專利名稱：一種半導(dǎo)體氧化物氣敏元件制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體材料、元件及其制備技術(shù)，涉及一種材料/元件(傳 感器) 一體化溶液制備方法，具體涉一種半導(dǎo)體氧化物氣敏元件制備方法。
背景技術(shù)：
氣體傳感器已廣泛應(yīng)用于食品衛(wèi)生、環(huán)境監(jiān)測、公共安全、航空航天 等領(lǐng)域。在各種氣體傳感器中，金屬氧化物傳感器(氣敏元件)以其結(jié)構(gòu) 簡單、價格低廉的特點而得到關(guān)注。敏感材料是控制氣敏元件性能最重要 的因素，而敏感性是氣敏材料的最基本和最重要的性能指標(biāo)，它與氣敏材 料的微結(jié)構(gòu)密切相關(guān)。影響敏感性的微觀因素可以分為兩大類(1)幾何 結(jié)構(gòu)參數(shù)氣敏材料的晶粒尺寸及孔隙率、二次顆粒團聚、晶體取向等；(2) 物理/化學(xué)參數(shù)化學(xué)組成、氧空位濃度、不可控雜質(zhì)類型及濃度等。理論和實驗研究表明，金屬氧化物納米材料具有比表面積大、表面活 性高等納米效應(yīng)，能大幅度提高敏感度，縮短響應(yīng)和恢復(fù)時間。因此，采 用特殊的方法，減小金屬氧化物的晶粒尺寸，成為氣敏材料的研發(fā)熱點， 材料納米化也成為制作氣敏元件的關(guān)鍵(ElisabettaComini， Metal oxide nano-crystals for gas sensing, Analytica Chimica Acta, 2006， 568， 28~40)。傳統(tǒng)氣敏元件制備方法是將氣敏材料機械共混配制成漿料，手工(或 絲網(wǎng)印刷)涂敷在帶有加熱電極和測量電極的基片上，高溫?zé)Y(jié)而成。漿 料涂敷燒結(jié)工藝的缺點是材料制備和元件制作分離，元件表面敏感材料的 微結(jié)構(gòu)難以有效調(diào)控，尤其是幾何結(jié)構(gòu)參數(shù)，氣敏性能受到極大限制；同 時其制作工藝復(fù)雜，需高溫?zé)Y(jié)，導(dǎo)致產(chǎn)品的高能耗和高成本，阻礙了氣 敏元件的推廣使用。另外，傳統(tǒng)制作氣敏元件的納米材料大多采用物理方 法(如蒸發(fā)法)制備，需要昂貴的真空設(shè)備，也增加了元件的制作成本。 溶液處理方法是近期發(fā)展起來規(guī)?；苽溆袡C或半導(dǎo)體氧化物晶體管的新
技術(shù)(Tatsuya Shimoda et. al.， Solution-processed silicon films and transistors, Nature, 2006, 440, 783-786)，其不需真空設(shè)備，室溫或低溫制備，成本低， 且元件表面材料微結(jié)構(gòu)調(diào)控方便。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體氧化物氣敏元件制備方法，該方法 具有生產(chǎn)工藝簡單、功耗和成本低的特點，可以克服現(xiàn)有涂敷燒結(jié)工藝所 造成的元件表面敏感材料微結(jié)構(gòu)不可控及材料制備與元件制作分離的缺 點，實現(xiàn)材料/元件一體化制備和對特定氣體的高敏感性。本發(fā)明提供的半導(dǎo)體氧化物氣敏元件制備方法，其步驟包括(1) 將清冼后的印有加熱電極和測量電極的基片放置在0.05-10摩爾/ 升可溶性金屬鹽的水或醇溶液中浸泡5-30分鐘，取出在60-80°C烘干，在 200-400。