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      用于晶片級半導(dǎo)體測試的測試座及測試板的制作方法

      文檔序號:5821194閱讀:227來源:國知局
      專利名稱:用于晶片級半導(dǎo)體測試的測試座及測試板的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種晶片級半導(dǎo)體測試,且特別有關(guān)于一種用于晶片級半導(dǎo) 體測試的測試板。
      背景技術(shù)
      封裝工藝是集成電路工藝中一個重要的步驟,可保護(hù)集成電路并為外部 電路提供一個信號傳輸接口。因此,封裝技術(shù)的發(fā)展與集成電路技術(shù)的發(fā)展 及電子產(chǎn)品的發(fā)展息息相關(guān)。在眾多已經(jīng)發(fā)展的封裝技術(shù)中,包括常見的球 柵陣列封裝、芯片級封裝、覆晶封裝與多重芯片模塊封裝。
      以圖l、圖2中的半導(dǎo)體元件的代表例而言,例如是一種使用帶狀自動 連接柔性帶作為插入式選樣的球柵陣列封裝型半導(dǎo)體元件。此元件為所謂的 感光錫球光致抗蝕劑介層窗型的球柵陣列封裝型半導(dǎo)體元件。其中,介層窗
      12用于填充錫球;在柔性帶基板5 (由絕緣膜組成)上形成由感光錫球光致
      抗蝕劑組成的絕緣膜2,且在其側(cè)面形成線路圖案3。
      圖l、圖2為傳統(tǒng)半導(dǎo)體元件的結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體元件所使用的帶狀自動連 接柔性帶l包括絕緣膜2、線路圖案3、黏著劑4、形成于聚亞胺光致抗蝕
      劑絕緣膜上的柔性帶基板5。符號6代表黏著劑;符號7代表半導(dǎo)體芯片; 符號8代表電極;符號9代表連接線路;符號10代表連接襯墊(或稱打線 襯墊);符號ll代表光致抗蝕劑;符號12代表介層窗;符號13代表錫球; 符號15代表接觸窗;符號30代表錫球安裝襯墊。雖然球柵陣列封裝可以提
      高打線密度并提高產(chǎn)率,但是,由于使用錫球而接合待測芯片與測試板的緣
      故,因此也具有下列缺點(diǎn)錫球的接合狀況檢査不易、返工性低。
      覆晶封裝則是另一種常見的封裝技術(shù)。其通過位于連接襯墊上的錫球凸
      塊而與電路板連接。圖3A至3D為顯示通過電鍍而形成錫球凸塊結(jié)構(gòu)的公
      知方法的剖面圖。
      如圖3A所示,提供基板100,此基板100例如是硅基板,且具有金屬
      連接墊102。保護(hù)層104形成于基板100上方,但是露出金屬連接墊102。 金屬復(fù)合層106順應(yīng)性地形成于保護(hù)層104與外露的金屬連接墊102上方, 且通常是黏著層/阻障層/潤濕層的金屬疊層。為了簡化說明起見,僅顯示單 一層結(jié)構(gòu)。如圖3B所示,干圖案膜108形成于金屬復(fù)合層106上,且具有 一個露出位于金屬連接墊102上方的金屬復(fù)合層106的一部分的開口 109。 在此,開口 109用于形成錫球凸塊。因此,通過電鍍法而以錫球110填滿開 口 109。錫球的高度由干圖案膜108的厚度決定。如圖3C所示,移除干圖 案膜108及部分金屬復(fù)合層106,以露出下方的保護(hù)層104。剩余的金屬復(fù) 合層106a作為下方凸塊冶金層。如圖3D所示,進(jìn)行回流(reflow)工藝, 以致于錫球110因表面張力之故而形成球狀或類球狀的錫球凸塊U0a。
      相似于球柵陣列封裝所遭遇的問題,覆晶封裝也由于使用錫球而接合待 測芯片與測試板的緣故,因此也具有下列缺點(diǎn)錫球的接合狀況檢查不易、 返工性低。
