專利名稱：室內(nèi)粒子偵測(cè)系統(tǒng)的制作方法
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室內(nèi)粒子偵測(cè)系統(tǒng)
背景技術(shù)：
在處理半導(dǎo)體基片如硅晶圓時(shí)，由于粒子附著于上述基片表面 而導(dǎo)致的產(chǎn)量降低，從而使粒子性能成為關(guān)注的焦點(diǎn)。在基片處理 過(guò)程中或者之后，處理室內(nèi)落在該基片上的粒子能使產(chǎn)量降低。因 此，控制處理室內(nèi)的粒子量到最小限度以確保良好的產(chǎn)率是至關(guān)重要的。
在處理室內(nèi)的粒子有很多來(lái)源。工藝氣體和基片處理能夠產(chǎn)生 粒子。沉積在位于處理室內(nèi)或室壁上的元件上、來(lái)自工藝氣體或者 工藝副產(chǎn)品的膜也能夠產(chǎn)生粒子。粒子也能在由不同的機(jī)械裝置進(jìn) 行處理室硬件維護(hù)的過(guò)程中引入到處理室內(nèi)，例如當(dāng)將元件放回室
內(nèi)時(shí)留在室內(nèi)的清洗溶液殘余物。如果閘閥^皮夾得過(guò)緊或者o型圈 質(zhì)量很差，處理室的閘閥上的o型圈也能夠產(chǎn)生粒子。
傳統(tǒng)上，處理室內(nèi)的粒子性能是通過(guò)測(cè)量處理過(guò)的基片上的粒 子尺寸或者凄t量而監(jiān)測(cè)的。該粒子性能測(cè)量可以定期進(jìn)4于以監(jiān)測(cè)處 理室性能，或者在處理室硬件維護(hù)之后進(jìn)行以使處理室合格。如果 在基片上偵測(cè)到大量的粒子，就需要確認(rèn)粒子源，該問(wèn)題需要在基 片能夠進(jìn)行進(jìn)一步的處理之前或者在處理室合才各之前得到解決。
傳統(tǒng)上，粒子源確認(rèn)是通過(guò)運(yùn)行不同的處理室處理和/或硬件參 數(shù)的實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)來(lái)完成。測(cè)量用實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)處理的基片的粒子性能以確 定哪一項(xiàng)參數(shù)影響了粒子尺寸和數(shù)量。然而，這一粒子源確認(rèn)過(guò)程
非常耗費(fèi)勞力且費(fèi)時(shí)。
6鑒于前述情況，需要提供改進(jìn)的處理室粒子源確認(rèn)機(jī)構(gòu)，以減 少用于確^人該^立子源的時(shí)間和資源。該改進(jìn)的處理室并立子源確i/v才幾 構(gòu)可以提高總體的處理室粒子性能和生產(chǎn)能力。

發(fā)明內(nèi)容
大體而言，本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)提供改進(jìn)的處理室粒子源確認(rèn)裝 置而滿足了需求。該原位(in-situ)處理室粒子源確認(rèn)方法和裝置 可以才及大i也縮4豆用于確i人處理室斗立子源所花費(fèi)的時(shí)間，這可以提高 用于生產(chǎn)系統(tǒng)的處理室的生產(chǎn)能力。該方法和裝置也可以用于在處 理室工程研制階段;險(xiǎn)測(cè)元件的粒子性能。應(yīng)當(dāng)注意，本發(fā)明可以多 種方式加以實(shí)現(xiàn)，包含工藝、設(shè)備或系統(tǒng)。以下將殺又述本發(fā)明的多 個(gè)創(chuàng)殺斤'l"生實(shí)施例。
在一個(gè)實(shí)施例中，用于半導(dǎo)體處理室的原〗立處理室斗立子監(jiān)測(cè)組 件包括至少 一個(gè)激光光源。該至少 一個(gè)激光光源可以在處理室內(nèi)的 室處理體積內(nèi)掃描激光光。該原位處理室并立子監(jiān)測(cè)組件還包括至少 一個(gè)激光光收集器。該至少一個(gè)激光光收集器可以收集由該至少一 個(gè)激光光源發(fā)出的激光光。該處理室粒子監(jiān)測(cè)組件還包括位于處理 室外的分析器，用于分析代表由該至少一個(gè)激光光收集器收集的激 光光的信號(hào)以提供室內(nèi)粒子信息。
