專利名稱：一種用于顯示裝置的光傳感器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明關于一種光傳感器，特別是關于一種設置于一顯示裝置內(nèi)以傳感 環(huán)境光亮度的光傳感器。
背景技術：
設置一環(huán)境光傳感元件(ambient light sensor)于顯示裝置上，可以測量環(huán)境 照明的強度以對應調整顯示裝置的光源亮度，如此可同時符合提供良好顯示 效果及降低耗電量的要求。
圖1為顯示一己知光傳感器100的電路圖，圖2為顯示輸入圖1的光傳 感器100的信號的時序圖。請同時參考圖1及圖2，光傳感器100包含一傳感 晶體管Q1、 一選擇晶體管Q2、 一電流產(chǎn)生晶體管Q3、 一輸出晶體管Q4、及 一電容Cl。光傳感器100輸出一傳感器電流Iout，電流lout的量值取決于所 接收的光量。傳感晶體管Q1被供應一第一電壓VDD及一第二電壓VGG，當 選擇信號SELECT于高位準時，選擇晶體管Q2導通以將傳感晶體管Q1、電 容Cs電連接至第一電壓VDD，此時傳感晶體管Ql不產(chǎn)生光電流且電容Cs 充電至具有第一電壓VDD，且當讀取信號READ于高位準時可導通輸出晶體 管Q4而輸出第一電壓VDD。另一方面，當選擇信號SELECT于低位準時， 選擇晶體管Q2關閉以使傳感晶體管Ql、電容Cs均與第一電壓VDD斷開， 此時電容Cs儲存電荷以產(chǎn)生施加至電流產(chǎn)生晶體管Q3的光電壓。因此，傳 感器電流Iout的量值取決于光電壓相對于第一電壓VDD的差值。再者，當讀 取信號READ于高位準時可導通輸出晶體管Q4，使晶體管Q4輸出對應傳感 器電流lout大小的光電壓Vout。
上述設計的缺點為電流產(chǎn)生晶體管Q3在長時間受到負偏壓的情況下，會產(chǎn)生臨限電壓偏移(threshold voltage shift)現(xiàn)象而容易造成損壞；另一方面，依 上述設計因為每次重置(reset)電路動作時，節(jié)點nl電壓會設定在第一電壓 VDD，如此參考電壓及光電壓兩者的差值的變化范圍會很小。
圖3為顯示已知另一光傳感器200設計的電路圖。如圖3所示，光傳感 器200包含一傳感電路202、 一參考電壓產(chǎn)生電路204、及一處理單元206。 傳感電路202包含一傳感晶體管Q1、 一重置晶體管Q2、 一開關晶體管Q3、 及兩個電容C1、 C2。參考電壓產(chǎn)生電路204包含一傳感晶體管Q4、 一重置 晶體管Q5、 一開關晶體管Q6、及兩個電容C3、 C4。傳感晶體管Ql被供應 —第一電壓VDD及一第二電壓VGG，且電容C1、 C2連接一第三電壓VDC。 光傳感器200利用一柵極驅動器(圖未示)驅動，當重置晶體管Q2導通時，電 路作重置動作，此時開關晶體管Q3由柵極驅動器的第一級輸出導通，使光傳 感器200的開關晶體管Q3得到一參考電壓AV1。其后等傳感晶體管Ql照光 一段時間后，開關晶體管Q3由柵極驅動器的最后一級輸出導通，此時光傳感 器200的開關晶體管Q3得到一變化后的光電壓厶V2。當開關信號SWITCH 為高位準時，可取出參考電壓AV1或變化后的光電壓AV2。此一設計的優(yōu)點 在于電路重置的機制，如此可使參考電壓及變化后的光電壓兩者的差值的變 化范圍較廣。然而，此一設計的缺點為需要兩組電路，亦即利用一組傳感電 路202產(chǎn)生光電壓且利用另一組參考電壓產(chǎn)生電路204產(chǎn)生參考電壓，如此 將使光傳感器200的元件數(shù)過多而增加制造成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種用于顯示裝置的光傳感器，其能以較少的元 件數(shù)獲得一寬廣的傳感范圍，且可提高電路元件的工作壽命。