      另外,晶片級封裝也是一種常見的封裝技術(shù)。圖4A顯示通過公知晶片 級封裝而成的半導(dǎo)體元件的上視圖。圖4B為顯示沿著圖4A的剖面線DD而 得的剖面圖。此半導(dǎo)體元件包括半導(dǎo)體芯片1000、氧化膜1001、多個導(dǎo)電 襯墊1002、絕緣膜1003、重新分布層1004、多個支柱1005、多個錫球凸塊 1006與封膠1007。半導(dǎo)體芯片IOOO具有一個主面,而該主面包含中央?yún)^(qū)域 1000a與周邊區(qū)域1000b,且該周邊區(qū)域1000b環(huán)繞該中央?yún)^(qū)域1000a。氧化 膜1001在所有區(qū)域中形成于半導(dǎo)體芯片1000的主要表面上。導(dǎo)電襯墊1002 形成于周邊區(qū)域1000b的氧化膜1001上。導(dǎo)電襯墊1002與形成于半導(dǎo)體芯 片1000上的電路電性連接。絕緣膜1003在所有區(qū)域中形成于氧化膜1001 上,且形成于導(dǎo)電襯墊1002上。重新分布層1004形成于周邊區(qū)域1000b內(nèi) 的導(dǎo)電襯墊1002與絕緣膜1003上。重新分布層1004與導(dǎo)電襯墊1002電性 連接。支柱1005形成于位在絕緣膜1003上方的重新分布層1004上,并與 重新分布層1004電性連接。錫球凸塊1006形成于支柱1005的一端上,且 與支柱1005電性連接。封膠1007封住絕緣膜1003、重新分布層1004、與 支柱1005的側(cè)面。
      對于晶片級封裝而言,也遭受相似于球柵陣列封裝所遭遇的問題。也就 是說,由于使用錫球而接合待測芯片與測試板的緣故,因此也具有下列缺點(diǎn):
      錫球的接合狀況檢查不易、返工性低。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的目的在于提出一種用于晶片級半導(dǎo)體測試的測試座及測試板。 基于上述目的,本發(fā)明實(shí)施例公開了一種用于晶片級半導(dǎo)體測試的測試 板,包括多個線路與元件;以及多個測試座,位于該測試板的上表面上。 每一個測試座包括基底構(gòu)件,通過第一組螺絲而與該測試板連接,其中該
      基底構(gòu)件具有中央幵口,而該中央開口暴露下方的該測試板的一部分;異方 性導(dǎo)電膜,置于該基底構(gòu)件的該中央開口內(nèi);待測芯片,置于該基底構(gòu)件的 該中央開口內(nèi)的該異方性導(dǎo)電膜上;以及上蓋構(gòu)件,位于該芯片上方,通過 第二組螺絲而與該基底構(gòu)件連接。
      如上所述的用于晶片級半導(dǎo)體測試的測試板,其中該基底構(gòu)件至少具有 4個供該第一組螺絲穿過的開口。
      如上所述的用于晶片級半導(dǎo)體測試的測試板,其中該上蓋構(gòu)件至少具有 2個供該第二組螺絲穿過的開口 。
      如上所述的用于晶片級半導(dǎo)體測試的測試板,其中該待測芯片具有上方 形成有多個錫球的下表面,且其中該待測芯片通過該錫球及該異方性導(dǎo)電膜 而與該測試板形成電性連接。
      如上所述的用于晶片級半導(dǎo)體測試的測試板,還包括
      多個導(dǎo)電襯墊,形成于該部分內(nèi)的該測試板的該上表面上,其中該待測 芯片通過該錫球、該異方性導(dǎo)電膜及該導(dǎo)電襯墊而與該測試板形成電性連 接。
      本發(fā)明實(shí)施例還公開了一種用于晶片級半導(dǎo)體測試的測試座,包括基
      底構(gòu)件,通過第一組螺絲而與該測試板連接,其中該基底構(gòu)件具有中央開口,
      而該中央開口暴露下方的該測試板的一部分;異方性導(dǎo)電膜,置于該基底構(gòu) 件的該中央開口內(nèi);待測芯片,置于該基底構(gòu)件的該中央開口內(nèi)的該異方性 導(dǎo)電膜上;以及上蓋構(gòu)件,位于該芯片上方,通過第二組螺絲而與該基底構(gòu) 件連接。
      如上所述的用于晶片級半導(dǎo)體測試的測試座,其中該基底構(gòu)件至少具有 4個供該第一組螺絲穿過的開口。
      如上所述的用于晶片級半導(dǎo)體測試的測試座,其中該上蓋構(gòu)件至少具有
      2個供該第二組螺絲穿過的開口。
      如上所述的用于晶片級半導(dǎo)體測試的測試座,其中該待測芯片具有上方 形成有多個錫球的下表面,且其中該待測芯片通過該錫球及該異方性導(dǎo)電膜 而與該測試板形成電性連接。
      如上所述的用于晶片級半導(dǎo)體測試的測試座,還包括多個導(dǎo)電襯墊, 形成于該部分內(nèi)的該測試板的該上表面上,其中該待測芯片通過該錫球、該 異方性導(dǎo)電膜及該導(dǎo)電襯墊而與該測試板形成電性連接。