在另一實(shí)施例中，具有確認(rèn)處理室粒子源的原位處理室粒子監(jiān) 測(cè)組件的處理室包括位于處理室內(nèi)的基片支撐件。該處理室還包括 〃f立于該基片支撐件上方的處理室頂才反。另外，該處理室包4舌至少一 個(gè)i敫光光源，其中該至少一個(gè)纟敫光光源可以在處理室內(nèi)的室處理體 禾口、 ( chamber process volume )內(nèi)434苗;敫光光，it室處J里體禾只由it基 片支撐4牛和該處理室頂纟反所限定。該處理室還包4舌至少一個(gè);敫光光 收集器，其中該至少一個(gè)激光光收集器可以收集由至少一個(gè)激光光 源發(fā)出的激光光。另外，該處理室包括一個(gè)位于處理室外的分析器，用于分析由該至少一個(gè)激光光收集器收集的代表激光光的信號(hào)以 提供室內(nèi)粒子信息。
在又一 實(shí)施例中，收集原位處理室粒子信息的方法包4舌在處理 室內(nèi)的處理體積內(nèi)掃描由激光光源發(fā)出的激光光。該方法還包4舌由 多個(gè)激光光收集器收集處理室內(nèi)的激光光。另外，該方法包括分析 該收集來(lái)的激光光以確定處理室粒子4言息。
從下列的詳細(xì)描述并且結(jié)合附圖以本發(fā)明的原理示例的方式 力口以說(shuō)明，本發(fā)明的其他方面和優(yōu)點(diǎn)將更加清晰。


通過(guò)下述結(jié)合相關(guān)附圖地詳細(xì)描述，本發(fā)明將更容易了解，相 同的標(biāo)號(hào)代表相同的元件。
圖1A是本發(fā)明處理室內(nèi)的原位粒子偵測(cè)系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施例的 剖面示意圖。
圖1B是圖1A中處理室內(nèi)的原位粒子偵測(cè)系統(tǒng)的 一 個(gè)實(shí)施例的
俯視圖。
圖1C是圖1A中處理室內(nèi)的原位粒子偵測(cè)系統(tǒng)的另 一 實(shí)施例的
俯視圖。
圖2 A是具有處理室4于墊的處理室內(nèi)原4立并立子偵測(cè)系統(tǒng)的 一 個(gè) 實(shí)施例的剖面示意圖。
圖2B是圖2A中處理室內(nèi)原位粒子偵測(cè)系統(tǒng)的 一個(gè)實(shí)施例的俯視圖。圖3是處理室體積內(nèi)的4立子偵測(cè)系統(tǒng)的示意圖。 圖4是確定處理室內(nèi)的處理室粒子信息的流程圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將描述改進(jìn)的更有效率的處理室粒子確認(rèn)系統(tǒng)、方法和裝 置的幾個(gè)示范性實(shí)施例。本領(lǐng)域4支術(shù)人員應(yīng)當(dāng)了解在未4吏用本文 中所述的部分或者全部特定細(xì)節(jié)的情況下，仍可實(shí)4亍本發(fā)明。
如前所述，通過(guò)運(yùn)行不同的處理室處理和/或硬件參數(shù)的實(shí)驗(yàn)設(shè) 計(jì)來(lái)進(jìn)4亍的傳統(tǒng)的粒子源確i人方法非常肆毛費(fèi)時(shí)間和資源。迅速的4立 子源確認(rèn)對(duì)于減少處理室送回制造狀態(tài)所花的時(shí)間是非常重要的。 有效的原位處理室粒子確認(rèn)方法和裝置可以才是供穩(wěn)定的處理室內(nèi) 粒子的信息。通過(guò)檢查該粒子信息，該信息包括粒子尺寸、數(shù)量和 灃立子位置，可以找到4立子源或者確i人進(jìn)一步研究的方向。例如，如 果室內(nèi)粒子大量位于靠近傳送孔，可懷S是該傳送孔引起了粒子問(wèn) 題?？梢詸z查或者替換傳送孔的元件，如O型圏，以得知該粒子問(wèn) 題是否可以解決。另外，也可以研究該傳送孔的操作參數(shù)以檢測(cè)他 們對(duì)于粒子問(wèn)題的影響。例如，可以降低作用于傳送孔閘閥上的夾 持力以檢測(cè)粒子問(wèn)題是否降低，因?yàn)閭魉涂组l閥被夾持的太緊會(huì)損 壞該O型圈從而引起粒子問(wèn)題。
