專利名稱：減小多個(gè)柱狀電子束測(cè)試系統(tǒng)中的串?dāng)_的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施例大體上有關(guān)于一種用以測(cè)試基板的方法與系統(tǒng)。更特別 地，這些實(shí)施例有關(guān)于一種測(cè)試方法與系統(tǒng)，其用以測(cè)試在制造平板顯示器 中的大面積基板。
背景技術(shù)：
平板顯示器，例如有源矩陣液晶顯示器(liquid crystal display, LCD)，近 來(lái)已經(jīng)取代過(guò)去的陰極射線管(cathode ray tube, CRT)而變得普及化。LCD 相對(duì)于CRT具有一些優(yōu)點(diǎn)，包括較高的畫面質(zhì)量、較輕的重量、較低的電 壓需求、以及低耗電。顯示器在計(jì)算機(jī)屏幕、手機(jī)與電視上具有許多應(yīng)用， 但是尚有許多應(yīng)用而不僅于此。LCD制造過(guò)程的一部分需要測(cè)試平板基板，以決定像素的可操作性。電 壓顯像、電荷感測(cè)、與電子束測(cè)試為一些用來(lái)在制造過(guò)程期間監(jiān)視與解決缺 陷問(wèn)題的過(guò)程。在典型的電子束測(cè)試過(guò)程中，監(jiān)視像素的響應(yīng)以提供缺陷信 息。在電子束測(cè)試的一實(shí)例中，施加特定電壓至像素，且導(dǎo)引一電子束至待 檢測(cè)的個(gè)別的像素電極。從像素電極區(qū)域發(fā)射出來(lái)的二次電子會(huì)被感測(cè)，以 決定TFT電壓。更大顯示器、增加的產(chǎn)能、及更低制造成本的需求已經(jīng)對(duì)于新測(cè)試系統(tǒng) 產(chǎn)生了需要，其中該新測(cè)試系統(tǒng)可以使用最小的清潔室空間來(lái)容納更大的基 板尺寸。目前的平板顯示器處理設(shè)備大致上容納大面積基板高達(dá)約2200毫 米x2500毫米且更大。從財(cái)務(wù)觀點(diǎn)與設(shè)計(jì)觀點(diǎn)而言，處理設(shè)備的尺寸與工 藝生產(chǎn)時(shí)間是平板顯示器制造業(yè)者的重要考慮。為了滿足此挑戰(zhàn)，已經(jīng)發(fā)展出測(cè)試系統(tǒng)，其中測(cè)試腔室在一個(gè)維度方向 上稍大于大面積基板的寬度或長(zhǎng)度，并且在測(cè)試期間在至少一個(gè)線性方向上 處理該基板。此單一方向移動(dòng)需要有一個(gè)或多個(gè)電子束柱，且這些柱的各個(gè) 處理區(qū)域靠得較近，因而產(chǎn)生了相鄰柱之間串?dāng)_(cross-talk)的可能性。若此 串?dāng)_沒(méi)有被減少或消除，會(huì)產(chǎn)生測(cè)試方面的問(wèn)題。因此，有需要一種測(cè)試系統(tǒng)以在大面積基板上執(zhí)行測(cè)試，其可以將清潔 室空間最小化且縮短測(cè)試時(shí)間，以及 一種減少測(cè)試設(shè)備的處理區(qū)域之間串?dāng)_ 的方法。發(fā)明內(nèi)容在一實(shí)施例中，本發(fā)明揭示一種用于減少至少一個(gè)第一電子束柱與至少 一個(gè)第二電子束柱之間串?dāng)_的方法，其中第二電子束柱鄰近于第一電子束柱。該方法包含提供第一觸發(fā)事件；在該第一觸發(fā)事件之后的第一預(yù)定時(shí) 間以該第一電子束柱發(fā)射第一電子束脈沖于一基板上；在該第一觸發(fā)事件之 后的第二預(yù)定時(shí)間在第一讀取窗口中檢測(cè)由該第一電子束脈沖所引起的第 一信號(hào)；提供第二觸發(fā)事件；在該第二觸發(fā)事件之后的第三預(yù)定時(shí)間以該第 二電子束柱發(fā)射第二電子束脈沖于該基板上；以及在該第二觸發(fā)事件之后的 第四預(yù)定時(shí)間在第二讀取窗口中檢測(cè)由該第二電子束脈沖所引起的第二信 號(hào)，其中該第一讀取窗口與該第二讀取窗口占據(jù)不同的時(shí)間周期。在另一實(shí)施例中，本發(fā)明揭示一種用于減少多個(gè)奇數(shù)電子束柱之間串?dāng)_ 的方法，多個(gè)奇數(shù)電子束柱之間有多個(gè)偶數(shù)電子束柱。該方法包含提供一 主時(shí)鐘信號(hào)，其具有一上升沿與一下降沿；同步化來(lái)自多個(gè)奇數(shù)電子束柱或 至少一個(gè)偶數(shù)電子束柱的電子的第一脈沖，其中該第一脈沖與該上升沿相符 合；以及同步化來(lái)自該多個(gè)奇數(shù)電子束柱或該至少 一 個(gè)偶數(shù)電子束柱的電子 的第二脈沖，其中該第二脈沖與該下降沿相符合，其中該第一脈沖與該第二 脈沖以 一 延時(shí)而彼此分隔。在另一實(shí)施例中，本發(fā)明揭示一種電子束測(cè)試系統(tǒng)。電子束測(cè)試系統(tǒng)包 含多個(gè)電子束柱，它們包含一個(gè)或多個(gè)奇數(shù)柱與一個(gè)或多個(gè)偶數(shù)柱，多個(gè)電 子束柱的每一電子束柱包括一消隱系統(tǒng)(blanking system)與一檢測(cè)器；以 及一同步化裝置，其具有一主時(shí)鐘信號(hào)，該主時(shí)鐘信號(hào)定義第一觸發(fā)事件與 第二觸發(fā)事件，其中每一電子束柱的消隱系統(tǒng)與檢測(cè)器與該主時(shí)鐘信號(hào)相 通，并且該一個(gè)或多個(gè)奇數(shù)柱的消隱系統(tǒng)在該第一觸發(fā)事件處被觸發(fā)，且該 一個(gè)或多個(gè)偶數(shù)柱的消隱系統(tǒng)在該第二觸發(fā)事件處被觸發(fā)，或反之亦然。


前述的本發(fā)明特征可以通過(guò)參照實(shí)施例而更加了解， 一 些實(shí)施例系被繪 示在附圖中。然而，必須注意的是，附圖僅繪示出本發(fā)明的典型實(shí)施例，且 因而不應(yīng)被解讀成限制本發(fā)明范圍，本發(fā)明可以允許其它等效的實(shí)施例。 第1A圖為一電子束測(cè)試系統(tǒng)的實(shí)施例。 第1B圖為第1A圖中測(cè)試系統(tǒng)的另一實(shí)施例的立體圖。第2圖為 一測(cè)試柱的 一 實(shí)施例。第3A圖為 一測(cè)試柱的另 一 實(shí)施例。第3B圖為一集合測(cè)試區(qū)域的一部分的一實(shí)施例。第4A圖為一電子束脈沖與一讀取窗口的一實(shí)施例的圖。第4B圖為兩電子束脈沖與各自讀取窗口的一實(shí)施例的圖。第4C圖為顯示一同步化方法的實(shí)施例的圖。為了促進(jìn)了解，在附圖中相同的構(gòu)件系使用相同的器件符號(hào)。應(yīng)該知悉 的是，揭示于一 實(shí)施例中的構(gòu)件可以有益地被應(yīng)用于其它未被詳述的實(shí)施例 中。