C加熱分解；(2) 重復(fù)上述操作步驟3-10次，在基片上形成晶種；(3) 以步驟(1)中同種金屬離子的可溶性鹽為原料，配成濃度為 0.001-10摩爾/升的水或醇溶液，放入容器中；以強堿、尿素、六次甲基四 胺或乙二胺為沉淀劑，采用同樣的溶劑配成沉淀劑溶液，沉淀劑的當(dāng)量為可溶性鹽溶液中所含金屬離子當(dāng)量的1-50倍；(4) 將沉淀劑溶液緩慢滴入上述容器中，混合均勻，然后將具有晶種 的基片懸掛浸泡在溶液中，密封并加熱至50-100°C，時間為10分鐘到24 小時；(5) 將基片從密封容器中取出，用去離子水洗滌，在300-400。C下燒結(jié)得到氣敏元件。為調(diào)控氣敏元件表面敏感材料的微結(jié)構(gòu)，可以在步驟(3)中的金屬鹽的 水或醇溶液中，加入C、 Ni2+、 Cu2+、 Cd2+、 Pd2+、 Pt2+、 Rh2+、 Li+、 Ru+、 Cs+、 Mg2+、 Ca2+、 Sr2+、 Ba2+、 Pb2+、 Bi3+、 Sb3+、 Ce2+、 Mn2+、 Al3+、 Eu3+ 離子的可溶性鹽中的一種或幾種，其當(dāng)量為水或醇溶液中金屬離子當(dāng)量的
千分之一到十分之一。本發(fā)明利用低溫溶液制備方法來合成半導(dǎo)體氧化物氣敏材料和批量制 作氣敏元件。該方法可以在較低溫度條件下，以廉價的可溶性金屬鹽為原 料，利用基體誘導(dǎo)自組裝結(jié)合溶液制備技術(shù)，在具有測量電極和加熱電極 的平板或曲面基板上可控合成具有納米結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體氧化物氣敏材料，制 作出高性能的氣敏元件，實現(xiàn)材料/器件一體化制備。本發(fā)明通過選擇其它 金屬離子及其濃度，改變晶種表面物理化學(xué)特性，從而達到有效控制元件 表面氣敏材料的晶粒形貌、尺寸、取向及孔隙率等幾何結(jié)構(gòu)參數(shù)的目的， 克服了傳統(tǒng)漿料涂敷燒結(jié)工藝材料/元件分離制備導(dǎo)致元件表面敏感材料 幾何結(jié)構(gòu)參數(shù)不可控的缺點。本發(fā)明制備出來元件表面半導(dǎo)體氧化物敏感材料形態(tài)均一，比表面積 大，且催化活性高，元件具有高敏感性，同時具有優(yōu)異的一致性和穩(wěn)定性， 所生產(chǎn)出的元件可望在食品安全、環(huán)境污染監(jiān)測、公共安全和產(chǎn)品質(zhì)量過 程控制等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。由于采用其它金屬離子來有效控制元件表面 敏感材料的形態(tài)、晶粒尺寸及取向、孔隙率以及晶體內(nèi)部缺陷，元件的敏 感性、選擇性可在較大范圍內(nèi)調(diào)整，以適應(yīng)不同領(lǐng)域的需求。采用低溫溶 液制備技術(shù)，降低了合成溫度及后續(xù)燒結(jié)溫度，從而降低了能耗；溶液處 理設(shè)備簡單，生產(chǎn)易于放大；材料/元件一體化制備，簡化了工藝過程。從 以上幾個方面可以看出，本發(fā)明在提高元件的敏感性、選擇性和穩(wěn)定性的 同時，降低了生產(chǎn)成本。


圖l是納米氣敏材料/元件一體化溶液制備技術(shù)流程示意圖； 圖2是采用本發(fā)明制備得到的平板元件表面ZnO納米棒陣列膜的電子顯 微鏡圖(a)低倍；(b)圖(a)局部放大；圖3是圖2所示平板元件表面ZnO納米棒陣列膜的X-射線衍射圖；圖4是圖2所示平板元件對不同濃度苯的超高敏感性能；圖5是采用本發(fā)明制備得到的管狀元件(a)及元件表面ZnO納米棒陣列
膜(b)的電子顯微鏡圖；圖6是實例2工藝條件下制備出平板元件表面ZnO納米棒陣列膜的X-射 線衍射圖；圖7是圖5所示管狀元件在紫外光激發(fā)條件下對100ppm酒精和苯的室溫 敏感性能；圖8是采用本發(fā)明制備得到的平板元件表面納米ZnO網(wǎng)狀膜的電子顯微鏡圖。