該直4妄和瞬時(shí)的處理室并立子j言息可以才及大i也縮4豆用于確i人4立 子源所花的時(shí)間，這可以4是高用于制造系統(tǒng)的處理室生產(chǎn)能力。另 外，該方法和裝置也可以用于在處理室工程研制階賴:檢測(cè)元件的粒 子性能，以縮4豆處理室研制時(shí)間。
本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例由至少一個(gè)激光光源掃描激光光進(jìn)入處理 室內(nèi)的處理體積。在一個(gè)實(shí)施例中，該處理體積是處理室內(nèi)的基片支撐4牛上方和周圍以及處理室頂^反下方的區(qū)i或。該處J里室可以是4壬 4可形式的處理室，例如化學(xué)氣相沉積處理室、等離子蝕刻室或者熱 氣相沉積，只要該室是封閉的。被激光光源覆蓋(或者掃描的)的
光是優(yōu)選的光源因?yàn)樗墓馐菃?一 波長(zhǎng)(因此它是單色光-對(duì)于粒子
計(jì)數(shù)器通常是紅光或紅外光)。固體狀的激光二^L管因其尺寸小、 重量4至和平均古文障間隔時(shí)間(MTBF)而可^皮應(yīng)用于實(shí)施例中。
該激光光可被裝在處理室內(nèi)的至少一個(gè)激光光偵測(cè)器(如光電 偵測(cè)器或照相機(jī))捕捉到。光電偵測(cè)器是對(duì)光敏感的電子裝置。任 4可射到該光電偵測(cè)器的光都會(huì)〗吏得該光電偵測(cè)器發(fā)出電3永沖。該電 脈沖可以解析為與粒子^:量、尺寸和位置有關(guān)。由于對(duì)光壽文感也可 以使用數(shù)碼相機(jī)。該光偵測(cè)器能夠連續(xù)地收集粒子數(shù)據(jù)以監(jiān)測(cè)該室 內(nèi)粒子性能或者僅在故障探測(cè)期間收集粒子數(shù)據(jù)。
圖1 A是處理室IOO的一個(gè)實(shí)施例的剖面示意圖，具有包括氣體 分配板(或噴頭)120的處理室頂板110。在一個(gè)實(shí)施例中，該氣體 分配板120也可以是用于等離子處理室的上電極。處理室1 OO還有一 個(gè)可以支撐基片140的基片支撐件130。室壁150具有允許基片140轉(zhuǎn) 入或者遷出處理室100的基片傳送孔160。室壁150可為一塊的或者 多塊的(壁)。激光光源170安裝在室壁150內(nèi)。激光光源170由控制 器175控制，其控制該激光器的掃描頻率和方向。在一個(gè)實(shí)施例中， 該激光光源17 0縱貫位于基片支撐件14 0上方和周圍的區(qū)域18 0掃 描。區(qū)i或180如虛線185所示并且^f應(yīng)于該室處理體積。該基片140 在并立子源確i人過(guò)禾呈中可以有也可以沒(méi)有。該;敫光光由4立于室壁150 上的光線收集器190收集。由于處理室內(nèi)的粒子會(huì)反射激光光并影 響激光光圖像，因此處理室內(nèi)的粒子位置和凄t量能夠^皮;敫光光收集 器190所捕獲。該激光光收集器190連接至分析器195，以分析收集 到的信號(hào)(或脈沖)。該被分析的脈沖可以與室內(nèi)粒子的粒子數(shù)量、尺寸和微粒的位
置有關(guān)。如果在處理室內(nèi)只有一個(gè)光收集器190，從處理室收集到 的粒子圖像將會(huì)是二維的(2-D)。從收集到的粒子圖像，可以得知 粒子lt量、粒子尺寸和粒子相對(duì)于該光收集器190所處的方位。為 了獲得處理室內(nèi)粒子圖像的三維(3-D)結(jié)構(gòu)，需要多個(gè)光收集器 190 。該多個(gè)光收集器190應(yīng)當(dāng)被設(shè)置為沒(méi)有光收集器共享公共軸 線。
圖1 B是圖1A中處理室IOO的實(shí)施例的俯一見(jiàn)剖面示意圖，該處理 室100具有一個(gè)激光光源170和兩個(gè)激光光收集器l卯，和190n。該激 光光源170纟從貫整個(gè)由虛線185i兌明其邊界的處理室處理區(qū)域180掃 描。該兩個(gè)激光光收集器190,和190n收集從激光光源170發(fā)出的激光 光。處理室處理區(qū)域180內(nèi)的粒子凄t目、沖立子尺寸和粒子的位置會(huì) 影響被反射的激光光的數(shù)目和位置。因此，由該兩個(gè)光收集器190 收集的該激光光可以由該分析器195分析，以描述處理室100內(nèi)的粒 子的lt量、尺寸和3-D位置。