依本發(fā)明的一實施型態(tài)， 一種用于顯示裝置的光傳感器包含一光接收器、 一重置單元及一取樣單元。光接收器接收外部光并產(chǎn)生一對應所接收光量的 光電壓，且包含一第一晶體管、及將第一晶體管的輸出轉換為光電壓的一第
7一轉換單元。重置單元回應一重置信號以提供一初始化的參考電壓，且包含 彼此連接的一第二晶體管及一第三晶體管，第二晶體管的控制端連接重置信 號且第三晶體管的控制端連接第一轉換單元，且當?shù)诙w管導通時第一轉 換單元經(jīng)由第三晶體管放電以獲得初始化的參考電壓。取樣單元回應一取樣 信號輸出對應所接收光量的光電壓，且包含回應該取樣信號的一第四晶體管、 及將第四晶體管的輸出轉換為光電壓的一第二轉換單元。
依本發(fā)明的另一實施型態(tài)， 一種用于顯示裝置的光傳感器包含一傳感電 路、 一參考電壓產(chǎn)生電路及一處理單元。傳感電路包含一第一光接收器、一 第一重置單元及一第一讀取單元。第一光接收器接收外部光并產(chǎn)生一對應所 接收光量的光電壓，第一光接收器包含一第一晶體管、及將第一晶體管的輸 出轉換為光電壓的一第一轉換單元。第一重置單元回應第一重置信號以提供 一初始化的該光電壓，重置單元包含彼此電連接的一第二晶體管及一第三晶 體管，第二晶體管的控制端連接第一重置信號且第三晶體管的控制端連接第 一轉換單元，且當?shù)诙w管導通時第一轉換單元經(jīng)由第三晶體管放電以獲 得初始化的光電壓。第一讀取單元回應第一讀取信號輸出對應所接收光量的 光電壓，第一讀取單元包含回應第一讀取信號的一第四晶體管、及將第四晶 體管的輸出轉換為光電壓的一第二轉換單元。參考電壓產(chǎn)生電路包含一第二 光接收器、 一第二重置單元及一第二讀取單元。第二光接收器被屏蔽于外部 光照射以產(chǎn)生一參考電壓，第二光接收器包含一第五晶體管、及將第五晶體 管的輸出轉換為參考電壓的一第三轉換單元。第二重置單元回應一第二重置 信號以提供一初始化的參考電壓，第二重置單元包含彼此電連接的一第六晶 體管及一第七晶體管，第六晶體管的控制端連接第二重置信號且第七晶體管 的控制端連接第三轉換單元，且當?shù)诹w管導通時第三轉換單元經(jīng)由第七 晶體管放電以獲得初始化的參考電壓。第二讀取單元回應一第二讀取信號以 輸出參考電壓，第二讀取單元包含回應第二讀取信號的一第八晶體管、及將 第八晶體管的輸出轉換為參考電壓的一第四轉換單元。處理單元接收光及參考電壓以產(chǎn)生對應光電壓與參考電壓的差值的一輸出信號。
通過本發(fā)明各個實施例的設計，光傳感器每次進行重置動作時，儲存電
容電壓可通過重置電路的自動歸零(auto-zero)放電動作下降至相等或接近于 第三晶體管的臨限電壓(參考電壓)，之后再隨光照逐步上升，如此光傳感器可 相對參考電壓獲得一較大的輸出光電壓變化范圍。再者，因輸出光電壓與參 考電壓均由同一電路取出，可有效減少電路元件數(shù)及布局面積以節(jié)省成本。 另一方面，因光傳感晶體管輪流受到正偏壓(正柵極電壓VGH)及負偏壓(光照 電壓)作用，如此可有效避免臨限電壓偏移產(chǎn)生以提高工作壽命。


圖1為顯示一已知光傳感器的電路圖，圖2為顯示輸入圖1的光傳感器 的信號的時序圖3為顯示已知另一光傳感器設計的電路圖4為依本發(fā)明一實施例的光傳感器的電路圖，圖5為輸入圖4的光傳 感器的信號的時序圖6為說明第一電容的電位變化的示意圖； 圖7為依本發(fā)明一實施例的處理單元示意圖8為依本發(fā)明另一實施例的光傳感器的電路圖，圖9為輸入圖8的光 傳感器的信號的時序圖IO為依本發(fā)明另一實施例的光傳感器的電路圖。
附圖標號
10、 20、 30光傳感器 12 處理單元
14 放大器 16 模擬數(shù)字轉換器
32 傳感電路 34 參考電壓產(chǎn)生電路
36 處理單元 100、 200 光傳感器
202傳感電路 204 參考電壓產(chǎn)生電路206 處理單元BM遮光元件
