專利名稱：晶片以及半導體裝置的測試方法
技術領域：
本發(fā)明涉及晶片，特別涉及按每個芯片區(qū)域制作有半導體裝置的 晶片。
此外，本發(fā)明涉及制作在這樣晶片上的半導體裝置的測試方法。
背景技術：
如圖2A所示，在經過了晶片工藝的一般的晶片101中，晶片表面 被劃分為多個矩形區(qū)域(將其稱為"芯片區(qū)域"。)102，按每個芯片 區(qū)域102制作半導體裝置(未圖示)。如圖2B (放大地示出圖2A中 的一部分103)所示，芯片區(qū)域102彼此之間被具有固定寬度的切割線 (也稱作分割線)108隔開 在各芯片區(qū)域102的周邊部(沿著切割線 108的部分)，排列多個用于在芯片區(qū)域內的元件與外部之間輸入輸出 信號的焊盤104。在晶片測試時，使預先作成的探針卡的接觸針109， 109，...分別與各芯片區(qū)域102內的所有的焊盤104， 104， . -抵 接，進行芯片區(qū)域102內的半導體裝置的電特性檢查。
將晶片分割為芯片之后，僅將在晶片測試階段判斷為合格品的芯 片安裝在外殼(package)等中。對這些安裝品進行出廠測試，只有在
出廠測試中判斷為合格品的產品才能出廠。
以往，例如在特開2002-184825公報中公開了如下技術為了在多 種半導體產品中共同使用一個探針卡，將測試用焊盤配置在各芯片區(qū) 域102內的預定位置上。此外，在特開2002-184825公報中還公開了如 下技術以防止芯片尺寸(芯片區(qū)域的面積)增加為目的，將測試用 焊盤配置在分割線108上。
此外，在特開平5-299484號公報中公開了如下技術以維持芯片 區(qū)域(集成電路形成部)的面積并且謀求測試的容易化為目的，將與 探針卡的接觸針抵接的測試用焊盤設置在晶片的切割線上。
此外，在特開2004-342725號公報中公開了如下技術以不對芯片
區(qū)域內的焊盤產生損傷地進行測試為目的，將與探針卡的接觸針抵接 的測試用焊盤設置在晶片的切割線上。此外，該文獻中還公開了如下
技術為了使測試用焊盤的數目減半，在鄰接的芯片區(qū)域共用切割線 上的測試用焊盤。
但是，在所述的專利文獻中，通過減少測試用的信號數目來減少 測試用焊盤或探針卡的接觸針的數目完全沒有描述或暗示。因此，存 在改善的余地。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供一種晶片以及半導體裝置的測試方法，可 通過減少測試用的信號數目來減少探針卡的切割線的數目，此外，即 使產品的機型不同，也可使用共同的探針卡，因此，可降低成本。
為解決所述課題，本發(fā)明的由切割線劃分分別制作有半導體裝置 的多個芯片區(qū)域的晶片的特征在于，
至少具有三個焊盤，設置在與所述芯片區(qū)域鄰接的切割線上，應 分別與探針卡的接觸針抵接，
所迷三個焊盤是與所述芯片區(qū)域內的電源電位部連接的電源用 焊盤；與所述芯片區(qū)域內的接地電位部連接的接地用焊盤；與所述芯 片區(qū)域內的半導體裝置連接并在正常工作狀態(tài)與備用狀態(tài)之間切換該 半導體裝置的工作狀態(tài)的切換用焊盤。
此處，"備用狀態(tài)"是半導體裝置停止的狀態(tài)，若該半導體裝置 是合格品，則是功耗大致為零的狀態(tài)。"正常工作狀態(tài)"泛指所述備 用狀態(tài)以外的工作狀態(tài)。
