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      一種高壓串聯(lián)晶閘管閥合成實(shí)驗(yàn)裝置的制作方法

      文檔序號:5829123閱讀:426來源:國知局

      專利名稱::一種高壓串聯(lián)晶閘管閥合成實(shí)驗(yàn)裝置的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      :本實(shí)用新型涉及電子電力技術(shù),尤其涉及一種高壓串聯(lián)晶閘管閥合成實(shí)驗(yàn)裝置。
      背景技術(shù)
      :隨著電力電子技術(shù)在電力系統(tǒng)中應(yīng)用的逐步推廣,基于晶閘管串聯(lián)均壓技術(shù)的高壓閥成為各種大功率電力電子裝置的核心部件,例如SVC(staticvarcompensator,請爭止無功才卜4嘗器)閥、TCSC(thyristorcontrolledseriescapacitor,晶閘管控制串聯(lián)電容器)閥、HVDC(highvoltagedirectcurrent,高壓直流)閥等。而運(yùn)行試驗(yàn)是關(guān)系到提高各種高壓串聯(lián)晶閘管閥設(shè)計(jì)和制造水平,提高其可靠性的重要試驗(yàn)手段。目前國際上普遍采用合成試驗(yàn)方法來進(jìn)行高壓串聯(lián)晶閘管閥的運(yùn)行試驗(yàn)。由于高壓串聯(lián)晶閘管閥的類型不同,其對于用來進(jìn)行運(yùn)行試驗(yàn)的合成全工況試驗(yàn)裝置的技術(shù)要求也存在較大的差異。雖然國內(nèi)外已經(jīng)有各種不同的合成試驗(yàn)裝置,但其對SVC閥、TCSC閥及HVDC閥的運(yùn)行試驗(yàn)總是有所側(cè)重,不能同時滿足。現(xiàn)有技術(shù)中高壓串聯(lián)晶閘管閥合成實(shí)驗(yàn)裝置采用的實(shí)驗(yàn)方式主要有以下幾種,下面分別予以說明第一種實(shí)驗(yàn)方式為全載試驗(yàn)方式,該方式由于采用單電源供能,所以回路的試驗(yàn)?zāi)芰κ苤朴陔娫?,并且裝置成本高。第二種實(shí)驗(yàn)方式為振蕩升壓式試驗(yàn)方式,該方式只是運(yùn)行試驗(yàn)的一種簡單等效,不能良好的等效閥運(yùn)行的實(shí)際工況,不能全面考核閥試品耐受不同工況強(qiáng)度的能力。第三種實(shí)驗(yàn)方式為振蕩升壓和直流電流源復(fù)合試驗(yàn)的方式,該方式對觸發(fā)時序配合的精度要求較高,而且該電路的結(jié)構(gòu)形式只能適合單向閥試品的運(yùn)行試驗(yàn),對雙向閥試品的運(yùn)行試驗(yàn)只能采用等效的方式兼顧。第四種實(shí)驗(yàn)方式為直接升壓和直流電流源復(fù)合試驗(yàn)的方式,該方式的缺點(diǎn)為閥最大需承受兩倍試驗(yàn)電壓的高電壓強(qiáng)度,并且需要較高電壓等級的電源系統(tǒng)。第五種實(shí)驗(yàn)方式為振蕩升壓和交流電流源復(fù)合試驗(yàn)的方式,該方式的試驗(yàn)?zāi)芰Φ停囼?yàn)方式少,試品范圍窄,不能完全實(shí)現(xiàn)閥試品的工作波形,其試驗(yàn)的等效性差。
      實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型提供一種高壓串聯(lián)晶閘管閥合成實(shí)驗(yàn)裝置,能夠同時滿足svc閥、TCSC閥和HVDC閥的運(yùn)行實(shí)驗(yàn)要求,同時做到電路結(jié)構(gòu)簡單。