專利名稱：探針電阻測量方法和具有用于探針電阻測量的焊盤的半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于評(píng)估裝置的電特性的技術(shù)。
技術(shù)背景為了評(píng)估裝置的電特性，執(zhí)行一種使探針接觸焊盤以測量布線間 電阻的方法。此時(shí)，所述探針的接觸電阻影響測量電阻。由于自動(dòng)測 量設(shè)備上的探針接觸電阻的影響，即使多余的電阻以污染物的形式增 加到探針以略微改變電特性，測量值落入制造偏差的范圍內(nèi)，而且不 引起任何問題。但是，最近，需要用更精細(xì)的工藝減小該偏差。由此，僅僅通過 開路/短路檢查和焊盤之間的電阻的粗略檢査不可能滿足測量要求。在具有高性能的LSI中，最近，在其中執(zhí)行對(duì)產(chǎn)品晶片上設(shè)置的特 性監(jiān)視器的MOSFET測試的排序工序中，執(zhí)行不使用電壓而是使用電流 的排序工序。在該排序工序中，基于所述MOSFET的閾值電壓Vth，不 是MOSFET的導(dǎo)通電流，執(zhí)行該排序。通過測量以微安級(jí)的小電流執(zhí)行 閾值電壓排序，但是通過測量相對(duì)大的毫安培級(jí)的電流，執(zhí)行導(dǎo)通電 流排序。因此，當(dāng)約10fi的接觸電阻被附著到探針時(shí)，由于該接觸電阻 而引起的電壓降不能被忽略，因?yàn)殡娏饕韵喈?dāng)大的比率減小。因此， 基于該接觸電阻，影響該排序。此外，為了滿足嚴(yán)格的排序規(guī)則，所 述測量偏差不能被忽略。因此，有必要一直保持所述探針的接觸電阻 為低電阻。理想地，每個(gè)探針的接觸電阻必須保持等于或小于1Q。因 此，需要一種測量探針的接觸電阻的技術(shù)。特別，需要可以測量n個(gè)(nS) 探針的接觸電阻的技術(shù)。結(jié)合上面的描述，在日本專利申請(qǐng)公開(JP-P2004-85377A:第一相 關(guān)技術(shù))中描述了測量探針的接觸電阻的方法。在該測量方法中，為將 要執(zhí)行電氣測試的半導(dǎo)體裝置設(shè)置與布線連接的多個(gè)電極焊盤。在該 測量接觸電阻的方法中，電流被提供給探針而且電壓被測量。因此， 由所提供的電流和所測量的電壓確定整個(gè)探針的接觸電阻。此外，在 該第一相關(guān)技術(shù)中描述的技術(shù)中，不可能準(zhǔn)確地測量每個(gè)探針的接觸 電阻。
日本專利申請(qǐng)公開(JP-P2001-343426A，第二相關(guān)技術(shù))公開了一種 測試半導(dǎo)體裝置的方法。在該方法中，測量兩個(gè)探針接觸的兩個(gè)焊盤 之間的電流路徑中的阻抗，以及當(dāng)該測量值大于預(yù)定值時(shí)，該探針是 清潔的。但是，在該方法中，所有探針的接觸電阻沒有被測量從而不 能被確定。
此外，日本專利申請(qǐng)公開(JP-A-平成8-82657:第三相關(guān)技術(shù))公 開了一種測試集成電路裝置的方法。在該方法中，探測具有第一焊盤 部分和第二焊盤部分的探針的接觸狀態(tài)。第一焊盤部分由多個(gè)電極構(gòu) 成而且第二焊盤部分由具有不同電阻的多個(gè)電極構(gòu)成。在該技術(shù)中， 可以探測兩個(gè)焊盤之間的電阻、接觸狀態(tài)以及針端壓力，但是不能準(zhǔn) 確地確定每個(gè)探針的接觸電阻。
此外，日本專利申請(qǐng)公開(JP-A-平成ll-39898:第四相關(guān)技術(shù))公 開一種半導(dǎo)體裝置。在該技術(shù)中，可以檢查探針組的接觸狀態(tài)，但是 不能準(zhǔn)確地確定每個(gè)探針的接觸電阻。
