使絕對(duì)溫度、發(fā)射系數(shù)、測量區(qū)的照明等疊加。此外， 輻射強(qiáng)度測量與光學(xué)裝置的污染、觀察光路中的煙霧和等離子體等密切相 關(guān)。所以，通過強(qiáng)度測量參數(shù)來評(píng)判過程是不精確的。
由DE 10 2004 051 876 Al中公開了一種用于以局部解析的方式測量溫 度的裝置，其中，工件的一個(gè)可預(yù)給定的加工區(qū)域可在一個(gè)以局部解析方 式進(jìn)行測量的光學(xué)探測器上成像并且在加工區(qū)域與該光學(xué)探測器之間的光 路中設(shè)置有至少一個(gè)截止一個(gè)或多個(gè)激光加工束的電磁輻射的光學(xué)濾波 器0

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的任務(wù)是，提供一種方法和一種裝置，借助于它們可實(shí)現(xiàn)改善 的質(zhì)量監(jiān)測。
所述任務(wù)通過本文開頭所述類型的方法解決，在該方法中，對(duì)于加工 區(qū)域的每個(gè)成像在探測系統(tǒng)上的面單元而言，加工區(qū)域的輻射同時(shí)在至少 兩個(gè)波長的情況下被檢測。對(duì)于兩個(gè)波長獲得的信息可以被分析并且彼此 被聯(lián)系在一起。在本發(fā)明的意義上，加工區(qū)域包括蒸汽毛細(xì)部分、該蒸汽 毛細(xì)部分的熔體膜表面、周圍的在激光焊接時(shí)出現(xiàn)的熔池、熔池尾跡
(Schmelzbadnachlauf)、凝固的材料和周圍的熱影響區(qū)。通過合適的分析可 以在熔池尾跡、凝固的熔體和熱影響區(qū)中進(jìn)行溫度梯度的計(jì)算。由此可以 例如表征輸出到工件中的熱。此外，可以識(shí)別內(nèi)部的焊縫缺陷、例如熔合 缺陷。也可以確定材料影響、例如硬化。此外，也可能的是，根據(jù)熔融液 態(tài)/固態(tài)的相過渡求得實(shí)際的熔池尺寸。最后，可以表征輸入耦合到材料中 的能量并且從而可以推斷內(nèi)部的焊縫特征、例如焊入深度的波動(dòng)、搭接接 頭上的熔合缺陷等。因此該方法適合于監(jiān)測過程并且特別是適合于監(jiān)測加 工過程的和產(chǎn)生的焊縫的質(zhì)量。
在特別優(yōu)選的方法變型方案中提出，對(duì)于每個(gè)由探測系統(tǒng)檢測到的面 單元而言，由檢測到的輻射求得一個(gè)溫度、特別是絕對(duì)溫度和/或一個(gè)發(fā)射 系數(shù)?？赏ㄟ^本身公知的比例輻射高溫測量學(xué)方法和/或通過電磁輻射與物 理輻射定律的分析適配由所述以至少兩個(gè)波長被測量的輻射來求得絕對(duì)溫 度和發(fā)射系數(shù)。為此，工件上每個(gè)被檢測到的面單元的輻射借助于分析分 離轉(zhuǎn)換為一個(gè)絕對(duì)溫度和一個(gè)發(fā)射系數(shù)。由此產(chǎn)生一個(gè)由蒸汽毛細(xì)部分的、 該蒸汽毛細(xì)部分的熔體膜表面的、包圍所述蒸汽毛細(xì)部分的熔體的、熔池 尾跡的、凝固的材料的和具有熔融液態(tài)/固態(tài)的相過渡的附加的單義的信息 的熱影響區(qū)的溫度值構(gòu)成的圖像。
特別優(yōu)選的是，在考慮溫度、特別是絕對(duì)溫度和/或發(fā)射系數(shù)的情況下 進(jìn)行質(zhì)量評(píng)估。本發(fā)明的方法比公知的方法更精確。例如可以更精確地分 析一個(gè)熔融液態(tài)的、在其上已經(jīng)形成一層氧化物層的區(qū)域。在該區(qū)域中， 由于氧化物層而存在與熔體相比較高的發(fā)射系數(shù)，其中，具有氧化物層和不具有氧化物層的兩個(gè)區(qū)域具有類似的溫度。