專利名稱：：電磁勘測的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及電磁(EM)勘測，尤其是為了諸如油、氣、甲烷水合物等的烴儲量的水下EM勘測。
背景技術(shù)：
：在識別地下地層中儲層的有無、位置和范圍的烴類勘探考察期間，頻繁地使用地震技術(shù)。然而，雖然地震勘測能夠識別這樣的構(gòu)造，但是該技術(shù)往往不能區(qū)分構(gòu)造內(nèi)的孔隙流體的不同可能成分。對于具有類似機械性質(zhì)的孔隙流體，比如油和海水更是如此。所以，一般需要采用其他勘測技術(shù)來確定先前識別的儲層是含油或只是水質(zhì)孔隙流體。一種技術(shù)是在潛在感興趣區(qū)域中的探井鉆探。不過，這很昂貴且耗時。最近開發(fā)的替代技術(shù)是受控源電磁勘測(CSEM)技術(shù)，比如GB2382875[2中介紹的技術(shù)。CSEM試圖根據(jù)含油和含水儲層的不同電氣屬性來區(qū)分它們。這樣做的方式為向海底發(fā)射EM信號，一般使用水平電偶極子(HED)源(發(fā)射器)，并測量離源一定距離范圍內(nèi)的EM接收器(檢測器)處的響應(yīng)。由于烴的電阻大于海水，所以一般來說，含烴儲層的存在將引起EM場強于儲層只含海水的情況。這是因為強導(dǎo)電的海水對穿過儲層的EM信號分量的衰減大于儲層含有烴的情況。CSEM勘測中一種提議的技術(shù)是在接收器線上方拖曳EM源，并直接比較目標(biāo)上方的若干源-接收器偏移的響應(yīng)振幅與不在目標(biāo)上方的若干源-接收器偏移的相應(yīng)響應(yīng)振幅，以便能夠觀察到振幅的任何增強。然而在實踐中，CSEM勘測結(jié)果的解釋并非如此簡單。確切地說，已經(jīng)認(rèn)識到，為了降低一定類型的大規(guī)模地下構(gòu)造引起假的烴儲層肯定指示的可能性，必須仔細地計劃勘測。這樣做的一種方法是獲得源與接收器之間某范圍的相對方位上的勘測數(shù)據(jù)，例如通過在部署的接收器陣列上方拖曳HED源。來自與HED源成一直線排列(即在平行于并穿過HED軸的軸的線上)的接收器的數(shù)據(jù)對指示含烴儲層的薄電阻層的存在更敏感。反之，來自與HED源橫向排列(即在垂直于并穿過HED軸的線上)的接收器的數(shù)據(jù)對大規(guī)模背景的特征更敏感。來自兩個方位的數(shù)據(jù)的比較可以用于減少假的肯定指示[2。對來自感興趣目標(biāo)區(qū)域的成直線和橫向數(shù)據(jù)都進行分析已經(jīng)被證明是降低CSEM數(shù)據(jù)的不確定解釋的可能性的可靠方式。不過，仍然存在著某些類型的地層構(gòu)造，它們雖然不含烴，但是產(chǎn)生的特征CSEM響應(yīng)卻類似于與烴儲層相關(guān)聯(lián)的響應(yīng)。例如，具有顯著程度垂直各向異性電導(dǎo)率(垂直和水平方向的電導(dǎo)率不同)的地下地層可以提供類似于在烴儲層中所見到的響應(yīng)的成直線和橫向響應(yīng)。這意味著垂直各向異性巖層可能引起假的烴識別。此外，在垂直各向異性巖層不含有烴儲層的情況下，將錯誤地確定儲層的性質(zhì)。確切地說，背景各向異性將導(dǎo)致儲層深度估計不足以及儲層電阻率估計過高[3。因此，含有相對低比例烴的深儲層(并因而經(jīng)濟利益降低)可能被誤認(rèn)，因為看起來是經(jīng)濟上更有利的、含烴更多(即電阻率更高)的較淺儲層。有若干地層構(gòu)造都能夠展現(xiàn)出顯著程度的垂直電導(dǎo)率各向異性。往往在砂巖和頁巖層中展現(xiàn)，并且沉積層中泥巖礦物的紋理對齊也能夠引起各向異性的電導(dǎo)率，正如地層中的裂隙對齊。因此，這樣的地層構(gòu)造能夠引起假的烴存在的肯定指示，或者對存在的任何烴的儲量和開采便利估計過高。所以需要若干技術(shù)進一步降低CSEM數(shù)據(jù)不確定解釋的可能性，以便有助于避免對已經(jīng)被誤認(rèn)為含有經(jīng)濟上有益數(shù)量烴的區(qū)域進行昂貴的鉆探和進一步的勘測計劃。
發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明的第一個方面，提供了一種分析感興趣區(qū)域的受控源電磁勘測結(jié)果的方法，所述感興趣區(qū)域包含先前識別的適于含經(jīng)的地質(zhì)構(gòu)造，所述方法包括提供對于一定范圍的源-接收器方位和偏移在所述感興趣區(qū)域之外獲得的第一勘測數(shù)據(jù)集；提供對于一定范圍的源-接收器偏移在所述感興趣區(qū)域之內(nèi)獲得的第二勘測數(shù)據(jù)集；進行所述第一勘測數(shù)據(jù)集的數(shù)學(xué)反演以提供所述感興趣區(qū)域之外的地下地層的模型；以及處理所述第二勘測數(shù)據(jù)集以提供所述感興趣區(qū)域之內(nèi)的地下地層的模型，其中，所述處理考慮了所述感興趣區(qū)域之外的地下地層的所述模型。所述第一數(shù)據(jù)集可被稱為目標(biāo)外數(shù)據(jù)集，而所述第二數(shù)據(jù)集可以稱為目標(biāo)上數(shù)據(jù)集。因為在離開可能成為潛在烴儲層的地質(zhì)構(gòu)造之處并對于一定范圍的源-接收器偏移獲得所述目標(biāo)外數(shù)據(jù)集，所以這些數(shù)據(jù)的所述反演能夠恢復(fù)所述地下地層的若干特點(比如電導(dǎo)率各向異性)，它們通常無法與烴的存在區(qū)分開，并因此是不確定性的來源。所以，通過考慮所述目標(biāo)外數(shù)據(jù)的所述反演中的這些特征，顯著降低了不確定性的可能性。獲得所述目標(biāo)外勘測數(shù)據(jù)集時可以使用水平電偶極子(HED)源，也可以4吏用垂直電偶極子(VED)。對于HED源，所述目標(biāo)外數(shù)據(jù)集可以包括對于與所述源軸橫向的一定范圍偏移的數(shù)據(jù)，以及對于與所述源軸成直線的一定范圍偏移的數(shù)據(jù)。所述目標(biāo)外勘測數(shù)據(jù)集可以進一步包括對于與所述源軸橫向和與所述源軸成一直線之間的若干方位對于一定范圍偏移的數(shù)據(jù)。通過提供寬方位范圍的數(shù)據(jù)，能衫1所述潛在烴儲層的地層)的若干特征可被所述目標(biāo)外數(shù)據(jù)更好地約束。對于與所述源軸成一直線的若干偏移的所述目標(biāo)外勘測數(shù)據(jù)可以是水平場數(shù)據(jù)，也可以是垂直場數(shù)據(jù)，不僅如此，可以是電場數(shù)據(jù)，也可以是磁場數(shù)據(jù)。所述目標(biāo)上數(shù)據(jù)可以以寬泛地類似方式獲得，再次使用HED或VED源。不過應(yīng)當(dāng)注意，與利用HED源的常規(guī)CSEM勘測不同，所10述感興趣區(qū)域中的數(shù)據(jù)僅僅需要對于成直線方位獲得而不導(dǎo)致不確定性增大。這是因為所述目標(biāo)外數(shù)據(jù)的所述反演已經(jīng)明確地揭示了感興趣地質(zhì)結(jié)構(gòu)所處的背景巖層的特征。所以，來自所述感興趣區(qū)域的成直線數(shù)據(jù)(對烴存在最敏感的數(shù)據(jù))足以確定任何潛在烴儲層的內(nèi)容(即是油還是水)。不過，所述目標(biāo)上數(shù)據(jù)集可以進一步包括對于與所述源的偶極子軸橫向的一定范圍偏移的數(shù)據(jù)。一般來說，采集數(shù)據(jù)具有足以勘查所述目標(biāo)和所述背景的源和接收器信息就足夠了。對于與所述源軸成一直線的若干偏移的所述第二勘測數(shù)據(jù)集中的勘測數(shù)據(jù)同樣可以是水平場數(shù)據(jù)，也可以是垂直場數(shù)據(jù)，并且可以是電場數(shù)據(jù)，也可以是磁場數(shù)據(jù)。進行目標(biāo)外勘測數(shù)據(jù)集的數(shù)學(xué)反演的步驟可以配置為允許在兩個方向上獨立地確定所述感興趣區(qū)域之外的地下地層;f莫型中的電導(dǎo)率。這可能有益，因為所述背景地層中的各向異性電導(dǎo)率的效應(yīng)可能是解釋不確定性的重要原因。確切地說，所述兩個方向可以是垂直方向和水平方向，使得能夠確定垂直電導(dǎo)率各向異性的特征。處理所述目標(biāo)外勘測數(shù)據(jù)集的步驟可以包括進行數(shù)學(xué)反演，其中模型空間的至少一個參數(shù)根據(jù)它在所述感興趣區(qū)域之外的地下地層模型中的數(shù)值進行約束。例如，約束所述參數(shù)可以通過被賦予相應(yīng)于其在所述感興趣區(qū)域之外的地下地層模型中的數(shù)值的固定值，通過根據(jù)其在所述感興趣區(qū)域之外的地層模型中的數(shù)值被要求采用一定數(shù)值范圍內(nèi)的數(shù)值，或者根據(jù)其在所述感興趣區(qū)域之外的底下地層模型中的數(shù)值被賦予優(yōu)選數(shù)值，然后使所述目標(biāo)上勘測數(shù)據(jù)集的所述數(shù)學(xué)反演偏向所述參數(shù)最接近所述優(yōu)選數(shù)值的若干模型。