此外，日本專利申請(qǐng)公開(JP-A-P2004-119774A:第五相關(guān)技術(shù)) 公開了一種半導(dǎo)體裝置。在該技術(shù)中，從開關(guān)元件給出信號(hào)，以便提 供電壓到外部連接焊盤。此時(shí)，基于在監(jiān)視器焊盤上出現(xiàn)的電壓，輸 出對(duì)焊盤的接觸檢查結(jié)果。此外，日本專利申請(qǐng)公開(JP-P2006-59895A:第六相關(guān)技術(shù))公開 了一種檢査接觸栓塞或通孔栓塞的導(dǎo)電性的方法。許多檢查焊盤被布 置，并通過使用這些焊盤來執(zhí)行檢查。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種探針電阻測量方法和一種半導(dǎo)體 裝置，其中可以將探針的接觸電阻一直保持低電阻。
在本發(fā)明的第一方面中， 一種探針電阻測量方法包括，基于第一
對(duì)應(yīng)關(guān)系，通過將探針單元的多個(gè)探針的至少一部分與用于電阻測量
的三個(gè)或更多焊盤接觸，測量三個(gè)或更多節(jié)點(diǎn)處的第一電阻；存儲(chǔ)該
測量的第一電阻作為第一測量結(jié)果；并且基于第一測量結(jié)果，計(jì)算探 針單元的多個(gè)探針的接觸電阻。
在本發(fā)明的第二方面中， 一種具有用于探針電阻測量的焊盤的半 導(dǎo)體裝置，包括與半導(dǎo)體襯底上形成的半導(dǎo)體電路電隔離的三個(gè)或更 多焊盤；以及在該焊盤之間提供串聯(lián)連接并具有相同電阻的布線。


結(jié)合附圖，從某些優(yōu)選實(shí)施例的以下描述中，將更明白本發(fā)明的 上述及其他目的、優(yōu)勢和特征，其中
圖l是示出了相關(guān)技術(shù)中的測量方法的視圖2是示出了另一相關(guān)技術(shù)中的測量方法的視圖3是示出了另一相關(guān)技術(shù)的視圖4是示出了另一相關(guān)技術(shù)的視圖5A和5B是示出了另一相關(guān)技術(shù)的視圖6A至6C是示出了另一相關(guān)技術(shù)的視圖7A是示出了本發(fā)明中具有n個(gè)(nS)探針的探針單元的視圖7B是示出了三個(gè)探針的探針單元的情況中用于接觸電阻測量的 測試元件組TEG的視圖；圖8A和8B是示出了在旋轉(zhuǎn)晶片的同時(shí)測量探針的接觸電阻方法 的視圖9是示出了焊盤沒有被布置在直線上的例子；
圖10A是示出了用于接觸電阻測量的測試元件組TEG包含三個(gè)或 更多個(gè)串聯(lián)連接的焊盤的視圖10B-l和10B-2是示出了通過使用具有三個(gè)或更多個(gè)串聯(lián)連接焊 盤的測試元件組TEG來測量探針單元的探針的接觸電阻的方法視圖11A和11B是示出了通過使用用于串聯(lián)連接的三個(gè)焊盤的接觸 電阻測量的測試元件組TEG來測量24探針的探針單元的每個(gè)探針的接 觸電阻的方法視圖12A和12B是示出了作為線性布線圖形的用于電阻測量的焊盤
視圖13是示出了通過使用用于電阻測量的大區(qū)域焊盤測量許多探針 的探針單元的每個(gè)探針的接觸電阻的方法視圖14是示出了應(yīng)用了測試元件組TEG的產(chǎn)品芯片的布局的視圖， 該TEG具有用于接觸電阻測量的TEG;
圖15A是示出了通過使用未使用的區(qū)域如產(chǎn)品的外圍部分，測量探 針的接觸電阻的結(jié)構(gòu)例子的視圖15B是示出了通過使用未使用的區(qū)域如產(chǎn)品的外圍部分，測量探 針的接觸電阻的另一結(jié)構(gòu)例子的視圖16A是示出了形成在高度方向上與下層圖形區(qū)域不重疊的用于 接觸電阻測量的測試元件組TEG的結(jié)構(gòu)視圖16B是示出了形成在高度方向上與下層圖形區(qū)域重疊的用于接 觸電阻測量的測試元件組TEG的結(jié)構(gòu)視圖16C是示出了導(dǎo)電圖形的視圖，該導(dǎo)電圖形包含用于接觸電阻測 量的測試元件組TEG的一部分和作為下層圖形區(qū)域的一部分的下層圖 形；
