專利名稱：：具有保護(hù)層的氧氣傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明大體上涉及平面氧氣傳感器。更明確地說，本發(fā)明涉及此類氧氣傳感器的經(jīng)改進(jìn)構(gòu)造。
背景技術(shù)：
：對(duì)于裝備有內(nèi)燃機(jī)的車輛，沿著排氣系統(tǒng)安置的氧氣傳感器可用于基于引擎排氣中的氧氣量來檢測(cè)富和貧空氣-燃料混合物。用于檢測(cè)氧氣含量的大多數(shù)氧氣傳感器中的機(jī)制涉及產(chǎn)生電壓(即，電動(dòng)勢(shì)或EMF)的化學(xué)反應(yīng)。所述引擎的計(jì)算機(jī)控制模塊(ECM)査看電壓來在燃料方面確定所述混合物是富含燃料(即，氧氣含量降低，高EMF)還是貧燃料(即，氧氣含量過量，低EMF)。當(dāng)混合物為富燃料時(shí)，電壓電平較高。當(dāng)混合物為貧燃料時(shí)，電壓電平較低。ECM可基于所檢測(cè)到的電壓電平來調(diào)整進(jìn)入引擎的燃料量。目標(biāo)通常是實(shí)現(xiàn)引擎產(chǎn)生最低含量的碳?xì)浠衔?HC)、一氧化碳(CO)和氮的氧化物(NOx)時(shí)的化學(xué)計(jì)量比率。因此，氧氣傳感器的功能是幫助引擎以降低的排放有效地運(yùn)行。傳統(tǒng)的引擎控制算法希望使傳感器以穩(wěn)定的狀態(tài)以及在動(dòng)力引擎操作期間橫越化學(xué)計(jì)量中點(diǎn)(例如，大約450mV的電壓)以在惡劣的引擎操作環(huán)境下獲得延長的操作壽命。
發(fā)明內(nèi)容對(duì)于圓錐形(即，套管)和平面(例如，平板)氧氣傳感器兩者，多孔陶瓷保護(hù)性層覆蓋廢氣側(cè)上的電極以保護(hù)所述電極以免直接暴露于正被測(cè)量的廢氣。在大多數(shù)平面氧氣傳感器中，由多孔陶瓷材料(例如，尖晶石、氧化鋁等)制成的保護(hù)性層可沉積在原本暴露的電極上以保護(hù)感測(cè)電極免受磨損且免受廢氣毒害。此多孔層可與抗毒涂層組合以實(shí)現(xiàn)更好的持久性和廢氣的更正確讀數(shù)。此保護(hù)層通常通過多層陶瓷制作方法制成，所述方法涉及層壓綠片且隨后通過共燒結(jié)以在密實(shí)陶瓷主體52之上形成多孔陶瓷層50，如圖1所示。由于在層壓時(shí)綠片密度失配，所以在多孔陶瓷層50、密實(shí)絕緣陶瓷層52和氧化鋯層54之間存在燒結(jié)收縮行為的差異。由于燒結(jié)收縮行為的差異，往往沿著多孔陶瓷層50與密實(shí)陶瓷層52之間的接縫形成間隙，而通常在接縫線正下方的氧化鋯層54上看到裂縫。每一陶瓷層的表面上的這些結(jié)構(gòu)缺陷頻繁地在傳感器元件測(cè)試期間和/或在氧氣傳感器組合和測(cè)試期間發(fā)展成穿透到其它層的主要裂縫。在許多情況下，微小裂縫導(dǎo)致在車輛操作條件下傳感器元件發(fā)生有害破裂。而且，由于多孔層50(其具有相對(duì)較低的焙燒收縮率)與密實(shí)陶瓷層52(絕緣體和電解質(zhì)在燒結(jié)期間收縮較大)之間的燒結(jié)收縮的失配，非常難以維持傳感器元件的此部分中的直線性和平坦性。需要直線性和平坦性以使平面?zhèn)鞲衅髟‘?dāng)?shù)匕獾窖鯕鈧鞲衅鹘饘傺b具中，以及用于防止由于彎曲引起的局部應(yīng)力集中點(diǎn)?，F(xiàn)將參看優(yōu)選實(shí)施例的附圖來描述本發(fā)明的這些和其它特征、方面和優(yōu)點(diǎn)，所述實(shí)施例既定說明而非限制本發(fā)明，且在附圖中圖1是現(xiàn)有技術(shù)平面氧氣傳感器構(gòu)造；圖2是根據(jù)本發(fā)明的某些特征、方面和優(yōu)點(diǎn)而布置和配置的氧氣傳感器構(gòu)造的分解圖；圖3(a)到3(f)是可用于圖2的傳感器的構(gòu)造中的通孔的不同配置。