專利名稱：用于紅外微輻射熱測定計(jì)傳感器的傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體上涉及包括傳感器和檢測器的監(jiān)測裝置，并且更具體 地涉及紅外傳感器或者成像器。
背景技術(shù)：
監(jiān)測裝置用于很多不同的應(yīng)用中。例如，形成監(jiān)測系統(tǒng)一部分的 檢測器和傳感器可以用于侵入保安和視頻監(jiān)視。其他的應(yīng)用包括，例 如，火災(zāi)檢測和應(yīng)急響應(yīng)。這些應(yīng)用可以是(例如)軍事的、非軍事 的、個(gè)人的、等等。例如，基于有待在其中使用的裝置的特定應(yīng)用或
系統(tǒng)可以提供不同類型的裝置。例如，配置為熱敏相機(jī)的紅外(IR) 成像器可以用在這些系統(tǒng)中以檢測溫度變化。
不同類型的IR成像器是公知的，而且通常包括一個(gè)輻射熱測定 計(jì)或者微輻射熱測定計(jì)裝置以檢測入射電磁輻射。這些輻射熱測定計(jì) 本質(zhì)上是電阻性溫度計(jì)，為了得到最佳的信號(hào)和噪聲特性，它們需要 維持一定的總電阻。因此，優(yōu)選電阻率熱系數(shù)(TCR)具有較大值的 材料以產(chǎn)生更好的IR感測性能。
就IR成像器而言，冷卻和非冷卻系統(tǒng)都是公知的。例如， 帶有 輻射熱測定計(jì)的IR成像器可以包括制冷系統(tǒng)(例如低溫制冷系統(tǒng))， 并且已知通常是用在軍事應(yīng)用中。這些裝置通常復(fù)雜并且尺寸較大。 而且，這些有冷卻的成像器的成本較高。帶有^:輻射熱測定計(jì)的沒有 冷卻的系統(tǒng)不太昂貴并且設(shè)計(jì)尺寸較小。然而，由于這些輻射熱測定 計(jì)的平面內(nèi)傳導(dǎo)模式設(shè)計(jì)的原因，這些沒有冷卻的系統(tǒng)典型地必須包 括一種電阻率較低的輻射熱測定計(jì)薄膜材料。與類似的但電阻率較高 的材料相比，這種電阻率較低的材料通常具有較低的TCR值。增加 輻射熱測定計(jì)薄膜的厚度以提高電傳導(dǎo)增加了這種裝置的感測部分的熱慣量/熱容量，由此降低了這種成像器的整體性能。較廉價(jià)的沒有 冷卻的系統(tǒng)的質(zhì)量(例如成像質(zhì)量)典型地低于較昂貴的有冷卻的系 統(tǒng)的質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
可提供一種微輻射熱測定計(jì)，這種微輻射熱測定計(jì)可包括一個(gè)第 一傳導(dǎo)體層和一個(gè)第二導(dǎo)體層。該微輻射熱測定計(jì)可以進(jìn)一步包括位 于該第一傳導(dǎo)體層與第二導(dǎo)體層之間的一個(gè)輻射熱測定計(jì)層。還可以 提供使用該微輻射熱測定計(jì)的 一種熱敏相機(jī)。
可提供用于檢測電磁輻射的一種方法。該方法可以包括在一個(gè)熱 敏感薄膜上接收電磁輻射。該方法可以進(jìn)一步包括基于所接收的電磁 輻射利用一個(gè)基本上垂直的電傳導(dǎo)模式來感測一種輻射熱測定計(jì)材 料中的電阻變化。


為了更好地理解本發(fā)明的不同實(shí)施方案，應(yīng)參見以下詳細(xì)說明并 結(jié)合下面的附圖來閱讀，其中類似的標(biāo)號(hào)表示類似的部件。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案構(gòu)建的一個(gè)紅外(IR)成像器的框圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案構(gòu)建的微輻射熱測定計(jì)的一個(gè)陣 列的俯視透視圖。
圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案形成的一個(gè)微輻射熱測定 計(jì)多個(gè)層的側(cè)視圖。
圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案形成的一個(gè)微輻射熱測定 計(jì)結(jié)構(gòu)的俯視透視圖。
具體實(shí)施例方式
為了簡潔且易于解說，在此結(jié)合本發(fā)明的不同實(shí)施方案對本發(fā)明 進(jìn)行說明。然而，本領(lǐng)域中熟練的技術(shù)人員將會(huì)認(rèn)識(shí)到，可在多種配置中實(shí)現(xiàn)不同實(shí)施方案的這些特征和優(yōu)點(diǎn)。因此，應(yīng)理解在此所說明 的實(shí)施方案是以說明而非限制的方式給出。
從總體上講，本發(fā)明的不同實(shí)施方案提供了具有一種垂直傳導(dǎo)結(jié)
構(gòu)的一種紅外(IR)微輻射熱測定計(jì)裝置。例如，可以將這些不同的 實(shí)施方案用作熱敏相機(jī)中的檢測器。
具體而言，本發(fā)明的不同實(shí)施方案可以如圖1所示在一個(gè)IR成
像器20中實(shí)施，例如，可以將該成像器配置為一個(gè)紅外相機(jī)。IR成 像器20通?？梢栽谇岸税ㄒ粋€(gè)光學(xué)組件22，該光學(xué)組件可包括一 個(gè)或多個(gè)透鏡24。光學(xué)組件22可以被連接到一個(gè)IR傳感器26上， 該傳感器可包括一個(gè)或多個(gè)輻射熱測定計(jì)裝置，并且更具體地是一個(gè) 或多個(gè)微輻射熱測定計(jì)(MB)單元28。該一個(gè)或多個(gè)微輻射熱測定 計(jì)單元26總體上限定了 IR成像器20的一個(gè)成像內(nèi)核。IR傳感器26 還可以連接到一個(gè)控制單元30以及一個(gè)濾波器/轉(zhuǎn)換器32上。該濾波 器/轉(zhuǎn)換器32可以進(jìn)一步地連接到一個(gè)處理器34上，該處理器可被連 接到一個(gè)顯示器36上。處理器34還可以連接到一個(gè)存儲(chǔ)器38上。
不同實(shí)施方案中的IR成像器20被配置為一個(gè)沒有冷卻的IR檢 測器，這樣就不提供外部冷卻裝置。然而，應(yīng)注意，IR成像器20可 替代地可以是一個(gè)冷卻的IR檢測器。更具體地講，IR成像器20可 以包括被配置為沒有冷卻的熱傳感器的一個(gè)或多個(gè)微輻射熱測定計(jì) 單元28。在運(yùn)行中，IR成像器20運(yùn)行以測量由光學(xué)組件22接收并 且聚焦到IR傳感器26上的入射電磁輻射。實(shí)質(zhì)上，該一個(gè)或多個(gè)微 輻射熱測定計(jì)單元28各自包括一個(gè)或多個(gè)微輻射熱測定計(jì)，它們在 一個(gè)或多個(gè)頻率范圍對輻射進(jìn)行測量，對這種輻射是作為電阻變化進(jìn) 行檢測的。對所檢測的電阻變化進(jìn)行測量并處理，這可以包括以任何 已知的方式對信號(hào)進(jìn)行濾波和/或者利用濾波器/轉(zhuǎn)換器32將這些信號(hào) 從模擬輸入轉(zhuǎn)換為數(shù)字輸出。然后，處理器34可以基于存儲(chǔ)器38中 存儲(chǔ)的設(shè)置生成溫度映射并且提供作為顯示器36上的熱圖像的輸出。
應(yīng)注意，還可以將不同的控制提供給IR成〗象器20。例如，可以 提供偏壓和/或參考信號(hào)以控制和校準(zhǔn)IR成像器20，例如，以便接收以不同頻率范圍的輻射。
該一個(gè)或多個(gè)微輻射熱測定計(jì)單元28可以被配置為圖2所示的 單個(gè)的微輻射熱測定計(jì)42的一個(gè)格柵40，并且限定一個(gè)傳感器陣列。 然而，應(yīng)注意，可以根據(jù)希望或者需要對該陣列的大小和尺寸進(jìn)行修 改。而且，這些微輻射熱測定計(jì)42各自可以包括將這些微輻射熱測 定計(jì)42各自連接到一個(gè)基板46上的一個(gè)或多個(gè)電極44。