      如上所述的用于晶片級半導(dǎo)體測試的測試座,其中該測試板為多層印刷 電路板。
      如上所述的用于晶片級半導(dǎo)體測試的測試座,其中該測試板與自動測試 系統(tǒng)連接。
      因此,本發(fā)明提出的測試座及測試板,待測芯片可與測試板有非常良好 的接觸,且芯片上的錫球更精確地對準(zhǔn)導(dǎo)電襯墊。而且,當(dāng)測試結(jié)果顯示失 敗時,本發(fā)明的測試座增加了返工與維修的便利性。也就是說,在測試后, 芯片可以返工或輕易移除(即重置新的待測芯片)。


      圖1為顯示公知使用帶狀自動連接柔性帶的半導(dǎo)體元件的剖面圖。
      圖2為顯示用于圖1中所示的公知的半導(dǎo)體元件的平面圖,且由PSR側(cè) 視之。
      圖3A至3D為顯示通過電鍍而形成錫球凸塊結(jié)構(gòu)的公知方法的剖面圖。 圖4A為顯示通過公知晶片級封裝而成的半導(dǎo)體元件的上視圖;圖4B 為顯示沿著圖4A的剖面線DD而得的剖面圖。
      圖5為顯示本發(fā)明一實(shí)施例的用于晶片級半導(dǎo)體測試的測試板的平面圖。
      圖6為顯示沿著圖5中剖面線AA'所得的測試座的剖面圖。 并且,上述附圖中的各附圖標(biāo)記說明如下 1帶狀自動連接柔性帶 2絕緣膜
      3線路圖案 4黏著劑
      5柔性帶基板6黏著劑
      7半導(dǎo)體芯片8電極
      9連接線路10連接襯墊
      11光致抗蝕劑12介層窗
      13錫球15接觸窗
      30錫球安裝襯墊畫基板
      102金屬連接墊104保護(hù)層
      106金屬復(fù)合層108干圖案膜
      109開口110錫球
      106a剩余的金屬復(fù)合層110a錫球凸塊
      1000半導(dǎo)體芯片1001氧化膜
      1002導(dǎo)電襯墊1003絕緣膜
      1004重新分布層1005支柱
      1006錫球凸塊1007封膠
      1000a中央?yún)^(qū)域1000b周邊區(qū)域
      500測試板502微電子元件
      504形成測試座的區(qū)域506形成測試座的區(qū)域
      508測試座510測試板的一部分
      512開口514異方性導(dǎo)電膜
      516螺絲518基底構(gòu)件
      520開口522上蓋構(gòu)件
      524螺絲600待測芯片
      602錫球610導(dǎo)電襯墊
      614異方性導(dǎo)電膜618基底構(gòu)件
      AA,、DD剖面線
      具體實(shí)施例方式
      為了讓本發(fā)明的目的、特征、及優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂,下文特舉優(yōu)選實(shí)施 例,并配合所附附圖,做詳細(xì)的說明。
      本發(fā)明說明書提供不同的實(shí)施例來說明本發(fā)明不同實(shí)施方式的技術(shù)特
      征。其中,實(shí)施例中的各元件的配置為說明之用,并非用以限制本發(fā)明。且 實(shí)施例中附圖標(biāo)號的部分重復(fù)是為了簡化說明,并非意指不同實(shí)施例之間的 關(guān)聯(lián)性。
      請參考附圖,其中相似的參考符號通過不同角度說明相似的元件,且下 列

      本發(fā)明的實(shí)施例。這些附圖并不需要被縮放,而且為了說明的目 的而在某些例子中這些附圖已經(jīng)被放大或簡化。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該了解根 據(jù)本發(fā)明下列的實(shí)施可以做一些可能的應(yīng)用及變動。
      如圖5、圖6所示,為了提高維修與返工的便利性,本發(fā)明一實(shí)施利公 開了一種用于晶片級半導(dǎo)體測試的測試座及測試板。圖5為顯示本發(fā)明一實(shí) 施例的用于晶片級半導(dǎo)體測試的測試板的平面圖。圖6為顯示沿著圖5中剖 面線AA'所得的測試座的剖面圖。