Cl-C4 電容nl節(jié)點
Ql-Q6 晶體管Tl-T8晶體管
A VI參考電壓△ V2光電壓
VDD 第一電壓VGG第二電壓
VDC 第三電壓VGH正柵極電壓
VGL 負柵極電壓Vref參考電壓
Vout 輸出光電壓READ讀取信號
RESET 重置信號SELECT 選擇信號STV 掃描啟始信號SWITCH 開關信號SAMPLE 取樣信號
具體實施例方式
如下將參照相關附圖，說明依本發(fā)明較佳實施例的光傳感器設計，其中 相同的元件將以相同的附圖標號加以說明。
圖4為依本發(fā)明一實施例的光傳感器10的電路圖，圖5為輸入圖4的光 傳感器10的信號的時序圖，依本實施例的設計，因光傳感器10是設置于一 顯示裝置(圖未示)內(nèi)以傳感環(huán)境光亮度，故光傳感器10的電壓源例如可為提 供顯示裝置掃瞄電壓的一柵極驅動IC(gate driver IC)。如圖4所示，光傳感器 10包含一第一晶體管T1、 一第二晶體管T2、 一第三晶體管T3、 一第四晶體 管T4、 一第五晶體管T5、 一第一電容C1、 一第二電容C2及一第三電容C3。 第一晶體管T1的柵極連接一掃描啟始信號STV，其漏極連接一第一電壓，且 其源極連接一第二電壓及第一電容Cl，該第一及第二電壓例如可分別為一柵 極驅動IC的正柵極電壓VGH及負柵極電壓VGL。第二晶體管T2的柵極連 接一重置信號RESET,且其漏極連接第一晶體管T1的源極。第三晶體管T3 的漏極連接第二晶體管T2的源極，其源極連接負柵極電壓VGL，且其柵極連接第一晶體管T1的源極及第一電容C1。第四晶體管T4的柵極連接一取樣 信號SAMPLE,其漏極連接第一電容C1，且其源極連接第二電容C2。第五 晶體管T5的柵極連接一讀取信號READ，其漏極連接第一晶體管Tl的源極 及第一電容C1，且其源極連接第三電容C3。
第一晶體管T1具有一感光層(圖未示)，其在接收一定環(huán)境光量時產(chǎn)生電 荷載流子，該電荷載流子因第一晶體管T1的漏極與源極間的電壓差移動以產(chǎn) 生光電流I，光電流I的量值取決于所接收光量。請同時參考圖4及圖5，當 掃描啟始信號STV為高位準時，第一晶體管Tl導通，此時正柵極電壓VGH 透過第一晶體管Tl向第一電容Cl進行充電動作。接著當重置信號RESET 為高位準時，第二晶體管T2導通，此時第三晶體管T3亦導通使儲存在第一 電容Cl的電量經(jīng)由第三晶體管T3放電，如此第一電容Cl的電位會下降至 與第三晶體管T3的臨限電壓(threshold voltage)相等或幾乎相等。緊接著當讀 取信號READ為高位準時，第五晶體管T5導通且第五晶體管T5的輸出轉換 為第三電容C3的電位差，故可由第三電容C3取出參考電壓Vref，此時參考 電壓Vref即為第三晶體管T3的臨限電壓(threshold voltage)。因為不同的晶體 管T3的臨限電壓可能會有些許的不同，于此將第三晶體管T3的臨限電壓當 作參考電壓Vref的設計，可獲得針對每一顆晶體管T3的特性調整出最適合 的參考電壓Vref以供光傳感器10使用的效果。另一方面，當重置信號RESET 為低位準時，第二晶體管T2關斷故此時第一電容Cl的電位隨著光電流I流 向第一電容C1對第一電容C1充電而逐步上升，且此時參考電壓Vref均保持 固定。因此，當取樣信號SAMPLE為高位準時，此時第四晶體管T4導通且 第四晶體管T4的輸出轉換為第二電容C2的電位差，故可由第二電容C2取 出經(jīng)環(huán)境光照射后變化后的光電壓Vout，此時光電壓Vout即為第一電容Cl 經(jīng)由光電流I充電變化后的電位。
第一電容C1的電位變化顯示如圖6，由圖6可清楚看出，通過第二晶體 管T2及第三晶體管T3協(xié)同的自動歸零(auto-zero)放電動作，第一電容Cl的