在一個(gè)實(shí)施例中，可以有多于一個(gè)的^敫光光源以確^f呆至從貫室 IOO掃描的激光光更好地覆蓋。圖1C是具有3個(gè)激光光源170和3個(gè)激 光光收集器1卯的處理室100的一個(gè)實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)了 解，激光光源數(shù)量和激光光收集器數(shù)量的其他組合也是可能的。
除了將激光光源和激光光收集器i殳置在室壁上，該激光光源和 該激光光收集器還可以i殳置在處理室^H"墊(liner)上。在一些處理 系統(tǒng)中，如等離子燭刻系統(tǒng)，該處理室4于墊用于減少室壁上的內(nèi)建 膜。處理室襯墊可由整片材料組成，也可以由多片材料(襯墊)組 成。處理室襯墊如何安裝進(jìn)等離子蝕刻室的細(xì)節(jié)已在本受讓人所擁 有的美國(guó)專利6，277，237中描述。圖2A顯示了一個(gè)類似于圖1A中的室100的處理室100'。室100'
具有一個(gè)處理室^)"墊155。至少一個(gè);敫光光源170和至少一個(gè)纟敫光光 收集器19(^皮安裝在該4t墊155上。該激光光源170纟從貫該處理室處 理區(qū)域180'掃描，由于該處理室襯墊155的插入，該處理室處理區(qū)i或 180'稍小于圖1A中的處理區(qū)域180。在該襯墊155上有基片傳送孔 165,其與室壁上的傳送孔160相匹配。由于該襯墊是可替換的，當(dāng) 需要確i人粒子源時(shí)，該激光光源和該激光光收集器可^皮i殳置進(jìn)該處 理室。 一旦粒子問(wèn)題^皮解決，該激光光源170和激光光收集器190可 以連同處理室襯墊155r"起移除，新的沒(méi)有激光光源170和激光光收 集器190的處理室襯墊155'可以設(shè)在該處理室內(nèi)以繼續(xù)該制造工藝。
圖2B是具有安裝在處理室襯墊155上的一個(gè)激光光源170'和兩 個(gè)激光光收集器l卯^和190n'的室100的俯視剖面示意圖。該兩個(gè)激 光光收集器19(V和l卯n'使得能夠構(gòu)造處理室100內(nèi)的粒子的3-D圖 像，并且使得能夠確定室100'的處理區(qū)域180'內(nèi)的粒子的數(shù)量、尺
寸和3-D位置。與室壁上的激光光源和激光光收集器類似，可以有 多于一個(gè)激光光源以確^f呆縱貫該處理室處理區(qū)域180掃描的激光光 更好地覆蓋。激光光源和激光光收集器的數(shù)量可有不同組合。
圖3顯示了由虛線邊界185圍繞的區(qū)域180的3 -D示意圖的舉例。 由圖2B中的該激光光收集器1卯收集的該激光光圖像顯示大量的粒 子靠近該處理室傳送孔160?；趫D3中所述的粒子信息，可以對(duì)傳 送孔160上的粒子進(jìn)^f于進(jìn)一步研究。輔助分一斤可4尋到下述結(jié)i侖由 于傳送孔閘閥夾得過(guò)緊并導(dǎo)致O型圈損壞，傳送孔O型圏釋出了大 量的粒子。通過(guò)觀察與時(shí)間相關(guān)的該3-D處理室粒子圖像，也可以 發(fā)現(xiàn)粒子的來(lái)源和運(yùn)動(dòng)。該3-D圖像對(duì)于加快處理室粒子源的確認(rèn) 是非常有用的。
圖4顯示了 4吏用處理室并立子偵測(cè)系統(tǒng)以偵測(cè)處理室內(nèi)的4立子的 工藝流程。該工藝400始于步驟410:在處理室內(nèi)掃描激光光。在一個(gè)實(shí)施例中，處理體積;故限定于處理室頂^反和基片支撐件之間，其
中激光光由一個(gè)或者多個(gè)激光光源才是供。該工藝4妄下來(lái)在步驟420 使用至少一個(gè)激光光收集器來(lái)處理體積的收集處理室內(nèi)的激光光。 如果要收集三維的處理室粒子信息，需要至少兩個(gè)激光光收集器。 該至少兩個(gè)激光光收集器應(yīng)當(dāng)4皮此分開(kāi)i殳置并且不要;f皮此正對(duì)。激 光光^^皮該激光光收集器收集后，在步驟430由分析器分析該信號(hào)以 確定處理室粒子信息。
該處理室粒子信息包括粒子數(shù)量、粒子尺寸、粒子尺寸分布和 粒子位置。通過(guò)檢查分布在處理室內(nèi)的粒子圖像，可以發(fā)現(xiàn)粒子源
或者確i/v進(jìn)一步研究的方向。