      如圖5、圖6所示,提供測試板500 (例如多層印刷電路板),用于晶 片級半導(dǎo)體測試。測試板500包括上方的多個線路(未顯示)與微電子元件 502。尤其是,測試板500的特征在于在自身表面上形成多個測試座(例 如508),且該些測試座內(nèi)均含有異方性導(dǎo)電膜614。每一個測試座包括基 底構(gòu)件(例如,518或618),而此基底構(gòu)件(例如,518或618)通過螺絲 516而與測試板500連接,其中該基底構(gòu)件(例如,518或618)具有中央開 口,而該中央開口暴露下方的該測試板的一部分(例如,510)。另外,每 一個測試座也包括置于該基底構(gòu)件(例如,518或618)的該中央開口內(nèi)異 方性導(dǎo)電膜(例如,514或614)。而且,將待測芯片600置于該基底構(gòu)件 (例如,518或618)的該中央開口內(nèi)的該異方性導(dǎo)電膜(例如,514或614) 上。而且,通過螺絲524而將位于芯片600上方的上蓋構(gòu)件522連接至該基 底構(gòu)件(例如,518或618)。
      如圖5所示,符號504與506指用于形成測試座的區(qū)域,而供螺絲516 通過(或稱拴入)的四個開口 512形成于內(nèi)。符號510指形成在測試板500 上方或內(nèi)的導(dǎo)電襯墊。在區(qū)域506內(nèi),通過將螺絲516拴入開口 (例如,512) 而使基底構(gòu)件518與測試板500連接。尤其是,基底構(gòu)件518具有中央開口 , 其中,有異方性導(dǎo)電膜514形成于此中央開口內(nèi),且此中央開口暴露下方測 試板500的一部分(例如,導(dǎo)電襯墊510)。基底構(gòu)件518也有兩個供螺絲 (例如,524)通過(或稱拴入)的兩個開口。也就是說,位于異方性導(dǎo)電
      膜514上方的上蓋構(gòu)件522通過將螺絲524拴入開口 (例如,520)而與下 表面連接。
      請參考圖6,其為顯示沿著圖5中剖面線AA'所得的測試座的剖面圖, 以說明芯片與測試板間的電性連接關(guān)系。如圖6所示,待測芯片600具有下 表面,且此下表面上形成有錫球602。而且,導(dǎo)電襯墊610形成于露出基底 構(gòu)件618的部分內(nèi)的測試板500的上表面上。因此,待測芯片600通過錫球 602而與測試板500、異方性導(dǎo)電膜614及導(dǎo)電襯墊610形成電性連接。當(dāng) 測試板500與自動測試系統(tǒng)連接時,則進(jìn)行晶片級半導(dǎo)體測試。
      根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的測試座及測試板,待測芯片可與測試板有非常良好 的接觸,且芯片上的錫球更精確地對準(zhǔn)導(dǎo)電襯墊610。而且,當(dāng)測試結(jié)果顯 示失敗時,本發(fā)明的測試座增加了返工與維修的便利性。也就是說,在測試 后,芯片可以返工或輕易移除(即重置新的待測芯片)。
      雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例公開如上,但是其并非用以限定本發(fā)明,任 何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),當(dāng)可作各種的改動與潤 飾,因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
      權(quán)利要求
      1. 一種用于晶片級半導(dǎo)體測試的測試板,包括多個線路與元件;以及多個測試座,位于該測試板的上表面上,其中每一個測試座包括基底構(gòu)件,通過第一組螺絲而與該測試板連接,其中該基底構(gòu)件具有中央開口,而該中央開口暴露下方的該測試板的一部分;異方性導(dǎo)電膜,置于該基底構(gòu)件的該中央開口內(nèi);待測芯片,置于該基底構(gòu)件的該中央開口內(nèi)的該異方性導(dǎo)電膜上;以及上蓋構(gòu)件,位于該芯片上方,通過第二組螺絲而與該基底構(gòu)件連接。