在公知的方法中，這種區(qū)域 被錯(cuò)誤地檢測為凝固的熔體，因?yàn)槿廴谝簯B(tài)/固態(tài)的相過渡的分析基于通過 不同的發(fā)射率引起的輻射強(qiáng)度改變。通過分開地分析溫度和發(fā)射系數(shù)，在 一個(gè)這樣的部位上出現(xiàn)發(fā)射系數(shù)的躍變，但僅出現(xiàn)絕對(duì)溫度的輕微改變。 熔融液態(tài)相的輪廓和大小可通過以下方式求得即確定如下區(qū)域，在所述 區(qū)域中，絕對(duì)溫度低于材料的熔點(diǎn)。此外，平衡了如下效應(yīng)即溫度和發(fā) 射系數(shù)可相互反作用。低發(fā)射系數(shù)情況下的高絕對(duì)溫度錯(cuò)誤地導(dǎo)致較低的 輻射強(qiáng)度測量值或者在攝像機(jī)圖像中導(dǎo)致露天熔池的顯示與固態(tài)材料相比 較暗。由此，在公知的簡單的輻射強(qiáng)度測量中錯(cuò)誤地求得一個(gè)與凝固的或 者說固態(tài)的材料相比較低的熔池測量溫度。
除了實(shí)際的熔融液態(tài)個(gè)態(tài)相過渡的探測之外，絕對(duì)溫度同樣對(duì)于凝固 了的材料和熱影響區(qū)提供改善的評(píng)判可能性。在此，可求得具有精度較高 的、時(shí)間上的和域地點(diǎn)上的溫度梯度并且對(duì)于焊接連接的質(zhì)量結(jié)論提出證 明。
在一個(gè)有利的方法變型方案中可以提出，將由加工區(qū)域發(fā)射的輻射分 為多個(gè)單光路并且對(duì)這些單光路進(jìn)行濾波。由此可能的是，以不同的波長 對(duì)由面單元發(fā)射出的輻射進(jìn)行檢測和分析。被發(fā)射的輻射的分配可以例如 借助分光鏡進(jìn)行。作為替代方案，所述輻射也可以輸入耦合到配置給不同 面單元的纖維光學(xué)裝置中，在所述纖維光學(xué)裝置的端部上進(jìn)行所述輻射的 波長選擇性檢測。
如果對(duì)于每個(gè)面單元都實(shí)施一個(gè)用于至少兩個(gè)波長的光學(xué)濾波，則能 夠以特別簡單的方式方法以至少兩個(gè)波長檢測由一個(gè)面單元發(fā)射的輻射。
如果產(chǎn)生加工區(qū)域的多個(gè)與波長相關(guān)的圖像，則得到本發(fā)明的另外的 優(yōu)點(diǎn)。由這些熱像的過程圖像可以求得實(shí)際的溫度圖像和發(fā)射系數(shù)圖像。 由此，能夠通過簡單的方式方法以圖形顯示和分析處理加工區(qū)域中的溫度 分布和加工區(qū)域中的發(fā)射系數(shù)分布。
此外， 一種本文開頭所述類型的裝置也落在本發(fā)明的范圍內(nèi)，其中， 對(duì)每個(gè)被成像的面單元配置至少兩個(gè)傳感元件，對(duì)這些傳感元件分別配置 一個(gè)光學(xué)濾波器，并且其中，這些濾波器對(duì)被發(fā)射的所述輻射以不同的波長進(jìn)行濾波。在此，可對(duì)多個(gè)傳感元件——用于不同的面單元——配置相 同的濾波器。但是，每個(gè)傳感元件也可以具有一個(gè)自己的濾波器。這種裝 置適合于實(shí)施本發(fā)明的方法，由此可得到關(guān)于所述方法提及到的優(yōu)點(diǎn)。優(yōu) 選本發(fā)明的裝置與一個(gè)激光焊接裝置形成一個(gè)單元。由此可能的是，可以 與激光材料加工同時(shí)實(shí)施分析和質(zhì)量監(jiān)測。在此，可以容忍過程監(jiān)測與焊 接過程的較短的、時(shí)間上的或地點(diǎn)上的間距。
為了能夠?qū)嵤┧鲆圆煌牟ㄩL被吸收的輻射的分析，有利的是，設(shè) 置一個(gè)用于對(duì)每個(gè)面單元確定溫度和/或發(fā)射系數(shù)的分析處理裝置。