圖4是根據(jù)本發(fā)明的某些特征、方面和優(yōu)點(diǎn)而布置和配置的另一氧氣傳感器構(gòu)造的分解圖；圖5(a)到5(b)是多個(gè)加熱器配置的示意性表示；且圖6(a)到6(c)是另外加熱器配置的額外示意性表示。具體實(shí)施方式現(xiàn)參看圖2，提供平面氧氣傳感器100。在一些應(yīng)用中，傳感器100可用于燃料/空氣比率控制。傳感器100還可用于其它應(yīng)用，例如但不限于NOx傳感器、碳?xì)浠衔飩鞲衅?、氨傳感器、氫氣傳感器、化學(xué)傳感器，以及含有片式加熱器的感測(cè)裝置。傳感器100優(yōu)選地為電解氧氣傳感器，其至少部分包含氧離子傳導(dǎo)主體102。在一個(gè)配置中，主體102由氧化鋯形成。還可使用其它合適的材料。主體102優(yōu)選地插入在第一電極104與第二電極106之間。更優(yōu)選地，第一電極104和第二電極106緊密接觸主體102。電極104、106優(yōu)選地由鉑形成。還可使用其它材料。主體102的第一側(cè)面IIO將安置在廢氣側(cè)上，而相對(duì)的第二側(cè)面112將安置在環(huán)境或參考空氣側(cè)上。在所說明的配置中，主體102的第一側(cè)面110(即，將接近廢氣的側(cè)面)優(yōu)選地由擴(kuò)散層114保護(hù)。擴(kuò)散層114可包含陶瓷主體120，其在一些實(shí)施例中可主要由氧化鋁、純氧化鋯、部分穩(wěn)定化氧化鋯、氧化釔、氧化鎂、氧化鈦和稀土氧化物陶瓷制成。其它配置可主要由氧化鋁-鎂尖晶石陶瓷、玻璃陶瓷和陶瓷復(fù)合物制成。其它配置也是可能的。擴(kuò)散層114可包含通孔陣列116，其界定在原本密實(shí)的陶瓷主體120中。如本文所使用，通孔116是通道。在一些配置中，通孔116可形成在缺少貴金屬催化劑或氧氣儲(chǔ)存組件的陶瓷主體120中。其它配置可為可能的。擴(kuò)散層114優(yōu)選地包含受到控制的多孔性、孔隙大小、孔隙大小分布和氣體擴(kuò)散特征。因此，擴(kuò)散層114理想地充分保護(hù)第一電極104(即，廢氣側(cè)電極)免受高速度粗廢氣影響。換句話說，通過提供保護(hù)性多孔表面(例如，擴(kuò)散層114)，大大降低或消除了有害氣體污染感測(cè)電極104的可能性。在另一配置中，可將鉑、銠、鈀、銥、鎘、釕、金、銀、鉭、鉬、鈮、鎢的貴重金屬氧化物和合金以及催化材料(包括氧化物陶瓷和金屬合金)(例如，以按總重量計(jì)的大約0-5%的加載比率)添加到陶瓷主體120。在一些配置中，可通過在陶瓷焙燒之前與陶瓷粉末干式或濕式混合來添加這些材料。在一些配置中，可通過基于漿液的浸漬且隨后進(jìn)行后焙燒工藝來添加這些材料。還可使用其它工藝。所述貴重金屬和催化材料可在陶瓷主體120的通孔116內(nèi)提供催化劑和/或氧氣儲(chǔ)存組件的功能。仍參看圖2，可用更多孔的陶瓷材料填充一組通孔，使得在密實(shí)的陶瓷主體120中嵌入更多孔的陶瓷主體122。通孔116、122優(yōu)選地設(shè)置在直接鄰近于第一電極104處或其正上方。有利的是，通過在所說明的配置中提供更多孔的陶瓷主體112，可使用單片密實(shí)陶瓷主體120來代替配置有密實(shí)部分和更多孔部分的層。通孔116和其中的陶瓷主體122允許廢氣穿透通過陶瓷主體120而以大體均勻的方式到達(dá)傳感器電極表面。通孔116中的多孔陶瓷主體122可以任何合適的方式形成。在一個(gè)配置中，通孔116通過傳統(tǒng)的陶瓷工藝來形成。在另一配置中，通孔116通過薄膜半導(dǎo)體技術(shù)來形成。舉例來說，多孔陶瓷主體122可形成為帶有填充物質(zhì)，所述物質(zhì)包括但不限于基于有機(jī)物的瞬變材料，其可通過燒結(jié)、后焙燒、濕式化學(xué)蝕刻或基于等離子體的干式蝕刻工藝來移除。