具體實(shí)施方式
本文使用的術(shù)語(yǔ)「基板」大體上是指由玻璃、聚合物材料、或其它適用 以形成電子器件于其上的基板材料所制成的大面積基板。不限制住本發(fā)明的 保護(hù)范圍，本文使用的術(shù)語(yǔ)r測(cè)試柱」是指例如電子束柱或裝置。由此，電 子束裝置可以是 一 電子束檢測(cè)系統(tǒng)或 一 平版印刷系統(tǒng)(lithography system)。本發(fā)明的實(shí)施例依然可以被應(yīng)用至其它設(shè)備，這些設(shè)備使用帶電 荷粒子與/或其它二次與/或后向散射帶電荷粒子的源以獲得樣品圖像。本文描述而有關(guān)于電壓與電位的實(shí)施例系指相對(duì)值且非絕對(duì)值。例如， 通過(guò)連接一發(fā)射極至"接地"且施加3 kV至一樣本來(lái)加速電子束，等效于施加 -3 kV至此發(fā)射極且將此樣本接地。因此，雖然一些說(shuō)明系以特定電壓來(lái)敘 述以為了方便，應(yīng)當(dāng)了解的是其系指相對(duì)電位。本文描述的各種實(shí)施例可以被描述成有關(guān)于在水平與垂直平面中的獨(dú) 立方向。「垂直J系被定義為正交于水平平面，且被稱為Z方向?！杆絁 系被定義為正交于垂直平面，且被稱為X或Y方向，X方向正交于Y方向 且反之亦然。X、 Y與Z方向?qū)⒈欢x在附圖中而包括有方向箭頭以助于讀 者理解。第1A圖為測(cè)試系統(tǒng)100的一實(shí)施例的立體圖，該測(cè)試系統(tǒng)100系用以 測(cè)試位于大面積平板基板(例如具有尺寸高達(dá)超過(guò)約2200毫米x約2600毫 米的大面積基板)上的電子器件。測(cè)試系統(tǒng)100包括至少一個(gè)測(cè)試腔室110， 測(cè)試腔室110具有多個(gè)耦合于其上的測(cè)試柱115n，其適用以測(cè)試位于平板 顯示器(例如薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)、場(chǎng)發(fā)射顯示器、等離子體顯 示器、與有機(jī)發(fā)光二極管顯示器)上的電子器件。其它可以被測(cè)試系統(tǒng)100 所測(cè)試的大面積基板包括太陽(yáng)能電池陣列(solar array)或太陽(yáng)能面板(solar panel)。再者，本文描述的實(shí)施例也可以被用來(lái)測(cè)試位于半導(dǎo)體晶片上電子 器件的可操作性。在一實(shí)施例中，多個(gè)測(cè)試柱115n定義了一個(gè)或多個(gè)奇數(shù)柱115^1153、1155與1157，以及一個(gè)或多個(gè)偶數(shù)柱1152、 1154、 1156與1158。測(cè)試腔 室110耦合到一真空源，且可以耦合至一個(gè)或多個(gè)負(fù)載鎖固腔室(未顯示)， 以利將一個(gè)或多個(gè)大面積基板傳送至測(cè)試腔室110或從中傳送出來(lái)。在一實(shí) 施例中，多個(gè)測(cè)試柱115n為電子束柱，但是也可以是任何適用以測(cè)試大面 積基板上電子器件(例如薄膜晶體管(TFT)、像素、有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)、 或用于太陽(yáng)能面板的光伏電池)的可操作性的裝置。在一實(shí)施例中，多個(gè)測(cè)試柱115n以直線配置來(lái)耦合至測(cè)試腔室110的 上表面。在其它實(shí)施例(未顯示)中，多個(gè)測(cè)試柱115n以交錯(cuò)或Z字形配置來(lái)耦合至測(cè)試腔室110的上表面。在一實(shí)施例中，多個(gè)測(cè)試柱115n的配置適合于提供一集合測(cè)試區(qū)域，其中通過(guò)測(cè)試腔室內(nèi)一可移動(dòng)的基板支撐件使一大面積基板在多個(gè)測(cè)試柱115n下方一個(gè)方向移動(dòng)從而通過(guò)此系統(tǒng)時(shí)，該集 合測(cè)試區(qū)域足以測(cè)試基板的長(zhǎng)度或?qū)挾?。雖然顯示八個(gè)測(cè)試柱，其它實(shí)施例 可以需要更多或更少的測(cè)試柱，其取決于工藝需要。測(cè)試腔室110也包括一個(gè)或多個(gè)出入埠或可移動(dòng)的門150、 135,其是 通過(guò)致動(dòng)器151來(lái)開(kāi)啟與關(guān)閉?？梢苿?dòng)的門150、 135在開(kāi)啟時(shí)提供了到測(cè) 試腔室110內(nèi)部空間的接入，且在關(guān)閉時(shí)提供了密封功能。在一應(yīng)用中，門135可以被開(kāi)啟，以將一大面積基板傳送進(jìn)入且退出測(cè)試腔室110的內(nèi)部空 間，并且門150可以被開(kāi)啟，以將一測(cè)試器件(例如探針)傳送進(jìn)入且退出測(cè) 試腔室110的內(nèi)部空間。當(dāng)探針與/或基板的傳送完成之后，可以關(guān)閉門150、 135,且可以通過(guò)真空源來(lái)抽吸該測(cè)試腔室110。測(cè)試系統(tǒng)100適用以利用來(lái)自測(cè)試柱115n的電子束來(lái)測(cè)試多個(gè)位于大 面積基板上的電子器件。在一操作實(shí)例中，測(cè)試系統(tǒng)100使用一探針(未顯 示)，來(lái)提供與/或感測(cè)來(lái)自大面積基板上像素的電壓。例如，探針可以通過(guò) 譬如接觸 一 個(gè)或多個(gè)位于大面積基板上的短路條(shorting bar)或驅(qū)動(dòng)電路 來(lái)提供電壓至多個(gè)像素。電子從多個(gè)測(cè)試柱被發(fā)射出，并且撞擊在與TFT 電連通的像素上。從大面積基板發(fā)射出來(lái)的二次電子被檢測(cè)且被顯示，以決 定像素的可操作性。 一適用在測(cè)試系統(tǒng)100的探針的實(shí)例系被描述于美國(guó)專 利申請(qǐng)案號(hào)10/889,695(其在公元2004年7月12日申請(qǐng)且被公開(kāi)為美國(guó)專 利公開(kāi)案號(hào)2005/0179451 )與美國(guó)專利申請(qǐng)案號(hào)10/903，216(其在公元2004 年7月30日申請(qǐng)且被公開(kāi)為美國(guó)專利公開(kāi)案號(hào)2005/0179452)中，該兩申 請(qǐng)案皆在此被并入本文以作為參考。