在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施形式中可以在光路中設(shè)置分光器。由加工區(qū)域發(fā)射 出的輻射可通過該分光器分為多個(gè)單光路并且在選擇性的窄帶光譜范圍中 通過成像光學(xué)裝置成像在一個(gè)合適的探測系統(tǒng)上。在此，特別是可以在一 個(gè)探測器上產(chǎn)生多個(gè)圖像。根據(jù)這些熱像的過程圖像可以計(jì)算溫度圖像和 發(fā)射系數(shù)的圖像。
例如可以設(shè)置陣列-攝像機(jī)作為探測系統(tǒng)。優(yōu)選該陣列-攝像機(jī)具有適合 于待測量的溫度輻射的、即足夠高的光譜敏感性。作為替代方案，也可以 設(shè)置多個(gè)單個(gè)的攝像機(jī)、尤其是陣列-攝像機(jī)作為探測系統(tǒng)，其中，在每個(gè) 單攝像機(jī)上成像一個(gè)單個(gè)的、選擇性的光譜范圍。所述或者至少一個(gè)陣列-攝像機(jī)可以由不同的半導(dǎo)體材料制成。
用于從可見光譜范圍經(jīng)過近紅外光譜范圍一直到遠(yuǎn)紅外光譜范圍的輻
射范圍的探測器適合于作為攝像機(jī)。例如CCD、 CMOS-和^UnGaAs攝像 機(jī)適合于作為探測系統(tǒng)的攝像機(jī)，其中，該列舉絕不是窮舉的并且可以使 用其他類型的攝像機(jī)。當(dāng)使用單攝像機(jī)時(shí)，也可以組合多個(gè)不同的攝像機(jī)。 例如可以對(duì)于不同的待測量光譜范圍使用具有不同光譜敏感性的不同攝像 機(jī)。
在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選構(gòu)型中可以提出，探測系統(tǒng)包括多個(gè)光電二極管 裝置。在此，這些光電二極管裝置可以包括一個(gè)或多個(gè)光電二極管。這些 光電二極管裝置可以被構(gòu)造為窄帶光譜的單二極管或多二極管，以便對(duì)于 加工區(qū)域中的每個(gè)面單元同時(shí)探測相應(yīng)的輻射份額。這些多二極管或單二 極管可以由不同的半導(dǎo)體材料構(gòu)成。在一個(gè)有利的實(shí)施形式中，可以在光路中在光電二極管裝置前面設(shè)置 一些纖維光學(xué)裝置和/或成像光學(xué)裝置。通過這些光電二極管裝置可以形成 一個(gè)傳感器陣列。在此，這些光電二極管或者纖維光學(xué)裝置或工件面單元 的圖像可以具有彼此任意的布置。
通過濾波裝置能夠以至少兩個(gè)波長對(duì)每個(gè)被檢測到的面單元的輻射進(jìn) 行濾波，使得由每個(gè)面單元產(chǎn)生兩個(gè)具有不同光譜輻射信息的圖像點(diǎn)。該 濾波裝置可以集成在攝像機(jī)陣列中、在單個(gè)傳感元件前面設(shè)置在陣列表面 上或者設(shè)置在分光器與探測系統(tǒng)之間。此外，該濾波裝置可以集成在分光 鏡中或者設(shè)置在分光器上或集成在該分光器中。
此外可以考慮的是，濾波裝置包括棋盤圖案、條紋圖案或者設(shè)置有一 些光學(xué)的單濾波元件。特別是可以根據(jù)所使用的探測系統(tǒng)或所需的局部溫 度測量范圍來合適地選擇濾波裝置。也就是說，濾波裝置的濾波器的波長 可以適配于待測量的溫度范圍。較大的濾波器優(yōu)選與陣列-攝像機(jī)結(jié)合使用。 整個(gè)加工區(qū)域的輻射可以通過一個(gè)分光器光譜中性地或光譜選擇性地分為 多個(gè)光路。在此，將每個(gè)光路配置給一個(gè)波長濾波器，該波長濾波器位于 在陣列裝置前面或在陣列裝置上的分光器后面。作為替代方案，該光學(xué)濾 波器也可以已經(jīng)安置在分光器上或分光鏡上。由此，整個(gè)加工區(qū)域的輻射 被過濾。如果使用單個(gè)二極管，則可以對(duì)每個(gè)二極管并且從而對(duì)加工區(qū)域 的每個(gè)面單元配置一個(gè)小的濾波元件，由此，僅僅是由一個(gè)面單元發(fā)射出 的輻射通過濾波元件過濾。