在本發(fā)明的晶片中，以如下方式判定晶片內的各半導體裝置合格 或者不合格。首先，使探針卡的對應的笫一、第二、第三接觸針分別 和與某芯片區(qū)域鄰接的切割線上的所述三個焊盤即電源用焊盤、接地 用焊盤、切換用焊盤抵接。并且，從所述探針卡的各接觸針提供預先 決定的信號，通過所述電源用焊盤將所述芯片區(qū)域內的電源電位部保 持為電源電位，通過所述接地用焊盤將所述芯片區(qū)域內的接地電位部 保持為接地電位，并且，通過所述切換用焊盤將所述芯片區(qū)域內的半 導體裝置的工作狀態(tài)保持為備用狀態(tài)。在該備用狀態(tài)下，根據在所述 電源用焊盤與所述接地用焊盤之間流過的電流值(漏電流)，判斷所述 半導體裝置合格或者不合格。并且，為了使所述芯片區(qū)域內的半導體 裝置的工作狀態(tài)變?yōu)檎９ぷ鳡顟B(tài)，從所述探針卡的第三接觸針供給
其他的信號。
這樣，在判定晶片內的各半導體裝置合格或不合格的情況下，由 于在探針卡上設置三根接觸針即可，所以，可以減少測試用焊盤或探 針卡的接觸針的數量。此外，若與所述三個焊盤相對應地以預先決定 定的間隔、順序配置所述三根接觸針，即使產品的機型不同，也可以 使用共同的探針卡。因此，可以降低成本。
在一個實施方式的晶片中，所述三個焊盤僅和與設置有這些焊盤 的所述切割線鄰接的一個芯片區(qū)域連接。
在一個實施方式的晶片中，所述三個焊盤和與設置有這些焊盤的 所述切割線鄰接的多個芯片區(qū)域分別連接。
在如上所述的一個實施方式的晶片中，使探針卡的接觸針與所述 三個焊盤抵接一次，由此，可進行所述多個芯片區(qū)域內的半導體裝置 的測試。因此，作為晶片整體，可縮短測試時間。
在一個實施方式的晶片中，所述切換用焊盤與所述電源用焊盤共 同地構成。
在如上所述的一個實施方式的晶片中，可以進一步減少測試用焊 盤或探針卡的接觸針的數量。
本發(fā)明的半導體裝置的測試方法以由切割線劃分分別制作有半導 體裝置的多個芯片區(qū)域的晶片為目標，判斷所述各半導體裝置合格或 者不合格，其特征在于，
所述晶片至少具有三個設置在與所述芯片區(qū)域鄰接的切割線上的
焊盤，
所述三個焊盤是與所述芯片區(qū)域內的電源電位部連接的電源用 焊盤；與所述芯片區(qū)域內的接地電位部連接的接地用焊盤；與所述芯 片區(qū)域內的半導體裝置連接并在正常工作狀態(tài)與備用狀態(tài)之間切換該 半導體裝置的工作狀態(tài)的切換用焊盤，
使探針卡的對應的第一、第二、第三接觸針分別和與某芯片區(qū)域 鄰接的切割線上的所述電源用焊盤、接地用焊盤、切換用焊盤抵接，
從所述探針卡的各接觸針提供預先決定的信號，通過所述電源用 焊盤將所述芯片區(qū)域內的電源電位部保持為電源電位，通過所述接地 用焊盤將所述芯片區(qū)域內的接地電位部保持為接地電位，并且，通過 所述切換用焊盤將所述芯片區(qū)域內的半導體裝置的工作狀態(tài)保持為備
用狀態(tài)，
在該備用狀態(tài)下，根據在所述電源用焊盤與所述接地用焊盤之間 流過的電流值，判斷所述半導體裝置合格或者不合格。
在本發(fā)明的半導體裝置的測試方法中，首先，使探針卡的對應的 第一、第二、第三接觸針分別和與某芯片區(qū)域鄰接的切割線上的所述
三個焊盤即電源用焊盤、接地用焊盤、切換用焊盤抵接。并且，從所 述探針卡的各接觸針供給預先決定的信號，通過所述電源用焊盤將所 述芯片區(qū)域內的電源電位部保持為電源電位，通過所述接地用焊盤將 所述芯片區(qū)域內的接地電位部保持為接地電位，并且，通過所述切換 用焊盤將所述芯片區(qū)域內的半導體裝置的工作狀態(tài)保持為備用狀態(tài)。 在該備用狀態(tài)下，根據在所述電源用焊盤與所述接地用焊盤之間流過 的電流值(漏電流)，判斷所述半導體裝置合格或者不合格。并且， 為了使所述芯片區(qū)域內的半導體裝置的工作狀態(tài)變?yōu)檎９ぷ鳡顟B(tài)， 從所述探針卡的笫三接觸針供給其他的信號。