具體實施方式
本發(fā)明首先將廉價商業(yè)用可溶性金屬鹽配制成溶液，通過反復(fù)浸漬后 在低溫下加熱分解，在具有測量電極和加熱電極的平板或曲面基板上形成 晶種。這一過程充分利用醋酸鹽加熱易于分解成氧化物的特性；然后以相 同可溶性金屬鹽為原料，基于基體誘導(dǎo)自組皿理，充分利用金屬離子在 堿性溶液中反應(yīng)形成氧化物的特性，通過低溫溶液處理，在具有晶種的基 片表面上外延生長出微結(jié)構(gòu)可控的納米半導(dǎo)體氧化物氣敏材料，制作出高 性能的氣敏元件，實現(xiàn)材料/器件一體化制備。本發(fā)明通過選擇其它金屬離 子及其濃度，改變了晶種表面物理化學(xué)特性，有效控制元件表面氣敏材料 的晶粒形貌、尺寸、取向及孔隙率等幾何結(jié)構(gòu)參數(shù)。
如圖1所示，本發(fā)明的制備工藝包括以下兩個方面 預(yù)處理可溶性金屬鹽配成0.05-10摩爾/升的水、甲醇、乙醇或乙二醇 溶液，將印有加熱及測量電極1的平板或曲面陶瓷基片2放置在所配置溶 液中浸泡5-30分鐘，取出在60-80°C烘干，在200-400°C加熱分解，重復(fù) 上述操作步驟3-10次，在基片上形成一層極薄的納米氧化物晶種3 (納米 晶—顆粒亂上述反應(yīng)的化學(xué)方程式表示如下JV^CC/^CCX}), + <92 — M^O, + CC>2個+H2<9個 (Me"為鋅、錫或鐵中的任 一種)溶液處理以預(yù)處理中同種金屬離子(可優(yōu)選金屬離子為Zr^+、 Sn2+、 Sn4+、 F 或F^+中的任一種)的可溶性鹽為原料，配成濃度為0.001-10摩
爾/升的水或醇溶液。以強堿或尿素或六次甲基四胺或乙二胺為沉淀劑，采 用相同溶劑配成溶液，沉淀劑的當(dāng)量為所用金屬離子的可溶性鹽溶液中所含金屬離子當(dāng)量的1-50倍。將沉淀劑溶液緩慢滴入的盛有可溶性無機鹽溶 液的容器中，充分混合。隨后將具有晶種的基片2懸掛浸泡在混合溶液中， 密封并加熱至50-100°C，時間為10分鐘到24小時；將基片從密封容器中 取出，用去離子水洗滌，在300-400。C下燒結(jié)2小時，在基片表面制得具有 納米結(jié)構(gòu)的氣敏膜4，形成敏感元件。 上述反應(yīng)的化學(xué)方程式表示如下實例h預(yù)處理將帶有加熱及測量電極的平板硅基片放置在所配置0.5摩爾/升醋酸鋅的醇溶液中浸泡10分鐘，取出80°C烘干，在350°C加熱分解。 重復(fù)上述操作步驟5次，在基片上形成一層的納米ZnO晶種；溶液處理將0.6584克醋酸鋅加入120ml去離子水中，超聲震蕩，形成 均勻溶液，滴入320^il乙二胺，轉(zhuǎn)入可密封容器中。將沉積了ZnO晶種薄膜 的平板基片懸吊在浸泡在溶液里，加蓋密封，放在8(TC的水浴箱中保溫一 個半小時。取出冷卻至室溫，用去離子水清洗15分鐘，放入干燥箱中4(TC 烘干，隨后轉(zhuǎn)入馬沸爐中35(TC燒結(jié)，形成平板式氣敏元件(見圖2)。 重復(fù)上述操作步驟，將平板基片換為曲面基片，可制備出曲面元件。 重復(fù)上述操作步驟，將預(yù)處理溶液醋酸鋅濃度減小至0.05摩爾/升，可 制備出氣敏元件。重復(fù)上述操作步驟，將預(yù)處理溶液醋酸鋅濃度增加至10摩爾/升，可制 備出氣敏元件。重復(fù)上述操作步驟，將溶液處理階段溶液醋酸鋅濃度減小至0.001摩爾/ 升，可制備出氣敏元件。重復(fù)上述操作步驟，將溶液處理階段溶液醋酸鋅濃度增加至10摩爾/升， 可制備出氣敏元件。重復(fù)上述操作步驟，將溶液處理溫度減小至50。C，可制備出氣敏元件。 重復(fù)上述操作步驟，將溶液處理溫度減小至5(TC，可制備出氣敏元件。 