如圖所示，測(cè)試系統(tǒng)100耦合至一控制器112,控制器112用以促進(jìn)測(cè) 試系統(tǒng)100內(nèi)各種系統(tǒng)與子系統(tǒng)的操作。在一實(shí)施例中，控制器112提供 一主時(shí)鐘信號(hào)，該主時(shí)鐘信號(hào)用以將多個(gè)測(cè)試柱115n的每一測(cè)試柱予以同 步化。例如，主時(shí)鐘信號(hào)的上升與下降沿可以作為多個(gè)測(cè)試柱115n的不同 群組(例如測(cè)試柱115n的偶數(shù)與奇數(shù)群組)的觸發(fā)事件。對(duì)于一些實(shí)施例，控 制器112是用來(lái)控制或同步化一讀取信號(hào)或讀取窗口 ，其中該讀取信號(hào)或讀 取窗口系用來(lái)檢測(cè)來(lái)自每一測(cè)試柱115n提供的主要束脈沖的二次或后向散 射電子。以下將描述控制器112所提供的功能。第1B圖是第1A圖中測(cè)試系統(tǒng)100的另一實(shí)施例的立體圖。如圖所示， 一大面積基板105位于相對(duì)于測(cè)試腔室110的傳送位置。在此實(shí)施例中， 一可移動(dòng)的基板支撐件或平臺(tái)140位于測(cè)試腔室110的內(nèi)部空間內(nèi)。在一 實(shí)施例中，平臺(tái)140適用以在測(cè)試腔室110內(nèi)水平地在X與Y方向上移動(dòng)， 以線性地相對(duì)于多個(gè)測(cè)試柱115n移動(dòng)基板105。在一應(yīng)用中，平臺(tái)140的 的長(zhǎng)度的一半，并且平臺(tái)140的長(zhǎng)度實(shí)質(zhì)上等于基 板105的長(zhǎng)度。依此方式，可以將基板105置放在平臺(tái)140的上表面，且 平臺(tái)140可以在多個(gè)測(cè)試柱115n下方水平地移動(dòng)(在此圖中為移動(dòng)于丫方 向)?？梢越?jīng)由設(shè)置在制造設(shè)施內(nèi) 一工廠界面?zhèn)魉蜋C(jī)構(gòu)或一傳送機(jī)械手臂來(lái) 將基板置放于平臺(tái)140的上表面或移開(kāi)該平臺(tái)表面。在一實(shí)施例中，可以通 過(guò)多個(gè)末端執(zhí)行器(end effector)125來(lái)傳送基板105，其中這些末端執(zhí)行器 125可移動(dòng)地耦合至平臺(tái)140。在一應(yīng)用中，多個(gè)末端執(zhí)行器125可以延伸 出開(kāi)口 136(其系通過(guò)開(kāi)啟門135來(lái)形成)，以促進(jìn)基板105的傳送。末端執(zhí) 行器125經(jīng)由多個(gè)末端執(zhí)行器125與平臺(tái)140的一或兩者所提供的垂直移 動(dòng)而相對(duì)于平臺(tái)140垂直地移動(dòng)(于Z方向)。在基板105被傳送至平臺(tái)140 的上表面之后，多個(gè)末端執(zhí)行器125可以被容納在多個(gè)形成在平臺(tái)140中 的凹槽142中。在一實(shí)施例中，平臺(tái)140的上表面相對(duì)于多個(gè)末端執(zhí)行器 125垂直地移動(dòng)(于Z方向)，且這些末端執(zhí)行器125相對(duì)于平臺(tái)140的上表 面垂直地移動(dòng)(于Y方向)。在此實(shí)施例中，多個(gè)末端執(zhí)行器125可以在平臺(tái) 140的上表面被降低(Z方向)時(shí)支撐住基板105，并且末端執(zhí)行器125可以 在平臺(tái)140的上表面被升高(Z方向)時(shí)被容納于凹槽142中。各種可以用在測(cè)試系統(tǒng)100的部件與工藝被描述于美國(guó)專利案號(hào) US6,833，717(其在公元2004年12月21日領(lǐng)證)中，其在此被并入本文以 作為參考。各種可以用在測(cè)試系統(tǒng)100的部件的一實(shí)例也被描述于美國(guó)專利 申請(qǐng)案號(hào)11/375,625(其在公元2006年3月14日申請(qǐng)，且在公元2006年 11月2日被公開(kāi)為美國(guó)專利公開(kāi)案號(hào)2006/0244467)中，其在此被并入本 文以作為參考。一旦大面積基板105被導(dǎo)入測(cè)試腔室110之后，測(cè)試腔室110會(huì)被密 封住，且被真空源抽吸。將一探針耦合至基板，且通過(guò)在多個(gè)測(cè)試柱115n 下方線性地移動(dòng)平臺(tái)140來(lái)開(kāi)始一測(cè)試順序。此線性、單方向的平臺(tái)140 移動(dòng)可以為恒定的、或階梯式的或間歇性的形式。在已經(jīng)測(cè)試基板105之后， 在測(cè)試腔室110中與基板被導(dǎo)入的端相反的那一端處，基板被傳送出腔室， 或平臺(tái)140可以移動(dòng)基板105使其回到原始位置，且基板105被移出開(kāi)口 136。另一未測(cè)試的基板被傳送至測(cè)試腔室110，并且在該未測(cè)試的基板上 開(kāi)始一測(cè)試過(guò)程。在一實(shí)施例中，每一測(cè)試柱115n被建構(gòu)以發(fā)射出導(dǎo)向基板105的電子 束。在一實(shí)施例中，多個(gè)測(cè)試柱115n提供了一集合測(cè)試區(qū)域，其可以在基板于電子束柱下方移動(dòng)時(shí)測(cè)試基板105的整個(gè)寬度W或長(zhǎng)度L。例如，若 基板105在縱長(zhǎng)方向地被提供至測(cè)試腔室110(如第1B圖所示)，則多個(gè)測(cè) 試柱115n提供一涵蓋住基板105整個(gè)寬度W的集合測(cè)試區(qū)域。相反地，若 基板105在寬度方向地被提供至測(cè)試腔室110，則多個(gè)測(cè)試柱115n提供一 涵蓋住基板105整個(gè)長(zhǎng)度L的集合測(cè)試區(qū)域。在一實(shí)施例中，提供一大面積基板至測(cè)試系統(tǒng)100，并且在基板移動(dòng)通 過(guò)系統(tǒng)時(shí)使用六個(gè)測(cè)試柱115n來(lái)測(cè)試基板。在另一實(shí)施例中，提供一大面 積基板至測(cè)試系統(tǒng)100，并且在基板移動(dòng)通過(guò)系統(tǒng)時(shí)使用八個(gè)測(cè)試柱115n 來(lái)測(cè)試基板。