如圖3中所示，每個(gè)微輻射熱測定計(jì)28總體上可以由通過一個(gè) 絕緣層52 (例如一個(gè)絕緣的聯(lián)接)連接到一個(gè)散熱器50 (例如恒溫 區(qū)域)上的一個(gè)吸收層48形成。 一個(gè)溫度測量裝置(未示出)可以 被連接到該吸收層48上。應(yīng)注意，吸收層48和溫度測量裝置可以作 為一個(gè)單獨(dú)的單元來提供。還應(yīng)注意，在不同實(shí)施方案中的絕緣層52
可以是空氣或者真空區(qū)域或者空隙。同樣，應(yīng)注意，這種熱傳導(dǎo)可以 穿過絕緣層52或者沿著微輻射熱測定計(jì)28的一個(gè)或多個(gè)邊緣。
在運(yùn)行中，由吸收層48吸收的輻射將溫度升高到高于散熱器層 50的溫度，這樣，吸收的功率越高，溫度就越高。連接到吸收層48 的溫度測量裝置對溫度進(jìn)行測量，從該溫度中可以用已知的任何方式 計(jì)算出吸收的功率。因此，格柵40可以用位于一個(gè)相應(yīng)的硅格柵的 頂部上的多個(gè)(例如)氧化釩或者非晶態(tài)硅熱傳感器來形成。來自特 定波長范圍的紅外輻射可以照在該頂部的隔柵層并且改變該層的電 阻。對電阻中的變化進(jìn)行測量并且處理成溫度值，這些溫度值能夠以 圖形表示或者用于形成在此所說明的圖像(例如，在一個(gè)IR相機(jī)中)。 格柵40實(shí)質(zhì)上包括多個(gè)感測元件，這些感測元件限定了帶有IR吸收 涂層的多個(gè)熱感測薄膜像素，在受到紅外能量輻射時(shí)，該IR吸收涂 層使該裝置的溫度上升，從而導(dǎo)致電阻的變化。應(yīng)注意，對電阻的變 化可以進(jìn)行電感測并處理(例如，轉(zhuǎn)換)成視頻信號(hào)。另外，每個(gè)像 素實(shí)質(zhì)上限定一個(gè)熱敏電阻器，其電阻值隨溫度而變化。例如，可以 采用不同的方式對這些像素進(jìn)行配置(例如)以便檢測約為一攝氏度 的二十分之一的溫度變化，或者通常小于一攝氏度的十分之一。然而， 可以將每個(gè)像素配置為檢測更高或者更低的溫度變化，例如一攝氏度或更高攝氏度的變化。
應(yīng)注意，這些^f救輻射熱測定計(jì)42可以通過例如一個(gè)半導(dǎo)體淀積 過程來形成。例如，可以在基底上淀積一個(gè)鋁層，接著在該鋁層上淀 積非晶態(tài)硅。此后，可以在該非晶態(tài)硅上淀積另一個(gè)鋁層。然后可以 利用光刻工藝在所成形的材料中切出多個(gè)檢測區(qū)域(例如多個(gè)窗口 )。 可用本領(lǐng)域中公知的任何方式來提供用于形成這些微輻射熱測定計(jì) 的不同步驟。
本發(fā)明的不同實(shí)施方案提供了具有垂直傳導(dǎo)模式的 一種微輻射 熱測定計(jì)。更具體地講，可以由一個(gè)第一導(dǎo)體層64與一個(gè)第二導(dǎo)體 層66之間的輻射熱測定計(jì)層62形成圖4所示的IR敏感內(nèi)核材料60。 確切地講，輻射熱測定計(jì)層62可以用一種感測材料(例如，電阻性 半導(dǎo)體材料)形成，而且第一導(dǎo)體層64和第二導(dǎo)體層66形成將輻射 熱測定計(jì)層62夾在中間的電極層(例如鋁傳導(dǎo)片)。第一導(dǎo)體層64 和第二導(dǎo)體層66還可以包括延伸接片68，這些接片延伸超過這些層 的邊緣，這些邊緣限定相對的角落上的多條引線。應(yīng)注意，圖4中的 多個(gè)箭頭指示穿過IR敏感內(nèi)核材料60的電子流。還應(yīng)注意，示于圖 4的結(jié)構(gòu)可以限定IR傳感器26 (圖l中示出)的一個(gè)單一像素。