該測量裝置可以用一個(gè)基準(zhǔn)輻射源校準(zhǔn)。在此，優(yōu)選使用一個(gè)黑色輻 射器，該輻射器在其基準(zhǔn)輻射面上具有均勻的溫度以及均勻的溫度分布。 所述基準(zhǔn)輻射通過所使用的設(shè)備/光學(xué)裝置首先成像在探測器上并且接著進(jìn) 行每個(gè)陣列元件/探測元件的校準(zhǔn)。
由下面按照附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的說明中以及由權(quán)利要求中得出本發(fā) 明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)，附圖中示出對(duì)于本發(fā)明重要的細(xì)節(jié)。各個(gè)特征可以 本身單個(gè)地或者多個(gè)地以任意的組合在本發(fā)明的變型方案中實(shí)現(xiàn)。


附圖中示出本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，下面參照附圖詳細(xì)解釋這些實(shí)施例。 圖中示出-
圖1是用于對(duì)激光加工裝置進(jìn)行質(zhì)量監(jiān)測的第一裝置的第一示意圖； 圖2是用于對(duì)激光加工裝置進(jìn)行質(zhì)量監(jiān)測的第二裝置的第二示意圖。
具體實(shí)施例方式
在圖1中示出一個(gè)用激光束48加工的工件10。在工件10的加工區(qū)域 11中形成一個(gè)熔池12，該熔池發(fā)射電磁輻射13。該電磁輻射13通過一個(gè) 聚焦光學(xué)裝置14到達(dá)分光鏡15并且到達(dá)可構(gòu)造為棱鏡的分光器16。
分光鏡15如圖1和2所示地可對(duì)于激光輻射48高透射地并且對(duì)于用 于熱成像(Thermographie)的波長范圍反射地構(gòu)成。另外的變型方案也是 可能的，例如這樣設(shè)置即分光鏡15對(duì)于激光輻射高反射地并且對(duì)于用于 熱成像的波長范圍高透射地構(gòu)成。
通過分光器16將電磁輻射13分為多個(gè)光路17、 18。這些光路17、 18 分別通過一個(gè)構(gòu)造為聚焦光學(xué)裝置的成像光學(xué)裝置19、 20和一個(gè)濾波裝置 21到達(dá)一個(gè)構(gòu)造為陣列-攝像機(jī)的探測系統(tǒng)22。聚焦光學(xué)裝置可以包括一個(gè) 透鏡和/或一個(gè)反光鏡。成像光學(xué)裝置19、 20被這樣構(gòu)成，使得成像失真通 過色像差來補(bǔ)償。此外，特別是為了軸向和橫向定位，這些光學(xué)裝置19、 20可被構(gòu)造得可共同地沿射束方向以及沿橫向移動(dòng)并且也可彼此相對(duì)調(diào) 整。
濾波裝置21包括一個(gè)用于對(duì)第一波長進(jìn)行濾波的第一濾波器23和一 個(gè)用于對(duì)第二波長進(jìn)行濾波的第二濾波器24。由此，通過濾波進(jìn)行光譜選 擇并且在探測系統(tǒng)22上出現(xiàn)加工區(qū)域11的兩個(gè)不同的輻射圖像25、 26。 由這些輻射圖像25、 26可通過分析方法對(duì)于加工區(qū)域11的每個(gè)面單元求 得一個(gè)絕對(duì)溫度和一個(gè)發(fā)射系數(shù)。所述分析在一個(gè)分析處理裝置30中執(zhí)行。 所述絕對(duì)溫度和/或發(fā)射系數(shù)又說明了加工過程的質(zhì)量。