重復(fù)上述操作步驟，將溶液處理溫度增加至10(TC，可制備出氣敏元件。 重復(fù)上述操作步驟，將溶液處理時間減小至10分鐘，可制備出氣敏元件。重復(fù)上述操作步驟，將溶液處理時間增加至24小時，可制備出氣敏元件。重復(fù)上述操作步驟，將可溶性鹽換為硝酸鋅，加熱分解溫度變?yōu)?0(TC， 可制備出氣敏元件。平板元件表面敏感材料經(jīng)FESEM檢驗，為ZnO正六邊形納米棒陣列(見 圖2)。通過控制處理溶液濃度或時間，可調(diào)整納米棒的長度和直徑。其長 度可控制在100nm-2pm之間，直徑在10-200nm之間。經(jīng)X射線衍射檢測鑒 定為密排六方結(jié)構(gòu)ZnO，且納米棒沿0001方向優(yōu)先生長(見圖3)。本實例 制備出的平板元件對苯具有高敏感性能，苯為100ppm時其敏感度為18,同 時能檢測到ppb級的苯(見圖4)，在室內(nèi)污染物檢測方面具有潛在應(yīng)用。實例2:預(yù)處理將帶有加熱及測量電極的平板陶瓷基片放置在所配置0.5摩爾/升硫酸亞錫的醇溶液中浸泡10分鐘，取出80°C烘干，在400°C加熱分解。 重復(fù)上述操作步驟5次，在基片上形成一層的納米Sn02晶種；溶液處理將0.3187克硫酸亞錫加入120ml去無水乙醇中，超聲震蕩， 形成均勻溶液，滴入320pl乙二胺，轉(zhuǎn)入可密封容器中。將沉積了Sn02晶種 薄膜的平板基片懸吊在浸泡在溶液里，加蓋密封，放在95'C的水浴箱中保 溫24小時。取出冷卻至室溫，用去離子水清洗15分鐘，放入干燥箱中40。C 烘干，隨后轉(zhuǎn)入馬沸爐中35(TC燒結(jié)，形成平板式氣敏元件。重復(fù)上述操作步驟，將平板基片換為曲面基片，可制備出曲面元件。 重復(fù)上述操作步驟，將溶液處理溫度減小至5(TC，可制備出氣敏元件。 重復(fù)上述操作步驟，將溶液處理溫度增加至100。C，可制備出氣敏元件。 重復(fù)上述操作步驟，將溶液處理時間減小至10分鐘，可制備出氣敏元件。
重復(fù)上述操作步驟，將溶液處理時間增加至24小時，可制備出氣敏元件。實例3:預(yù)處理將帶有加熱及測量電極的平板陶瓷基片放置在所配置0.5摩爾/升硝酸鐵的醇溶液中浸泡10分鐘，取出80。C烘干，在350。C加熱分解。 重復(fù)上述操作步驟5次，在基片上形成一層的納米Fe203晶種；溶液處理將1.105克硝酸鐵加入60ml去離子水中，超聲震蕩，形成均 勻溶液；同時將0.3克氫氧化鈉加入60ml去離子水中超聲震蕩，形成均勻溶 液；將上述兩溶液充分混合后轉(zhuǎn)入可密封容器中。將沉積了Fe203晶種薄膜 的平板基片懸吊在浸泡在溶液里，加蓋密封，放在8(TC的水浴箱中保溫一 個半小時。取出冷卻至室溫，用去離子水清洗15分鐘，放入干燥箱中4(TC 烘干，隨后轉(zhuǎn)入馬沸爐中40(TC燒結(jié)，形成平板式氣敏元件(見圖2)。 重復(fù)上述操作步驟，將氫氧化鈉減少至0.1克，可制備出曲面元件。 重復(fù)上述操作步驟，將氫氧化鈉增加至5克，可制備出曲面元件。 重復(fù)上述操作步驟，將溶液處理溫減小至5(TC，可制備出氣敏元件。 重復(fù)上述操作步驟，將溶液處理溫增加至10(TC，可制備出氣敏元件。 重復(fù)上述操作步驟，將溶液處理時間減小至10分鐘，可制備出元件。 重復(fù)上述操作步驟，將溶液處理時間增加至24小時，可制備出氣敏元件。實例4:重復(fù)實例l中的預(yù)處理過程，將0.6584克醋酸鋅和0.1048克硝酸銪加入 120ml去離子水中(摩爾比Z^+7Eu、10:l)，超聲震蕩，形成均勻溶液，滴 入320W乙二胺，轉(zhuǎn)入可密封容器中。將沉積了ZnO晶種薄膜的管狀基片懸 吊在浸泡在溶液里，加蓋密封，放在80'C的水浴箱中保溫一個半小時。取 出冷卻至室溫，用去離子水清洗15分鐘，放入干燥箱中4(TC烘干，隨后轉(zhuǎn) 入馬沸爐中35(TC燒結(jié)，形成管狀元件。重復(fù)上述操作步驟，將管狀基片換為平板基片，可制備出平板元件。