一種高壓串聯(lián)晶閘管閥合成實(shí)驗(yàn)裝置,包括電流產(chǎn)生電路和電壓產(chǎn)生電路,其中,電流產(chǎn)生電路由變壓器T1,電感L2,分流器Sl,分流器S2,閥VI以及分流器S1和分流器S2上的錄波器組成,電源通過變壓器T1接入電路,變壓器T1依次連接電感L2,電流表及分流器S1,之后連接兩條并聯(lián)支路,一條支路通過開關(guān)Kl接地,另一條支路通過閥VI、試品閥VT和分流器S2接地;電壓產(chǎn)生電路由變壓器T2,電感LE1,閥VE1,電阻RE1,二極管D1,電感LE2,閥VE2,電阻RE2,二極管D2,電容Cel及電容Ce2組成,電源通過變壓器T2接入電路,然后連接兩條并聯(lián)支路,即由電感LE1、閥VE1、電阻RE1及二極管Dl串聯(lián)后與電感LE2、閥VE2、電阻RE2及二極管D2串聯(lián)組成的支路并聯(lián),電容Cel通過閥VE1和電阻RE1之間的結(jié)點(diǎn)接地,電容Ce2通過閥VE2和電阻RE2之間的結(jié)點(diǎn)接地。所述試品閥VT與電阻Rd并聯(lián),然后與電容Cs及電阻Rs串聯(lián)的支路并聯(lián),電阻Rd上具有錄波器,通過電壓表可測出電容Cs兩端的電壓。首先觸發(fā)同向的閥VI和試品閥VT的一側(cè)閥,觸發(fā)角大于等于90度小于180度,電流導(dǎo)通,到電流過零點(diǎn),已觸發(fā)的閥自然關(guān)斷,此時再觸發(fā)閥VE1或閥VE2,將反壓加于試品閥VT上,接著觸發(fā)閥VI和試品閥VT的另一側(cè)閥,導(dǎo)通反向電流,從而可模擬高壓串聯(lián)晶閘管閥在實(shí)際運(yùn)行中所經(jīng)歷的工況。所述高壓串聯(lián)晶閘管閥為靜止無功補(bǔ)償器閥或晶閘管控制串聯(lián)電容器閥或高壓直流閥。本實(shí)用新型的高壓串聯(lián)晶閘管閥合成實(shí)驗(yàn)裝置充分考慮了SVC閥、TCSC閥及HVDC閥使用場合的強(qiáng)度及其運(yùn)行試驗(yàn)的技術(shù)要求,通過合理的靈活性設(shè)計(jì),最終形成了滿足SVC閥、TCSC閥及HVDC閥對于電氣量參數(shù)和波形等各方面的要求的最簡單的合成實(shí)驗(yàn)裝置,同時由于電路搭建的靈活分開與合成,實(shí)現(xiàn)了試驗(yàn)的最大限度的安全性和靈活性。圖1為本實(shí)用新型高壓串聯(lián)晶閘管閥合成實(shí)驗(yàn)裝置的電路原理圖;圖2A為SVC閥及TCSC閥串聯(lián)的單極基本結(jié)構(gòu)示意圖;圖2B為HVDC閥串聯(lián)的單極基本結(jié)構(gòu)示意圖3為本實(shí)用新型高壓串聯(lián)晶閘管閥合成實(shí)驗(yàn)裝置的電路仿真波形圖。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合各個附圖對本實(shí)用新型的具體實(shí)現(xiàn)過程做進(jìn)一步詳細(xì)的說明。請參閱圖1,該圖為本實(shí)用新型高壓串聯(lián)晶閘管閥合成實(shí)驗(yàn)裝置的電路原理圖,由圖中可見,本實(shí)用新型包括電流產(chǎn)生電路和電壓產(chǎn)生電路兩部分,其中,左側(cè)為電流產(chǎn)生電路,由變壓器T1,電感L2,分流器Sl,分流器S2,閥VI以及S1、S2上的錄波器組成。電源通過變壓器T1接入電路,用電壓表可測出接入的電壓值,并進(jìn)行調(diào)試。變壓器T1端依次連接電感L2,電流表(用于測量主電路電流),分流器Sl,之后連接兩條并聯(lián)支路,一條支路通過開關(guān)Kl接地,另一條支i各通過閥VI、試品閥VT和分流器S2接地。其中分流器Sl和分流器S2上并聯(lián)有錄波器,分別用于檢測分流器Sl及分流器S2上的波形。右側(cè)為電壓產(chǎn)生電路,由變壓器T2,電感LEl,閥VE1,電阻RE1,二極管Dl,電感LE2,閥VE2,電阻RE2,二極管D2,電容Cel及電容Ce2組成。電源通過變壓器T2接入電路,然后連接兩條并聯(lián)支路,即電感LE1、閥VE1、電阻RE1以及二極管Dl串聯(lián)之后與電感LE2、閥VE2、電阻RE2以及二極管D2的串聯(lián)支路并聯(lián)。