圖17A和17B是分別示出了通過使用縮小投影型曝光設(shè)備執(zhí)行曝 光工序時(shí)曝光區(qū)域中的下和上部的示意圖17C是示出了相鄰曝光區(qū)域的邊界中形成的用于接觸電阻測量的測試元件組TEG的視圖；圖17D和17E是分別示出了用于接觸電阻測量的測試元件組TEG 中的曝光區(qū)域上下部分的視圖；圖17F是示出了相鄰曝光區(qū)域的邊界中形成的用于接觸電阻測量 的測試元件組TEG的視圖；以及圖18是示出了在水平和垂直方向中的劃痕線區(qū)上形成的用于接觸 電阻測量的測試元件組TEG的視圖。
具體實(shí)施方式
下面，將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明實(shí)施例的探針電阻測量方法和 半導(dǎo)體裝置。[第一實(shí)施例]圖7A示出了具有n個(gè)(i^3)探針的探針單元的視圖。如圖7A所示， 為具有n個(gè)探針的探針單元設(shè)置串聯(lián)連接的m個(gè)(n^3，不必n-m)焊盤。布置用于接觸電阻測量的測試元件組(此后，稱為TEG)TEG20，其中焊 盤2之間的電阻(布線3的電阻)彼此相等。通過所述探針單元和焊盤2測 量每一個(gè)所述n個(gè)探針l的接觸電阻。該測量接觸電阻包含從探針l的尖 端通過所述探針單元到裝置的布線的電阻器的電阻。(a)r^4和i^m的情況從用于接觸電阻測量的TEG 20的端部布置的焊盤2依次將數(shù)字1， 2， 3...分配給焊盤2。首先，選擇串聯(lián)連接并具有數(shù)字1至4的四個(gè)焊盤2。 l號(hào)和2號(hào)之間、2號(hào)和3號(hào)之間、l號(hào)和3號(hào)之間、3號(hào)和4號(hào)之間以及2號(hào) 和4號(hào)之間的測量電阻應(yīng)該分別是R12、 R23、 R13、 R34、 R24。此外， 分配有1號(hào)、2號(hào)、3號(hào)以及4號(hào)的四個(gè)探針1至焊盤2的接觸電阻應(yīng)該分 別是Rcl、 Rc2、 Rc3和Rc4。例如，假定以相同的間距布置探針1和焊盤2。此外，假定相鄰焊 盤2之間的布線電阻是r(是恒定的)，那么滿足以下關(guān)系R12=Rcl+Rc2+rR23=Rc2+Rc3+rR13=Rcl+Rc3+2rR34=Rc3+Rc4+rR24=Rc2+Rc4+2r求解這些公式的Rcl至Rc4，計(jì)算以下關(guān)系Rc 1 =(2R12-R23+R34-R24)/2Rc2=(R12+R23-R13)/2Rc3=(R23+R34-R24)/2Rc4=(2R34-R23+R12-R13)/2因此，獲得四個(gè)探針l的每一個(gè)探針的接觸電阻。以此方式，通過測量串聯(lián)連接的四個(gè)焊盤2之間的電阻，測量分別 與四個(gè)焊盤2接觸的四個(gè)探針1的接觸電阻。以同樣的方法，可以通過 對(duì)n個(gè)探針l依次測量四個(gè)焊盤2之間的電阻，測量n個(gè)探針l的接觸電 阻。在圖7A所示的布局中，通過測量四個(gè)焊盤之間的電阻，確定所有n 個(gè)探針l的接觸電阻。(b)n〉4和m-4的情況將描述其中通過使用由串聯(lián)連接的四個(gè)焊盤2構(gòu)成的用于接觸電 阻測量的TEG 20來測量探針單元的n個(gè)探針l的接觸電阻的例子。此時(shí)， 假定探針單元的n個(gè)探針l的四個(gè)探針的多個(gè)組的每一個(gè)被布置為與四 個(gè)焊盤2接觸。通過測量串聯(lián)連接的四個(gè)焊盤2之間的電阻，測量分別與四個(gè)焊盤 接觸的每一組四個(gè)探針l的接觸電阻。該操作與上述第一例子(a)相同。