本發(fā)明不不受限于所揭露的電子束柱的數(shù)目，并且實(shí)際的數(shù)目 可以更多或更少，其取決于基板尺寸以及電子束或來(lái)自測(cè)試柱115。的束所 形成在基板上的測(cè)試區(qū)域而定。在其它實(shí)施例中，提供一大面積基板至測(cè)試 系統(tǒng)100，并且多個(gè)測(cè)試柱115n提供一小于基板長(zhǎng)度L或?qū)挾萕的集合測(cè) 試區(qū)域。在此實(shí)施例中，當(dāng)大面積基板移動(dòng)通過(guò)系統(tǒng)時(shí)，測(cè)試該基板的一部 分的長(zhǎng)度L或?qū)挾萕，或者利用 一可以動(dòng)于X方向及Y方向的基板支撐件 或平臺(tái)來(lái)測(cè)試基板的整個(gè)長(zhǎng)度L或?qū)挾萕。以此方式，通過(guò)依需要在多個(gè)測(cè) 試柱115n下方移動(dòng)基板且將基板定位于多個(gè)水平(X及Y方向)位置，以接近 基板的多個(gè)部分而測(cè)試整個(gè)寬度W或長(zhǎng)度L。第2圖是第1A與1B圖的測(cè)試柱的一實(shí)施例的立體圖，其中該測(cè)試柱 在此實(shí)施例中為一電子束柱215。電子束柱215包括一光軸210。在一實(shí)施 例中，第1A與1B圖的每一測(cè)試柱具有一光軸210,該光軸210由每一測(cè) 試柱115n的物鏡的長(zhǎng)軸來(lái)定義。電子束柱215的光軸210大致上包括大面 積基板105上的一測(cè)試區(qū)域200之中心區(qū)塊。每一電子束柱215被建構(gòu)以 產(chǎn)生測(cè)試區(qū)域200,測(cè)試區(qū)域200在一實(shí)施例中被定義成由電子束柱215 在基板105上所產(chǎn)生的電子束的質(zhì)量處理區(qū)域或可處理區(qū)域。在另一實(shí)施例 中，測(cè)試區(qū)域200被定義成由柱215所放出電子束的視野或掃瞄區(qū)，并且 大體上包括一可通過(guò)將電子束偏斜來(lái)處理的偏斜范圍。大量偏斜會(huì)降低在基 板上的束質(zhì)量，可處理大致上是指可以將具有確定的束質(zhì)量的束應(yīng)用于其上 的偏斜范圍。在一應(yīng)用中，對(duì)角線地測(cè)量每一電子束柱215的測(cè)試區(qū)域200，并且此 對(duì)角線的測(cè)量介于約380毫米至約440毫米之間，例如約410毫米至約430 毫米之間。在一些應(yīng)用中，在X與Y方向上線性地測(cè)量每一電子束柱215 在基板105上產(chǎn)生的測(cè)試區(qū)域200，并且此測(cè)量在Y方向介于約230毫米 至約270毫米之間且在X方向介于約340毫米至約380毫米之間。在另一 實(shí)施例中(未顯示)，測(cè)試區(qū)域在X方向與Y方向可以類似。由此，在一實(shí)施 例中，測(cè)試區(qū)域200可以約300毫米x300毫米，或更大。在一些應(yīng)用中， 在X方向所測(cè)量到的測(cè)試區(qū)域200可以介于約305毫米至約330毫米之間。 在另一實(shí)施例中，測(cè)試區(qū)域200在Y方向可以介于約240毫米至約260毫 米之間(例如約250毫米)，并且在X方向可以介于約350毫米至約370毫 米之間(例如約360毫米)。在另一實(shí)施例中，每一電子束柱的測(cè)試區(qū)域200在Y方向介于約325 毫米至約375毫米之間，并且在X方向介于約240毫米至約290毫米之間。 在另一實(shí)施例中，測(cè)試區(qū)域200在Y方向介于約355毫米至約365毫米之 間(例如約345毫米)，并且在X方向介于約260毫米至約280毫米之間(例 如約270毫米)。在其它實(shí)施例中，測(cè)試區(qū)域200小于或大于上述尺寸。例 如，測(cè)試區(qū)域200可以具有小于上述尺寸的尺寸，并且可以使用更多電子束 柱。在另一實(shí)例中，測(cè)試區(qū)域200可以大于前述尺寸，且使用更少電子束柱。 由此，每一電子束柱215的測(cè)試區(qū)域200根據(jù)基板尺寸與/或使用者偏好而 在基板上產(chǎn)生一集合測(cè)試區(qū)域。第3A圖為一示范性電子束柱315的一實(shí)施例，其可以被用在第1A圖 的測(cè)試系統(tǒng)100中而做為測(cè)試柱115n(雖然可以使用任何其它適合的電子束 柱)。類似于第2圖顯示的實(shí)施例，柱315包括一光軸301。電子束柱315 中的光學(xué)系統(tǒng)導(dǎo)引 一主要電子束303朝向 一標(biāo)靶302 ，其中該標(biāo)靶302 .在一 實(shí)施例中是具有多個(gè)電子器件333于其上的大面積基板。主要電子束303 被一電子發(fā)射器332(例如六硼化鑭(LaBe)發(fā)射器)發(fā)射。電子發(fā)射、束電流 與第一交叉(crossover)的形狀可以由一柵334來(lái)控制，其中該柵334可以 是Wehnelt柵。束能量與束形狀可以由在陽(yáng)極338中的束塑形孔339來(lái)控 制。聚焦鏡312(包括線圈313)與物鏡314(包括線圈314)成像出電子束。鏡 314可以是磁性的、靜電的、或組合的靜電磁性鏡。在一實(shí)施例中，物鏡314 包括主聚焦單元與次聚焦單元。當(dāng)因?yàn)榫€圏中的靜電感應(yīng)使得主聚焦單元無(wú) 法提供快速修正時(shí)，次聚焦單元(其可以是例如為磁性的或竟點(diǎn)的)被用于微 幅調(diào)整。偏斜系統(tǒng)示范性地包括磁性偏斜件316A且選擇性地包括靜電偏斜件 316B,它使電子束偏斜且導(dǎo)引電子束至標(biāo)靶302上一位置。在主要電子束 303撞擊至標(biāo)靶302上期間，會(huì)釋放出粒子(例如二次或后向散射電子、光 子、或X射線)。這些粒子(其在此大致上被稱為二次粒子)被一收集器332 導(dǎo)引至一檢測(cè)器324，其中該收集器332具有一個(gè)或多個(gè)電極以導(dǎo)引二次粒 子(根據(jù)在收集器322上位置)至檢測(cè)器324。檢測(cè)器324可以檢測(cè)由主要電 子束303的撞擊位置所釋放出的二次粒子。槍區(qū)域典型地可以是分離的真空腔室，其經(jīng)由閥305被真空泵304所 凈空，真空泵304可以為離子吸氣泵(ion getter pump)。在一實(shí)施例中，如 以下所述來(lái)控制主要束發(fā)射。