ii電位可由正柵極電壓VGH下降至相等或接近于第三晶體管T3的臨限電壓， 且該臨限電壓即可輸出作為一固定的參考電壓Vref。其后第一電容Cl的電位 隨著環(huán)境光照射逐步上升，最后取樣而得的輸出光電壓Vout與參考電壓Vref 具有一電位差AV。如圖7所示，處理單元12接收輸出光電壓Vout及參考電 壓Vref以產(chǎn)生對應光電壓與參考電壓的差值的一輸出信號。詳言之，處理單 元12包含一放大器14及一模擬數(shù)字轉換器(ADC)16，取樣測得的輸出光電壓 Vout與參考電壓Vref的差值AV經(jīng)由放大器14放大后，再由模擬數(shù)字轉換 器16轉換成數(shù)字輝度控制信號，之后依據(jù)輝度控制信號量值調整背光亮度， 如此可同時符合提供良好顯示效果及降低耗電量的要求。
通過上述實施例的設計，光傳感器10每次進行重置(reset)動作時，儲存 電容電壓可通過重置電路的自動歸零(aiito-zero)放電動作下降至第三晶體管 T3的臨限電壓(參考電壓)，之后再隨光照逐步上升，如此光傳感器10可相對 參考電壓獲得一較大的輸出光電壓變化范圍。再者，因輸出光電壓與參考電 壓均由同一電路取出，可有效減少電路元件數(shù)及布局面積以節(jié)省成本。另一 方面，光傳感晶體管(第一晶體管T1)一般都在負電壓工作區(qū)間操作，因為此一 區(qū)間的電流特性較佳，然而長時間受到負偏壓的情況下，會產(chǎn)生明顯的臨限 電壓偏移(threshold voltage shift)現(xiàn)象而容易造成損壞。因此，本實施例設計使 柵極偏壓信號于一個幀(frame)周期觸發(fā)一次，使第一晶體管T1輪流受到正偏 壓(正柵極電壓VGH)及負偏壓(光照電壓)作用，如此可有效避免臨限電壓偏移產(chǎn)生。
圖8為依本發(fā)明另一實施例的光傳感器20的電路圖，圖9為輸入圖8的 光傳感器20的信號的時序圖。請同時參考圖8及圖9，于本實施例因讀取信 號READ同時連接第五晶體管T5的柵極和第三晶體管T3的源極，如此當讀 取信號READ為高位準時可使第三晶體管T3關斷。
圖10為依本發(fā)明另一實施例的光傳感器30的電路圖，輸入圖IO的光傳 感器30的信號時序圖可與圖9類似。如圖10所示，光傳感器30包含一傳感 電路32、 一參考電壓產(chǎn)生電路34及一處理單元36。傳感電路32包含一第一晶體管T1、 一第二晶體管T2、 一第三晶體管T3、 一第四晶體管T4、 一第一 電容Cl及一第二電容C2。第一晶體管Tl的輸入端連接正柵極電壓VGH， 其控制端連接一掃描啟始信號STV，且其輸出端連接第一電容C1。第二晶體 管T2的輸入端連接第一晶體管Tl的輸出端，且第二晶體管T2的控制端連接 一重置信號RESET。第三晶體管T3的輸入端連接第二晶體管T2的輸出端， 第三晶體管T3的控制端連接第一電容C1，且第三晶體管的輸出端連接負柵 極電壓VGL。第四晶體管T4的輸入端連接第一電容C1，其控制端連接讀取 信號READ,且其輸出端連接第二電容C2。參考電壓產(chǎn)生電路34包含一第五 晶體管T5、 一第六晶體管T6、 一第七晶體管T7、 一第八晶體管T8、 一第三 電容C3及一第四電容C4。參考電壓產(chǎn)生電路34的電路連接關系與傳感電路 32類似，故于此不再重復描述，兩者的主要差別在于參考電壓產(chǎn)生電路34另 設置一遮光元件(light blocking member)BM用以屏蔽第五晶體管T5使其免于 遭受外部光照射。反之，傳感電路32的第一晶體管Tl接受外部光照射并產(chǎn) 生一對應所接收光量的光電壓。因此，傳感電路32可輸出對應所接收光量而 變化的光電壓Vout，參考電壓產(chǎn)生電路34則輸出固定的參考電壓Vref，且處 理單元36接收光電壓Vout及參考電壓Vref以產(chǎn)生對應兩者差值的一輸出信 號。處理單元36可例如圖7所示包含一放大器14及一模擬數(shù)字轉換器 (ADC)16。于本實施例中，傳感電路32的第二晶體管T2及第三晶體管T3同 樣回應重置信號RESET進行前述的電位自動歸零(auto-zero)放電操作以提供 一初始化的光電壓，且參考電壓產(chǎn)生電路34的第六晶體管T6及第七晶體管 T7同樣回應重置信號RESET進行電位自動歸零放電操作以提供一初始化的 參考電壓。