換句話說，通孔可通過傳統(tǒng)的陶瓷制作方法來形成或填充，所述方法包括但不限于穿孔或鉆孔、絲網(wǎng)印刷、加壓通孔填充和用具有相同大小的已完成綠膠帶替換；或通過其它厚膜混合和薄膜技術(shù)，其包括但不限于表面安裝、通過絲網(wǎng)/刻版印刷的干式或濕式層構(gòu)建和光刻方法。在其它配置中，例如對(duì)于較復(fù)雜的廢氣傳感器，可在通孔116中所含的多孔材料122中散布催化劑和/或氧氣儲(chǔ)存材料。參看圖3(a)到3(f),說明通孔116和相關(guān)多孔陶瓷主體122的各種配置。優(yōu)選地，通孔U6和其中的主體122經(jīng)配置以反映安置在通孔和主體122下方的傳感器電極的大小和形狀。如所說明，通孔116和多孔陶瓷主體122可具有大體均勻的大小和配置。通孔116和多孔陶瓷主體122可具有各種大小。在一些配置中，通孔116和多孔陶瓷主體122可具有在大約0.1mm與大約1.5mm之間的直徑。在一些配置中，多孔陶瓷主體122具有相同的大體多孔性，而在其它配置中，多孔性可有所不同。通孔116和多孔陶瓷主體122可布置成任何所需配置。在更優(yōu)選配置中，通孔116和多孔陶瓷主體可在外觀上為大體有序的且對(duì)稱的。此類配置在可預(yù)測(cè)性方面提供優(yōu)點(diǎn)。然而，可使用其它配置。包括數(shù)目、位置、圖案、直徑、長度、多孔性、孔隙大小、孔隙大小分布、氣體穿透性和化學(xué)成分在內(nèi)的通孔和多孔陶瓷主體設(shè)計(jì)提供所需功能性作為保護(hù)層和擴(kuò)散阻擋層，所述保護(hù)層和擴(kuò)散阻擋層可在廢氣氧氣傳感器操作為空氣-燃料線性氧氣傳感器時(shí)控制極限電流；以及作為廢氣種類傳感器以檢測(cè)(例如但不限于)NOx、氨、C02、CO、碳?xì)浠衔锖?或氫氣。電阻加熱器124可安置在主體102下方。所說明的加熱器124安裝到陶瓷主體126。其它配置也是可能的。在一個(gè)配置中，空氣參考通道130安置在主體102與加熱器124之間?？諝鈪⒖纪ǖ?30優(yōu)選地與環(huán)境空氣成流體連通，且可設(shè)置在陶瓷主體128內(nèi)。因此，加熱器124可插入在兩個(gè)陶瓷主體126、128之間。其它配置是可能的。擴(kuò)散層114、主體102、電極104和加熱器124可一起共同焙燒，或者每一組件(例如，保護(hù)層、感測(cè)層、加熱層)可單獨(dú)焙燒且每一經(jīng)焙燒組件可使用高溫膠水膠合在一起。相對(duì)于上文描述的傳感器100，通孔116中的燒結(jié)多孔陶瓷主體122優(yōu)選地具有在大約10%與大約40%之間的多孔性，其中孔隙大小分布在大約1微米到大約20微米的范圍內(nèi)。優(yōu)選地，多孔陶瓷主體122和通孔116大致或完全延伸通過擴(kuò)散層114的厚度，且每一多孔陶瓷主體122和相關(guān)聯(lián)通孔116的直徑在大約50微米到大約2毫米的范圍內(nèi)。相信此構(gòu)造在正常的車輛操作條件下恰當(dāng)?shù)仄鹱饔?。用于形成多孔陶瓷主體122的填充材料的實(shí)心部分可包含主要由氧化鋁、純氧化鋯、部分穩(wěn)定化氧化鋯、氧化釔、氧化鎂、氧化鈦、稀土氧化物、氧化鋁-鎂尖晶石陶瓷、玻璃陶瓷和陶瓷復(fù)合物的陶瓷形成的部分。在一些配置中，可通過任何合適的技術(shù)來添加鉑、銠、鈀、銥、鎘、釕、金、銀、鉭、鉬、鈮、鎢的^t皿金屬和合金以及催化材料(包括氧化物陶瓷和金屬合金)(以按總重量計(jì)的大約0%到大約10%的加載定量)。舉例來說，在一些配置中，通過在陶瓷焙燒之前與陶瓷粉末干式或濕式混合或通過基于漿液的浸漬且隨后進(jìn)行后焙燒工藝來添加這些材料。還可使用其它工藝。在一些應(yīng)用中，在保護(hù)性涂層之上的覆層可通過漿液浸漬涂布、二維或三維刻版印刷、火焰噴涂或等離子體噴涂來施加。所述覆層優(yōu)選地提供熱阻擋層以降低對(duì)陶瓷傳感器造成熱沖擊的可能性。