電流源通過(guò)提供電流來(lái)加熱發(fā)射器332,可以 由例如溫度(其可以介于約1100。K至約1400。K之間)來(lái)控制電流。典型地， 做為陰極的發(fā)射器332的溫度可以為約1250°K。在一實(shí)施例中，主要能量 電壓源335A施加一介于約500 V至約900 V(典型地為約700V)的抽取電壓 以從發(fā)射器332或陰極抽取出電子。柵334進(jìn)一步地將電子束聚焦，以形 成第一交叉。消隱電壓源335C經(jīng)由開(kāi)關(guān)336被連接至柵334。在一 實(shí)施例中，柵電 壓可以被改變約200 V。降低柵電壓200 V會(huì)減少抽取電壓至沒(méi)有電子從發(fā) 射器332被抽取出的量。由此，開(kāi)關(guān)336可以用來(lái)在電子發(fā)射與無(wú)電子發(fā) 射之間切換。開(kāi)關(guān)336與消隱電壓源335形成消隱單元，以使得沒(méi)有電子 從發(fā)射器332發(fā)射出。相對(duì)于標(biāo)靶302的電子束的主要能量是被主要能量電壓源335A所控 制。在第3A圖顯示的實(shí)施例中，標(biāo)靶302與陽(yáng)極338可以位于接地電位。
電子被發(fā)射且朝向陽(yáng)極338被加速至一個(gè)相應(yīng)于主要能量電壓源335A的電 壓的能量。在通過(guò)孔339與柵334之后，電子以相應(yīng)于主要能量電壓源335A 的電壓的能量撞擊到標(biāo)靶302上。主要能量可以介于約1 keV至約30keV 范圍內(nèi)，例如介于約1.5keV至約20keV范圍內(nèi)，譬如約10keV。在另一 實(shí)例中，用于主要束的加速電壓可以高達(dá)至約12 kV，且在一些應(yīng)用中加速 電壓可以約為2 kV。
第3B圖為一大面積基板105上集合測(cè)試區(qū)域350的一部分的實(shí)施例立 體圖。此部分的集合測(cè)試區(qū)域350是由來(lái)自一個(gè)或多個(gè)電子束柱215A-215C 的電子束所產(chǎn)生，其中這些電子束柱215A-215C可以是第3A圖顯示的電子 束柱315。當(dāng)使用六個(gè)電子束柱時(shí)，電子束柱215A-215C具有在X方向約 1950毫米至約2250毫米且在Y方向約240毫米至約290毫米的集合測(cè)試 區(qū)域。在另一實(shí)施例中，當(dāng)使用八個(gè)電子束柱時(shí)，此八個(gè)電子束柱具有在X 方向約1920毫米至約2320毫米且在Y方向約325毫米至約375毫米的集 合測(cè)試區(qū)域。在一實(shí)施例中，相鄰的電子束柱可以在相鄰的測(cè)試區(qū)域具有一 重迭區(qū)325，其介于約0.001毫米至約2毫米之間，例如約1毫米。在另一 實(shí)施例中，相鄰電子束柱215A-215C的測(cè)試區(qū)域不具有一重迭區(qū)325，因 此僅彼此石並觸而具有一可忽略的間隙或沒(méi)有間隙。在其它實(shí)施例中，集合測(cè)試區(qū)域350小于或大于上述尺寸。例如，集合 測(cè)試區(qū)域350可以具有小于上述尺寸的更小區(qū)域，且可以使用更多個(gè)電子束 柱。在另一實(shí)例中，集合測(cè)試區(qū)域350大于上述尺寸，且可以使用更少個(gè)電 子束柱。由此，每一電子束柱215A-215C的集合測(cè)試區(qū)域350可以根據(jù)基 板尺寸、基板支撐件的X與丫移動(dòng)能力、與/或使用者偏好而變化。多個(gè)電子束柱215A-215C的相鄰定位以及發(fā)射至基板105上的各個(gè)測(cè) 試區(qū)域200，會(huì)導(dǎo)致來(lái)自電子束柱所產(chǎn)生的迷失的二次粒子的串?dāng)_，其中該 電子束柱對(duì)準(zhǔn)在另一柱的測(cè)試區(qū)域200與/或檢測(cè)器324(第3A圖)中。來(lái)自 電子束柱的主要束而在相鄰電子束柱的測(cè)試區(qū)域中被檢測(cè)為二次電子的迷 失二次粒子會(huì)在測(cè)試系統(tǒng)中產(chǎn)生錯(cuò)誤。為了避免或減少來(lái)自 一 電子束柱的主要束而在相鄰電子束柱的測(cè)試或 檢測(cè)區(qū)域中被檢測(cè)為二次電子的迷失二次粒子，多個(gè)電子束柱215A-215C 的各個(gè)束位置與脈沖被同步化。在一實(shí)施例中，電子束柱猝發(fā)(burst)(其包含 主要束設(shè)置與脈沖)以下述方式被同步化，即該猝發(fā)被導(dǎo)向至柱的各個(gè)測(cè)試 區(qū)域的第 一位置，并且來(lái)自相鄰柱的猝發(fā)被導(dǎo)向至位于相鄰的各個(gè)測(cè)試區(qū)域 內(nèi)的第二位置。在各個(gè)測(cè)試區(qū)域中的第 一 位置與第二位置能夠以下述方式被 分隔開(kāi)，即來(lái)自一個(gè)柱的主要束的任何迷失二次電子將一個(gè)可忽略的信號(hào)迭 加到各個(gè)相鄰測(cè)試或檢測(cè)區(qū)域中。在一實(shí)施例中，使用電子束的向量掃瞄或 同步偏斜。然而，在此系統(tǒng)的相鄰柱之間，掃瞄或偏斜可以不被調(diào)節(jié)或被同 步化。第1A與1B圖顯示的系統(tǒng)的每一測(cè)試柱115n在相應(yīng)的測(cè)試區(qū)域上方偏 斜電子束。在每一測(cè)試區(qū)域內(nèi)，有多個(gè)電子束被偏斜至此的位置。這些位置 的每一位置相應(yīng)于測(cè)試區(qū)域中基板上的一個(gè)或多個(gè)電子器件(例如一像素)。 由此，第1A與1B圖的測(cè)試柱115n以及第3A與3B圖的電子束柱如以下 敘述被操作。對(duì)于安置時(shí)間，電子束被關(guān)閉，其中電子束從一像素被移動(dòng)至 另一像素。偏斜可以被提供成猝發(fā)，其中一猝發(fā)是指利用磁性偏斜件316A 使電子束偏斜。磁性偏斜件，其具有約5微秒至約30微秒范圍內(nèi)的安置時(shí) 間(典型地約13 ^f敬秒)，使束朝向測(cè)試區(qū)域的一部分偏斜。在此部分的測(cè)試 區(qū)域內(nèi)，可以使用靜電偏斜件316B，靜電偏斜件316B具有更快速的安置 時(shí)間，例如介于約300納秒至約600納秒范圍內(nèi)的安置時(shí)間(典型地約500 納秒)。靜電偏斜件316B用以將束從一像素偏斜至另一像素。對(duì)每一個(gè)像素， 電子束可以單獨(dú)地被開(kāi)啟，且在每一安置時(shí)間期間被關(guān)閉，無(wú)論其為靜電偏 斜件316B的安置時(shí)間或磁性偏斜件316A的安置時(shí)間。