重復(fù)上述操作步驟，減少硝酸銪的加入量，使Zr^/EuS+摩爾比變?yōu)?100:1,可制備出氣敏元件。重復(fù)上述操作步驟，繼續(xù)減少硝酸銪的加入量，使Zr^/E^+摩爾比變?yōu)?1000:1，可制備出氣敏元件。管狀元件表面敏感材料經(jīng)FESEM檢驗，為圓形ZnO納米棒陣列(見圖 5)。隨著處理溶液Ei^+濃度增加，沿0001方向優(yōu)先生長ZnO納米棒逐漸減 少。經(jīng)X射線衍射對平板元件表面敏感材料檢測鑒定為密排六方結(jié)構(gòu)ZnO， 但0001方向優(yōu)先生長方向消失(見圖6)。本實例制備出的管狀元件對苯的 敏感性能與實例l制備出的平板元件相當(dāng)，但在室溫條件下，通過375nm的 紫外光激發(fā)，對100ppm的苯和乙醇都具有敏感性(見圖7)，說明加入Ei^ 不僅能改變ZnO晶體生長方向，而且能增加ZnO的氧空位濃度。實例5:重復(fù)實例l中的預(yù)處理過程，將0.6584克醋酸鋅和0.0558克硝酸鋁加入 120ml去離子水中(摩爾比Zn"AlS^10:l)，超聲震蕩，形成均勻溶液，滴 入320pl乙二胺，轉(zhuǎn)入可密封容器中。將沉積了ZnO晶種薄膜的平板基片懸 吊在浸泡在溶液里，加蓋密封，放在8(TC的水浴箱中保溫一個半小時。取 出冷卻至室溫，用去離子水清洗15分鐘，放入干燥箱中4(TC烘干，隨后轉(zhuǎn) 入馬沸爐中350'C燒結(jié)，形成平板元件。重復(fù)上述操作步驟，將平板基片換為曲面或管狀基片，可制備出曲面 或管狀元件。重復(fù)上述操作步驟，減少硝酸鋁的加入量，使Zn"A產(chǎn)摩爾比變?yōu)?100:1，可制備出氣敏元件。重復(fù)上述操作步驟，繼續(xù)減少硝酸鋁的加入量，使Zi^/A產(chǎn)摩爾比變?yōu)?1000:1，可制備出氣敏元件。平板元件表面敏感材料經(jīng)FESEM檢驗，為網(wǎng)狀ZnO納米片薄膜，ZnO 片之間具有較大孔隙(見圖8)。通過改變A產(chǎn)濃度，可以調(diào)節(jié)ZnO納米 片的厚度和薄膜孔隙率。 實例6: 重復(fù)實例l中的預(yù)處理過程，將0.6584克醋酸鋅、0.1048克硝酸銪和 0.0747克醋酸鈷加入120ml去離子水中(摩爾比2112+/￡113+/0)2+=10:1:1)，超 聲震蕩，形成均勻溶液，滴入360)il乙二胺，轉(zhuǎn)入可密封容器中。將沉積了 ZnO晶種薄膜的管狀基片懸吊在浸泡在溶液里，加蓋密封，放在8(TC的水浴 箱中保溫一個半小時。取出冷卻至室溫，用去離子水清洗15分鐘，放入干 燥箱中4(TC烘干，隨后轉(zhuǎn)入馬沸爐中40(TC燒結(jié)，形成管狀元件。重復(fù)上述操作步驟，減少醋酸鈷的加入量，使Zr^/Eu"C^+摩爾比變 為100:10:1，可制備出氣敏元件。重復(fù)上述操作步驟，繼續(xù)減少醋酸鈷的加入量，使Zi^/Eu"Cc^+摩爾 比變?yōu)?000:100:1，可制備出氣敏元件。重復(fù)上述操作步驟，繼續(xù)減少硝酸銪的加入量，使2112+/￡113+/0)2+摩爾 比變?yōu)?00:1:10，可制備出氣敏元件。重復(fù)上述操作步驟，繼續(xù)減少硝酸銪的加入量，使2112+/￡113+/0)2+摩爾 比變?yōu)?000:1:100，可制備出氣敏元件。本發(fā)明不僅局限于上述實施例，本領(lǐng)域一般技術(shù)人員可以根據(jù)本發(fā)明 公開的內(nèi)容，采用其它多種方式實施本發(fā)明。