接下來，通過使另一組的四個(gè)探針1與串聯(lián)連接的四個(gè)焊盤2接觸， 測量另一組的四個(gè)探針l的接觸電阻。該操作被重復(fù)，以便每一組的四 個(gè)探針1與四個(gè)焊盤2接觸。因此，可以測量所有n個(gè)探針l的接觸電阻。應(yīng)當(dāng)注意，作為r^4和n^n的(a)情況和i^4和m-4的(b)情況的一個(gè) 例子，己經(jīng)描述了其中通過重復(fù)用于每四個(gè)探針l的上面操作來測量n 個(gè)探針的接觸電阻的實(shí)施例。但是，m的值不是4，而是可以是5或更多。 亦即，每組的五個(gè)或更多探針可以分別與五個(gè)或更多焊盤2接觸。在此 情況下，可以通過關(guān)于接觸電阻求解焊盤2之間的測量電阻，計(jì)算n個(gè) 探針的接觸電阻。在假定相鄰焊盤2之間的布線電阻r是恒定值r的情況下，計(jì)算上面 的接觸電阻。但是，實(shí)際上，預(yù)計(jì)存在來自恒定值的布線電阻誤差。 假定數(shù)字1和2的焊盤2之間、數(shù)字2和3的焊盤2之間、數(shù)字3和4的焊盤2 之間的來自恒定值r的布線電阻的差異分別是or， ^"和7T，那么滿足以下 公式。R12-Rcl+Rc2+(l+o;)rR23=Rc2+Rc3+(l+j3)rR13=Rcl+Rc3+(2+of|3)rR34=Rc3+Rc4+(l+7)rR24-Rc2+Rc4+(2+阿r關(guān)于Rcl至Rc4求解這些公式，獲得以下解法；Rcl-(R12-R23+R13)/2-r-orRc2=(R12+R23-R13)/2Rc3=(R23+R34-R24)/2Rc4=(R34-R23+R24)/2-r-7r亦即，Rc2和Rc3不受布線電阻r的誤差影響，并且-03:和-/3]:的布線 電阻差值分別被增加到Rcl和Rc4。例如，假定rclQ(o;40Q/。， 740%)， 以及在布線的寬度、長度、膜厚度和材料電阻率中總體上產(chǎn)生約10%的 偏差，被增加到Rcl或Rc4的布線電阻差值約為0.1Q或更小。實(shí)際上， 由于相鄰焊盤2之間的布線的寬度和長度是足夠長的幾十微米，以及可 以將焊盤1至4之間的距離至多設(shè)為幾百微米，因此沒有布線電阻具有10%的大偏差的情況，包括關(guān)于膜厚度和電阻率的相關(guān)性。由此，當(dāng)接觸電阻等于或小于lfi時(shí)，可以假定r是恒定的，因?yàn)榭梢院雎詒的偏差。(c) n-3和m-3的情況在探針單元由三個(gè)探針l(n-3)構(gòu)成的情況下，通過不同于上面的方 法測量接觸電阻。用于芯片襯底的端子被使用。如圖7B所示，通過使 用由串聯(lián)連接的三個(gè)焊盤2和與芯片襯底(用SUB表示)連接的一個(gè)焊盤 2(用3號(hào)表示的焊盤2)構(gòu)成的用于接觸電阻測量的TEG 20，可以測量所 有三個(gè)探針l的接觸電阻。假定Rs是用于芯片襯底的端子的接觸電阻， rs是3號(hào)焊盤2和芯片襯底之間的內(nèi)部電阻，以及Rls、 R2s和R3s分別是 用于芯片襯底的端子和l號(hào)、2號(hào)、3號(hào)焊盤2之間的測量電阻。建立下列方程R12=Rcl+Rc2+rR23=Rc2+Rc3+rR13=Rcl+Rc3+2rR3s=Rc3+Rs+rsR2s=Rc2+Rs+r+rsRls=Rcl+Rs+2r+rs關(guān)于Rcl、 Rc2以及Rc3，求解這些公式，獲得以下接觸電阻Rcl=(2R12-R23+R3s-R2s)/2Rc2=(R12+R23-R13)/2Rc3=(R23+R3s-R2s)/2(d) n〉3和m-3的情況在上面(c)中，示出了其中測量探針單元的三個(gè)探針l(n-3)的接觸 電阻的實(shí)施例。