      2. 如權(quán)利要求1所述的用于晶片級半導(dǎo)體測試的測試板,其中該基底構(gòu) 件至少具有4個供該第一組螺絲穿過的開口 。
      3. 如權(quán)利要求1所述的用于晶片級半導(dǎo)體測試的測試板,其中該上蓋構(gòu) 件至少具有2個供該第二組螺絲穿過的開口 。
      4. 如權(quán)利要求1所述的用于晶片級半導(dǎo)體測試的測試板,其中該待測芯 片具有上方形成有多個錫球的下表面,且其中該待測芯片通過該錫球及該異 方性導(dǎo)電膜而與該測試板形成電性連接。
      5. 如權(quán)利要求4所述的用于晶片級半導(dǎo)體測試的測試板,還包括 多個導(dǎo)電襯墊,形成于該部分內(nèi)的該測試板的該上表面上,其中該待測芯片通過該錫球、該異方性導(dǎo)電膜及該導(dǎo)電襯墊而與該測試板形成電性連 接。
      6. 如權(quán)利要求1所述的用于晶片級半導(dǎo)體測試的測試板,其中該測試板 為多層印刷電路板。
      7. 如權(quán)利要求1所述的用于晶片級半導(dǎo)體測試的測試板,其中該測試板 與自動測試系統(tǒng)連接。
      8. —種用于晶片級半導(dǎo)體測試的測試座,包括基底構(gòu)件,通過第一組螺絲而與該測試板連接,其中該基底構(gòu)件具有中 央開口,而該中央開口暴露下方的該測試板的一部分; 異方性導(dǎo)電膜,置于該基底構(gòu)件的該中央開口內(nèi);待測芯片,置于該基底構(gòu)件的該中央開口內(nèi)的該異方性導(dǎo)電膜上;以及 上蓋構(gòu)件,位于該芯片上方,通過第二組螺絲而與該基底構(gòu)件連接。
      9. 如權(quán)利要求8所述的用于晶片級半導(dǎo)體測試的測試座,其中該基底構(gòu) 件至少具有4個供該第一組螺絲穿過的開口 。
      10. 如權(quán)利要求8所述的用于晶片級半導(dǎo)體測試的測試座,其中該上蓋 構(gòu)件至少具有2個供該第二組螺絲穿過的開口 。
      11. 如權(quán)利要求8所述的用于晶片級半導(dǎo)體測試的測試座,其中該待測 芯片具有上方形成有多個錫球的下表面,且其中該待測芯片通過該錫球及該 異方性導(dǎo)電膜而與該測試板形成電性連接。
      12. 如權(quán)利要求ll所述的用于晶片級半導(dǎo)體測試的測試座,還包括 多個導(dǎo)電襯墊,形成于該部分內(nèi)的該測試板的該上表面上,其中該待測芯片通過該錫球、該異方性導(dǎo)電膜及該導(dǎo)電襯墊而與該測試板形成電性連 接。
      13. 如權(quán)利要求8所述的用于晶片級半導(dǎo)體測試的測試座,其中該測試 板為多層印刷電路板。
      14. 如權(quán)利要求8所述的用于晶片級半導(dǎo)體測試的測試座,其中該測試 板與自動測試系統(tǒng)連接。
      全文摘要
      本發(fā)明涉及一種用于晶片級半導(dǎo)體測試的測試座及測試板,該測試板包括多個線路與元件;以及多個測試座,位于該測試板的上表面上。每一個測試座包括基底構(gòu)件,通過第一組螺絲而與該測試板連接,其中該基底構(gòu)件具有中央開口,而該中央開口暴露下方的該測試板的一部分;異方性導(dǎo)電膜,置于該基底構(gòu)件的該中央開口內(nèi);待測芯片,置于該基底構(gòu)件的該中央開口內(nèi)的該異方性導(dǎo)電膜上;以及上蓋構(gòu)件,位于該芯片上方,通過第二組螺絲而與該基底構(gòu)件連接。根據(jù)本發(fā)明提出的測試座及測試板,待測芯片可與測試板有非常良好的接觸,且芯片上的錫球更精確地對準(zhǔn)導(dǎo)電襯墊。
      文檔編號G01R1/02GK101393250SQ200710199570
      公開日2009年3月25日 申請日期2007年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月20日
      發(fā)明者盧笙豐, 宋明勛, 林建邦, 陳士銘 申請人:采鈺科技股份有限公司
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