保護(hù)性涂層可在成分上與通孔填充材料相同，或者保護(hù)性涂層可在成分上不同于通孔填充材料而在氣體擴(kuò)散控制、催化反應(yīng)方面補(bǔ)充通孔填充材料的功能性。優(yōu)選地，保護(hù)性涂層可在充當(dāng)廢氣熱量的熱阻擋層的方面提供增強(qiáng)的熱性質(zhì)。更優(yōu)選地，保護(hù)性涂層可在改進(jìn)由于水飛濺等引起的耐熱沖擊性的方面提供增強(qiáng)的熱性質(zhì)。圖4說明根據(jù)本發(fā)明的某些特征、方面和優(yōu)點(diǎn)而布置和配置的平面氧氣傳感器200的另一實(shí)施例。所說明的傳感器200可用于開路應(yīng)用，且可在與任何合適的閉路加熱器電壓控制機(jī)制組合時(shí)用于汽車廢氣傳感器。傳感器200包含平面感測(cè)元件202。平面感測(cè)元件202可具有任何合適的配置。如上文論述，平面感測(cè)元件可包含固態(tài)電解電化學(xué)電池204、擴(kuò)散層206和陶瓷加熱器210。電化學(xué)電池204可包含電解層，其中在所述電解層的每一側(cè)面上安置有一電極。擴(kuò)散層206優(yōu)選地包含擴(kuò)散限制通孔，其以例如上文描述的方式接近電池204的電極和電極引線。陶瓷加熱器210優(yōu)選地為集成等溫厚膜加熱器，其包含多個(gè)加熱器212、214。有利的是，加熱器212、214可加熱電化學(xué)檢測(cè)部分204。等溫厚膜加熱器210可通過在感測(cè)電極的周邊部分周圍實(shí)現(xiàn)并維持所需溫度分布曲線來減輕在傳感器點(diǎn)火期間陶瓷傳感器200上的熱應(yīng)力。等溫厚膜加熱器210還可提供每單位加熱表面的高閃現(xiàn)加熱器瓦數(shù)。因此，可獲得快速點(diǎn)火。因而，所說明的傳感器200的某些方面可降低局部過熱的可能性，可在高溫操作期間減少加熱器溫度變化，且可通過降低鉑蛇形線(serpentine)上的瓦數(shù)密度來延長加熱器壽命。陶瓷加熱器210允許創(chuàng)建預(yù)定溫度分布曲線。舉例來說，通過針對(duì)每一個(gè)別加熱器蛇形線216、220改變加熱器圖案設(shè)計(jì)，通過改變具有不同熱阻率系數(shù)的熱敏電阻材料(包括基于鉑、銠和鈀合金以及鎢、鉭和鉬的加熱器)，以及通過改變加熱器蛇形線216、220的厚度和/或?qū)挾?，從襯底的中心到周邊的溫度分布曲線可發(fā)生變化。加熱器212、214可以任何合適的方式形成。在一些實(shí)施例中，加熱器212、214通過絲網(wǎng)印刷、噴墨印刷、圖案轉(zhuǎn)印、圖案化箔執(zhí)行轉(zhuǎn)印和/或通過光刻方法制成。加熱器212、214可形成在經(jīng)焙燒陶瓷襯底上，或可經(jīng)共同焙燒成單片體。優(yōu)選地，加熱器引線222、224具有較低的室溫電阻值。加熱器引線222、224可由相同或不同的加熱器引線材料制成。在一個(gè)配置中，加熱器引線222、224的電阻溫度系數(shù)(TCR)值比加熱器蛇形線216、220的值小得多。蛇形線216和第二蛇形線220的TC—R值優(yōu)選為相差較大。示范性加熱器引線和加熱器蛇形線的加熱器片電阻值和TCR值的實(shí)例可包括<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>現(xiàn)參看圖5a和圖5b，展示不同平面上的多個(gè)加熱器的若干不同實(shí)例。所述多個(gè)加熱器優(yōu)選地通過通孔300而電鏈接。加熱器可具有任何合適的配置，且在所說明的配置中，放置在相關(guān)聯(lián)傳感器的兩個(gè)或兩個(gè)以上不同平面上。在一些配置中，可使用三個(gè)或三個(gè)以上加熱器。加熱器包含加熱器引線310。加熱器引線310可通過通孔309連接到一個(gè)或一個(gè)以上加熱器。還可使用其它配置。