雖然為了清楚了解本發(fā)明，前面已就某些細(xì)節(jié)進(jìn)行了4又述，但 應(yīng)注意在所附^又利要求的范圍內(nèi)可對(duì)本發(fā)明實(shí)4亍某些改變及{奮 正。因此，本實(shí)施例應(yīng)當(dāng)看作說(shuō)明性而非限制性，且本發(fā)明并不應(yīng) 受限于上述細(xì)節(jié)，在權(quán)利要求的范圍及等同方式內(nèi)可對(duì)本發(fā)明進(jìn)行變化。
1權(quán)利要求
1. 一種用于半導(dǎo)體處理室的原位室內(nèi)粒子監(jiān)測(cè)組件，包括至少一個(gè)激光光源，其中該至少一個(gè)激光光源可以在處理室內(nèi)的室處理體積內(nèi)掃描激光光；至少一個(gè)激光光收集器，其中該至少一個(gè)激光光收集器可以收集由該至少一個(gè)激光光源發(fā)出的激光光；和位于處理室外部的分析器，分析代表由該至少一個(gè)激光光收集器收集的激光光的信號(hào)以提供室內(nèi)粒子信息。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的原位室內(nèi)粒子監(jiān)測(cè)組件，其中該室內(nèi)粒 子信息包括粒子數(shù)量、粒子尺寸和粒子位置。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的原位室內(nèi)粒子監(jiān)測(cè)組件，其中有多個(gè)激光光收集器，該多個(gè)激光光收集器被設(shè)置為沒(méi)有激光光收集器 共享/>共軸線。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的原位室內(nèi)粒子監(jiān)測(cè)組件，其中室內(nèi)粒子 信息包括代表室處理體積內(nèi)的粒子分布的三維圖像。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的原位室內(nèi)粒子監(jiān)測(cè)組件，其中該至少一 個(gè)激光光源和該至少一個(gè)激光光收集器兩者的至少部分嵌在 室壁內(nèi)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的原位室內(nèi)粒子監(jiān)測(cè)組件，其中該至少一 個(gè)激光光源和該至少一個(gè)激光光收集器兩者的至少部分嵌在 處J里室坤十墊內(nèi)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的原位室內(nèi)粒子監(jiān)測(cè)組件，其中該室處理 體積圍繞限定在處理室內(nèi)的基片支撐件上的平面。
8. —種具有原位室內(nèi)粒子監(jiān)測(cè)組件以確認(rèn)室內(nèi)粒子源的處理室， 包括位于處理室內(nèi)的基片支撐件；設(shè)置于該基片支撐件上方的處理室頂板；至少一個(gè)纟敫光光源，其中該至少一個(gè);敫光光源可以在處 理室內(nèi)的室處理體積內(nèi)掃描-敫光光，該室處理體積-波限定在該 基片支撐件和該處理室頂板之間；至少一個(gè)激光光收集器，其中該至少一個(gè)激光光收集器 可以收集由至少一個(gè)激光光源發(fā)出的激光光；和4立于該處理室外部的分析器，分析4戈表由該至少一個(gè)激 光光收集器收集的激光光的信號(hào)以提供室內(nèi)粒子信息。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的處理室，其中有多個(gè)激光光收集器，該 多個(gè)激光光收集器被設(shè)置為沒(méi)有激光光收集器共享公共軸線。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的原位室內(nèi)粒子監(jiān)測(cè)組件，其中至少有兩 個(gè)激光光源，該至少兩個(gè)激光光源彼此分開(kāi)設(shè)置以向該處理室 提供光源。
11. 才艮據(jù)4又利要求8所述的處理室，其中該至少一個(gè)激光光源和該 至少一個(gè)激光光收集器兩者的至少部分嵌在室壁內(nèi)。
12. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的處理室，其中室壁限定在該基片支撐件 周圍，且在該室壁內(nèi)"i殳置^]"墊。
13. 4艮據(jù)沖又利要求12所述的處理室，其中該至少一個(gè)激光光源和 該至少一個(gè)激光光收集器兩者的至少部分嵌在該處理室^]"墊內(nèi)。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的處理室，其中有多個(gè)處理室襯墊，該 至少一個(gè)激光光和該至少一個(gè)激光光收集器兩者的至少部分 嵌在多個(gè)處理室襯墊內(nèi)。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的處理室，其中有3個(gè)激光光源和3個(gè) 光源收集器。
16. —種原位收集室內(nèi)粒子信息的方法，包括在處理室的處理體積內(nèi)掃描由激光光源發(fā)出的激光光； 由多個(gè)激光光收集器收集該處理室內(nèi)的激光光；和 分析該收集來(lái)的激光光以確定處理室內(nèi)粒子信息。
17. 4艮據(jù)4又利要求16所述的方法，其中該處理體積凈皮限定在處理 室頂板和基片支撐件之間。
18. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，進(jìn)一步包括調(diào)整該多個(gè)激光光收集器的方位，使得沒(méi)有激光光收集 器共享7^共軸線。
19. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，進(jìn)一步包括將該激光光源和該多個(gè)激光光收集器嵌在室壁內(nèi)。
20. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，進(jìn)一步包括將該激光光源和該 多個(gè)激光光收集器嵌在處理室襯墊內(nèi)。
21. 才艮據(jù)^又利要求20所述的方法，其中具有該激光光源和多個(gè)激 光光收集器的該處理室襯墊是可移除的。
22. 4艮據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中該室內(nèi)粒子信息包括處理 室內(nèi)的粒子尺寸和分布以及粒子位置信息。
23. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中分析該收集來(lái)的激光光包 括產(chǎn)生代表處理室內(nèi)粒子分布的3-D圖1象。
24. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中該3-D圖像包括粒子尺寸信息。
全文摘要
室內(nèi)粒子偵測(cè)系統(tǒng)。大體而言，本發(fā)明實(shí)施例提供一種改進(jìn)的室內(nèi)粒子源確認(rèn)機(jī)制，從而滿足了需求。該原位室內(nèi)粒子源確認(rèn)方法和設(shè)備可以極大的縮短用于確認(rèn)室內(nèi)粒子源的時(shí)間，能提高用于生產(chǎn)系統(tǒng)的處理室生產(chǎn)能力。該方法和設(shè)備也可以用于在工程研制階段檢測(cè)元件的粒子性能。在一個(gè)實(shí)施例中，一個(gè)用于半導(dǎo)體處理室的原位室內(nèi)粒子監(jiān)測(cè)組件包括至少一個(gè)激光光源。該至少一個(gè)激光光源可以在處理室的室處理體積內(nèi)掃描激光光。該原位室內(nèi)粒子監(jiān)測(cè)組件還包括至少一個(gè)激光光收集器。該至少一個(gè)激光光收集器能夠收集由該至少一個(gè)激光光源發(fā)出的激光光。該室內(nèi)粒子監(jiān)測(cè)組件還包括一個(gè)位于處理室外的分析器，用于分析代表由該至少一個(gè)激光光收集器收集的激光光的信號(hào)以提供室內(nèi)粒子信息。
文檔編號(hào)G01N15/02GK101427123SQ200780012544
公開(kāi)日2009年5月6日 申請(qǐng)日期2007年2月7日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月8日
發(fā)明者馬克·賴特 申請(qǐng)人:朗姆研究公司