作為替代，也可以采用考慮了所述目標(biāo)外模型的其他處理技術(shù)。例如，處理所述目標(biāo)上勘測數(shù)據(jù)集的所述步驟可以包括進行波場外推，其中所述波場外推的初始模型對應(yīng)于所述感興趣區(qū)域之外的地下地層的模型。ii不僅如此，所述目標(biāo)上勘測數(shù)據(jù)集還可被迭代地處理，由此后續(xù)迭代考慮從一次或多次先前迭代獲得的感興趣區(qū)域之內(nèi)的地下地層的模型。根據(jù)本發(fā)明的第二個方面，提供了一種計算機程序產(chǎn)品，內(nèi)含的機器可讀指令用于實施根據(jù)本發(fā)明的第一個方面的分析受控源電磁勘測結(jié)果的方法。根據(jù)本發(fā)明的第三個方面，提供了一種計算機裝置，加載機器可讀指令，用于實施根據(jù)本發(fā)明的第一個方面的分析受控源電磁勘測結(jié)果的所述方法。根據(jù)本發(fā)明的第四個方面，提供了一種計劃感興趣區(qū)域的受控源電磁勘測的方法，所述感興趣區(qū)域包含先前識別的適于含烴的地質(zhì)構(gòu)造，所述方法包括創(chuàng)建所述感興趣區(qū)域之外的區(qū)域的模型，包括巖層和它上方的水體；創(chuàng)建與所述感興趣區(qū)域之外的所述模型對應(yīng)但是進一步包括經(jīng)儲層的所述感興趣區(qū)域的模型；進行所述感興趣區(qū)域之外的電磁勘測仿真，以提供對于一定范圍的源-接收器方位和偏移的第一仿真勘測數(shù)據(jù)集；進行所述感興趣區(qū)域之內(nèi)的電磁勘測仿真，以提供對于一定范圍的源-接收器偏移的第二仿真勘測數(shù)據(jù)集；進行所述第一仿真數(shù)據(jù)集的數(shù)學(xué)反演，以提供所述感興趣區(qū)域之外的所述地下地層的仿真恢復(fù)模型；以及處理所述第二仿真數(shù)據(jù)集，以考慮到所述感興趣區(qū)域之外的所述地下地層的所述仿真恢復(fù)模型，來提供所述感興趣區(qū)域之內(nèi)的所述地下地層的仿真恢復(fù)模型。所述計劃可以進一步包括對于若干源頻率重復(fù)所述感興趣區(qū)域之外的電磁勘測的所述仿真，以便為了明確所述巖層的特征，在源頻率以及源-接收器方位和距離方面選擇最優(yōu)勘測條件。不僅如此，所述方法可以進一步包括對于若干源頻率重復(fù)所述感興趣區(qū)域之內(nèi)的電磁勘測的所述仿真，以便為了探查所述烴儲層，在源頻率以及源-接收器距離方面選擇最優(yōu)勘測條件。通過以考慮了分析所述數(shù)據(jù)的方式的方法計劃勘測，以及通過考慮頻率以及源-接收器方位和距離的不同選擇的效應(yīng)，實際勘測所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)將非常適于分析，并且將對最感興趣的地下地層的特征最敏感。根據(jù)本發(fā)明的第五個方面，提供了一種計算機程序產(chǎn)品，內(nèi)含的機器可讀指令用于實施根據(jù)本發(fā)明第四個方面的計劃受控源電磁勘測的方法。根據(jù)本發(fā)明的第六個方面，提供了一種計算機裝置，加栽機器可讀指令用于實施根據(jù)本發(fā)明的第四個方面的計劃受控源電磁勘測的方法。根據(jù)本發(fā)明的第七個方面，提供了一種進行感興趣區(qū)域的受控源電磁勘測的方法，所述感興趣區(qū)域包含先前識別的適于含烴的地質(zhì)構(gòu)造，所述方法包括在所述感興趣區(qū)域之外獲得對于一定范圍的源-接收器方位和偏移的第一勘測數(shù)據(jù)集；進行所述第一勘測數(shù)據(jù)集的數(shù)學(xué)反演以提供所述感興趣區(qū)域之外的地下地層的模型；通過將模型烴儲層添加到所述感興趣區(qū)域之外的所述地下地層的模型而創(chuàng)建所述感興趣區(qū)域的模型；進行所述感興趣區(qū)域的所述模型的電磁勘測仿真，以提供對于一定范圍的源-接收器偏移的仿真勘測數(shù)據(jù)集；對于若千源頻率重復(fù)所述感興趣區(qū)域的所述模型的所述電磁勘測仿真，以便為了探查所述烴儲層，在源頻率以及源-接收器距離方面選擇最優(yōu)勘測條件；以及根據(jù)所述選定的最優(yōu)勘測條件在所述感興趣區(qū)域之內(nèi)獲得第二勘測數(shù)據(jù)集。這種方式允許所述目標(biāo)外數(shù)據(jù)的分析結(jié)果用于計劃所述目標(biāo)上勘測。因為可以使用所述目標(biāo)外勘測的結(jié)果定義大規(guī)模背景結(jié)構(gòu)來計劃所述目標(biāo)上勘測，所述目標(biāo)上勘測的勘測條件能夠最好地最優(yōu)化。說到最優(yōu)化，不一定意味著找到最好的勘測條件，只不過所找到的一組勘測條件在所述勘測地點存在烴儲層的情況下將提供沒有錯誤的強指示。所述迭代過程可以完全在人工控制下。不過優(yōu)選情況下，所述仿真能夠允許用戶具有自動優(yōu)化所述勘測條件的選擇權(quán)。那么所述用戶可以按照期望在人工與自動迭代之間進行切換。根據(jù)本發(fā)明的第七個方面進行受控源電磁勘測的所述方法可以13使得在第一時間檢測所述第二勘測數(shù)據(jù)集，并且所述方法可以進一步包括在與所述第一時間不同的時間在所述感興趣區(qū)域之內(nèi)獲得至少一個進一步勘測數(shù)據(jù)集，以便允許監(jiān)視所述感興趣區(qū)域中的變化。這就允許例如正從其中汲取烴的儲層的時間監(jiān)視。根據(jù)本發(fā)明的第八個方面，提供了一種從包含先前識別的適于含烴的地質(zhì)構(gòu)造的感興趣區(qū)域獲得烴的方法，所述方法包括在所述感興趣區(qū)域之外獲得對于一定范圍的源-接收器方位和偏移的第一勘測數(shù)據(jù)集；進行所述第一勘測數(shù)據(jù)集的數(shù)學(xué)反演以提供所述感興趣區(qū)域之外的地下地層的模型；通過將模型烴儲層添加到所述感興趣區(qū)域之外的所述地下地層的模型而創(chuàng)建所述感興趣區(qū)域的模型；進行所述感興趣區(qū)域的所述模型的電磁勘測仿真，以提供對于一定范圍的源-接收器偏移的仿真勘測數(shù)據(jù)集；對于若干源頻率重復(fù)所述感興趣區(qū)域的所述模型的所述電磁勘測仿真，以便為了探查所述烴儲層，在源頻率以及源-接收器距離方面選擇最優(yōu)勘測條件；根據(jù)所述選定的最優(yōu)勘測條件在所述感興趣區(qū)域之內(nèi)獲得第二勘測數(shù)據(jù)集；根據(jù)所述第二勘測數(shù)據(jù)集來識別烴儲層；以及利用烴生產(chǎn)井穿入所述識別的烴儲層。根據(jù)本發(fā)明的第九個方面，提供了從包含先前識別的適于含烴的地質(zhì)構(gòu)造的感興趣區(qū)域獲得的烴儲量，所述烴的獲得方式為在所述感興趣區(qū)域之外獲得對于一定范圍源-接收器方位和偏移的第一勘測數(shù)據(jù)集；進行所述第一勘測數(shù)據(jù)集的數(shù)學(xué)反演以提供所述感興趣區(qū)域之外的地下地層的模型；通過將模型烴儲層添加到所述感興趣區(qū)域之外的所述地層的模型而創(chuàng)建所述感興趣區(qū)域的模型；進行所述感興趣區(qū)域的所述模型的電磁勘測仿真，以提供對于一定范圍的源-接收器偏移的仿真勘測數(shù)據(jù)集；對于若干源頻率重復(fù)所述感興趣區(qū)域的所述模型的所述電磁勘測仿真，以便為了探查所述烴儲層，在源頻率以及源-接收器距離方面選擇最優(yōu)勘測條件；根據(jù)所述選定的最優(yōu)勘測條件在所述感興趣區(qū)域之內(nèi)獲得第二勘測數(shù)據(jù)集；根據(jù)所述第二勘測數(shù)據(jù)集來識別烴儲層；利用烴生產(chǎn)井穿入所述識別的烴儲層；以及使用所述井從所述烴儲層提取所述烴。根據(jù)本發(fā)明的第十個方面，提供了一種表示包含先前識別的適于含烴的地質(zhì)構(gòu)造的感興趣區(qū)域的結(jié)果數(shù)據(jù)集，所述結(jié)果數(shù)據(jù)集的獲得方式為在所述感興趣區(qū)域之外獲得對于一定范圍的源-接收器方位和偏移的第一勘測數(shù)據(jù)集；進行所述第一勘測數(shù)據(jù)集的數(shù)學(xué)反演以提供所述感興趣區(qū)域之外的地下地層的模型；通過將模型烴儲層添加到所述感興趣區(qū)域之外的所述地下地層的模型而創(chuàng)建所述感興趣區(qū)域的模型；進行所述感興趣區(qū)域的所述模型的電磁勘測仿真，以提供對于一定范圍的源-接收器偏移的仿真勘測數(shù)據(jù)集；對于若干源頻率重復(fù)所述感興趣區(qū)域的所述模型的所述電磁勘測仿真，以便為了探查所述烴儲層，在源頻率以及源-接收器距離方面選擇最優(yōu)勘測條件；根據(jù)所述選定的最優(yōu)勘測條件在所述感興趣區(qū)域之內(nèi)獲得第二勘測數(shù)據(jù)集；以及根據(jù)所述第二勘測數(shù)據(jù)集產(chǎn)生所述結(jié)果數(shù)據(jù)集。