專利名稱：一種傳感器及其調(diào)節(jié)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微機(jī)電系統(tǒng)領(lǐng)域，尤其涉及一種傳感器及其調(diào)節(jié)方法。
背景技術(shù)：
傳感器技術(shù)是測(cè)量技術(shù)、半導(dǎo)體技術(shù)、計(jì)算機(jī)技術(shù)、信息處理技術(shù)、微 電子學(xué)、光學(xué)、聲學(xué)、精密機(jī)械、仿生學(xué)、材料科學(xué)等眾多學(xué)科相互交叉的 綜合性高新技技術(shù)之一，而傳感器是準(zhǔn)確獲取自然和生產(chǎn)領(lǐng)域中可靠信息的 主要途徑與手,殳。
隨著科技的發(fā)展，需要采集處理的信號(hào)強(qiáng)度越來(lái)越微弱，有的已經(jīng)達(dá)到 納米級(jí)、易被噪聲淹沒(méi)、不易檢測(cè)等特點(diǎn)，必然要求傳感器的尺寸也越來(lái)越 小，因此，出現(xiàn)了多種微機(jī)械傳感器。所述的微機(jī)械傳感器是采用微機(jī)電和 微機(jī)械加工技術(shù)制造出來(lái)的新型微型傳感器，與傳統(tǒng)的傳感器相比，使得它 在微米、納米量級(jí)特征的尺寸可以完成傳統(tǒng)傳感器所不能完成的功能。
目前，微型傳感器主要是利用MEMS (微機(jī)電系統(tǒng))技術(shù)把傳感器加工 成微型懸臂梁或微型橋結(jié)構(gòu)，如硅微機(jī)械懸臂梁是一種靈敏度極高的器件， 可探測(cè)到10- 5N/ m的表面應(yīng)力和納克的質(zhì)量變化，近年來(lái)在傳感器領(lǐng)域受 到很大的關(guān)注。所述的微型懸臂梁、微型橋結(jié)構(gòu)是在微型橋和襯底間形成一 個(gè)電容，當(dāng)負(fù)載沿垂直方向作用時(shí)，極板間距減小，電容量增加，其變化可 用適當(dāng)電路檢測(cè)并轉(zhuǎn)換成電壓信號(hào)輸出。
一般，微懸臂梁、微橋的結(jié)構(gòu)尺寸在微米量級(jí)甚至是納米量級(jí)，檢測(cè)電 容的中心電容量很小，通常在pF量級(jí)，產(chǎn)生的電容變化量甚至在aF量級(jí)以下，如此小的電容變化量必須經(jīng)信號(hào)放大裝置放大后，才能連接到電壓中間 轉(zhuǎn)換器，如圖1所示，把電容信號(hào)轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)，最后連接到讀出電路 上。
讀出電路根據(jù)電壓中間轉(zhuǎn)換器輸出信號(hào)的特點(diǎn)，包含積分放大、采樣保
持、輸出緩沖、多路傳輸、A/D轉(zhuǎn)換，如圖2所示。
采用這種方案設(shè)計(jì)的微機(jī)械傳感器可以較為準(zhǔn)確的測(cè)量微弱信號(hào)，但由 于各種傳感器輸出的信號(hào)截然不同，因此，對(duì)于每一種傳感器，都需要一套 信號(hào)處理專用電路，造成后端電路難以標(biāo)準(zhǔn)化。
由此可見(jiàn)，傳感器和后端處理電路之間的接口部分一直是阻礙傳感器實(shí) 用化發(fā)展的"瓶頸"。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種傳感器及其調(diào)節(jié)方法，可以有效解決傳感器和 后端處理電路之間的接口問(wèn)題，并簡(jiǎn)化了傳感器系統(tǒng)電路。 本發(fā)明實(shí)施例是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的