理想地，加熱器引線310和電通孔309與相關(guān)聯(lián)的加熱器蛇形線301、302、303、304、306和308相比具有相對(duì)較低的電阻值和較低的電阻溫度系數(shù)(TCR)。在一些配置中，電阻值(受Pt材料電阻率、加熱器印刷高度和加熱器印刷寬度影響)和TCR值經(jīng)選擇以使得外部加熱器蛇形線302、306比內(nèi)部加熱器蛇形線304、308加熱更快。當(dāng)在低溫下最初對(duì)傳感器加電時(shí)，電流穿過所述兩個(gè)加熱器電阻器(即，蛇形線)，且所述兩個(gè)加熱器電阻器根據(jù)W=I2*R=I*V(W-加熱器功率，1=電流，R-加熱器電阻，V-施加電壓)而加熱。當(dāng)局部溫度達(dá)到預(yù)定溫度(其可為高值)時(shí)，由于大體上使流動(dòng)穿過相應(yīng)加熱器電阻器的電流停止的相對(duì)較高電阻的緣故，所述加熱器電阻器組中的一者(例如，302/304或306/308)關(guān)斷。在一些配置中，可在相關(guān)聯(lián)傳感器的單個(gè)平面中安置多個(gè)加熱器。舉例來說，參看圖6(a)和6(b)，說明兩個(gè)不同的實(shí)施例，其中以共平面方式安置多個(gè)加熱器電阻器400、402。圖6(c)說明在相關(guān)聯(lián)傳感器中安置單個(gè)加熱器電阻器500的另一實(shí)施例。還能夠?qū)⒍鄠€(gè)加熱器放置在單個(gè)平面中同時(shí)將一個(gè)或一個(gè)以上額外加熱器放置在一個(gè)或一個(gè)以上額外平面中。優(yōu)選地，加熱器蛇形線400、402、404和500具有不同的室溫電阻和TCR值，使得可在產(chǎn)生快速加熱后通過一個(gè)或一個(gè)以上預(yù)定加熱器電阻器(但少于全部加熱器電阻器)進(jìn)行自動(dòng)調(diào)節(jié)的加熱。雖然己經(jīng)依據(jù)某實(shí)施例描述了本發(fā)明，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員所明白的其它實(shí)施例也屬于本發(fā)明的范圍內(nèi)。因此，可在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下作出各種改變和修改。舉例來說，可根據(jù)需要重新安置各種組件。此外，并非必須需要所有所述特征、方面和優(yōu)點(diǎn)來實(shí)踐本發(fā)明。因此，本發(fā)明的范圍既定僅由所附權(quán)利要求書界定。權(quán)利要求1.一種平面?zhèn)鞲衅鳎浒谎蹼x子傳導(dǎo)主體，其包含第一側(cè)面和第二側(cè)面；沿著所述主體的所述第一側(cè)面安置的感測(cè)電極和沿著所述主體的所述第二側(cè)面安置的參考電極，所述感測(cè)電極和所述參考電極緊密接觸所述主體；擴(kuò)散層，其在所述主體的所述第一側(cè)面上方延伸；以及多個(gè)通孔，其形成在所述擴(kuò)散層的上覆于所述感測(cè)電極的至少一部分上的一部分中，多孔陶瓷填充物安置在所述多個(gè)通孔的兩者或兩者以上中，使得所述經(jīng)填充通孔包含相對(duì)于所述擴(kuò)散層的更多孔的組件。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器，其中所述電極由鉑形成。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器，其中所述擴(kuò)散層包含陶瓷主體，所述陶瓷主體主要由選自由氧化鋁、純氧化鋯、部分穩(wěn)定化氧化鋯、氧化釔、氧化鎂、氧化鈦和稀土氧化物的陶瓷組成的群組的材料制成。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器，其中所述擴(kuò)散層包含主要由氧化鋁-鎂尖晶石陶瓷、玻璃陶瓷和陶瓷復(fù)合物制成的主體。