根據(jù)本發(fā)明的第十一個方面，提供了一種計算機可讀存儲介質(zhì)，使根據(jù)本發(fā)明的第十個方面的數(shù)據(jù)集記錄在其上。為了更好地理解本發(fā)明并顯示本發(fā)明如何可以實現(xiàn)，現(xiàn)在舉例參考附圖，其中圖1示意地顯示了水面船只14，它使用標(biāo)準(zhǔn)裝置進行地下地層構(gòu)造的受控源電磁(CSEM)勘測；圖2是平面示意圖，顯示了用于描述CSEM勘測期間HED源和接收器的相對布局的坐標(biāo)系統(tǒng)；圖3A、圖4A和圖5A分別顯示了三個不同的地下模型地層構(gòu)造的模型化成直線-徑向、橫向-方位和成直線-垂直電場分量的振幅隨偏移的變化；圖3B、圖4B和圖5B分別顯示了圖3A、圖4A和圖5A中所繪制的成直線-徑向、橫向-方位和成直線-垂直電場分量的模型化相位；圖6A、圖6B和圖6C是極坐標(biāo)圖，分別顯示了對于偏移為5公里的CSEM勘測，平行于源偶極子軸、垂直于源偶極子軸以及垂直方向上的模型化電場分量的振幅隨接收器方位角e的變化；圖7A、圖7B和圖7C示意地顯示了對于三個不同的模型地下地層構(gòu)造，在CSEM勘測中對于相對于源的一定范圍的偏移和方位，接收器所見到的水平電場分量的極化橢圓半長軸的模型化方位；圖8A、圖8B示意地顯示了根據(jù)本發(fā)明實施例，分析包含先前識別的適于含烴的地質(zhì)構(gòu)造的感興趣區(qū)域的CSEM勘測結(jié)果的方法的流程圖9、圖IO和圖ll是平面示意圖，顯示了根據(jù)本發(fā)明實施例，用于提供適于分析的勘測數(shù)據(jù)的實例接收器陣列和源拖曳線；圖12是根據(jù)本發(fā)明實施例生產(chǎn)經(jīng)的石油鉆塔的示意圖；圖13是根據(jù)本發(fā)明實施例包含一定體積的烴的油桶的示意透視圖；以及圖14是根據(jù)本發(fā)明實施例含有數(shù)據(jù)集的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的示意透視圖。具體實施例方式圖l示意地顯示了水面船只14，它使用標(biāo)準(zhǔn)裝置[2進行地下地層構(gòu)造的受控源電磁(CSEM)勘測，以獲得根據(jù)本發(fā)明實施例適于分析的數(shù)據(jù)集。在這個實例中地下地層包括覆蓋層8、下伏巖層9和烴儲層12。水面船只14漂浮在水體的表面2上，在這種情況下水體是海水4。攜帶有水平電偶極子(HED)形式的源(發(fā)射器)22的潛水運載工具19通過臍帶電纜16連接到水面船只14。臍帶電纜在潛水運載工具19與水面船只14之間提供電氣、機械和光學(xué)連接。向HED源供應(yīng)驅(qū)動電流，使得它將HED電磁(EM)信號播送到海水4中。一個或多個遠程接收器(檢測器)25位于海底6上。接收器25的每一個都包括儀器包26、檢測器天線24、漂浮設(shè)備28和壓載重物(未顯示)。每個檢測器天線24都包括三個正交的電偶極子天線。在其他實例中，可以測量接收器處的EM場的更多分量，如若干磁場分量。電偶極子檢測器天線對由HED源在接收器25附近感應(yīng)的電場16分量敏感，并且由此產(chǎn)生電場檢測器信號。在勘測期間，在發(fā)射器22相對于接收器25被拖曳的同時，儀器包26記錄檢測器信號。因此，獲得對于一定范圍的相對源和接收器位置的檢測器信號，以提供被勘測區(qū)域的勘測數(shù)據(jù)集。本發(fā)明人已經(jīng)廣泛地模型化對于不同的源-接收器方位，CSEM數(shù)據(jù)如何受到地下地層中的各向異性電導(dǎo)率(逆電阻率)的影響。圖2是平面示意圖，顯示了用于描述CSEM勘測期間HED源22和每個接收器25的相對布局的坐標(biāo)系統(tǒng)。接收器25相對于HED源22的位置最適合以柱面極坐標(biāo)來描述，其中HED源22的中心在原點。接收器25的位置由方位角e和分開距離(或范圍)R來定義。角0從穿過并平行于HED源軸的線開始順時針方向測量，在圖2中由標(biāo)注為6=0°的線所指示。沿這條線放置的接收器(也就是使得它具有0=0。的方位角)被稱為處于直接成直線或正對位置。具有e-卯。方位角的接收器(也就是使得它落在圖2中標(biāo)注為6=90°的線上)被稱為處于直接橫向位置。坐標(biāo)軸z垂直向下延伸至海底中。因此接收器處的電場可以認(rèn)為被分解為水平平面中的徑向分量Er和正交方位角分量Ee以及垂直分量Ez。也可以用于描述源與接收器幾何關(guān)系的笛卡爾坐標(biāo)系的x、y和z軸的方向被示意地顯示在圖2的右上角。x軸平行于源偶極子軸(即平行于方位角e-0。)。y軸正交于源偶極子軸(即平行于方位角0=90°)。z軸垂直向下至海底中。因此，接收器處的電場也可以認(rèn)為被分解為水平平面中的x分量Ex和正交y分量Ey以及垂直分量Ez。盡管為了清楚起見圖2中笛卡爾坐標(biāo)系顯示為從源22處位移了，但是一般來說笛卡爾坐標(biāo)系的原點將被視為處于源的中心。圖3A示意地顯示了響應(yīng)于HED源播送信號，成直線方位(即0=0。)的接收器處見到的模型化徑向電場分量振幅Er隨源與接收器之間的距離R的變化。HED源由頻率為0.3Hz的AC驅(qū)動信號驅(qū)動，以及電場按單位發(fā)射器電偶極子矩來計算。對于三種不同的模型地下地層構(gòu)造顯示了曲線。標(biāo)注為II的曲線對應(yīng)于海底下包含各向同性17lftm電阻率均勻半空間的模型地下地層構(gòu)造。標(biāo)注為12的曲線對應(yīng)于海底下包含各向同性2Qm電阻率均勻半空間的模型地下地層構(gòu)造。標(biāo)注為A的曲線對應(yīng)于海底下包含垂直方向上2ftm而水平平面上的所有方向上lQm的各向異性電阻率均勻半空間的模型地下地層構(gòu)造。對于每個模型，海水都表示為具有0.3Hm電阻率的均勻各向同性半空間。圖3B示意地顯示了圖3A中繪制的模型化徑向電場分量Er相對于HED源AC驅(qū)動信號的相位(p。圖中再次顯示了三種不同的模型地下地層構(gòu)造Il、12和A的情況。圖4A和圖4B類似于圖3A和圖3B并將按其理解，不過顯示了對于一定范圍的偏移R在橫向方位(即9=90°)的接收器處見到的方位角電場分量振幅Ee的模型化曲線。圖5A和圖5B也類似于圖3A和圖3B并將按其理解，不過顯示了對于一定范圍的偏移R在成直線方位(即e=o°)的接收器處見到的垂直電場分量振幅Ez的模型化曲線。從圖3至圖5顯而易見，各向異性電導(dǎo)率(電導(dǎo)率不外是電阻率的倒數(shù))的效應(yīng)隨著源與接收器之間的相對方位變化。圖3A、圖3B、圖5A和圖5B顯示出，對于成直線方位，測量出的電場(均為徑向和垂直分量一在成直線方位上沒有方位分量，因為大地模型是方位對稱的)的振幅和相位對地下地層在垂直方向上的電阻率最敏感。這是顯然的，因為各向異性模型地下地層構(gòu)造的曲線(標(biāo)注為A的曲線)接近匹配2ftm各向同性半空間的曲線(標(biāo)注為12),以及2ftm是各向異性模型在垂直方向上的電阻率。另一方面，圖4A和圖4B顯示了對于橫向方位，測量出的電場對水平電阻率最敏感。換言之，各向異性模型地下地層構(gòu)造的曲線最接近匹配具有l(wèi)ilm電阻率均勻各向同性半空間的曲線。圖6A是極坐標(biāo)圖，分別顯示了偏移R為5公里的接收器處沿著x軸的模型化電場分量(即平行于源偶極子軸的分量)振幅Ex隨接收器方位角e的變化。對于連同圖3至圖5介紹的相同的三個模型地下地層結(jié)構(gòu)Il、12、A顯示了數(shù)據(jù)，如圖中左手側(cè)的圖例所示。圖6B和圖6C類似于圖6A并將按其理解，不過分別顯示了沿著y軸(正交于偶極子)的模型化電場分量振幅Ey和沿著z軸的模型化電場分量(即垂直分量)振幅Ez。圖6A證實了對于成直線方位(在此Ex與Er相同)，各向異性模型的響應(yīng)由其垂直電阻率2ftm支配。這是顯然的，因為各向異性模型的響應(yīng)(由圖中圓點所示)匹配具有2!2m電阻率的各向同性半空間的響應(yīng)(虛線)。圖6A也證實了對于橫向方位(在此Ex與Ee相同)，各向異性^^莫型的響應(yīng)由其水平電阻率(1Qm)支配。這是顯然的，因為在這些方位上各向異性模型的響應(yīng)匹配具有inm電阻率的各向同性半空間的響應(yīng)。從圖6A可見，各向異性模型中的垂直電阻率支配直接成直線+/-30度之內(nèi)的方位角(即方位角6<30°、150°<0<210°和e>330°)的響應(yīng)。所以，對成直線方位的引用應(yīng)當(dāng)被視為意味著落在這些范圍之內(nèi)的方位角，除非上下文另外暗示。同樣可見，各向異性模型中的水平電阻率支配直接橫向+/-30度之內(nèi)的方位角(即方位角60°<0<120°和240。<0<300。)