這樣，在判定晶片內的各半導體裝置合格或不合格的情況下，由 于在探針卡上設置三根接觸針即可，所以，可減少測試用的信號數量。 因此，可減少測試用焊盤或探針卡的接觸針的數量。此外，若與所述 三個焊盤相對應地以預先決定的間隔、順序配置所述三根接觸針，則 即使產品的機型不同，也可以使用共同的探針卡。因此，可以降低成 本。
在一個實施方式的半導體裝置的測試方法中，所述三個焊盤僅和 與設置有這些焊盤的所述切割線鄰接的一個芯片區(qū)域連接。
在一個實施方式的半導體裝置的測試方法中，所述三個焊盤和與 設置有這些焊盤的所述切割線鄰接的多個芯片區(qū)域分別連接。
在如上所述的一個實施方式的半導體裝置的測試方法中，使探針 卡的接觸針與所述的三個焊盤抵接一次，由此，可進行所述多個芯片 區(qū)域內的半導體裝置的測試。因此，作為晶片整體，可縮短測試時間。
在一個實施方式的半導體裝置的測試方法中，所述切換用焊盤與 所述電源用焊盤共同地構成。
在如上所述的一個實施方式的半導體裝置的測試方法中，可進一 步減少測試用焊盤或探針卡的接觸針的數量。
可通過以下詳細的說明和附圖充分理解本發(fā)明。附圖僅用于說
明，并不限制本發(fā)明。


圖1A是表示本發(fā)明的一個實施方式的晶片的概要結構的圖。 圖1B是放大地表示圖1A所示的晶片的一部分來說明本發(fā)明的一 個實施方式的測試方法的圖。
圖2A是表示現有的晶片的概要結構的圖。
圖2B是放大地表示圖2A所示的晶片的一部分來說明現有的測試 方法的圖。
具體實施例方式
以下，利用圖示的實施方式詳細地對本發(fā)明進行說明。 圖1A示出本發(fā)明的一個實施方式的晶片1的概要結構。該晶片1 是經過晶片工藝的晶片，與一般的晶片相同，晶片表面劃分為多個矩 形區(qū)域(將其稱為"芯片區(qū)域")2。分別在各芯片區(qū)域2中制作半導
體裝置(未圖示)。
圖1B放大地示出圖1A中的一部分即四個芯片區(qū)域2的角部集中 的部分3。如圖1B所示，芯片區(qū)域2彼此之間被具有固定寬度的切割 線(也稱為分割線)8隔開。并且，后述的晶片測試結束后，將晶片1 沿著切割線8分割為芯片。在各芯片區(qū)域2的周邊部(沿著切割線8 的部分)，排列多個在芯片區(qū)域內的元件與外部之間輸入輸出信號用 的焊盤4。
在各芯片區(qū)域2的右上周邊部(在圖1B中，圖示出了左下方的芯 片區(qū)域2的右上周邊部。)，設置電源電位部5、供給接地電位(OV) 的接地電位部6以及作為切換部的開關7，該電源電位部5提供在工作 時制作在該芯片區(qū)域2上的半導體裝置用的電源電位。此外，沿著與 該芯片區(qū)域2鄰接的切割線8設置包括三個焊盤10A、 IOB、 IOC的焊 盤區(qū)域IO。
所述三個焊盤是通過布線IIA與該芯片區(qū)域2內的電源電位部5 連接的電源用焊盤10A;通過布線11B與該芯片區(qū)域2內的接地電位 部6連接的接地用焊盤10B;通過布線11C與該芯片區(qū)域2內的半導 體裝置的切換部7連接的切換用焊盤10C。在本例中，將這些焊盤IOA、
10B、 10C分別形成為矩形圖形，以固定的間距縱向(在圖1B中)排 列。
在本例中，通過切換用焊盤IOC與布線IIC切換預先決定的控制 信號并提供給芯片區(qū)域2內的開關7，由此，在正常工作狀態(tài)與備用狀 態(tài)之間切換該芯片區(qū)域2內的半導體裝置的工作狀態(tài)。
在晶片測試時，以如下方式判定晶片1內的各半導體裝置合格或 不合格。