一種傳感器，包括微型懸臂梁或微型橋和金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管， 所述的微型懸臂梁或微型橋搭建在所述的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管上，微型 懸臂梁或微型橋與所述的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管之間構(gòu)成檢測(cè)電容，檢測(cè) 電容的輸出信號(hào)直接通過(guò)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管輸出電信號(hào)。
所述的微型懸臂梁或微型橋包括0.5 ja m膜厚度。
一種傳感器的調(diào)節(jié)裝置，包括多晶硅浮柵層，所述的多晶硅浮柵層設(shè) 于微型懸臂梁或微型橋內(nèi)部，且所述的多晶硅浮柵層與微型懸臂梁或微型橋 間設(shè)有絕緣層。
所述的多晶硅浮柵層可以接收第一次注射電荷，并將第一次注射電荷儲(chǔ) 存在多晶硅浮柵層，作為多晶硅浮柵層的原始注射電荷量，用以設(shè)置傳感器的閾值電壓的初始值。
所述的多晶硅浮柵層可以接收后續(xù)的注射電荷，并通過(guò)調(diào)節(jié)注射電荷的 數(shù)量來(lái)調(diào)節(jié)傳感器的閾值電壓。
所述的傳感器的調(diào)節(jié)裝置還包括多晶硅浮柵層封裝殼，用于封裝多晶硅 浮柵層。
所述的封裝殼上設(shè)置有可以透光的小窗口 ，用以接收包括紫外線的照射。
所述的紫外線可以擦除多晶硅浮柵層上后續(xù)的注射電荷，用以將多晶硅 浮柵層上的電荷恢復(fù)到原始注射電荷量，從而恢復(fù)傳感器的閾值電壓的初始值。
一種傳感器的調(diào)節(jié)方法，包括
在傳感器的微型懸臂梁或微型橋中內(nèi)置多晶硅浮柵層，在所述的多晶硅 浮柵層上第一次注射電荷，所述的電荷可以儲(chǔ)存在多晶硅浮柵層，作為多晶 硅浮柵層的原始注射電荷量，從而可以設(shè)置傳感器的閾值電壓的初始值；
在所述的多晶硅浮柵層中每增加一次注射電荷，可以使傳感器的閾值電 壓相應(yīng)減??；
在所述的多晶硅浮柵層上通過(guò)包括紫外線照射的方法，使多晶硅浮柵層 中的電荷量恢復(fù)到第一次注射電荷的原始電荷量，從而可以恢復(fù)傳感器的閾 寸直電壓初始Y直。
由上述本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明的實(shí)施例采用微 型懸臂梁(或微型橋)直接搭建在MOS管上和調(diào)節(jié)微型懸臂梁或微型橋的結(jié) 構(gòu)，使得本發(fā)明實(shí)施例的實(shí)現(xiàn)可以把傳感器信號(hào)直接轉(zhuǎn)換微電學(xué)信號(hào)。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的連接讀出電路的微懸臂梁或微橋連接原理圖；圖2為現(xiàn)為現(xiàn)有技術(shù)提供的陣列壓力傳感器處理框圖； 圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的在MOS管上構(gòu)建微型懸臂梁或微型橋的傳感 器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的在MOS管上構(gòu)建微型懸臂梁或微型橋的制造 工藝流程圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的實(shí)現(xiàn)閾值電壓可調(diào)的微型懸臂梁或微型橋結(jié)構(gòu) 簡(jiǎn)圖6本發(fā)明實(shí)施例提供的3次紫外線擦除編程循環(huán)結(jié)果比較示意圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種傳感器，如圖3所示，所述的傳感器包括微型 懸臂梁(或微型橋)和金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(MOS管)，其中，所述的 微型懸臂梁(或微型橋)搭建在MOS管上，從而可以在微型懸臂梁(或微型 橋)和MOS管之間形成一個(gè)模擬檢測(cè)電容，因此，微型懸臂梁(或微型橋) 的變化都可以？ 1起模擬檢測(cè)電容的電容量的變化，所述的電容變化可以通過(guò) MOS管直接輸出電流信號(hào)的變化，用以反應(yīng)微型懸臂梁、微型橋的變化情 況。