在這兩條支路中,電容Cel通過閥VE1和電阻RE1之間的結(jié)點(diǎn)接地,為充正電電容;電容Ce2通過閥VE2和電阻RE2之間的結(jié)點(diǎn)接地,為充負(fù)電電容。請參閱圖2A及圖2B,其中圖2A為SVC閥及TCSC閥串聯(lián)的單極基本結(jié)構(gòu)示意圖,圖2B為HVDC閥串聯(lián)的單極基本結(jié)構(gòu)示意圖。在實(shí)際閥運(yùn)行中,一般是612個閥串聯(lián),每一級均有Rs,Cs串聯(lián),然后與Rd以及閥并聯(lián),起到均壓作用,保證每一級的閥上電壓相等。在圖l的電路中,電容Cs以及電阻Rs串聯(lián),與電阻Rd并聯(lián)然后與閥VT并聯(lián),是為等效模擬實(shí)際運(yùn)行中高壓串聯(lián)晶閘管閥的工作狀態(tài),Cs,Rs,以及Rd的值要隨著不同閥的參數(shù)變化而變。Rd上有錄波器,電容Cs兩端的電壓可通過電壓表測出。下表為本實(shí)用新型高壓串聯(lián)晶閘管閥合成實(shí)驗(yàn)裝置的觸發(fā)時序表:<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>參見上表可知,本實(shí)用新型高壓串聯(lián)晶閘管閥合成實(shí)驗(yàn)裝置的電路觸發(fā)時序具體為t0時刻觸發(fā)同向的VI和試品閥VT的一側(cè)閥,觸發(fā)角大于等于90度小于180度,電流導(dǎo)通,如圖3中t0-tl段電流曲線所示。到電流過零點(diǎn),已觸發(fā)的閥自然關(guān)斷,此時再觸發(fā)閥VE1或VE2,將反壓加于試品閥VT上,可模擬TCSC閥、SVC閥或HVDC閥的實(shí)際運(yùn)行強(qiáng)度,圖3中tlt2段曲線是加于試品閥VT上的反壓,在t2時刻觸發(fā)VI和試品閥VT的另一側(cè)閥再導(dǎo)通反向電流,這樣就可模擬TCSC閥、SVC閥或HVDC閥在實(shí)際運(yùn)行中所經(jīng)歷的工況。本實(shí)用新型高壓串聯(lián)晶閘管閥合成實(shí)驗(yàn)裝置可通過模擬高壓串聯(lián)晶閘管閥的真實(shí)工況對SVC閥、TCSC閥及HVDC閥進(jìn)行運(yùn)行實(shí)驗(yàn),即電流不為零時,電壓為零,電流變?yōu)榱銜r,電壓突變?yōu)檎蜇?fù)值。由于電壓產(chǎn)生電路中,電容Cel上電壓為正,電容Ce2上電壓為負(fù),可通過控制VE1,VE2的導(dǎo)通與關(guān)斷來控制加在試品閥上的電壓值,電流零點(diǎn)過渡時間所占整個周期的比例即為a角度值。測試過程中電壓產(chǎn)生電路部分由電源經(jīng)過硅堆Dl,D2整流,向Cel,Ce2電容充電,形成正負(fù)電壓源;高電壓,電流產(chǎn)生電路通過電源與電感,電阻產(chǎn)生電流,>Mv而測試高壓串聯(lián)晶閘管閥在不同電壓電流下的情況。本實(shí)用新型高壓串聯(lián)晶閘管閥合成實(shí)驗(yàn)裝置對SVC閥、TCSC閥及HVDC閥進(jìn)行電壓電流耐受強(qiáng)度試驗(yàn)的過程是由一臺控制器按順序進(jìn)行的,它有預(yù)先設(shè)置的試驗(yàn)程序,例如對SVC閥試驗(yàn),將SVC閥置于VT位置后,進(jìn)行下述操作步驟IO、按試品閥的額定電流,根據(jù)試驗(yàn)電流L2計(jì)算出所加電壓值,該值即變壓器T1的輸出電壓;步驟ll、按試品閥的耐受電壓峰值,計(jì)算出變壓器T2應(yīng)輸出的電壓,即按試驗(yàn)電路的具體參數(shù)以及電壓分配計(jì)算出T2的電壓值;步驟12、將分流器Sl和S2以及分壓電阻R設(shè)置在適當(dāng)?shù)奈恢?,使錄波器OSC能夠完全錄入加到試品閥上的電流和電壓;步驟13、控制器起動VI和VT,檢測電流,并且計(jì)時和同步;步驟14、當(dāng)電流降到零時,延時若干微秒,觸發(fā)電壓閥VE2,產(chǎn)生副電壓值,并且計(jì)時,到達(dá)相位角a后起動下一步;步驟15、在到達(dá)相位角a后,觸發(fā)VI,這時候VT反向,形成反向電流;步驟16、在反向電流降到零時起動VE1,形成正向電壓波形。