凡是采用本發(fā)明思路，做一 些簡單的變化或更改的設(shè)計，都落入本發(fā)明保護的范圍。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體氧化物氣敏元件制備方法，其步驟包括(1)將清冼后的印有加熱電極和測量電極的基片放置在0.05-10摩爾/升可溶性金屬鹽的水或醇溶液中浸泡5-30分鐘，取出在60-80℃烘干，在200-400℃加熱分解；(2)重復(fù)上述操作步驟3-10次，在基片上形成晶種；(3)以步驟(1)中同種金屬離子的可溶性鹽為原料，配成濃度為0.001-10摩爾/升的水或醇溶液，放入容器中；以強堿、尿素、六次甲基四胺或乙二胺為沉淀劑，采用同樣的溶劑配成沉淀劑溶液，沉淀劑的當(dāng)量為可溶性鹽溶液中所含金屬離子當(dāng)量的1-50倍；(4)將沉淀劑溶液緩慢滴入上述容器中，混合均勻，然后將具有晶種的基片懸掛浸泡在溶液中，密封并加熱至50-100℃，時間為10分鐘到24小時；(5)將基片從密封容器中取出，用去離子水洗滌，在300-400℃下燒結(jié)得到氣敏元件。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于基片為平板。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于所述醇溶液為 甲醇、乙醇或乙二醇溶液。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于:金屬離子為Zn2+、 Sn2+、 Sn4+、 Fe2+或Fe3+中的任一種。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于在步驟(3)中的 金屬鹽的水或醇溶液中，加入C。2+、 Co3+、 Ni2+、 Cu2+、 Cd2+、 Pd2+、 Pt2+、 Rh2+、 Li+、 Ru+、 Cs+、 Mg2+、 Ca2+、 Sr2+、 Ba2+、 Pb2+、 Bi3+、 Sb3+、 Ce2+、 Mn2+、 Al3+、 E^+離子的可溶性鹽中的任一種或二種，加入的金屬離子當(dāng)量 為水或醇溶液中金屬離子當(dāng)量的千分之一到十分之一。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體氧化物氣敏元件制備方法，①將印有加熱電極和測量電極的基片清洗干燥后放置在可溶性金屬鹽的水或醇溶液中浸泡，烘干、加熱分解，形成晶種；②將同種金屬離子的可溶性鹽配成水或醇溶液；采用相同的溶劑配制沉淀劑溶液，并將其滴入水或醇溶液中混合均勻，然后將有晶種的基片懸掛浸泡其中，密封并加熱；③取出基片，洗滌、燒結(jié)得到氣敏元件。本發(fā)明利用簡單工藝制備出高敏感性納米半導(dǎo)體氧化物氣敏元件，克服了傳統(tǒng)工藝材料制備與元件制作分離的缺點，實現(xiàn)了元件表面敏感材料微結(jié)構(gòu)有效調(diào)控；其制備方法對生產(chǎn)設(shè)備、環(huán)境要求低，且節(jié)能，能實現(xiàn)低成本、批量生產(chǎn)，可望在氣敏傳感器領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。
文檔編號G01N27/12GK101158661SQ200710168368
公開日2008年4月9日 申請日期2007年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月16日
發(fā)明者夏先平, 張順平, 曾大文, 胡木林, 蔡水洲, 謝長生 申請人:華中科技大學(xué)