的響應(yīng)。所以，對橫向方位的引用應(yīng)當(dāng),皮視為意味著落在這些范圍之內(nèi)的方位角，除非上下文另外暗示。在其間的方位角(即30。<0<60。、120。<6<150°、210。<6<240。和300。<0<330。左右),各向異性模型的響應(yīng)落在所述兩個各向同性半空間響應(yīng)之間。圖6C顯示了對于垂直電場分量Ez，對于能夠檢測到顯著信號的所有方位，各向異性模型的響應(yīng)由模型的垂直電阻率(2Hm)支配。這也是顯然的，因為各向異性模型的響應(yīng)(圓點)匹配具有2Qm電阻率的各向同性半空間的響應(yīng)(虛線)。圖6B顯示了對于沿著y軸(即正交于偶極子軸)的電場分量Ey，各向異性模型的響應(yīng)落在所述兩個各向同性半空間的響應(yīng)之間。應(yīng)當(dāng)注意，對于直接成直線和直接橫向方位，這個分量不太顯著。這是因為對于直接成直線方位，Ey與Ee相同，而對于直接橫向方位，Ey與Ej目同。19眾所周知，在解釋CSEM數(shù)據(jù)集時，按照由給定位置處檢測的EM場的兩個正交水平分量定義的極化橢圓半長軸的幅度來表示所述響應(yīng)2。這兩個正交水平分量的方向可以任意選擇，而不影響極化橢圓半長軸的幅度。所以，分析時可以基于沿著x和y方向分解的數(shù)據(jù)(Ex和Ey)，沿著半徑和方位角方向分解的數(shù)據(jù)(Er和Ee)，或者更可能時沿著不一定知道但是只不過對應(yīng)于海底上的正交水平檢測器天線的方位的兩個方向的數(shù)據(jù)。所以，極化橢圓的幅度提供了海底EM場的穩(wěn)健度量，受導(dǎo)航不確定性的影響小于各個分量的幅度。極化橢圓半長軸的方位也已經(jīng)顯示為在下地殼和上地幔內(nèi)的水平電導(dǎo)率各向異性的情況下提供了海底結(jié)構(gòu)的約束。圖7A、圖7B和圖7C示意地顯示了對于相對于源的一定范圍的偏移和方位由接收器見到的水平電場分量的極化橢圓半長軸的模型化方位。對于以上先前介紹的三種模型地下地層構(gòu)造顯示了結(jié)果。圖7A(II)顯示了具有1Qm電阻率的均勻各向同性半空間的模型化響應(yīng)，圖7B(A)顯示了具有2ftm垂直電阻率和lQm水平電阻率的均勻各向異性半空間的響應(yīng)，圖7C(12)顯示了具有2Qm電阻率的均勻各向同性半空間的模型化響應(yīng)。圖中的圓圏表示模型化接收器的位置。與每個圓圏相關(guān)聯(lián)的線段顯示了極化橢圓的方位。在每種情況下，HED源都處于每幅圖的中心(即x=y=0)并由頻率為0.3Hz的AC驅(qū)動信號驅(qū)動。從圖7A和圖7C可見，對于兩個各向同性半空間，極化橢圓的方位分布幾乎相同。因此，極化橢圓的方位對均勻各向同性半空間的整體電阻率不敏感。不過，對于各向異性模型(圖7B)，與各向同性模型相比，極化橢圓的方位顯示了扭曲，尤其是源-接收器方位介于直接成直線和直接橫向之間時。因此，正如以上所述，地下地層中垂直電導(dǎo)率各向異性影響CSEM響應(yīng)數(shù)據(jù)的程度對于不同方位而不同，不僅如此，假若要完全確定垂直電導(dǎo)率各向異性的程度，則需要來自一定范圍的源-接收器方位的數(shù)據(jù)。20與烴存在不直接相關(guān)但是對成直線和橫向CSEM勘測數(shù)據(jù)有不同影響的地下地層特征(比如各向異性電導(dǎo)率)是不確定性的可能來源。這是因為基于常規(guī)勘測系統(tǒng)的勘測依賴于成直線和橫向響應(yīng)中由于烴存在(與否)的差異[2。所以重要的是在解釋CSEM數(shù)據(jù)時考慮諸如背景地層中的電導(dǎo)率各向異性程度之類的特征。然而，因為電導(dǎo)率各向異性引起的效應(yīng)類似于與烴存在相關(guān)聯(lián)的效應(yīng)，可能難以對這些效應(yīng)區(qū)分彼此。在實現(xiàn)這一點時，本發(fā)明人已經(jīng)進一步i人識到，為了降低CSEM數(shù)據(jù)的不確定解釋的可能性，應(yīng)當(dāng)提供兩個勘測數(shù)據(jù)集用于分析。一個勘測數(shù)據(jù)集本文稱為目標(biāo)上數(shù)據(jù)集，獲得方式為勘測感興趣區(qū)域，所述感興趣區(qū)域包含先前識別的適于含烴的地質(zhì)構(gòu)造(即潛在的烴儲層)。可能已經(jīng)使用任何常規(guī)技術(shù)，例如地震勘測識別了所述潛在的烴儲層。另一個勘測數(shù)據(jù)集本文稱為目標(biāo)外數(shù)據(jù)集，獲得方式為在離開包含所述潛在烴儲層的區(qū)域(即在之外)進行勘測。不僅如此，因為不能僅僅從成直線數(shù)據(jù)確定各向異性電導(dǎo)率的程度，所以重要的是目標(biāo)外數(shù)據(jù)集包括對于一定范圍的偏移和方位獲得的數(shù)據(jù)。優(yōu)選情況下，從緊鄰包含所述潛在烴儲層的區(qū)域(即感興趣區(qū)域)的區(qū)域獲得所述目標(biāo)外數(shù)據(jù)。這有助于確保感興趣區(qū)域中的大規(guī)模背景結(jié)構(gòu)(排除了所述潛在烴儲層的地層)盡可能類似于釆集了目標(biāo)外數(shù)據(jù)的區(qū)域中的地層。例如，假若已識別地質(zhì)構(gòu)造具有20km的特征水平延伸，那么可以通過在以所述潛在烴儲層為中心的20km乘以20km的海底區(qū)域上方進行勘測來獲得目標(biāo)上數(shù)據(jù)集，而可以通過在緊鄰或稍微偏離以所述潛在經(jīng)儲層為中心的勘測海底區(qū)域的20km乘以20km的海底區(qū)域上方進行勘測來獲得目標(biāo)外數(shù)據(jù)集。圖8A、圖8B示意地顯示了根據(jù)本發(fā)明實施例，分析包含先前識別的適于含烴的地質(zhì)構(gòu)造的感興趣區(qū)域的CSEM勘測結(jié)果的方法的流程圖。步驟Sl至S10對應(yīng)于目標(biāo)外數(shù)據(jù)集的數(shù)學(xué)反演。進行這種反演是為了獲得目標(biāo)外區(qū)域(即包含可能潛在含烴的地質(zhì)構(gòu)造的感興趣區(qū)域之外的區(qū)域)中的地下地層的模型。目標(biāo)外數(shù)據(jù)集的反演可以基于任何常規(guī)的CSEM反演算法，例如Constable等人[6或MacGregor[7]介紹的算法。在步驟Sl中，提供上述種類的目標(biāo)外勘測數(shù)據(jù)。在步驟S2中，定義目標(biāo)外區(qū)域中的地下地層的初始模型。做到這一點是通過將大地抽象地劃分為離散單元，并對每個單元的模型空間參數(shù)賦予數(shù)值。離散后大地的單元可以是盒形(對于3D反演)、水平柱狀排(對于2D反演)或水平層(對于1D反演)。對于CSEM反演，模型空間的參數(shù)基本上是基于離散后大地單元的電阻率(或其倒數(shù)，電導(dǎo)率)。這是因為正是電阻率主要影響地下地層中EM場的擴散。所以在以下描述中，按照每個大地單元的電阻率定義模型。不僅如此，每個單元還與三個正交方向中每一個上的電阻率值(即不假設(shè)大地具有各向同性電導(dǎo)率)相關(guān)聯(lián)。因此，模型空間的參數(shù)為垂直方向上的電阻率(pz)，以及兩個水平方向上的電阻率(Px和Py)。應(yīng)當(dāng)理解，模型特征化時同樣可以利用與電阻率有關(guān)的次級參數(shù)，如巖石孔隙度、流體性質(zhì)或流體互連度，而不是直接利用電阻率本身。初始目標(biāo)外模型可以考慮可用的任何先驗知識。例如，先前地震勘測的結(jié)果可能顯示出海底之下最初300米的地層密度顯著低于其下的地層。密度較低的地層可以假設(shè)為更多孔，因此電導(dǎo)率更高。所以，初始目標(biāo)外模型中海底之下最初300米地層中的離散化大地單元(在全部三個方向上)可被賦予低于其余地層的電阻率值。作為替代，初始目標(biāo)外模型可以被定義為均勻半空間，即，在每個大地單元中模型空間的參數(shù)都取相同值的模型。在步驟S3中，定義在反演的模型優(yōu)化階段(參見步驟S6)自由調(diào)整的模型空間參數(shù)。例如，三個方向(x、y和z)中每一個上的電阻率都可以獨立地做為自由參數(shù)。作為替代，更少的模型空間參數(shù)可以是自由地^皮獨立調(diào)整。例如，可以假i殳電阻率在水平的x和y方向上相同，所以僅僅pz和px是自由的模型空間參數(shù)，而強制Py取與Px相同的值。在步驟S4中，根據(jù)初始目標(biāo)外模型的參數(shù)，由正演模擬產(chǎn)生合成的目標(biāo)外響應(yīng)數(shù)據(jù)。進行這一步時可以使用常規(guī)的正演模擬算法，例如Chave和Cox8、Unsworth等人[9、Newman和Alumbaugh[lO以及Tompkins[ll]介紹的算法。在步驟S5中，合成的目標(biāo)外響應(yīng)數(shù)據(jù)與步驟Sl中獲得的實際目標(biāo)外響應(yīng)數(shù)據(jù)進行比較，以便確定合成數(shù)據(jù)與實際數(shù)據(jù)匹配得如何接近的度量。