由此可見(jiàn)，當(dāng)所述的傳感器需要采集的信號(hào)發(fā)生微小的變化時(shí)，如微型 懸臂梁(或微型橋)表面受到壓力、加速度等物理量作用時(shí)，都會(huì)導(dǎo)致微型 懸臂梁(或微型橋)的變化，而微型懸臂梁(或微型橋)的變化可以導(dǎo)致模 擬檢測(cè)電容的電容量的變化，而模擬檢測(cè)電容的電容量的變化可以通過(guò)MOS 管直接轉(zhuǎn)變成電流的變化。因此，本發(fā)明實(shí)施例提供的傳感器可以將傳感器 信號(hào)直接轉(zhuǎn)換微電學(xué)信號(hào)，從而有效的解決了傳感器和后端處理電路之間接 口問(wèn)題，并簡(jiǎn)化了傳感器系統(tǒng)電路。MOS管的芯片上采用犧牲層的方構(gòu)建微型懸臂梁或微型橋，所述的構(gòu)建微型 懸臂梁或微型橋的具體實(shí)現(xiàn)工藝如圖4所示。
第一步，濺射后繼的二氧化硅犧牲層圖形，在犧牲層上濺射淀積多晶硅 的結(jié)構(gòu)層。第二步，在氫氟酸中刻蝕犧牲層。最后一步是從氫氟酸中取出器 件、漂洗、烘干。
其中，在具體構(gòu)建微型懸臂梁或微型橋中，采用的是雙阱、兩層多晶 硅、兩層金屬線(CMOS)技術(shù)，具體包括
首先，使用第一層多晶硅(poly0)構(gòu)建微型懸臂梁或微型橋，這一層使 用CNM標(biāo)準(zhǔn)CMOS加工作為模擬檢測(cè)電容的底層，因此，可以不改變晶體管 特征值對(duì)它進(jìn)行略微的更改。
其次，通過(guò)對(duì)不同厚度微型懸臂梁或微型橋零漂隨膜厚度變化進(jìn)行試驗(yàn) 測(cè)試，試驗(yàn)結(jié)果證明，當(dāng)膜厚度為0.5 n m時(shí)，不同厚度的微型懸臂梁或微型橋 零漂接近于零，因此，可以設(shè)計(jì)poly0層的厚度約為500nm,沉積溫度減少到
580°C,在950。C摻雜^GC、使底層有13.8。"《的表面電阻，表面粗糙度 從15nm減少到7nm。在生長(zhǎng)柵氧化層時(shí)，第一層被氧化，并被第二層多晶硅 (poly1)覆蓋，用以保護(hù)第一層。
最后，在氧化層上加上掩膜，在平臺(tái)區(qū)域頂端加上金屬層。掩膜界定 后，通過(guò)干刻蝕法把圖案影印到polyO層上。最后在BHF(氫氟酸)中降壓，
用于刻蝕底層1 n m厚的。
本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種傳感器的調(diào)節(jié)裝置，應(yīng)用于本發(fā)明實(shí)施例提 供的傳感器，如圖5所示，所述的裝置包括多晶硅浮柵層，該多晶硅浮柵層 設(shè)置于微型懸臂梁或微型橋內(nèi)部，且與微型懸臂梁或微型橋間設(shè)有絕緣層。
所述的多晶硅浮柵層可以接收離子注入發(fā)射的第一次注入電荷，并將該 第一次注入電荷儲(chǔ)存在多晶硅浮柵層，作為多晶硅浮柵層的原始注入電荷 量，使浮柵結(jié)構(gòu)具有一定的電荷耦合能力，存儲(chǔ)有一定的電荷，用以設(shè)置傳感器的閾值電壓的初始值。所述的多晶硅浮柵層還可以接收后續(xù)的注射電 荷，并通過(guò)調(diào)節(jié)注入電荷的數(shù)量來(lái)調(diào)節(jié)傳感器的閾值電壓。
所述的裝置還包括多晶硅浮柵層封裝殼，并在所述的封裝殼上設(shè)置有可 以透光的小窗口，用以接收包括紫外線的照射。所述的紫外線可以擦除多晶 硅浮柵層上后續(xù)的注射電荷，用以將多晶硅浮柵層上的電荷恢復(fù)到原始注射 電荷量，從而恢復(fù)傳感器的閾值電壓的初始值。
由此可見(jiàn)，當(dāng)微型懸臂梁或微型橋由于重力的作用發(fā)生形變時(shí)，通過(guò)微