當(dāng)與通過輻射熱測定計(jì)層62的電阻相比可忽略穿過第一導(dǎo)體層 64與第二導(dǎo)體層66的電阻時(shí)，IR敏感內(nèi)核材料60的電阻可以定義 如下
R = p*t /(L*W) (1)
其中，p表示輻射熱測定計(jì)層62的電阻率，t表示輻射熱測定計(jì) 層62的厚度，L表示輻射熱測定計(jì)層62的長度，并且W代表輻射熱 測定計(jì)層62的寬度。應(yīng)注意，輻射熱測定計(jì)層62可以是一個(gè)薄膜層， 例如，厚度約為0.01微米。
在運(yùn)行中，感測電流從第一導(dǎo)體層64的接片68流入第一導(dǎo)體層 64，在平面內(nèi)穿過輻射熱測定計(jì)層62的厚度(t)擴(kuò)展開并且到達(dá)相 對的導(dǎo)體層，即第二導(dǎo)體層66。然后，該感測電流在平面內(nèi)流過第二 導(dǎo)體層66并被匯集在接片68上。應(yīng)注意，這些接片68總體上可以限定第一導(dǎo)體層64和第二導(dǎo)體層66的第一和第二引線。
就輻射熱測定計(jì)層62 (例如，它可以由非晶態(tài)硅材料形成)的 TCR而言，可以通過改變摻雜等級來提供較寬的電阻率范圍。在形成 IR敏感內(nèi)核材料60的不同層時(shí)，將第一導(dǎo)體層64和第二導(dǎo)體層66 構(gòu)成為薄層，這樣第一導(dǎo)體層64和第二導(dǎo)體層66對于敏感內(nèi)核材料 60的平面中的熱傳導(dǎo)不占主導(dǎo)。還可以通過在熱設(shè)計(jì)(例如，長的隔 熱引線)過程中進(jìn)行的其他方面的優(yōu)化來減少熱傳導(dǎo)。然而，在此說 明的第一和第二導(dǎo)體層64的熱傳導(dǎo)的減少是一個(gè)獨(dú)立因素。相應(yīng)地， 第一和第二導(dǎo)體層64的厚度按如下方式確定。應(yīng)注意，因?yàn)檫@種電 極材料可以是例如具有高的電傳導(dǎo)率和熱傳導(dǎo)率的一種金屬，除其他 的之外，例如是但不限于鉑和鋁，所以第一和第二導(dǎo)體層64的厚度 可以比輻射熱測定計(jì)層62的厚度實(shí)質(zhì)性地更薄。因此，在該敏感內(nèi) 核材料60的平面內(nèi)熱傳導(dǎo)率對于這種熱設(shè)計(jì)十分重要的實(shí)施方案中， 以下方程式限定了第一和第二導(dǎo)體層64和66與輻射熱測定計(jì)層62 之間的關(guān)系
Gc* tc < Gb* tb (2)
其中Ge和Gb分別是第一和第二導(dǎo)體層64和66、以及輻射熱測 定計(jì)層62的材料的熱傳導(dǎo)率，仁和tb分別是第一和第二導(dǎo)體層64和 66、以及輻射熱測定計(jì)層62的厚度。
作為一個(gè)實(shí)例，對于非晶態(tài)硅而言，在室溫附近Gb-5W/m-K， 而以類似的值適于其他的用于形成輻射熱測定計(jì)的非晶態(tài)半導(dǎo)體材 料。對于Ge而言，金屬的熱傳導(dǎo)率隨著金屬的電傳導(dǎo)率增加，并且 這些值可在例如從100W/m-K至400W/m-K的范圍內(nèi)。例如，鋁在室 溫附近具有大約30(TW/m-K的熱傳導(dǎo)率。因此，將第一和第二導(dǎo)體層 64和66的厚度設(shè)置為使得由第一和第二導(dǎo)體層64和66提供出最小 的附加平面內(nèi)熱消散。
進(jìn)一步地，將第一和第二導(dǎo)體層64的厚度設(shè)置為使得第一和第 二導(dǎo)體層64僅提供了一個(gè)像素元件的整體電阻的一小部分，如以下 所詳細(xì)說明。確切地講，提供了以下方程式用于配置不同的層Rtotal=(pb*tb/(L*W)) + (2*(pc*L/(W*tc)) (3) 和