確定數(shù)據(jù)匹配得如何接近的任何常規(guī)方式都可以用于定義"擬合優(yōu)度"。例如，最小方差(或考慮了實際目標(biāo)外數(shù)據(jù)中的估計誤差的加權(quán)最小方差)技術(shù)可以用于確定擬合優(yōu)度。在步驟S6中，調(diào)整模型空間的自由參數(shù)以定義新的目標(biāo)外模型。進行調(diào)整時著眼于優(yōu)化將使用新的目標(biāo)外模型合成的數(shù)據(jù)與實際數(shù)據(jù)之間的擬合優(yōu)度。這些調(diào)整將一般要求滿足其他規(guī)則化約束。例如可能要求模型盡可能光滑(即具有最小的空間變化)同時仍然被數(shù)據(jù)支持。步驟S6中的調(diào)整可以按照公知CSEM反演技術(shù)中所使用的常規(guī)優(yōu)化技術(shù)進行。在步驟S7中，根據(jù)步驟S6中定義的新的目標(biāo)外模型的參數(shù)，由正演模擬產(chǎn)生新的合成目標(biāo)外響應(yīng)數(shù)據(jù)。在步驟S8中，新的合成目標(biāo)外響應(yīng)數(shù)據(jù)與步驟Sl中獲得的實際目標(biāo)外響應(yīng)數(shù)據(jù)進行比較，以便以與步驟S5相同的方式確定其擬合優(yōu)度。在步驟S9中，決定新的目標(biāo)外響應(yīng)數(shù)據(jù)與實際目標(biāo)外數(shù)據(jù)的擬合優(yōu)度是否足以使反演可以視為完成。做到這一點的方式為要求步驟S8中確定的擬合優(yōu)度滿足某種預(yù)定準(zhǔn)則。例如，在擬合優(yōu)度由合成與實際數(shù)據(jù)之間的均方根(RMS)偏差參數(shù)化的情況下，為了使擬合被視為足夠好，可以要求RMS偏差小于預(yù)定鬮值。如果在步驟S9中擬合被視為足夠好(即滿足擬合優(yōu)度的要求準(zhǔn)則)，隨后是流程圖的'是，分支，到步驟SIO。在步驟S10中，當(dāng)前的新目標(biāo)外模型被視為最終的目標(biāo)外模型。23足夠好，隨后是流程圖的'否，分支，回到步驟S6。因此，本過程通過步驟S6至S9迭代，直到來自最近的新目標(biāo)外模型的合成數(shù)據(jù)足夠好地擬合實際目標(biāo)外數(shù)據(jù)。達到這一點時，本過程從S9跟隨'是，分支到SIO，最近的新目標(biāo)外模型被視為最終的目標(biāo)外模型。步驟S10表示目標(biāo)外數(shù)據(jù)的處理結(jié)束。這種處理的結(jié)果是感興趣區(qū)域之外的地下地層的最終模型。步驟Sll至S20對應(yīng)于目標(biāo)上數(shù)據(jù)集的數(shù)學(xué)反演，它考慮了目標(biāo)外數(shù)據(jù)集的結(jié)果。目標(biāo)上數(shù)據(jù)集的反演可以再次基于常規(guī)反演算法。在步驟S11中，提供目標(biāo)上勘測數(shù)據(jù)。在步驟S12中，以類似于連同步驟S2介紹的方式，定義感興趣區(qū)域中(即目標(biāo)上區(qū)域中)的地下地層的初始模型。可選情況下，初始目標(biāo)上模型將對應(yīng)于步驟SIO中獲得的最終目標(biāo)外模型。這種方法很可能減少收斂到適宜的最終目標(biāo)上模型所需的迭代次數(shù)，因為目標(biāo)外模型的參數(shù)很可能表示目標(biāo)上模型參數(shù)的良好起始點，至少在不包括識別為潛在烴儲層的地質(zhì)構(gòu)造的離散化大地單元中是如此。在步驟S13中，定義在目標(biāo)上數(shù)據(jù)集反演的模型優(yōu)化階段(參見步驟S16)自由調(diào)整的模型空間參數(shù)。做到這一點的方式可以與連同步驟S3介紹的方式相同。除了這一點以外，施加到目標(biāo)上數(shù)據(jù)集的后續(xù)處理的約束(尤其是在模型優(yōu)化階段)是根據(jù)步驟S10中獲得的最終目標(biāo)外圖像定義的。以下連同步驟Sl6進一步討論這些約束。在步驟S14中，根據(jù)初始目標(biāo)上模型的參數(shù)，由正演模擬產(chǎn)生合成的目標(biāo)上響應(yīng)數(shù)據(jù)。做到這一步的方式可以與步驟S4中對于目標(biāo)外數(shù)據(jù)的方式相同。在步驟S15中，合成的目標(biāo)上響應(yīng)數(shù)據(jù)與步驟Sll中獲得的實際目標(biāo)上響應(yīng)數(shù)據(jù)進行比較，以便確定合成數(shù)據(jù)與實際數(shù)據(jù)匹配得如何接近的度量并參數(shù)化擬合優(yōu)度。做到這一步的方式再次可以與對于目標(biāo)外數(shù)據(jù)的方式相同(參見步驟S5)。24在步驟S16中，調(diào)整模型空間的自由參數(shù)以定義新的目標(biāo)上模型。進行調(diào)整時按照步驟S13中定義的約束，著眼于優(yōu)化將使用新的目標(biāo)上模型合成的數(shù)據(jù)與實際數(shù)據(jù)之間的擬合優(yōu)度?？梢允┘拥倪m宜附加約束的實例如下。模型中不在先前識別的地質(zhì)構(gòu)造附近的離散化大地單元中的可調(diào)整模型空間參數(shù)(如px、Py和Pz)可被強制采取與最終目標(biāo)外模型的相應(yīng)離散化單元相同的數(shù)值。作為替代，這些參數(shù)可以允許變化，但是僅僅在基于最終目標(biāo)外模型中其數(shù)值的有限范圍之內(nèi)。在又一種替代中，參數(shù)可以自由變化，但是確定擬合優(yōu)度時在離開潛在烴儲層的模型單元中具有與目標(biāo)上模型中的這些參數(shù)和最終目標(biāo)外模型中的相應(yīng)參數(shù)之間的差異相關(guān)聯(lián)的更大懲罰成本。作為替代，或者作為補充，通過改變規(guī)則化約束，在目標(biāo)上數(shù)據(jù)集的處理中可以考慮最終目標(biāo)外模型。例如，所述處理可以允許在模型空間參數(shù)變化非常迅速的最終目標(biāo)外模型的區(qū)域中，打破(或降低)規(guī)則化約束。從最終目標(biāo)外模型得出的約束可以是反演所需的其他規(guī)則化約束以外的約束，如模型盡可能平滑，或者區(qū)域之間的邊界盡可能平滑(尖銳邊界反演)，等等。已經(jīng)定義了附加約束后，便可以按照常規(guī)CSEM反演中使用的優(yōu)化技術(shù)的一般原理來進行步驟Sl6中對模型空間參數(shù)的調(diào)整。在步驟S17中，根據(jù)步驟S16中定義的新的目標(biāo)上模型的參數(shù)，由正演模擬產(chǎn)生新的合成目標(biāo)上響應(yīng)數(shù)據(jù)。在步驟S18中，新的合成目標(biāo)上響應(yīng)數(shù)據(jù)與步驟Sll中獲得的實際目標(biāo)上響應(yīng)數(shù)據(jù)進行比較，以便以與步驟S15相同的方式確定其擬合優(yōu)度。在步驟S19中，決定新的目標(biāo)上響應(yīng)數(shù)據(jù)與實際目標(biāo)上數(shù)據(jù)的擬合優(yōu)度是否足以使反演可以視為完成。做到這一點的方式可以類似于以上連同目標(biāo)外數(shù)據(jù)介紹的方式(參見步驟S9)。不過，在執(zhí)行步驟S19時，還可以考慮已經(jīng)從最終目標(biāo)外模型得出的附加約束。例如，正如以上的介紹，懲罰成本可以與新的目標(biāo)上模型與最終目標(biāo)外模型25之間的差異相關(guān)聯(lián)，所以實際上目標(biāo)外模型是優(yōu)選的模型并且使第二數(shù)據(jù)集的反演偏向這個優(yōu)選模型。如果根據(jù)所定義的準(zhǔn)則在步驟S19中擬合被視為足夠好，隨后是流程圖的'是，分支，到步驟S20。在步驟S20中，新的目標(biāo)上模型被用作最終的目標(biāo)上模型。如果在步驟S19中擬合被視為不是足夠好，隨后是流程圖的'否，分支，回到步驟S16。因此本過程通過步驟S16至S19迭代，直到來自最近的新的目標(biāo)上模型的合成數(shù)據(jù)足夠好地擬合實際目標(biāo)上數(shù)據(jù)。達到這一點時，本過程從S19跟隨'是，分支到S20,最近的新的目標(biāo)上模型被視為最終的目標(biāo)上模型。因此，圖8A和圖8B所示處理的結(jié)果是包含感興趣區(qū)域的一系列離散大地單元的每一個中的地下地層電阻率的最終模型。按照解釋地下電阻率勘察圖的公知原理可以對其進行解釋。例如，電阻率勘察圖有可能顯示出先前識別適于含烴的地質(zhì)構(gòu)造內(nèi)的離散單元具有的電阻率類似于周圍地層的電阻率。在這種情況下，可以假設(shè)該地質(zhì)構(gòu)造僅僅包含海水。