型懸臂梁或微型橋與MOS管之間的檢測(cè)電容產(chǎn)生一個(gè)電壓，此電壓也會(huì)通過(guò) MOS管輸出電流，從而影響傳感器獲取信號(hào)的準(zhǔn)確性，因此可以通過(guò)在微型 懸臂梁或微型橋中內(nèi)置一多晶硅浮柵層，并在多晶硅浮柵層上注射電荷，產(chǎn) 生一個(gè)浮柵電壓，通過(guò)調(diào)節(jié)注射電荷的數(shù)量來(lái)調(diào)節(jié)浮柵電壓，從而可以調(diào)節(jié) 傳感器的閾值電壓，因此，可以補(bǔ)償由于微型懸臂梁或微型橋的形變引起的 電壓變化，同時(shí)，也提高了傳感器的靈敏度。
本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種傳感器的調(diào)節(jié)方法，應(yīng)用于本發(fā)明實(shí)施例提 供的傳感器，通過(guò)在微型懸臂梁或微型橋的內(nèi)部設(shè)置一多晶硅浮柵層，通過(guò) 調(diào)節(jié)多晶硅浮柵層上的注射電荷，使傳感器的閾值電壓可調(diào)，從而使傳感器
閾值電壓具有可編程和可刪除的功能。
一般，傳感器的微型懸臂梁有兩個(gè)重要參數(shù)(1)彈簧系數(shù)、(2)
基波的振動(dòng)頻率A，所述的振動(dòng)頻率A可以通過(guò)共振結(jié)構(gòu)的尺寸和材料的機(jī) 械性能計(jì)算。質(zhì)量密度^)其中， 彈簧系數(shù)A可以表示為
<formula>formula see original document page 9</formula>
質(zhì)量彈簧模型可以近似的表示微型懸臂梁中心的位移。 共振頻率可以表示為<formula>formula see original document page 10</formula>
"，Z和^分別是底層振蕩微型懸臂梁的寬度、長(zhǎng)度和厚度，￡為楊氏模 量，"V是微型懸臂梁的有效質(zhì)量，即 廣0,24/^,^、 P為質(zhì)量密度。
當(dāng)一個(gè)質(zhì)量放置到懸臂上，懸臂的振動(dòng)頻率將會(huì)改變，假定一層多晶硅 微型懸臂梁(五=150G尸"和P = 2330紐/w3 )。 由公式(1 ) 、(2)得 ，三0.9/3,
<formula>formula see original document page 10</formula> (3)
由此可見(jiàn)，微型懸臂梁的靈敏度與懸臂梁的厚度成反比，與懸臂梁長(zhǎng)度 成正比，若要提高微型懸臂梁的靈敏度，應(yīng)增大微型懸臂梁的長(zhǎng)度、減小微 型懸臂梁的厚度。但是由于重力作用，當(dāng)懸臂梁的長(zhǎng)度增加到一定范圍、厚 度減小到一定范圍，懸臂梁產(chǎn)生形變，這一形變很難控制，將會(huì)影響傳感器 的測(cè)量結(jié)果。
同樣，微型橋的性能也由兩個(gè)重要參數(shù)決定當(dāng)">^時(shí)，
, 3斷l(xiāng) + 2a)2 / 192投
2(1 —a)2"3 ;當(dāng) 2時(shí)， /3 ;
因此，通過(guò)增大微型橋的長(zhǎng)度、減小微型橋的厚度，可以提高器件的靈 敏度，但是微型橋的長(zhǎng)度增加到一定范圍、厚度減小到一定范圍內(nèi)，微型橋 也會(huì)產(chǎn)生形變以致影響傳感器的測(cè)量結(jié)果。
由于微型懸臂梁、微型橋的重力作用會(huì)造成微型懸臂梁、微型橋的形
變，從而會(huì)引起微型懸臂梁、微型橋與MOS管之間的檢測(cè)電容的變化，監(jiān)測(cè) 電容的變化造成在微型懸臂梁、微型橋與MOS管之間的電壓變化，最終，會(huì) 影響傳感器的靈敏度。
為了有效解決這一問(wèn)題，使微型懸臂梁、微型橋的形變可以受到控制，本發(fā)明實(shí)施例提供的方法可以有效補(bǔ)償由于重力作用引起的微型懸臂梁、微 型橋的形變而造成的電壓變化。具體實(shí)施方案仍參考圖5所示。
在微型懸臂梁或微型橋中內(nèi)置一多晶硅浮柵層，且所述的多晶硅浮柵層 與微型懸臂梁或微型橋間設(shè)有絕緣層，所述的絕緣層可以包括二氧化硅，用 以保護(hù)多晶硅浮柵層免受外力影響。其中，