通過(guò)操作靜電偏斜件316B在一猝發(fā)期間內(nèi)處理測(cè)試區(qū)域的一部分中的 所有像素之后，利用磁性偏斜件316A使電子束偏斜至該測(cè)試區(qū)域的未經(jīng)測(cè) 試部分。在該測(cè)試區(qū)域的未經(jīng)測(cè)試部分內(nèi)，靜電偏斜件316B再次地導(dǎo)引電 子束至個(gè)別的像素。由此，靜電偏斜件316B也可以被標(biāo)記為子偏斜件。在另一實(shí)施例中，利用主時(shí)鐘信號(hào)來(lái)同步化來(lái)自測(cè)試柱115n的電子束 脈沖。尤其當(dāng)應(yīng)用電子束的向量定位時(shí)，多個(gè)鄰近柱的主要電子束不會(huì)同步 地被偏斜于相同方向。例如參閱第3B圖，電子束柱215B使束偏斜至相應(yīng) 測(cè)試區(qū)域200的右側(cè)，而在一類似的定時(shí)，電子束柱215C使電子束偏斜至
相應(yīng)測(cè)試區(qū)域200的左側(cè)。因而，來(lái)自接近地隔開(kāi)的主要電子束的串?dāng)_會(huì)發(fā) 生。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，通過(guò)同步化欲被延遲的多個(gè)鄰近的柱而使得多 個(gè)鄰近的柱的讀取時(shí)間窗口相對(duì)于相鄰的柱被延遲，可以消除或顯著地減少 串?dāng)_。讀取時(shí)間的同步化或延遲有助于改善的結(jié)果，因?yàn)槎鄠€(gè)鄰近或相鄰的 柱的信號(hào)沒(méi)有在相同時(shí)間被對(duì)準(zhǔn)。第4A圖顯示一電子束脈沖420與一讀取窗口 430，其中該讀取窗口 430 相對(duì)于電子束脈沖420被延遲一延時(shí)416。電子束脈沖可以具有約500納秒 至約900納秒的長(zhǎng)度(典型地約750納秒)。信號(hào)延時(shí)是通過(guò)電子束及二次與 /或后向散射粒子的傳播以及通過(guò)信號(hào)傳播及對(duì)準(zhǔn)來(lái)造成。如第4A圖所示， 電子束脈沖在電子束裝置的檢測(cè)器產(chǎn)生一信號(hào)，其被延遲一延時(shí)416。在一 實(shí)施例中，延時(shí)416介于約400納秒至約1000納秒之間。第4B圖顯示兩個(gè)電子束脈沖420A與420B，其可以例如從鄰近或相鄰 柱傳播。讀取窗口 430A與430B分別地被延遲了延時(shí)416A與416B。脈沖 420A產(chǎn)生的信號(hào)存在于讀取窗口 430A期間，并且脈沖420B產(chǎn)生的信號(hào)存 在于讀取窗口 430B期間。因?yàn)榈谝恍盘?hào)檢測(cè)將僅在讀取窗口 430A期間被 激活，來(lái)自電子束脈沖420B的串?dāng)_可以被消除或顯著地被減少；同樣地， 第二信號(hào)檢測(cè)將僅在讀取窗口 430B期間被激活，來(lái)自電子束脈沖420A的 串?dāng)_可以被消除或顯著地被減少。第4C圖顯示了利用主時(shí)鐘信號(hào)410的同步化方法400的一實(shí)施例。此 圖表對(duì)于奇數(shù)電子束柱(例如柱1與柱3)包括電子束脈沖420A與讀取窗口 430A,并且對(duì)于偶數(shù)電子束柱(例如柱2與柱4)包括電子束脈沖420B與讀 取窗口 430B。電子束脈沖420A被開(kāi)啟以脈沖產(chǎn)生主時(shí)鐘信號(hào)410的上升 沿412，并且電子束脈沖420B被開(kāi)啟以脈沖產(chǎn)生主時(shí)鐘信號(hào)410的下降沿 414。在一實(shí)施例中，每一上升沿與下降沿系為分開(kāi)的觸發(fā)事件，其中第一 觸發(fā)事件被提供用在奇數(shù)電子束柱且第二觸發(fā)事件被提供用在偶數(shù)電子束 柱。對(duì)于任何奇數(shù)電子束柱，任何奇數(shù)柱的電子束可以通過(guò)主時(shí)鐘信號(hào)410 被開(kāi)啟以具有一實(shí)質(zhì)上同時(shí)的脈沖/讀取圖案。偶數(shù)柱(例如柱2與柱4)具有 一電子束脈沖420B，其被開(kāi)啟于主時(shí)鐘信號(hào)10的下降沿414上。對(duì)于任 何偶數(shù)電子束柱，任何偶數(shù)柱的電子束可以通過(guò)主時(shí)鐘信號(hào)410被開(kāi)啟以具 有 一 實(shí)質(zhì)上同時(shí)的脈沖/讀取圖案。由于偶數(shù)與奇數(shù)柱沒(méi)有直接地彼此相鄰， 如前述的至少一個(gè)測(cè)試區(qū)域的距離介于偶數(shù)柱與奇數(shù)柱之間。由此，偶數(shù)柱 之間的串?dāng)_與奇數(shù)柱之間的串?dāng)_可以忽略或不存在。依此方式，可以以實(shí)質(zhì)上同時(shí)的增量來(lái)切換奇數(shù)電子束柱的電子束脈沖420A,并且可以以實(shí)質(zhì)上同時(shí)的增量來(lái)切換偶數(shù)電子束柱的電子束脈沖 420B。奇數(shù)電子束柱(例如柱1與柱3)的讀取窗口 430A與偶數(shù)電子束柱(例 如柱2與柱4)的讀取窗口 430B都具有一延時(shí)416。如同前述關(guān)于第4B圖 的說(shuō)明，這些讀取窗口彼此分開(kāi)。因?yàn)榈谝恍盘?hào)檢測(cè)將僅在讀取窗口 430A 期間被激活，來(lái)自電子束脈沖420B的串?dāng)_可以被消除或顯著地被減少。因 為第二信號(hào)檢測(cè)將僅在讀取窗口 430B期間被激活，來(lái)自電子束脈沖420A 的串?dāng)_可以被消除或顯著地被減少。電子束柱不會(huì)在鄰近柱的讀取窗口期間 產(chǎn)生信號(hào)。在操作時(shí)，以下將描述第1A圖顯示的測(cè)試系統(tǒng)100(包括測(cè)試柱115n) 的定時(shí)順序。每一個(gè)柱被操作成猝發(fā)，其涉及到磁性偏斜件316A的控制以 將電子束偏斜至具有多個(gè)像素的測(cè)試區(qū)域的一部分，其中該像素被稱為每一 測(cè)試區(qū)域200內(nèi)的子測(cè)試區(qū)域。在猝發(fā)期間，在子測(cè)試區(qū)域的各個(gè)部分內(nèi)， 靜電偏斜件316B使束從一像素偏斜至另一像素。在子測(cè)試區(qū)域的所有像素 已經(jīng)被測(cè)試之后(亦即一猝發(fā)的所有像素已經(jīng)被測(cè)量)，測(cè)試區(qū)域的下一部分 會(huì)被處理(亦即束被偏斜至另 一 子測(cè)試區(qū)域)。