如圖l和2所證明的， 一個(gè)包括毛細(xì)部分、熔池、凝固的熔體和熱影 響區(qū)的加工區(qū)域11被分為多個(gè)面單元35。按照?qǐng)D2，由面單元35發(fā)射的 輻射通過一個(gè)聚焦光學(xué)裝置14到達(dá)一個(gè)分光鏡15。在電磁輻射13的光路中設(shè)置一個(gè)成像光學(xué)裝置36，該成像光學(xué)裝置將每個(gè)單個(gè)面單元35的輻射 輸入耦合到纖維光學(xué)裝置37、 38中，這些纖維光學(xué)裝置在一端通過一個(gè)保 持架50保持。所述輻射通過這些纖維光學(xué)裝置37、 38到達(dá)濾波元件39-42， 其中，對(duì)每個(gè)面單元35并且從而對(duì)每個(gè)纖維光學(xué)裝置37、 38配置兩個(gè)濾 波元件39-42。通過濾波元件39-42濾波的輻射通過構(gòu)造為光電二極管裝置 47的光電二極管43-46的傳感元件檢測。由此，對(duì)于每個(gè)面單元35又產(chǎn)生 不同的光譜選擇性輻射測量點(diǎn)，這些輻射測量點(diǎn)可以通過一個(gè)分析處理單 元30來分析。特別是可對(duì)于每個(gè)面單元35求得一個(gè)溫度和/或一個(gè)發(fā)射系 數(shù)。被分析的面單元35的數(shù)量通過傳感元件的數(shù)量確定。光電二極管裝置 47構(gòu)成傳感系統(tǒng)。
光纖37或被成像的圖像點(diǎn)35可以作為陣列或者彼此間以任何其他任 意的布置(圓、線、十字等)在工件上成像。
權(quán)利要求
1、一種用于監(jiān)測工件(10)的加工區(qū)域(11)的方法，在該工件上進(jìn)行激光加工，在該方法中，由加工區(qū)域(11)發(fā)射的輻射通過一個(gè)探測系統(tǒng)(22)以局部解析的方式檢測，其特征在于，對(duì)于加工區(qū)域(11)的每個(gè)成像在探測系統(tǒng)(22)上的面單元(35)而言，該加工區(qū)域(11)的輻射同時(shí)以至少兩個(gè)波長被檢測。
2、 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對(duì)于每個(gè)由探測系統(tǒng)(22) 檢測到的面單元(35)而言，由檢測到的輻射求得一個(gè)溫度和/或一個(gè)發(fā)射 系數(shù)。
3、 如上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，在考慮所述溫度和 /或所述發(fā)射系數(shù)的情況下進(jìn)行質(zhì)量評(píng)估。
4、 如上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，將由加工區(qū)域(11) 發(fā)射的輻射分為多個(gè)單光路(17， 18)并且對(duì)這些單光路(17， 18)進(jìn)行
5、 如上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，對(duì)于每個(gè)面單元(35) 進(jìn)行用于至少兩個(gè)波長的光學(xué)濾波。
6、 如上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，產(chǎn)生加工區(qū)域的多 個(gè)與波長相關(guān)的圖像(25， 26)。
7、 一種用于監(jiān)測工件(10)的激光加工的裝置，其具有一個(gè)濾波裝置 (21)和一個(gè)探測系統(tǒng)(22)，其特征在于，對(duì)每個(gè)被成像的面單元(35) 配置至少兩個(gè)傳感元件，對(duì)這些傳感元件分別配置一個(gè)光學(xué)濾波器(23，,24， 39-42)，其中，這些濾波器(23， 24， 39-42)對(duì)被發(fā)射的所述輻射以 不同的波長進(jìn)行濾波。
8、 如權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，設(shè)置有一個(gè)用于確定每個(gè) 面單元(35)的溫度值和發(fā)射系數(shù)的分析處理裝置(30)。