所述的多晶硅浮柵層用以接收離子注入的第 一次注入電荷，并將該注入 電荷儲(chǔ)存在多晶硅浮柵層，所述的第一次注入電荷可以設(shè)置為多晶硅浮柵層 的原始電荷量，使浮柵結(jié)構(gòu)具有一定的電荷耦合能力，存儲(chǔ)有一定的電荷， 因此，可以設(shè)置傳感器的閾值電壓的初始值，所述的傳感器的闊值電壓初始 值可以通過(guò)浮柵上的電荷進(jìn)行調(diào)控，而不僅僅依賴于懸臂梁本身的撓度和楊 氏模量等參數(shù)，并且當(dāng)懸臂梁釋放時(shí)，由于梁本身的應(yīng)力作用，會(huì)使梁發(fā)生 彎曲，從而改變了閾值電壓的變化，通過(guò)本發(fā)明的方法，可以通過(guò)注入電荷 多少的改變，調(diào)整由于應(yīng)力帶來(lái)的閾值電壓的改變。
所述的浮柵電壓可以通過(guò)注射電荷的數(shù)量變化進(jìn)行調(diào)節(jié)，如每注射一次 電荷，使得多晶硅浮柵層的注射電荷增加，由此，浮柵電壓也相應(yīng)增加，傳 感器的閾值電壓相應(yīng)減小，因此，可以通過(guò)調(diào)節(jié)傳感器的閾值電壓而調(diào)節(jié)微
型懸臂梁或微型橋的形變；
所述的傳感器的閾值電壓可以通過(guò)紫外線擦除方法進(jìn)行恢復(fù)，如圖6所示 的通過(guò)3次紫外線擦除編程循環(huán)結(jié)果比較示意圖，每次注射電荷后，由于， 多晶硅浮柵層中的電荷量的增加，導(dǎo)致浮柵電壓的相應(yīng)增加，從而使傳感器 的閾值電壓相應(yīng)減小，但是，經(jīng)過(guò)紫外線擦除后，可以將多晶硅浮柵層中的 電荷量恢復(fù)到第 一 次注射時(shí)的原始注射電荷數(shù)量，從而可以將傳感器的闊值 電壓恢復(fù)為原來(lái)的值。
由此可見(jiàn)，本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案采用在微型懸臂梁或微型橋的 中內(nèi)置一多晶硅浮柵層，通過(guò)注射電荷的方法實(shí)現(xiàn)傳感器的閾值電壓可調(diào)，從而使傳感器閾值電壓具有可編程和可刪除的功能，從而也可以補(bǔ)償由于重 力作用引起的微型懸臂梁、微型橋的形變而造成的電壓變化，提高了傳感器 的靈敏度。
本發(fā)明實(shí)施例提供的傳感器可以采用在微型懸臂梁、微型橋的一個(gè)表面 涂鍍特殊的生化敏感層，當(dāng)被測(cè)物質(zhì)經(jīng)擴(kuò)散進(jìn)入生化敏感層，在懸臂梁、橋表 面發(fā)生物理吸附或化學(xué)吸附，引起懸臂梁、橋質(zhì)量發(fā)生變化時(shí),懸臂梁的響應(yīng) 頻率將產(chǎn)生頻移或使懸臂梁產(chǎn)生表面應(yīng)力，懸臂梁表面應(yīng)力的改變將使其彎 曲，從而可以制成微型生化傳感器，以便準(zhǔn)確獲取包括生物、化學(xué)、物理等 信號(hào)。
以上所述，僅為本發(fā)明較佳的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不 局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可 輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明 的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1、一種傳感器，包括微型懸臂梁或微型橋，其特征在于，還包括金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，所述的微型懸臂梁或微型橋搭建在所述的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管上，微型懸臂梁或微型橋與所述的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管之間構(gòu)成檢測(cè)電容，檢測(cè)電容的輸出信號(hào)直接通過(guò)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管輸出電信號(hào)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器，其特征在于，所述的微型懸臂梁或微 型橋包括0.5pm膜厚度。