(pb*tb/(L*W)) > (2*(Pc*L/(W*tc)) (4) 其中，(1) pb和pc分別是輻射熱測定計(jì)層62、以及第一和第二 導(dǎo)體層64和66的電阻率，(2) tb和tc分別是輻射熱測定計(jì)層62、 以及第一和第二導(dǎo)體層64和66的厚度，以及(3) W和L是這些層 的寬度和長度。
合并式2和4可以推導(dǎo)出如下方程式
《>2,或^zj^ (5)
因此，可以用等式5確定輻射熱測定計(jì)層62的厚度。例如，非 晶態(tài)硅和鋁分別具有約為103 n'cm和3 xl(T6 Q.cm的電阻率。利用 等式5,對于30孩i米(nm)乘30frni的一個(gè)感測面積而言，產(chǎn)生tb> L*6*1(T4,或者18納米(nm)的輻射熱測定計(jì)層的最小厚度。因此， 輻射熱測定計(jì)層62的厚度可以是例如50nm或高于50nm (例如，將 設(shè)計(jì)公差包括在內(nèi))。在不同的IR成像器應(yīng)用中，輻射熱測定計(jì)層 62的厚度可以是在例如10nm至1000nm之間，而使第一和第二導(dǎo)體 層64厚度分別為10nm。然而，根據(jù)希望或者需要輻射熱測定計(jì)層62 的厚度可以更大或者更小。
這樣，本發(fā)明的不同實(shí)施方案提供了具有垂直傳導(dǎo)模式的一種微 輻射熱測定計(jì)，由此提高了 TCR并且產(chǎn)生了改進(jìn)的靈敏性。相應(yīng)地， 具有較高電阻率的多種輻射熱測定計(jì)材料可以用于提供一種希望的 或者所要求的裝置的總電阻。應(yīng)注意，當(dāng)使用具有負(fù)TCR的輻射熱 測定計(jì)材料(例如，非晶態(tài)硅、VOx以及其他半導(dǎo)體材料)時(shí)，可以 利用更高的電阻率獲得更高的TCR值。因此，利用更高電阻率的材 料提供了更高的TCR系數(shù)。
應(yīng)注意，不同的實(shí)施方案(包括例如在此所說明的不同的層)可 以用任何適當(dāng)?shù)牟牧闲纬刹⑶铱梢曰诶缣囟ǖ膽?yīng)用。進(jìn)一步講， 還可以根據(jù)希望或需要修改各種層的尺寸和形狀。另外，這些不同的 實(shí)施方案可以與其中需要或者希望有一個(gè)輻射熱測定計(jì)或微輻射熱測定計(jì)的一種系統(tǒng)或裝置結(jié)合使用。
盡管已經(jīng)就不同的具體實(shí)施方案而言進(jìn)行了說明，但本領(lǐng)域中熟 練的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到在權(quán)利要求書的精神和范圍內(nèi)可以實(shí)施本發(fā) 明的不同實(shí)施方案。
權(quán)利要求
1.一種微輻射熱測定計(jì)，包括一個(gè)第一導(dǎo)體層；一個(gè)第二導(dǎo)體層；以及在該第一導(dǎo)體層與第二導(dǎo)體層之間的一個(gè)輻射熱測定計(jì)層。
2. 如權(quán)利要求1所述的微輻射熱測定計(jì)，其中該第一導(dǎo)體層和 第二導(dǎo)體層各自包括超出該第一導(dǎo)體層和第二導(dǎo)體層各自的一個(gè)邊緣而延伸的一條引線。
3. 如權(quán)利要求1所述的微輻射熱測定計(jì)，其中該第一導(dǎo)體層和第 二導(dǎo)體層被配置為提供一種基本上垂直的電傳導(dǎo)模式。
4. 如權(quán)利要求1所述的微輻射熱測定計(jì)，其中利用以下方程式 限定該第一導(dǎo)體層和第二導(dǎo)體層以及該輻射熱測定計(jì)層Gc*tc < Gb*tb其中Gc和Gb分別是用于該第一導(dǎo)體層和第二導(dǎo)體層以及該輻射 熱測定計(jì)層的材料的熱傳導(dǎo)率；并且t和tb分別是該第一導(dǎo)體層和第 二導(dǎo)體層以及該輻射熱測定計(jì)層的厚度。