但是，如果使用由上述串聯(lián)連接的三個(gè)焊盤2和與芯片 襯底連接的一個(gè)焊盤2構(gòu)成的用于接觸電阻測量的TEG20，那么可以測 量探針單元的所有n個(gè)(r^3)探針l的接觸電阻，而不限于三個(gè)探針l。在 此情況下，假定探針單元具有用于測量接觸電阻的n個(gè)探針l和為每三 個(gè)探針l布置n個(gè)探針，該每三個(gè)探針分別與串聯(lián)連接的三個(gè)焊盤l接觸。亦即，3個(gè)探針1的組順序地與串聯(lián)連接的TEG20的三個(gè)焊盤接觸， 以測量探針l的接觸電阻。因此，可以測量n個(gè)探針l的接觸電阻。如情況(a)、 (b)、 (c)和(d)所示，可以通過使用用于接觸電阻測量的 TEG 20測量三個(gè)或更多探針的接觸電阻，用于接觸電阻測量的TEG 20 以此方式布局，相鄰焊盤之間的電阻(布線3的電阻)相等，以及具有三 個(gè)或更多個(gè)串聯(lián)連接的焊盤。通過依次重復(fù)測量，可以測量所有n個(gè)探 針l的接觸電阻。在此情況下，希望布線3由具有低電阻的材料如鋁形成。此外，為 了相鄰焊盤2之間的布線電阻彼此相等，選擇布線材料的寬度、長度、 膜厚度和電阻率。具體地說，選擇布線材料的寬度、長度、膜厚度和 電阻率，以便該電阻小于幾O是符合需要的。如果相鄰焊盤2之間的布 線電阻彼此相等，那么布線材料3的寬度、長度、膜厚度和電阻率可以 不同。此外，布線3可以由多種布線材料的組合物形成。在此情況下，探針l的接觸電阻包含從探針單元的內(nèi)部到探針l的 尖端的電阻和將要測量的半導(dǎo)體芯片的布線電阻。緊隨在測量之后，可以基于自動(dòng)控制系統(tǒng)的算法，計(jì)算接觸電阻。 亦即，在圖7A的例子中，從位于用于接觸電阻測量的TEG20端部的焊 盤2，將數(shù)字l， 2分配給焊盤2。對(duì)于串聯(lián)連接的1號(hào)至4號(hào)的焊盤2，測 量1號(hào)焊盤2和2號(hào)焊盤2之間、2號(hào)焊盤2和3號(hào)焊盤2之間、3號(hào)焊盤2和4 號(hào)焊盤2之間以及3號(hào)焊盤2和4號(hào)焊盤2之間的電阻R12、 R23、 R13、 R34 和R24，并根據(jù)焊盤2和探針1的對(duì)應(yīng)關(guān)系，由該測量的電阻計(jì)算探針l 的接觸電阻Rcl、 Rc2、 Rc3和Rc4。用同樣方式，可測量下一組四個(gè)探 針1的電阻，以及根據(jù)焊盤2和探針的對(duì)應(yīng)關(guān)系，由該測量電阻計(jì)算接 觸電阻。因此，然后計(jì)算所有的探針l的接觸電阻。將計(jì)算的接觸電阻 與預(yù)定基準(zhǔn)比較并決定探針l是否處于良好狀態(tài)的處理可以被自動(dòng)地 執(zhí)行。此外，可以自動(dòng)地區(qū)分確定沒有處于良好狀態(tài)的探針，以便執(zhí)行該探針l的清洗和維護(hù)操作。 [第二實(shí)施例]如圖8A和8B所示，在旋轉(zhuǎn)晶片180度的同時(shí)，可以測量探針的接 觸電阻。如圖8A所示，在本實(shí)施例中，使用由n個(gè)焊盤(n是偶數(shù))構(gòu)成的 TEG。TEG由來自一端的n/2個(gè)焊盤2的用于接觸電阻測量的TEG 20和來 自另一端的n/2個(gè)焊盤的用于裝置特性評(píng)估的TEG21構(gòu)成。用于接觸電 阻測量的TEG 20的結(jié)構(gòu)與圖7A所示的TEG相同。首先，n個(gè)探針l的n/2個(gè)與用于接觸電阻測量的TEG20接觸，并通 過第一實(shí)施例中描述的方法測量該接觸電阻。此后，通過使用自動(dòng)探 針器的特性，晶片被旋轉(zhuǎn)180度，而且剩下的n/2個(gè)探針l與用于接觸電 阻測量的TEG 20接觸，以測量接觸電阻。通過這種方法，通過兩個(gè)步 驟測量所有n個(gè)探針l的接觸電阻。