以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何熟悉該項技術者均可依據(jù) 上述本發(fā)明的實施例進行等效的修改，而不脫離其精神與范疇。故任何未脫 離本發(fā)明的精神與范疇，而對其進行的等效修改或變更，均應包含于前附的 權利要求中。
權利要求
1. 一種用于顯示裝置的光傳感器，其特征在于，該光傳感器包含一光接收器，其接收外部光并產(chǎn)生一對應所接收光量的光電壓，該光接收器包含一第一晶體管、及將該第一晶體管的輸出轉換為所述的光電壓的一第一轉換單元；一重置單元，其回應一重置信號以提供一初始化的參考電壓，該重置單元包含彼此連接的一第二晶體管及一第三晶體管，該第二晶體管的控制端連接所述的重置信號且該第三晶體管的控制端連接所述的第一轉換單元，且當所述的第二晶體管導通時所述的第一轉換單元經(jīng)由該第三晶體管放電以獲得該初始化的參考電壓；及一取樣單元，其回應一取樣信號輸出對應所接收光量的該光電壓，該取樣單元包含回應該取樣信號的一第四晶體管、及將該第四晶體管的輸出轉換為所述的光電壓的一第二轉換單元。
2. 如權利要求1所述的光傳感器，其特征在于，所述的第一及所述的第 二轉換單元分別為一電容器。
3. 如權利要求1所述的光傳感器，其特征在于，所述的第一晶體管的輸 入端連接一正柵極電壓，所述的第一晶體管的控制端連接一掃描啟始信號， 且所述的第一晶體管的輸出端連接所述的第一轉換單元；所述的第二晶體管 的輸入端連接所述的第一晶體管的輸出端，所述的第三晶體管的輸入端連接 所述的第二晶體管的輸出端，且所述的第三晶體管的輸出端連接一負柵極電 壓；所述的第四晶體管的輸入端連接所述的第一轉換單元，所述的第四晶體 管的控制端連接所述的取樣信號，且所述的第四晶體管的輸出端連接所述的 第二轉換單元。
4. 如權利要求1所述的光傳感器，其特征在于，所述的參考電壓實質為 所述的第三晶體管的臨限電壓。
5. 如權利要求1所述的光傳感器，其特征在于，該光傳感器更包含一參 考電壓輸出單元，該參考電壓輸出單元回應一讀取信號以輸出該參考電壓， 且包含回應該讀取信號的一第五晶體管及將該第五晶體管的輸出轉換為該參 考電壓的一第三轉換單元。
6. 如權利要求5所述的光傳感器，其特征在于，所述的第三轉換單元為 一電容器。
7. 如權利要求5所述的光傳感器，其特征在于，所述的第五晶體管的輸 入端連接所述的第一轉換單元及所述的第一晶體管的輸出端，所述的第五晶 體管的控制端連接所述的讀取信號，所述的第五晶體管的輸出端連接所述的 第三轉換單元，且所述的讀取信號連接所述的第三晶體管的輸出端。
8. 如權利要求1所述的光傳感器，其特征在于，所述的光傳感器更包含 一處理單元，所述的處理單元接收所述的光電壓及所述的參考電壓以產(chǎn)生對 應所述的光電壓與所述的參考電壓的差值的一輸出信號。
9. 一種用于顯示裝置的光傳感器，其特征在于，該光傳感器包含 一傳感電路，該傳感電路包含-一第一光接收器，其接收外部光并產(chǎn)生一對應所接收光量的光電壓， 該第一光接收器包含一第一晶體管、及將該第一晶體管的輸出轉換為所述的 光電壓的一第一轉換單元；一第一重置單元，其回應一第一重置信號以提供一初始化的所述的 光電壓，該重置單元包含彼此電連接的一第二晶體管及一第三晶體管，該第 二晶體管的控制端連接所述的第一重置信號且所述的第三晶體管的控制端連 接所述的第一轉換單元，且當所述的第二晶體管導通時所述的第一轉換單元 