另一方面，如果電阻率勘察圖顯示出地質(zhì)構(gòu)造內(nèi)的離散單元具有的電阻率顯著高于周圍地層的電阻率，就可以假設(shè)該地質(zhì)構(gòu)造含烴。圖9是平面示意圖，顯示了在海底區(qū)域32上方以兩個交叉形式布設(shè)的接收器25的實例陣列。右側(cè)的交叉接收器用于獲取目標(biāo)上數(shù)據(jù)，排列在包含先前識別的適于含烴的地質(zhì)構(gòu)造30的感興趣區(qū)域的上方。左側(cè)的交叉接收器用于獲取目標(biāo)外數(shù)據(jù)，排列在感興趣區(qū)域之外的區(qū)域的上方。地質(zhì)構(gòu)造30的特征尺寸為10km。在地質(zhì)構(gòu)造30上方布設(shè)的交叉接收器延伸的規(guī)模類似。在感興趣區(qū)域之外的交叉接收器也延伸相同的特征規(guī)模，并且與感興趣區(qū)域離開類似量的寬度。在為了提供根據(jù)本發(fā)明實施例的分析數(shù)據(jù)而進行的CSEM勘測時，沿著由S肌與E卯之間的虛線箭頭所標(biāo)識的路徑拖曳HED源而獲取目標(biāo)上數(shù)據(jù)，沿著由S。ff與E。ff之間的虛線箭頭所標(biāo)識的路徑拖曳HED源而獲取目標(biāo)外數(shù)據(jù)。當(dāng)沿著兩條路徑拖曳HED源之時它連續(xù)地播送。為了得到目標(biāo)上數(shù)據(jù)，在S。n與E。n之間拖曳源時在感興趣區(qū)域上方排列的接收器記錄EM響應(yīng)數(shù)據(jù)。同樣，為了得到目標(biāo)外數(shù)據(jù)，在S°ff與E"f之間拖曳源時在感興趣區(qū)域之外排列的接收器獲得EM響應(yīng)數(shù)據(jù)。在拖曳過程從始至終，HED源相對于接收器網(wǎng)絡(luò)的方位和位置也被記錄。以何種次序采集數(shù)據(jù)無關(guān)緊要。由于在S"f與E"f之間的拖曳遠離潛在的烴儲層(因而不受其影響)，并且在拖曳從始至終提供了寬范圍的源-接收器偏移，所以按這種方式采集的目標(biāo)外數(shù)據(jù)非常適于特征化目標(biāo)外地下地層，尤其是其垂直電導(dǎo)率各向異性。S。n與E^之間的拖曳提供了寬度類似的數(shù)據(jù)覆蓋(即偏移和方位的采樣類似)，不過平移到感興趣的區(qū)域。然后目標(biāo)上數(shù)據(jù)和目標(biāo)外數(shù)據(jù)可以如圖8A和圖8B所示處理。圖10和圖11顯示了為了獲取根據(jù)本發(fā)明實施例可以分析的CSEM數(shù)據(jù)的其他實例勘測方法。這些都寬泛地類似于圖9并將根據(jù)圖9理解。在圖10中，接收器的目標(biāo)外陣列(即圖的左側(cè)以交叉的形式排列的接收器25)以類似于圖9的方式排列。不過，在感興趣區(qū)域上方接收器25的陣列以直線排列，而不是以交叉的形式。當(dāng)HED源沿著點線的箭頭從S到E拖曳時采集數(shù)據(jù)。為了獲得目標(biāo)外數(shù)據(jù)，在拖曳的大致前半期間，在感興趣區(qū)域之外排列的接收器記錄EM響應(yīng)數(shù)據(jù)。為了獲得目標(biāo)上數(shù)據(jù)，在拖曳的大致后半期間，在感興趣區(qū)域上方排列的接收器得到EM數(shù)據(jù)。正如以上論述，在拖曳從始至終HED源相對于接收器網(wǎng)絡(luò)的方位和位置被記錄，以何種次序采集數(shù)據(jù)同樣無關(guān)緊要，并且拖曳可以同樣地從E到S。圖IO中的拖曳線再次為目標(biāo)外數(shù)據(jù)提供了寬范圍的源-接收器偏移。所以，以這種方式采集的目標(biāo)外數(shù)據(jù)再次非常適于特征化目標(biāo)外的地下地層。不過，目標(biāo)上數(shù)據(jù)僅僅對成直線方位采集。雖然常規(guī)勘測要求感興趣區(qū)域上方成直線和橫向都獲得數(shù)據(jù)，以便能夠依賴對于不同幾何關(guān)系對大規(guī)模背景巖層的不同響應(yīng)來除去不確定性[2，但是對于根據(jù)本發(fā)明實施例所分析的數(shù)據(jù)這不是必須的。這是因為目標(biāo)外27數(shù)據(jù)的反演已經(jīng)充分特征化了感興趣地質(zhì)構(gòu)造所在的背景巖層。所以，來自感興趣區(qū)域的成直線數(shù)據(jù)(它們是對烴存在最敏感的數(shù)據(jù))足以允許確定任何潛在的烴儲層的內(nèi)容(即是油還是水)。舉另一個實例，在圖11中，接收器的目標(biāo)外陣列以規(guī)則網(wǎng)格的形式部署，而在感興趣區(qū)域上方的接收器25的陣列隨機分布。沿著從S。n到E。n的彎曲路程拖曳源時，感興趣區(qū)域上方排列的接收器記錄EM響應(yīng)數(shù)據(jù)以獲得目標(biāo)上數(shù)據(jù)，沿著類似于圖9所示S。ff與E°ff之間的路程拖曳源時，感興趣區(qū)域之外排列的接收器記錄EM響應(yīng)數(shù)據(jù)以獲得目標(biāo)外數(shù)據(jù)。應(yīng)當(dāng)理解，許多其他拖曳模式和接收器陣列都可以使用。一般來說，能夠提供一定范圍的源-接收器方位和偏移的目標(biāo)外數(shù)據(jù)，以及一定范圍的源-接收器偏移的目標(biāo)上數(shù)據(jù)的接收器和拖曳的任何布局都可以用于提供適于根據(jù)本發(fā)明實施例分析的數(shù)據(jù)。也應(yīng)當(dāng)理解，并不要求單一源和接收器陣列。例如，使用單一接收器和源陣列(或者被拖曳穿過一定范圍的適宜方位和偏移的單一源)同樣可以獲得合適的數(shù)據(jù)集。不過，一般來說獲取適宜勘測數(shù)據(jù)的最高效方式將是相對于接收器陣列拖曳單一源。另外，不一定以相同的方式處理目標(biāo)上和目標(biāo)外數(shù)據(jù)。例如，雖然圖8A和圖8B顯示了兩個數(shù)據(jù)集都由數(shù)學(xué)反演技術(shù)處理，但是也可以使用其他方案。例如，目標(biāo)外數(shù)據(jù)可以使用符合圖8A中步驟Sl到步驟SIO的數(shù)學(xué)反演技術(shù)處理，但是目標(biāo)上數(shù)據(jù)然后要使用配置為考慮目標(biāo)外數(shù)據(jù)集反演結(jié)果(即圖8A中步驟S10最終目標(biāo)外模型的等效結(jié)果)的波場外推(成像)技術(shù)[5處理。例如，最終目標(biāo)外模型的地下地層可以用作波場外推的起始模型。不僅如此，這可以與考慮目標(biāo)上數(shù)據(jù)集先前處理結(jié)果的目標(biāo)上數(shù)據(jù)集的后續(xù)處理進行迭代。雖然以上討論集中在電磁場響應(yīng)的電場分量，但是應(yīng)當(dāng)理解，也可以采用基于電磁場響應(yīng)的磁場分量的類似分析方案。最后，應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明同樣可適用于淡水勘測，例如大的湖泊或河口，因此對海底、海水等的引用不應(yīng)當(dāng)視為限制，而應(yīng)當(dāng)解釋為包括湖床、河床等。因此介紹了分析感興趣區(qū)域的受控源電磁勘測結(jié)果的方法，所述感興趣區(qū)域包含先前識別的適于含烴的地質(zhì)構(gòu)造。本方法包括提供對于一定范圍的源-接收器方位和偏移，在所述感興趣區(qū)域之外(即目標(biāo)外)獲得的第一勘測數(shù)據(jù)集，以及提供對于一定范圍的源-接收器偏移，在所述感興趣區(qū)域之內(nèi)(即目標(biāo)上)獲得的第二勘測數(shù)據(jù)集。本方法進一步包括進行所述第一勘測數(shù)據(jù)集的數(shù)學(xué)反演以提供所述感興趣區(qū)域之外的地下地層的模型，以及處理所述第二勘測數(shù)據(jù)集以提供所述感興趣區(qū)域之內(nèi)的地下地層的模型，其中，所述第二勘測數(shù)據(jù)集的處理考慮了所述第一勘測數(shù)據(jù)集的反演結(jié)果。圖12是根據(jù)本發(fā)明實施例生產(chǎn)烴的石油鉆塔40的示意圖。石油鉆塔位于根據(jù)以上介紹的方法已經(jīng)勘測過并且分析了結(jié)果數(shù)據(jù)集的感興趣區(qū)域附近。這里假設(shè)分析結(jié)果已經(jīng)識別了感興趣區(qū)域內(nèi)的地下烴儲層12。識別的烴儲層已經(jīng)被石油鉆塔40所鉆進的烴生產(chǎn)井42穿透。使用常規(guī)的技術(shù)可以從井42生產(chǎn)(即從儲層l2提取/回收)烴(如石油)。圖13是根據(jù)本發(fā)明實施例包含一定體積的烴44的油桶的示意透視圖。此經(jīng)使用圖12所示的井42生產(chǎn)。圖14是根據(jù)本發(fā)明實施例含有數(shù)據(jù)集的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)46的示意透視圖。