9、 如上述權(quán)利要求7或8之一所述的裝置，其特征在于，在光路中設(shè) 置一個(gè)分光器(16)。
10、 如上述權(quán)利要求7至9之一所述的裝置，其特征在于，設(shè)置陣列-攝像機(jī)作為探測系統(tǒng)(22)。
11、 如上述權(quán)利要求7至10之一所述的裝置，其特征在于，設(shè)置多個(gè) 單個(gè)的攝像機(jī)、特別是陣列-攝像機(jī)作為探測系統(tǒng)(22)。
12、 如權(quán)利要求10或11所述的裝置，其特征在于，所述或至少一個(gè) 陣列-攝像機(jī)由不同的半導(dǎo)體材料制成。
13、 如上述權(quán)利要求7至12之一所述的裝置，其特征在于，所述探測 系統(tǒng)包括多個(gè)光電二極管裝置(47)。
14、 如權(quán)利要求13所述的裝置，其特征在于，這些光電二極管裝置(47) 包括一個(gè)或多個(gè)光電二極管(39-42)。
15、 如權(quán)利要求13或14所述的裝置，其特征在于，在光路中在光電 二極管裝置(39-42)前面設(shè)置一些纖維光學(xué)裝置(37， 38)和/或成像光學(xué) 裝置(36)。
16、 如上述權(quán)利要求7至15之一所述的裝置，其特征在于，這些光電二極管(39-42)或纖維光學(xué)裝置(37)或者面單元(35)的成像作為陣列 設(shè)置或者彼此間以其他任意的幾何形式設(shè)置。
17、 如上述權(quán)利要求13至16之一所述的裝置，其特征在于，這些光 電二極管(39-42)由不同的半導(dǎo)體材料制成。
18、 如上述權(quán)利要求7至17之一所述的裝置，其特征在于，所述濾波 裝置(21)集成在攝像機(jī)陣列中、設(shè)置在單個(gè)傳感元件前面的陣列表面上 或者設(shè)置在分光器(16)與探測系統(tǒng)(22)之間。
19、 如上述權(quán)利要求7至18之一所述的裝置，其特征在于，所述濾波 裝置(21)集成在分光鏡(15)中或者安置在分光器(16)上或集成在該 分光器中。
20、 如上述權(quán)利要求7至19之一所述的裝置，其特征在于，所述濾波 裝置(21)包括棋盤形圖案、條紋形圖案或者一些光學(xué)的單濾波元件的設(shè) 置。
21、 如上述權(quán)利要求7至20之一所述的裝置，其特征在于，所述濾波 裝置(21)的濾波器的波長適配于待測量的溫度范圍。
22、 如上述權(quán)利要求7至21之一所述的裝置，其特征在于，所述濾波 裝置(21)的濾波器的波長適配于待測量的測量點(diǎn)。
23、 如上述權(quán)利要求7至22之一所述的裝置，其特征在于，所述成像 光學(xué)裝置(19， 20)為了補(bǔ)償色像差、特別是為了軸向和橫向定位而彼此 相對(duì)可調(diào)整地構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于監(jiān)測工件(10)的加工區(qū)域(11)的方法，在該工件上進(jìn)行激光加工，在該方法中，由加工區(qū)域(11)發(fā)射的輻射通過一個(gè)探測系統(tǒng)(22)以局部解析的方式檢測，其特征在于，對(duì)于加工區(qū)域(11)的每個(gè)在探測系統(tǒng)(22)上成像的面單元(35)而言，加工區(qū)域(11)的輻射同時(shí)以至少兩個(gè)波長被檢測。由此可進(jìn)行精確的過程監(jiān)測。
文檔編號(hào)G01J5/60GK101553339SQ200680056285
公開日2009年10月7日 申請(qǐng)日期2006年11月4日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月4日
發(fā)明者D·普菲茨納, T·埃斯, W·馬格 申請(qǐng)人:通快機(jī)床兩合公司