經(jīng)由所述的第三晶體管放電以獲得所述的初始化的光電壓；及一第一讀取單元，其回應一第一讀取信號輸出對應所接收光量的所 述的光電壓，該第一讀取單元包含回應該第一讀取信號的一第四晶體管、及 將所述的第四晶體管的輸出轉換為所述的光電壓的一第二轉換單元；一參考電壓產(chǎn)生電路，該電路包含一第二光接收器，其屏蔽于外部光照射以產(chǎn)生一參考電壓，該第二 光接收器包含一第五晶體管、及將該第五晶體管的輸出轉換為所述的參考電壓的一第三轉換單元；一第二重置單元，其回應一第二重置信號以提供一初始化的所述的參考電壓，該第二重置單元包含彼此電連接的一第六晶體管及一第七晶體管， 該第六晶體管的控制端連接該第二重置信號且該第七晶體管的控制端連接所述的第三轉換單元，且當所述的第六晶體管導通時所述的第三轉換單元經(jīng)由 該第七晶體管放電以獲得所述的初始化的參考電壓；及一第二讀取單元，其回應一第二讀取信號以輸出所述的參考電壓， 該第二讀取單元包含回應該第二讀取信號的一第八晶體管、及將該第八晶體 管的輸出轉換為所述的參考電壓的一第四轉換單元；及一處理單元，接收所述的光電壓及所述的參考電壓以產(chǎn)生對應該光電壓 與該參考電壓的差值的一輸出信號。
10. 如權利要求9所述的光傳感器，其特征在于，所述的參考電壓產(chǎn)生電 路更包含一遮光元件以屏蔽所述的第五晶體管使其免于遭受外部光照射。
11. 如權利要求9所述的光傳感器，其特征在于，所述的第一、第二、第 三及第四轉換單元分別為一電容器。
12. 如權利要求9所述的光傳感器，其特征在于，所述的第一晶體管的輸 入端連接一正柵極電壓，該第一晶體管的控制端連接一掃描啟始信號，且該 第一晶體管的輸入端連接所述的第一轉換單元；所述的第二晶體管的輸入端 連接該第一晶體管的輸出端，所述的第三晶體管的輸入端連接該第二晶體管 的輸出端，且該第三晶體管的輸出端連接一負柵極電壓；所述的第四晶體管 的輸入端連接所述的第一轉換單元，所述的第四晶體管的控制端連接所述的 讀取信號，且所述的第四晶體管的輸出端連接所述的第二轉換單元。
13. 如權利要求9所述的光傳感器，其特征在于，所述的第五晶體管的輸入端連接一正柵極電壓，所述的第五晶體管的控制端連接一掃描啟始信號，且所述的第五晶體管的輸入端連接所述的第三轉換單元；所述的第六晶體管 的輸入端連接所述的第五晶體管的輸出端，所述的第七晶體管的輸入端連接 所述的第六晶體管的輸出端，且所述的第七晶體管的輸出端連接一負柵極電 壓；所述的第八晶體管的輸入端連接所述的第三轉換單元，所述的第八晶體 管的控制端連接所述的讀取信號，且所述的第八晶體管的輸出端連接所述的 第四轉換單元。
14.如權利要求9所述的光傳感器，其特征在于，所述的處理單元包含一 放大所述的電壓差值的放大器及將所述的電壓差值轉換為數(shù)字輝度控制信號 的一模擬數(shù)字轉換器。
全文摘要
一種用于顯示裝置的光傳感器。該光傳感器包含一光接收器、一重置單元及一取樣單元。光接收器包含一第一晶體管、及將第一晶體管的輸出轉換為光電壓的一第一轉換單元，重置單元回應一重置信號以提供一初始化的參考電壓，且包含彼此連接的一第二晶體管及一第三晶體管。第二晶體管的控制端連接重置信號且第三晶體管的控制端連接第一轉換單元。取樣單元回應一取樣信號輸出對應所接收光量的光電壓，且包含回應該取樣信號的一第四晶體管、及將第四晶體管的輸出轉換為光電壓的一第二轉換單元。光傳感器可獲得一較大的輸出光電壓變化范圍，可有效減少電路元件數(shù)及布局面積以節(jié)省成本。而且，本發(fā)明可有效避免臨限電壓偏移產(chǎn)生以提高工作壽命。
文檔編號G01J1/00GK101532874SQ20081008604
公開日2009年9月16日 申請日期2008年3月14日 優(yōu)先權日2008年3月14日
發(fā)明者詹建廷, 韓西容 申請人:勝華科技股份有限公司