根據(jù)第二實(shí)施例，用于待測量接觸電阻的焊盤2的數(shù)目可以被減小 至探針l的一半，即，n/2。因此，在留有焊盤數(shù)目的減小的左區(qū)域中可 以布置用于裝置電特性評(píng)估的焊盤。換句話說，可以試圖有效利用布 局區(qū)。[第三實(shí)施例]如圖9所示，不必將焊盤2布置在直線上，焊盤2可以被布置在曲線 上。通過將焊盤鋪設(shè)為相鄰焊盤2之間的電阻彼此相等，可以測量探針 l的接觸電阻，如圖7A。[第四實(shí)施例]在該實(shí)施例中，通過利用由三個(gè)或更多個(gè)串聯(lián)連接的焊盤2構(gòu)成的 用于接觸電阻測量的TEG20測量接觸電阻，如圖10A所示。如圖10B-1 和10B-2所示，用于接觸電阻測量的TEG20由三個(gè)或更多個(gè)串聯(lián)連接的 焊盤2構(gòu)成并被布置在用于裝置電特性評(píng)估的焊盤之間的空間中。通過移動(dòng)探針l到晶片，探針l的接觸電阻測量變?yōu)榭赡?，該晶片具有由用于接觸電阻測量的TEG20構(gòu)成的TEG，或通過旋轉(zhuǎn)晶片，并使探針l接 觸焊盤2。當(dāng)探針l被移動(dòng)或旋轉(zhuǎn)時(shí)，探針1位于相應(yīng)焊盤2上。因此， 不必為用于接觸電阻測量的TEG20提供大區(qū)域，以及測量探針l的接觸 電阻是可能的。盡管探針l被布置在相應(yīng)焊盤l上，但是焊盤2可以是用于接觸電阻 測量的TEG 20的焊盤或用于裝置電特性評(píng)估的焊盤。該焊盤可以是虛 擬焊盤。因?yàn)橥ㄟ^在對(duì)應(yīng)于探針l的位置布置該焊盤，探針l可以容易 地接觸該焊盤，當(dāng)探針l接觸除晶片上的焊盤以外的其它部分時(shí)，例如， 保護(hù)半導(dǎo)體電路的鈍化絕緣膜等，影響探針l的精確度的可能性可以被排除，以及可以實(shí)現(xiàn)合適的實(shí)施例。下面將取決于將要使用的探針l的數(shù)目，考慮焊盤的各種布局(焊 盤2的布置位置、數(shù)目、圖形的數(shù)目等)。這里，為了便于描述，假定 每兩個(gè)焊盤布置三個(gè)串聯(lián)連接的焊盤2的用于接觸電阻測量的TEG 20。 首先，如圖10B-1所示，使探針1接觸焊盤2和測量焊盤2之間的電阻。R12=Rcl+Rc2+rR23=Rc2+Rc3+rR13=Rcl+Rc3+2r接下來，如圖10B-2所示，用于一個(gè)焊盤2的探針1移動(dòng)到左側(cè)方向 中，以及使該探針接觸焊盤，并再次執(zhí)行測量。在此情況下移動(dòng)操作 的方向和距離取決于開始時(shí)探針1的位置和焊盤2的布局。此時(shí)，嚴(yán)格 地，在第一次接觸和第二次接觸中，接觸電阻Rc2和Rc3將是不同的。 但是，當(dāng)該差值小于0.1fi時(shí)，實(shí)際上，第一次接觸和第二次接觸之間 的接觸電阻的差值可以被忽略。在該例子中，假定在第一次接觸和第 二次接觸之間接觸電阻Rc2和Rc3是相同的。R34=Rc3+Rc4+r R24=Rc2+Rc4+2r由通過圖10B-2所示的第二次接觸的測量，如下計(jì)算接觸電阻Rcl、 Rc2、 Rc3和Rc4。Rcl=(2R12-R23+R34-R24)/2Rc2=(R12+R23-R13)/2Rc3==(R23+R34-R24)/2Rc4=(2R34-R23+R12-R13)/2接觸電阻Rc5至Rcn也用同樣的方法測量。當(dāng)串聯(lián)連接的三個(gè)焊盤2的用于接觸電阻測量的TEG 20被布置在 兩個(gè)單個(gè)焊盤之間時(shí)，可以通過兩次接觸和測量來測量所有n個(gè)探針l的接觸電阻。取決于將要使用的探針單元的探針l的數(shù)目和布置位置， 決定串聯(lián)連接的三個(gè)焊盤2的用于接觸電阻測量的TEG 20的布置數(shù)目、 焊盤總數(shù)的條件，包括用于接觸電阻測量的TEG 20，接觸的次數(shù)、移 動(dòng)數(shù)量和旋轉(zhuǎn)。