首先，使探針卡的對應的第一、第二、第三的接觸針9A、 9B、 9C 分別和與某芯片區(qū)域(在圖1B中是左下方的芯片區(qū)域2)鄰接的切割 線8上的電源用焊盤IOA、接地用焊盤IOB、切換用焊盤IOC抵接。 并且，探針卡具有未圖示的卡主體和從該卡主體突出的三根金屬制接 觸針9A、 9B、 9C。
并且，從所述探針卡的各接觸針9A、 9B、 9C供給預先決定的信 號，通過電源用焊盤10A與布線11A將芯片區(qū)域2內的電源電位部5 保持為電源電位，通過接地用焊盤IOB和布線IIB將芯片區(qū)域2內的 接地電位部6保持為接地電位，并且，通過切換用焊盤IOC和布線11C 將芯片區(qū)域2內的半導體裝置的工作狀態(tài)保持為備用狀態(tài)。在該備用 狀態(tài)下，根據電源用焊盤IOA與接地用焊盤IOB之間流過的電流值(漏 電流)，判定所述半導體裝置合格或者不合格。例如，若所述半導體 裝置是合格品，則備用狀態(tài)的漏電流大致為零。因此，例如將ljnA設 定為漏電流的上限值，若漏電流小于lyA，則判定為合格，若漏電流 為ljLiA以上，則判定為不合格。
并且，為了使芯片區(qū)域2內的半導體裝置的工作狀態(tài)為正常工作 狀態(tài)，從所述探針卡的第三接觸針9C供給其它的控制信號。
這樣，在判斷晶片1內的各半導體裝置合格或不合格的情況下， 由于在探針卡上設置三根接觸針9A、 9B、 9C即可，所以，可減少測 試用的信號數量。因此，可減少測試用焊盤或探針卡的接觸針的數量。 此外，若與所述三個焊盤IOA、 IOB、 IOC相對應地以預先決定的間隔、 順序配置所述三根接觸針9A、 9B、 9C，則即使產品的機型不同也可使
用共同的探針卡。因此，可降低成本。
在本例中，所述切割線8上的三個焊盤10A、 IOB、 IOC僅和與該 切割線8鄰接的一個芯片區(qū)域(在圖1B中是左下方的芯片區(qū)域)2連
接。因此，對于晶片1上的各芯片區(qū)域2，可依次以相同順序進行測試。 因此，可簡單地進行用于測試的操作。
并且， 一般地由于芯片尺寸按每個半導體裝置的機型而不同，所 以，切割線8的間隔也不同。但是，在一般的晶片檢驗器中，可以電 氣可變地設定使晶片橫向、縱向移動的間距。因此，在半導體裝置的 機型不同的情況下，只電氣地改變其間距即可。由于其間距的改變不 是象交換探針卡那樣的機械的改變，所以，幾乎不產生機型變更時的 時間的浪費。
此外，所述切割線8上的三個焊盤10A、 IOB、 IOC也可和與該切 割線8鄰接的多個(例如2個)芯片區(qū)域2分別連接。在該情況下， 使探針卡的接觸針9A、 9B、 9C與所述三個焊盤IOA、 IOB、 IOC抵接 一次，由此，可進行多個芯片區(qū)域2內的半導體裝置的測試。因此， 作為晶片整體，可縮短測試時間。
此外，若半導體裝置的規(guī)格允許，可與電源用IOA共同地構成切 換用IOC，進一步減少探針卡的接觸針的數量。
并且，將切割線8上的三個焊盤IOA、 IOB、 IOC連接在芯片區(qū)域 2內用的布線11A、 IIB、 11C優(yōu)選是電阻較小的金屬布線。但是，要 考慮將晶片l分割為芯片時布線IIA、 IIB、 IIC的剖面露出的情況。 若是金屬布線，也存在與空氣中的水分結合而生銹等的可能性。因此， 對于布線11A、 IIB、 IIC來說，特別是成為切斷面的部分，為了不產 生銹等，優(yōu)選由多晶硅等構成。
以上，說明了本發(fā)明的實施方式，但是，也可以進行各種變更。 這些變更不應該看作是脫離了本發(fā)明的宗旨與范圍，本領域技術人員 可想到的變更全部包含本發(fā)明的內容中。