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器，其中所述多個(gè)通孔大體上缺少貴金屬催化劑。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器，其中所述多個(gè)通孔大體上缺少氧氣儲(chǔ)存組件。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器，其中所述擴(kuò)散層包含選自由以下各項(xiàng)組成的群組的材料鉑、銠、鈀、銥、鎘、釕、金、銀、鉭、鉬、鈮、鎢的貴重金屬氧化物和合金、催化材料以及氧化物陶瓷和金屬合金。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器，其中含有所述多孔陶瓷填充物的所述通孔安置在直接鄰近于所述感測(cè)電極處。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器，其中含有所述多孔陶瓷填充物的所述通孔安置在所述感測(cè)電極的正上方。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器，其中含有所述多孔陶瓷填充物的所述通孔相對(duì)于所述感測(cè)電極大體上均勻散布。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器，其中含有所述多孔陶瓷填充物的所述通孔相對(duì)于所述感測(cè)電極大體上對(duì)稱散布。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器，其進(jìn)一步包含安置在所述氧離子傳導(dǎo)主體下方的加熱器。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的傳感器，其中所述加熱器包含等溫厚膜加熱器。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的傳感器，其中所述厚膜加熱器包含多個(gè)加熱器。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的傳感器，其中所述多個(gè)加熱器包含第一加熱器和第二加熱器，所述第一和第二加熱器安置在不同平面上。16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的傳感器，其中所述多個(gè)加熱器包含第一加熱器和第二加熱器，所述第一和第二加熱器包含不同的蛇形線圖案。17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的傳感器，其中所述多個(gè)加熱器包含第一加熱器和第二加熱器，所述第一和第二加熱器包含不同的熱敏電阻材料。18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的傳感器，其中所述多個(gè)加熱器包含第一加熱器和第二加熱器，所述第一和第二加熱器包含不同的厚度。19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的傳感器，其中所述多個(gè)加熱器包含第一加熱器和第二加熱器，所述第一和第二加熱器包含不同的寬度。全文摘要一種廢氣傳感器包含平面感測(cè)元件(100)，其包含陶瓷加熱器(124)、固態(tài)電解電化學(xué)電池(102)和用于感測(cè)電極和電極引線的保護(hù)層(114)。所述保護(hù)層(114)包含內(nèi)置多孔通孔陣列(116)。文檔編號(hào)G01N27/407GK101542276SQ200780006323公開日2009年9月23日申請(qǐng)日期2007年2月23日優(yōu)先權(quán)日2006年2月23日發(fā)明者張正興,陳昌勝申請(qǐng)人:Sng國際公司