[第五實(shí)施例]參考圖11A和11B，在24個(gè)探針1的探針單元中，將描述用TEG20 測量每個(gè)探針l的接觸電阻的方法，該TEG20用來如第四個(gè)實(shí)施例中指 示的串聯(lián)連接的三個(gè)焊盤2的接觸電阻測量。在該實(shí)施例中，在38個(gè)焊 盤的TEG 4的中心區(qū)中的兩個(gè)位置上布置串聯(lián)連接的三個(gè)焊盤2的用于 接觸電阻測量的TEG 20。圖11A的上部示出了悍盤的布置。在TEG 4的焊盤位置15-17和 23-25中布置了串聯(lián)連接的三個(gè)焊盤2的用于接觸電阻測量的兩個(gè)TEG 20。圖11A的下部示出了探針單元5對(duì)于TEG4的位置。最上面的線示出 了第一次接觸中的探針單元5的位置。接著，第二線、第三線分別示出了第二次接觸、第三次接觸中的探針單元5的位置。盒子中的圓圈表示探針1與用于接觸電阻測量的TEG20的三個(gè)焊盤2的任意一個(gè)接觸。通過 八次接觸可以測量所有24個(gè)探針1的接觸電阻。圖11B示出了另一個(gè)例 子，在該例子中串聯(lián)連接的三個(gè)焊盤2的用于接觸電阻測量的TEG20的 位置不同。在此情況下，可以通過九次接觸，測量所有24個(gè)探針1的接 觸電阻。[第六實(shí)施例]圖12A示出具有焊盤尺寸寬度的線性形布線圖形的用于電阻測量 的焊盤7。即使使用這種用于電阻測量的焊盤7，測量接觸電阻也是可 能的。假定布線圖形的膜厚度是均勻的和足夠薄的，以近似均勻的間 隔布置n個(gè)探針l,間隔之間的誤差是小的，那么探針1與焊盤7的接觸 點(diǎn)或節(jié)點(diǎn)之間的電阻是r的恒定值。因此，該電阻等于圖12B所示的圖 形的電阻，亦即，圖7A所示的用于接觸電阻測量的TEG20的情況。因 此，可以應(yīng)用參考圖7A描述的測量方法。[第七實(shí)施例]圖13示出了用于電阻測量的焊盤8，該焊盤是大區(qū)域布線圖形。半 導(dǎo)體晶片9的寬區(qū)域覆有導(dǎo)電膜，以及該導(dǎo)電膜被用作用于電阻測量的 焊盤8。當(dāng)使用其上形成低電阻布線材料的晶片時(shí)，與第六實(shí)施例的原 因相同，可以測量所有n個(gè)探針l的接觸電阻。如果n個(gè)探針l(r^3)的探 針單元小于半導(dǎo)體晶片9的尺寸，那么可以測量探針l的接觸電阻。嚴(yán) 格地說，在大區(qū)域布線圖形的附近，兩個(gè)相鄰探針l之間測量的電阻是 隨距晶片端部的距離而改變的電阻。但是，誤差可以被忽略。[第八實(shí)施例]圖14示出了應(yīng)用TEG4的產(chǎn)品芯片10的布局，該TEG4具有用于接 觸電阻測量的TEG 20。如圖14所示，在晶片的所有產(chǎn)品芯片10的一個(gè) 或多個(gè)中預(yù)先布局TEG4，該TEG4具有用于接觸電阻測量的TEG20。 基于先前提及的實(shí)施例的方法，在通過使用用于接觸電阻測量的TEG20測量探針1的接觸電阻之后，使用探針I(yè)評(píng)估產(chǎn)品芯片IO， TEG 20被 包含于一個(gè)產(chǎn)品芯片10中。因此，可以評(píng)估產(chǎn)品芯片IO，而不被探針l 的接觸電阻影響。通過使用第一實(shí)施例至第八實(shí)施例中的任意一個(gè)方法，在晶片表 面的多個(gè)位置中測量探針l的接觸電阻，由于取決于晶片表面的位置的 針端壓力中的差值，可以決定探針l的接觸電阻的分布。[第九實(shí)施例]圖15A示出了通過利用未使用的區(qū)域如產(chǎn)品的外圍部分，有效地測 量探針l的接觸電阻的結(jié)構(gòu)。為了方便起見，圖15A僅僅示出了晶片的 外圍部分的一部分。