3、 一種傳感器的調(diào)節(jié)裝置，其特征在于，包括多晶硅浮柵層，所述的 多晶硅浮柵層設(shè)于微型懸臂梁或微型橋內(nèi)部，且所述的多晶硅浮柵層與微型 懸臂梁或微型橋間設(shè)有絕緣層。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，所述的多晶硅浮柵層可以 接收第一次注射電荷，并將第一次注射電荷儲(chǔ)存在多晶硅浮柵層，作為多晶 硅浮柵層的原始注射電荷量，用以設(shè)置傳感器的閾值電壓的初始值。
5、 根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的裝置，其特征在于，所述的多晶硅浮柵層 可以接收后續(xù)的注射電荷，并通過(guò)調(diào)節(jié)注射電荷的數(shù)量來(lái)調(diào)節(jié)傳感器的閾值 電壓。
6、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，所述的傳感器的調(diào)節(jié)裝置 還包括多晶硅浮柵層封裝殼，用于封裝多晶硅浮柵層。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述的封裝殼上設(shè)置有可 以透光的小窗口，用以接收包括紫外線的照射。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述的紫外線可以擦除多 晶硅浮柵層上后續(xù)的注射電荷，用以將多晶硅浮柵層上的電荷恢復(fù)到原始注 射電荷量，從而恢復(fù)傳感器的閾值電壓的初始值。
9、 一種傳感器的調(diào)節(jié)方法，其特征在于，包括在傳感器的微型懸臂梁或微型橋中內(nèi)置多晶硅浮柵層，在所述的多晶硅 浮柵層上第一次注射電荷，所述的電荷可以儲(chǔ)存在多晶硅浮柵層，作為多晶 硅浮柵層的原始注射電荷量，從而可以設(shè)置傳感器的闊值電壓的初始值；在所述的多晶硅浮柵層中每增加一次注射電荷，可以使傳感器的閾值電 壓相應(yīng)減??；在所述的多晶硅浮柵層上通過(guò)包括紫外線照射的方法，使多晶硅浮柵層 中的電荷量恢復(fù)到第 一 次注射電荷的原始電荷量，從而可以恢復(fù)傳感器的閾 <直電壓初始{直。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種傳感器及其調(diào)節(jié)方法，所述的傳感器包括微型懸臂梁(或微型橋)和MOS管，其中，所述的微型懸臂梁(或微型橋)搭建在MOS管上，在微型懸臂梁(或微型橋)和MOS管之間形成檢測(cè)電容；所述的傳感器調(diào)節(jié)方法通過(guò)在微型懸臂梁或微型橋內(nèi)置浮動(dòng)多晶硅層，所述的浮動(dòng)多晶硅層用以接收注入電荷，使浮柵電壓具有傳感器電耦比和注射電荷功能。因此，本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)可以使微型懸臂梁、微型橋的變化情況通過(guò)電容傳遞MOS管，直接以輸出電流信號(hào)的變化情況反應(yīng)微型懸臂梁、微型橋的變化情況；同時(shí)，可以通過(guò)注射電荷的數(shù)量調(diào)節(jié)傳感器的閾值電壓，提高傳感器的靈敏度。
文檔編號(hào)G01D5/12GK101303239SQ200710099060
公開日2008年11月12日 申請(qǐng)日期2007年5月10日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月10日
發(fā)明者姜巖峰 申請(qǐng)人:北方工業(yè)大學(xué)