權利要求
1.一種晶片，由切割線劃分分別制作有半導體裝置的多個芯片區(qū)域，其特征在于，至少具有三個焊盤，設置在與所述芯片區(qū)域鄰接的切割線上，應分別與探針卡的接觸針抵接，所述三個焊盤是與所述芯片區(qū)域內的電源電位部連接的電源用焊盤；與所述芯片區(qū)域內的接地電位部連接的接地用焊盤；與所述芯片區(qū)域內的半導體裝置連接并在正常工作狀態(tài)與備用狀態(tài)之間切換該半導體裝置的工作狀態(tài)的切換用焊盤。
2. 如權利要求1的晶片，其特征在于，所述三個焊盤僅和與設置有這些焊盤的所述切割線鄰接的一個芯 片區(qū)域連接。
3. 如權利要求l的晶片，其特征在于，所述三個焊盤和與設置有這些焊盤的所述切割線鄰接的多個芯片 區(qū)域分別連接。
4. 如權利要求l的晶片，其特征在于， 所述切換用焊盤與所述電源用焊盤共同地構成。
5. —種半導體裝置的測試方法，以由切割線劃分分別制作有半導 體裝置的多個芯片區(qū)域的晶片為目標，進行所述各半導體裝置的電特 性檢查，其特征在于，所述晶片至少具有三個設置在與所述芯片區(qū)域鄰接的切割線上的焊盤，所述三個焊盤是與所述芯片區(qū)域內的電源電位部連接的電源用 焊盤；與所述芯片區(qū)域內的接地電位部連接的接地用焊盤；與所述芯 片區(qū)域內的半導體裝置連接并在正常工作狀態(tài)與備用狀態(tài)之間切換該 半導體裝置的工作狀態(tài)的切換用焊盤，使探針卡的對應的第一、第二、第三接觸針分別和與某芯片區(qū)域 鄰接的切割線上的所述電源用焊盤、接地用焊盤、切換用焊盤抵接，從所述探針卡的各接觸針提供預先決定的信號，通過所述電源用 焊盤將所述芯片區(qū)域內的電源電位部保持為電源電位，通過所述接地 用焊盤將所述芯片區(qū)域內的接地電位部保持為接地電位，并且，通過 所述切換用焊盤將所述芯片區(qū)域內的半導體裝置的工作狀態(tài)保持為備 用狀態(tài)，在該備用狀態(tài)下，根據在所述電源用焊盤與所述接地用焊盤之間 流過的電流值，判斷所述半導體裝置合格或者不合格。
6. 如權利要求5的半導體裝置的測試方法，其特征在于， 所述三個焊盤僅和與設置有這些焊盤的所述切割線鄰接的一個芯片區(qū)域連接。
7. 如權利要求5的半導體裝置的測試方法，其特征在于， 所述三個焊盤和與設置有這些焊盤的所述切割線鄰接的多個芯片區(qū)域分別連接。
8. 如權利要求5的半導體裝置的測試方法，其特征在于， 所述切換用焊盤與所述電源用焊盤共同地構成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種晶片以及半導體裝置的測試方法。本發(fā)明的晶片至少具有設置在與芯片區(qū)域(2)鄰接的切割線(8)上的三個焊盤(10A)、(10B)、(10C)。這三個焊盤是與所述芯片區(qū)域(2)內的電源電位部(5)連接的電源用焊盤(10A)；與所述芯片區(qū)域(2)內的接地電位部(6)連接的接地用焊盤(10B)；與所述芯片區(qū)域(2)內的半導體裝置(7)連接并在正常工作狀態(tài)與備用狀態(tài)之間切換該半導體裝置(7)的工作狀態(tài)的切換用焊盤(10C)。在晶片測試時，使探針卡的接觸針(9A)、(9B)、(9C)分別與三個焊盤(10A)、(10B)、(10C)抵接。
文檔編號G01R31/26GK101106123SQ200710129168
公開日2008年1月16日 申請日期2007年7月13日 優(yōu)先權日2006年7月13日
發(fā)明者藤野宏晃 申請人:夏普株式會社