在這個實例中的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)是常規(guī)的光盤，例如數(shù)據(jù)壓縮盤或數(shù)據(jù)DVD盤。任何其他存儲介質(zhì)都可以同樣使用。因此根據(jù)本發(fā)明實施例獲得的數(shù)據(jù)集(例如以上介紹的目標(biāo)上和/或目標(biāo)外勘測數(shù)據(jù)集)可以存儲在數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)46上用于后來的分析。29[1]Joh咖叫S.E.,Amundsen,H.E.F.，R0st叫T.,EllingsrudS.,Eidesmo.T.,Bhuyian,A.H.，iS"w2^no^ce/yd!rocor6o;wdlefecZeci;ye/ecfrowagneficjoaro&ig，F(xiàn)irstBreaksvol.23,pp.31-36,March2005..Tompkins,M.J.,Weaver,R-,MacGregorL.M.,o/7ert/ca/乂"&ofro/yonJW"or/"e爿cft've5bwre五/ecrromflgne/fcDatooncf/overw'onj，EAGE66thConference&Exhibition,Paris,7-10June2004.Behrens，J.P"DetecftVmo/￡7e"r/cfl//Iw/sWra/^/MaMawrfe,地球科學(xué)學(xué)科博士程度論文，California大學(xué)，SanDiego,2005.ConstableS.C.，ParkerR.L"Constable,C.G.,Occam'sz'ww'o":爿/jracf/ca/a/gow'/^ffiy_/&rge加nz/z'ngjwooz/i加twfefe<^0加五Afjowwfeigcfate,Geophysics,vol.52,pp.289-300,1987.Chave，A.D.,CoxC.S"Confro//e</e/ecfrowagneft'c加wrcej》j加辦，J.GeophysicalResearch,vol.87,no.B7,pp,5327-5338，July1982Unsworth^J.M,，Travis,B,J"Chave，A.D.，五/ec的77iog7zWcfttt/Kcrionaefecft'fc卻o/e幼urceove"o2-￡>ea喊Geophysics,vol.58no.2,pp.198-214,February1993.30[10〗Newman,G.A.,Alumbaugh，D.L.，77wee-Dz'"!ew/ono/Afaw/ve/y尸ora,/e/五/ec的"i。gneft.c/wera/。w-Z77!eo7,ReportSAND96-0582,SandiaNat'lLabs,1996andGeophys.J.Int.,v,128,pp.345-354，1997.Tompkins,M"^na/j^so/m/rf-co'^owe"fAoreAoZee/ecfromognerit學(xué)科博士程度論文，Wisconsin-Madison大學(xué)，2003.權(quán)利要求1.一種分析感興趣區(qū)域的受控源電磁勘測結(jié)果的方法，所述感興趣區(qū)域包含先前識別的適于含烴的地質(zhì)構(gòu)造，所述方法包括提供在所述感興趣區(qū)域之外對于一定范圍的源-接收器方位和偏移獲得的第一勘測數(shù)據(jù)集；提供在所述感興趣區(qū)域之內(nèi)對于一定范圍的源-接收器偏移獲得的第二勘測數(shù)據(jù)集；進行所述第一勘測數(shù)據(jù)集的數(shù)學(xué)反演以提供所述感興趣區(qū)域之外的地下地層的模型；以及處理所述第二勘測數(shù)據(jù)集以提供所述感興趣區(qū)域之內(nèi)的地下地層的模型，其中，所述處理考慮了所述感興趣區(qū)域之外的地下地層的所述模型。2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，所述第一勘測數(shù)據(jù)集包括使用水平電偶極子源對于與所述源的軸橫向的一定范圍的偏移獲得的數(shù)據(jù)，以及對于與所述源的軸成一直線的一定范圍的偏移的數(shù)據(jù)。3.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中，對于與所述源的軸成一直線的偏移的所述第一勘測數(shù)據(jù)集的數(shù)據(jù)是水平場數(shù)據(jù)。4.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中，對于與所述源的軸成一直線的偏移的所述第一勘測數(shù)據(jù)集的數(shù)據(jù)是垂直場數(shù)據(jù)。5.根據(jù)任何一項前述權(quán)利要求的方法，其中，所述第一勘測數(shù)據(jù)集包括使用水平電偶極子源對于介于與所述源的軸橫向和與所述源的軸成一直線之間的方位上一定范圍的偏移獲得的數(shù)據(jù)。6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，所述第一勘測數(shù)據(jù)集包括使用垂直電偶極子源對于一定范圍的偏移獲得的數(shù)據(jù)。7.根據(jù)任何一項前述權(quán)利要求的方法，其中，所述第二勘測數(shù)據(jù)集包括使用水平電偶極子源對于與所述源的軸成一直線的一定范圍的偏移獲得的數(shù)據(jù)。8.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中，所述第二勘測數(shù)據(jù)集進一步包括對于與所述源的偶極子軸橫向的一定范圍的偏移的數(shù)據(jù)。9.根據(jù)權(quán)利要求7或8的方法，其中，對于與所述源的軸成一直線的偏移的所述第二勘測數(shù)據(jù)集的數(shù)據(jù)是水平場數(shù)據(jù)。10.根據(jù)權(quán)利要求7或8的方法，其中，對于與所述源的軸成一直線的偏移的所述第二勘測數(shù)據(jù)集的數(shù)據(jù)是垂直場數(shù)據(jù)。11.根據(jù)任何一項前述權(quán)利要求的方法，其中，所述第二勘測數(shù)據(jù)集包括使用水平電偶極子源對于介于與所述源的軸橫向和與所述源的軸成一直線之間的方位上一定范圍的偏移獲得的數(shù)據(jù)。12.根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中，所述第二勘測數(shù)據(jù)集包括使用垂直電偶極子源對于一定范圍的偏移獲得的數(shù)據(jù)。13.根據(jù)任何一項前述權(quán)利要求的方法，其中，進行第一勘測數(shù)據(jù)集的數(shù)學(xué)反演的步驟允許在兩個方向上獨立地確定所述感興趣區(qū)域之外的地下地層的模型中的電導(dǎo)率。14.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中，所述兩個方向包括垂直方向和水平方向。15.根據(jù)權(quán)利要求1至14中任何一項的方法，其中，處理所述第二勘測數(shù)據(jù)集的步驟包括進行數(shù)學(xué)反演，其中，模型空間的至少一個參數(shù)根據(jù)它在所述感興趣區(qū)域之外的地下地層的模型中的數(shù)值進行約束。16.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中，通過被賦予相應(yīng)于它在所述感興趣區(qū)域之外的地下地層模型中的數(shù)值的固定值，來約束所述參數(shù)。17.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中，通過根據(jù)它在所述感興趣區(qū)域之外的地下地層模型中的數(shù)值被要求釆用一定數(shù)值范圍內(nèi)的數(shù)值，來約束所述參數(shù)。18.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中，通過根據(jù)它在所述感興趣區(qū)域之外的地下地層模型中的數(shù)值被賦予優(yōu)選數(shù)值來約束所述參數(shù)，以及所述第二勘測數(shù)據(jù)集的所述數(shù)學(xué)反演偏向所述參數(shù)最接近所述優(yōu)選數(shù)值的模型。19.根據(jù)權(quán)利要求1至14中任何一項的方法，其中，處理所述第二勘測數(shù)據(jù)集的步驟包括進行波場外推，其中，所述波場外推的初始模型對應(yīng)于所述感興趣區(qū)域之外的地下地層的模型。20.