在每 一 個(gè)從 一 像素至另 一 像素 的偏斜之間，電子束被關(guān)閉，其中該偏斜包括在一猝發(fā)至捽發(fā)圖案中從一個(gè) 子測(cè)試區(qū)域至測(cè)試區(qū)域的另 一 子測(cè)試區(qū)域的偏斜。在電子束柱被偏斜至測(cè)試區(qū)域的下一個(gè)子測(cè)試區(qū)域時(shí)，奇數(shù)柱被延遲至 主信號(hào)的上升沿，且偶數(shù)柱被延遲至主信號(hào)的下降沿。在另一實(shí)施例中，系 統(tǒng)也可以被操作成偶數(shù)柱是由上升沿來(lái)觸發(fā)且奇數(shù)柱是由下降沿來(lái)觸發(fā)。系統(tǒng)系被操作成其中沒(méi)有鄰近電子束柱被觸發(fā)于相同時(shí)間。觸發(fā)事件不 受安置時(shí)間的支配。若從一像素至另 一像素的安置時(shí)間由 一猝發(fā)至猝發(fā)偏斜 (亦即利用磁性偏斜件(約13微秒的安置時(shí)間)的偏斜)所造成，會(huì)經(jīng)歷多個(gè)上 升/下降沿(主信號(hào)事件)。發(fā)生束偏斜(其可以是磁性與靜電偏斜的組合)時(shí)，
下一個(gè)上升/下降沿觸發(fā)該柱，其取決于是否一奇數(shù)或偶數(shù)柱欲被觸發(fā)。若從一像素至另一像素的安置時(shí)間是利用靜電偏斜件(約500微秒的安置時(shí)間) 造成的，則主信號(hào)事件不會(huì)發(fā)生。對(duì)于一猝發(fā)內(nèi)偏斜的情況中，電子束可以 正確地被定位而使得兩個(gè)接續(xù)的上升/下降沿能夠觸發(fā)柱，其取決于是否一 奇數(shù)或偶數(shù)柱欲被觸發(fā)。然而，若一主信號(hào)事件發(fā)生于一猝發(fā)內(nèi)，且靜電偏 斜系統(tǒng)尚未將電子束定位至希望的像素，則會(huì)經(jīng)歷一個(gè)、兩個(gè)或一些主信號(hào) 事件。 一旦束偏斜正確地被定位時(shí)，下一個(gè)上升/下降沿系觸發(fā)柱，其取決 于是否一奇數(shù)或偶數(shù)柱欲被觸發(fā)。大體上，許多像素被測(cè)試于一猝發(fā)內(nèi)。只要偶數(shù)柱利用具有實(shí)質(zhì)上相同 定時(shí)的猝發(fā)，且奇數(shù)柱利用具有實(shí)質(zhì)上相同定時(shí)的猝發(fā)，則柱或欲被同步化 的多個(gè)柱只有必須等待下一個(gè)相應(yīng)的觸發(fā)事件。由此，對(duì)于產(chǎn)能的影響可以 忽略。在另一實(shí)施例中，奇數(shù)柱的觸發(fā)事件與偶數(shù)柱的觸發(fā)事件不是主信號(hào)的 上升或下降沿，而是分開(kāi)地被提供觸發(fā)事件，其被同步化而使得用于奇數(shù)電 子束柱的觸發(fā)事件與用于偶數(shù)電子束柱的觸發(fā)事件發(fā)生于不同期間且不會(huì)相符合。根據(jù)又進(jìn)一步實(shí)施例，第1A圖顯示的系統(tǒng)的每一柱115n具有其自身的觸發(fā)事件。當(dāng)多個(gè)鄰近柱是在不同時(shí)間且不會(huì)同時(shí)發(fā)時(shí)生，可以避免或 消除串?dāng)_。雖然前述說(shuō)明是著重于本發(fā)明的實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明的基本范圍 下，可以構(gòu)想出本發(fā)明的其它與進(jìn)一步實(shí)施例，并且本發(fā)明的范圍系由隨附 申請(qǐng)專利范圍所決定。
權(quán)利要求
1. 一種用于減少至少第一電子束柱與至少第二電子束柱之間的串?dāng)_的方法，其中第二電子束柱鄰近于第一電子束柱，該方法包含提供第一觸發(fā)事件；在第一觸發(fā)事件之后的第一預(yù)定時(shí)間，用第一電子束柱將第一電子束脈沖發(fā)射到基板上；在第一觸發(fā)事件之后的第二預(yù)定時(shí)間，在第一讀取窗口中檢測(cè)來(lái)自第一電子束脈沖的第一信號(hào)；提供第二觸發(fā)事件；在第二觸發(fā)事件之后的第三預(yù)定時(shí)間，用第二電子束柱將第二電子束脈沖發(fā)射到基板上；以及在第二觸發(fā)事件之后的第四預(yù)定時(shí)間，在第二讀取窗口中檢測(cè)來(lái)自第二電子束脈沖的第二信號(hào)，其中第一讀取窗口與第二讀取窗口占據(jù)不同的時(shí)間周期。
2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，第一預(yù)定時(shí)間基本上等于 第三預(yù)定時(shí)間，且第二預(yù)定時(shí)間基本上等于第四預(yù)定時(shí)間。
3. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，第一讀取窗口與第二讀取 窗口不重迭。
4. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，第一觸發(fā)事件是主信號(hào)的 上升沿，且第二觸發(fā)事件是主信號(hào)的下降沿。
5. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，第一觸發(fā)事件是主信號(hào)的 下降沿，且第二觸發(fā)事件是主信號(hào)的上升沿。
6. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，每一個(gè)電子束柱包含一個(gè)在基板上經(jīng)對(duì)角線測(cè)量約為380毫米x440毫米的測(cè)試區(qū)域。
7. —種用于減少多個(gè)奇數(shù)電子束柱之間的串?dāng)_的方法，在多個(gè)奇數(shù)電 子束柱之間有至少一個(gè)偶數(shù)電子束柱，該方法包含提供具有上升沿與下降沿的主時(shí)鐘信號(hào)；同步化來(lái)自多個(gè)奇數(shù)電子束柱或至少一個(gè)偶數(shù)電子束柱的電子的第一 脈沖，其中該第一脈沖與上升沿相符合；以及同步化來(lái)自多個(gè)奇數(shù)電子束柱或至少一個(gè)偶數(shù)電子束柱的電子的第二 脈沖，其中該第二脈沖與下降沿相符合，其中第一脈沖與第二脈沖以一延時(shí) 而《皮此分隔。
8. 如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，這些同步化步驟包括同 步化第一脈沖以在上升沿之前、之后或等于上升沿時(shí)的預(yù)定周期進(jìn)行發(fā)射； 以及同步化第二脈沖以在下降沿之前、之后或等于下降沿時(shí)的預(yù)定周期進(jìn)行 發(fā)射。