5. 如權(quán)利要求1所述的微輻射熱測定計(jì)，其中利用以下方程式 限定該輻射熱測定計(jì)層的厚度其中/^和/^分別是該輻射熱測定計(jì)層以及第一層和第二層的電 阻率；^和仏是用于第一導(dǎo)體層和第二導(dǎo)體層的材料的熱傳導(dǎo)率； 并且L是該輻射熱測定計(jì)層的長度。
6.如權(quán)利要求1所述的微輻射熱測定計(jì)，其中該微輻射熱測定計(jì)層是夾在該第一與第二導(dǎo)體層之間。
7. 如權(quán)利要求1所述的微輻射熱測定計(jì)，其中該微輻射熱測定 計(jì)層的長度和寬度是與該第一導(dǎo)體層和第二導(dǎo)體層的長度和寬度基 本上相等。
8. 如權(quán)利要求1所述的微輻射熱測定計(jì)，其中該輻射熱測定計(jì) 層的厚度是至少50納米(nm )。
9. 如權(quán)利要求1所述的微輻射熱測定計(jì)，其中該第一導(dǎo)體層和 第二導(dǎo)體層各自包括一種金屬。
10. 如權(quán)利要求1所述的微輻射熱測定計(jì)，其中該輻射熱測定計(jì) 層包括一種半導(dǎo)體材料。
11. 如權(quán)利要求1所述的微輻射熱測定計(jì)，其中該第一導(dǎo)體層和 第二導(dǎo)體層的厚度是實(shí)質(zhì)性地小于該輻射熱測定計(jì)層的厚度。
12. 如權(quán)利要求1所述的微輻射熱測定計(jì)，其中電子流基本上垂 直穿過該輻射熱測定計(jì)層并且基本上位于該第一導(dǎo)體層和第二導(dǎo)體 層各自的平面內(nèi)。
13. 如權(quán)利要求l所述的微輻射熱測定計(jì)，進(jìn)一步包括位于該第 一導(dǎo)體層和第二導(dǎo)體層的相對角落的多個(gè)觸點(diǎn)。
14. 如權(quán)利要求1所述的微輻射熱測定計(jì)，其中該輻射熱測定計(jì) 層被配置為感測紅外輻射。
15. —種熱敏相機(jī)，包括根據(jù)權(quán)利要求1形成的一個(gè)微輻射熱測定計(jì)。
16. 如權(quán)利要求15所述的熱敏相機(jī)，其中該微輻射熱測定計(jì)被 配置為感測紅外(IR)輻射。
17. 如權(quán)利要求15所述的熱敏相機(jī)，其中該微輻射熱測定計(jì)是 一種沒有冷卻的裝置。
18. 用于檢測電》茲輻射的一種方法，該方法包括 在一個(gè)熱敏感薄膜上接收電磁輻射；并且基于所接收的電磁輻射、利用 一種基本上垂直的電傳導(dǎo)模式來感 測在 一 種輻射熱測定計(jì)材料中的 一 個(gè)電阻變化。
19. 如權(quán)利要求18所述的方法，進(jìn)一步包括在限定該熱敏感薄 膜的多個(gè)導(dǎo)體層之間提供該輻射熱測定計(jì)材料。
20. 如權(quán)利要求18所述的方法，進(jìn)一步包括基于所接收的電磁 輻射來形成一個(gè)熱圖像。
全文摘要
本發(fā)明可提供用于紅外微輻射熱測定計(jì)傳感器的一種傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)以及用于感測電磁輻射的一種方法。該微輻射熱測定計(jì)可以包括一個(gè)第一導(dǎo)體層(64)和一個(gè)第二導(dǎo)體層(68)。該微輻射熱測定計(jì)可以進(jìn)一步包括位于該第一導(dǎo)體層與第二導(dǎo)體層之間的一個(gè)輻射熱測定計(jì)層(62)。
文檔編號(hào)G01J5/20GK101627290SQ200780038817
公開日2010年1月13日 申請日期2007年10月17日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月19日
發(fā)明者K·R·科菲, 連明仁 申請人:傳感電子公司;中央佛羅里達(dá)大學(xué)研究基金公司