根據(jù)任何一項前述權(quán)利要求的方法，進一步包括考慮從所述第二勘測數(shù)據(jù)集的第一次上述處理獲得的所述感興趣區(qū)域之內(nèi)的地下地層的模型，第二次處理所述第二勘測數(shù)據(jù)集，以提供所述感興趣區(qū)域之內(nèi)的地下地層的第二模型。21.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，進一步包括考慮在處理所述第二勘測數(shù)據(jù)集的先前迭代中獲得的所述感興趣區(qū)域之內(nèi)的地下地層的模型，進一步處理所述第二勘測數(shù)據(jù)集，以提供所述感興趣區(qū)域之內(nèi)的地下地層的進一步模型。22.—種計算機程序產(chǎn)品，內(nèi)含的機器可讀指令用于實施根據(jù)任何一項前述權(quán)利要求的分析受控源電磁勘測結(jié)果的方法。23.—種計算機裝置，加載有機器可讀指令用于實施根據(jù)任何一項前述權(quán)利要求的分析受控源電磁勘測結(jié)果的所述方法。24.—種計劃感興趣區(qū)域的受控源電磁勘測的方法，所述感興趣區(qū)域包含先前識別的適于含烴的地質(zhì)構(gòu)造，所述方法包括創(chuàng)建所述感興趣區(qū)域之外的區(qū)域的模型，包括巖層和它上方的水體；創(chuàng)建與所述感興趣區(qū)域之外的所述模型對應(yīng)但進一步包括烴儲層的所迷感興趣區(qū)域的模型；在所述感興趣區(qū)域之外進行電磁勘測仿真，以提供對于一定范圍的源-接收器方位和偏移的第一仿真勘測數(shù)據(jù)集；在所述感興趣區(qū)域之內(nèi)進行電磁勘測仿真，以提供對于一定范圍的源-接收器偏移的第二仿真勘測數(shù)據(jù)集；進行所述第一仿真數(shù)據(jù)集的數(shù)學(xué)反演，以提供所述感興趣區(qū)域之外的所述地下地層的仿真恢復(fù)模型；以及處理所述第二仿真數(shù)據(jù)集，以考慮所述感興趣區(qū)域之外的所述地下地層的所述仿真恢復(fù)模型，提供所述感興趣區(qū)域之內(nèi)的所述地下地層的仿真恢復(fù)模型。25.根據(jù)權(quán)利要求24的方法，進一步包括對于若干源頻率重復(fù)所述感興趣區(qū)域之外的電磁勘測仿真，以便為了特征化所述巖層，選擇關(guān)于源頻率以及源-接收器方位和距離的最優(yōu)勘測條件。26.根據(jù)權(quán)利要求24或25的方法，進一步包括對于若干源頻率重復(fù)所述感興趣區(qū)域之內(nèi)的電磁勘測仿真，以便為了探查所述烴儲層，選擇有關(guān)源頻率以及源-接收器距離的最優(yōu)勘測條件。27.—種計算機程序產(chǎn)品，內(nèi)含的機器可讀指令用于實施權(quán)利要求24至26中任何一項的計劃受控源電/P茲勘測的方法。28.—種計算機裝置，加栽有機器可讀指令用于實施權(quán)利要求24至26中任何一項的計劃受控源電磁勘測的方法。29.—種進行感興趣區(qū)域的受控源電磁勘測的方法，所述感興趣區(qū)域包含先前識別的適于含烴的地質(zhì)構(gòu)造，所迷方法包括在所述感興趣區(qū)域之外對于一定范圍的源-接收器方位和偏移獲得第一勘測數(shù)據(jù)集；進行所述第一勘測數(shù)據(jù)集的數(shù)學(xué)反演以提供所述感興趣區(qū)域之外的地下地層的模型；通過將模型爛儲層添加到所述感興趣區(qū)域之外的所述地下地層的模型而創(chuàng)建所述感興趣區(qū)域的模型；進行所述感興趣區(qū)域的所述模型的電磁勘測仿真，以提供對于一定范圍的源-接收器偏移的仿真勘測數(shù)據(jù)集；對于若干源頻率重復(fù)所述感興趣區(qū)域的所述模型的所述電磁勘測仿真，以便為了探查所述烴儲層，選擇關(guān)于源頻率以及源-接收器距離的最優(yōu)勘測條件；以及根據(jù)所迷選定的最優(yōu)勘測條件在所述感興趣區(qū)域之內(nèi)獲得第二勘測數(shù)據(jù)集。30.根據(jù)權(quán)利要求29的方法，其中，在第一時間獲得所述第二勘測數(shù)據(jù)集，并且所述方法進一步包括在與所迷第一時間不同的時間在所述感興趣區(qū)域之內(nèi)獲得至少一個進一步的勘測數(shù)據(jù)集，以便允許監(jiān)視所述感興趣區(qū)域中的變化。31.—種用于從包含先前識別的適于含經(jīng)的地質(zhì)構(gòu)造的感興趣區(qū)域獲得烴的方法，所述方法包括在所述感興趣區(qū)域之外對于一定范圍的源-接收器方位和偏移獲得第一勘測數(shù)據(jù)集；進行所述第一勘測數(shù)據(jù)集的數(shù)學(xué)反演以提供所述感興趣區(qū)域之外的地下地層的模型；通過將模型烴儲層添加到所述感興趣區(qū)域之外的所述地下地層的模型而創(chuàng)建所述感興趣區(qū)域的模型；進行所述感興趣區(qū)域的所述模型的電磁勘測仿真，以提供對于一定范圍的源-接收器偏移的仿真勘測數(shù)據(jù)集；對于若干源頻率重復(fù)所述感興趣區(qū)域的所述模型的所述電磁勘測仿真，以便為了探查所述烴儲層，選擇關(guān)于源頻率以及源-接收器距離的最優(yōu)勘測條件；根據(jù)所述選定的最優(yōu)勘測條件，獲得所述感興趣區(qū)域之內(nèi)的第二勘測數(shù)據(jù)集；使用所述第二勘測數(shù)據(jù)集來識別烴儲層；以及用烴生產(chǎn)井穿透所述識別的烴儲層。32.—種從包含先前識別的適于含烴的地質(zhì)構(gòu)造的感興趣區(qū)域獲得的一定體積的烴，通過下列步驟獲得所述烴在所述感興趣區(qū)域之外對于一定范圍的源-接收器方位和偏移獲得第一勘測數(shù)據(jù)集；進行所述第一勘測數(shù)據(jù)集的數(shù)學(xué)反演以提供所述感興趣區(qū)域之外的地下地層的模型；通過將模型烴儲層添加到所述感興趣區(qū)域之外的所述地層模型而創(chuàng)建所述感興趣區(qū)域的模型；進行所述感興趣區(qū)域的所述模型的電磁勘測仿真，以提供對于一定范圍的源-接收器偏移的仿真勘測數(shù)據(jù)集；對于若干源頻率重復(fù)所述感興趣區(qū)域的所述模型的所述電磁勘測仿真，以便為了探查所述烴儲層，選擇關(guān)于源頻率以及源-接收器距離的最優(yōu)勘測條件；根據(jù)所述選定的最優(yōu)勘測條件，在所述感興趣區(qū)域之內(nèi)獲得第二勘測數(shù)據(jù)集；使用所述第二勘測數(shù)據(jù)集來識別烴儲層；用烴生產(chǎn)井穿透所迷識別的烴儲層；以及使用所述井從所述烴儲層提取所述烴。33.—種表示包含先前識別的適于含烴的地質(zhì)構(gòu)造的感興趣區(qū)域的結(jié)果數(shù)據(jù)集，通過下列步驟獲得所述結(jié)果數(shù)據(jù)集在所述感興趣區(qū)域之外對于一定范圍的源-接收器方位和偏移獲得第一勘測數(shù)據(jù)集；進行所述第一勘測數(shù)據(jù)集的數(shù)學(xué)反演以提供所述感興趣區(qū)域之外的地下地層的模型；通過將模型烴儲層添加到所述感興趣區(qū)域之外的所述地下地層的模型而創(chuàng)建所述感興趣區(qū)域的模型；進行所述感興趣區(qū)域的所述模型的電磁勘測仿真，以提供對于一定范圍的源-接收器偏移的仿真勘測數(shù)據(jù)集；對于若干源頻率重復(fù)所述感興趣區(qū)域的所述模型的所述電磁勘測仿真，以便為了探查所述烴儲層，選擇有關(guān)源頻率以及源-接收器距離的最優(yōu)勘測條件；根據(jù)所述選定的最優(yōu)勘測條件，在所述感興趣區(qū)域之內(nèi)獲得第二勘測數(shù)據(jù)集；以及根據(jù)所述第二勘測數(shù)據(jù)集產(chǎn)生所述結(jié)果數(shù)據(jù)集。34.—種計算機可讀存儲介質(zhì)，其上記錄有根據(jù)權(quán)利要求33的結(jié)果數(shù)據(jù)集。全文摘要介紹了分析感興趣區(qū)域的受控源電磁勘測結(jié)果的方法，所述感興趣區(qū)域包含先前識別的適于含烴的地質(zhì)構(gòu)造。本方法包括提供在所述感興趣區(qū)域之外，即目標(biāo)外，對于一定范圍的源-接收器方位和偏移獲得的第一勘測數(shù)據(jù)集，以及提供在所述感興趣區(qū)域之內(nèi)，即目標(biāo)上，對于一定范圍的源-接收器偏移獲得的第二勘測數(shù)據(jù)集。本方法進一步包括進行所述第一勘測數(shù)據(jù)集的數(shù)學(xué)反演以提供所述感興趣區(qū)域之外的地下地層的模型，以及處理所述第二勘測數(shù)據(jù)集以提供所述感興趣區(qū)域之內(nèi)的地下地層的模型，其中所述第二勘測數(shù)據(jù)集的處理考慮了所述第一勘測數(shù)據(jù)集的反演結(jié)果。文檔編號G01V3/12GK101479627SQ200780023722公開日2009年7月8日申請日期2007年4月24日優(yōu)先權(quán)日2006年5月22日發(fā)明者D·安德雷斯,L·麥克格雷格爾,N·巴克申請人:Ohm有限公司