9. 如權(quán)利要求8所述的方法，更包含在第一脈沖之后，在第一讀取窗口中檢測(cè)來(lái)自奇數(shù)電子束柱的第一信 號(hào)；以及在第二脈沖之后，在第二讀取窗口中檢測(cè)來(lái)自至少一個(gè)偶數(shù)電子束柱的 第二信號(hào)。
10. 如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，電子的第一脈沖是從奇數(shù) 電子束柱發(fā)射的，且電子的第二脈沖是從至少 一個(gè)偶數(shù)電子束柱發(fā)射的。
11. 如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，每一個(gè)電子束柱包含一個(gè) 在基板上經(jīng)對(duì)角線測(cè)量約為380毫米x 440毫米的測(cè)試區(qū)域。
12. 如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，每一個(gè)電子束柱包含一個(gè) 在基板上沿X方向約為305毫米至330毫米的測(cè)試區(qū)域。
13. 如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述延時(shí)介于約400納秒 與約1000納秒之間。
14. 一種電子束測(cè)試系統(tǒng)，包含 多個(gè)電子束柱，其包含一個(gè)或多個(gè)奇數(shù)柱與 一個(gè)或多個(gè)偶數(shù)柱，每一個(gè)電子束柱都包括消 隱系統(tǒng)與檢測(cè)器；以及同步化裝置，其具有主時(shí)鐘信號(hào)，該主時(shí)鐘信號(hào)定義第一觸發(fā)事件 與第二觸發(fā)事件，其中每一個(gè)電子束柱的消隱系統(tǒng)與檢測(cè)器與該主時(shí)鐘 信號(hào)相通，并且一個(gè)或多個(gè)奇數(shù)柱的消隱系統(tǒng)在第一觸發(fā)事件處被觸 發(fā)，且一個(gè)或多個(gè)偶數(shù)柱的消隱系統(tǒng)在第二觸發(fā)事件處被觸發(fā)，或反之 亦然。
15. 如權(quán)利要求14所述的測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于， 一個(gè)或多個(gè)偶數(shù)柱 在第一觸發(fā)事件處被觸發(fā)，且一個(gè)或多個(gè)奇數(shù)柱在第二觸發(fā)事件處被觸發(fā)。
16. 如權(quán)利要求14所述的測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，多個(gè)電子束柱是相 鄰是且位于一個(gè)基本上筆直的線中。
17. 如權(quán)利要求14所述的測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，每一個(gè)電子束柱都 具有測(cè)試區(qū)域。
18. 如權(quán)利要求14所述的測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于， 一個(gè)或多個(gè)奇數(shù)柱 的消隱系統(tǒng)在第 一觸發(fā)事件之后的第 一預(yù)定時(shí)間進(jìn)行切換，且一個(gè)或多個(gè)偶 數(shù)柱的消隱系統(tǒng)在第二觸發(fā)事件之后的第二預(yù)定時(shí)間進(jìn)行切換。
19. 如權(quán)利要求18所述的測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，第一預(yù)定時(shí)間與第 二預(yù)定時(shí)間不重迭。
20. 如權(quán)利要求18所述的測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，第一預(yù)定時(shí)間與第二預(yù)定時(shí)間是不同的。
21. 如權(quán)利要求14所述的測(cè)試系統(tǒng)，更包含讀取窗口，其與同步化裝置和檢測(cè)器相通，其中在第一觸發(fā)事件之后的第一周期內(nèi)開(kāi)啟用于一個(gè)或多個(gè)奇數(shù)柱的讀取窗口 ，且在第二觸發(fā)事件之后 的第二周期內(nèi)開(kāi)啟用于一個(gè)或多個(gè)偶數(shù)柱的讀取窗口 。
22. 如權(quán)利要求21所述的測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，第一周期與第二周 期是不同的，且不重迭。
23. 如權(quán)利要求14所述的測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，多個(gè)電子束柱包括 至少六個(gè)電子束柱。
24. 如權(quán)利要求14所述的測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，多個(gè)電子束柱包括 至少八個(gè)電子束柱。
25. 如權(quán)利要求14所述的測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，每一個(gè)電子束柱包 含一個(gè)在基板上經(jīng)對(duì)角線測(cè)量約為380毫米x440毫米的測(cè)試區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種用以減少或消除多個(gè)電子束之間串?dāng)_的方法與設(shè)備。多個(gè)電子束在大面積基板上產(chǎn)生多個(gè)相鄰的測(cè)試區(qū)域，其中來(lái)自一測(cè)試區(qū)域的二次電子可以在一相鄰的測(cè)試區(qū)域中被檢測(cè)出。在一實(shí)施例中，主要束發(fā)射以及來(lái)自該主要束的二次電子的檢測(cè)的定時(shí)被控制，以消除或減少來(lái)自另一主要束的二次電子的檢測(cè)的可能性。
文檔編號(hào)G01N23/00GK101400991SQ200780009222
公開(kāi)日2009年4月1日 申請(qǐng)日期2007年3月12日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月14日
發(fā)明者R·施米特, T·施韋德斯 申請(qǐng)人:應(yīng)用材料股份有限公司