通過對試驗(yàn)波形的分析,即可看出試品閥是否符合工作標(biāo)準(zhǔn)。對于TCSC閥及HVDC閥,具體試驗(yàn)步驟與SVC閥相同,不同處為其動作過程與相位,因?yàn)門CSC閥和HVDC閥在試^r電流關(guān)斷后所加電壓可正可負(fù),而SVC閥在電流關(guān)段后所加電壓為負(fù)電壓,因此試驗(yàn)中只需按電壓相位及大小,設(shè)置變壓器輸出及控制器順序即可完成對SVC閥、TCSC閥及HVDC閥進(jìn)行運(yùn)行實(shí)驗(yàn)。本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣,倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi),則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。權(quán)利要求1.一種高壓串聯(lián)晶閘管閥合成實(shí)驗(yàn)裝置,其特征在于,包括電流產(chǎn)生電路和電壓產(chǎn)生電路,其中,電流產(chǎn)生電路由變壓器T1,電感L2,分流器S1,分流器S2,閥VI以及分流器S1和分流器S2上的錄波器組成,電源通過變壓器T1接入電路,變壓器T1依次連接電感L2,電流表及分流器S1,之后連接兩條并聯(lián)支路,一條支路通過開關(guān)K1接地,另一條支路通過閥VI、試品閥VT和分流器S2接地;電壓產(chǎn)生電路由變壓器T2,電感LE1,閥VE1,電阻RE1,二極管D1,電感LE2,閥VE2,電阻RE2,二極管D2,電容Ce1及電容Ce2組成,電源通過變壓器T2接入電路,然后連接兩條并聯(lián)支路,即由電感LE1、閥VE1、電阻RE1及二極管D1串聯(lián)后與電感LE2、閥VE2、電阻RE2及二極管D2串聯(lián)組成的支路并聯(lián),電容Ce1通過閥VE1和電阻RE1之間的結(jié)點(diǎn)接地,電容Ce2通過閥VE2和電阻RE2之間的結(jié)點(diǎn)接地。2、如權(quán)利要求l所述的裝置,其特征在于,所述試品閥VT與電阻Rd并聯(lián),然后與電容Cs及電阻Rs串聯(lián)的支路并聯(lián),電阻Rd上具有錄波器,通過電壓表可測出電容Cs兩端的電壓。3、如權(quán)利要求1或2所述的裝置,其特征在于,所述高壓串聯(lián)晶間管閥為靜止無功補(bǔ)償器閥或晶閘管控制串聯(lián)電容器閥或高壓直流閥。專利摘要本實(shí)用新型公開了一種高壓串聯(lián)晶閘管閥合成實(shí)驗(yàn)裝置,包括電流產(chǎn)生電路和電壓產(chǎn)生電路,電流產(chǎn)生電路中電源通過變壓器T1接入電路,變壓器T1依次連接電感L2,電流表及分流器S1,之后連接兩條并聯(lián)支路,一條支路通過開關(guān)K1接地,另一條支路通過閥VI、試品閥VT和分流器S2接地;電壓產(chǎn)生電路中電源通過變壓器T2接入電路,然后連接兩條并聯(lián)支路,即電感LE1、閥VE1、電阻RE1及二極管D1串聯(lián)后與電感LE2、閥VE2、電阻RE2及二極管D2串聯(lián)組成的支路并聯(lián),電容Ce1通過閥VE1和電阻RE1之間的結(jié)點(diǎn)接地,電容Ce2通過閥VE2和電阻RE2之間的結(jié)點(diǎn)接地。本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)了試驗(yàn)的最大限度的安全性和靈活性。文檔編號G01R31/333GK201130240SQ20072019006公開日2008年10月8日申請日期2007年11月8日優(yōu)先權(quán)日2007年11月8日發(fā)明者朱家騮,查鯤鵬,湯廣福,溫家良,賀趙,魏曉光申請人:中國電力科學(xué)研究院
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