但是，在整個(gè)外圍部分上方可以預(yù)先布置用于接 觸電阻測量的焊盤圖形。與圖15A—樣，通過在晶片9上的未使用區(qū)域 如產(chǎn)品的外圍部分中準(zhǔn)備用于電阻測量的焊盤7如線性形布線圖形或 用于接觸電阻測量的TEG 20，可以用和第六實(shí)施例一樣的方法測量探 針l的接觸電阻。如圖15B所示的應(yīng)用例子，在未使用區(qū)域如產(chǎn)品的外圍部分中同時(shí) 形成導(dǎo)電膜，作為頂部布線層，并覆有絕緣膜23，以及通過形成窗口 24，露出部分導(dǎo)電膜。通過使用該導(dǎo)電膜部分作為用于電阻測量的焊 盤8，可以測量探針l的接觸電阻。如由該例子所示，在用于電阻測量 的所有焊盤7中的最上導(dǎo)電膜上形成絕緣膜23，作為所述線性布線圖 形，用于接觸電阻測量的TEG20以及用于電阻測量的焊盤8，作為大區(qū) 域布線圖形，以保護(hù)那些圖形。因此，通過形成窗口24，可以露出并 形成作為節(jié)點(diǎn)的區(qū)域。[用于電阻測量的焊盤布置]接下來，將描述布置用于電阻測量的焊盤的實(shí)施例。實(shí)際上，當(dāng) 將要設(shè)計(jì)半導(dǎo)體產(chǎn)品中的TEG時(shí)，計(jì)劃在用于TEG的區(qū)域中制造大量種 類的TEG。因此，準(zhǔn)備用于電阻測量的焊盤的專有區(qū)域常常是困難的。因此，通過在不能布置用于裝置電特性評(píng)估的TEG的區(qū)域中布置用于電阻測量的焊盤，可以容易地布置用于電阻測量的焊盤作為半導(dǎo)體產(chǎn)品的附著TEG的一部分。這種區(qū)域是下層圖形如對(duì)準(zhǔn)圖形的區(qū)域， 特別地，當(dāng)通過使用縮小投影型曝光設(shè)備執(zhí)行曝光步驟時(shí)，在通過一 個(gè)曝光步驟形成的區(qū)域的端部(被稱為曝光區(qū)域)中，該區(qū)域被定位在劃 痕線上并通過相鄰曝光區(qū)域的合成形成。根據(jù)本實(shí)施例，可以使用在任意種類的半導(dǎo)體產(chǎn)品中必須布置的 對(duì)準(zhǔn)圖形的區(qū)域。因此，可以布置用于電阻測量的焊盤作為任意半導(dǎo) 體產(chǎn)品中的附著TEG的一部分，與用于附著TEG的區(qū)域尺寸無關(guān)。下面，將詳細(xì)描述這種用于電阻測量的焊盤的布置。在不引起任 何矛盾的范圍下，用于電阻測量的焊盤的布置可以被應(yīng)用于每一個(gè)先 前提及的第一至第九實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)注意，通過使用用于電阻測量的焊 盤的用于接觸電阻測量的TEG 20描述以下實(shí)施例。但是，該焊盤可以 是作為線性布線圖形的用于電阻測量的焊盤7或作為大區(qū)域布線圖形 的用于電阻測量的焊盤8。[第十實(shí)施例]如果一個(gè)TEG 20和在TEG 20之前已經(jīng)形成的下層圖形區(qū)域不相 互影響，那么在下層圖形區(qū)域的上層中可以形成用于接觸電阻測量的 TEG 20，以在至少一部分中重疊。因?yàn)橄聦訄D形區(qū)域是與對(duì)準(zhǔn)相關(guān)的 例示圖形區(qū)域如對(duì)準(zhǔn)參考位置測量圖形和對(duì)準(zhǔn)誤差測量圖形、與臺(tái)階 監(jiān)視相關(guān)的圖形區(qū)域如尺寸測量圖形和膜厚度測量圖形以及與TEG相 關(guān)的圖形區(qū)域如用于裝置電特性評(píng)估的TEG。在圖16A、 16B和16C中示出了一個(gè)例子。圖16C是沿圖16B的線a-a' 的剖面圖。圖16A示出了形成在高度方向上與下層圖形區(qū)域25不重疊的 用于接觸電阻測量的TEG20的情況。圖16B示出了形成在高度方向上與下層圖形區(qū)域25重疊的接觸電 阻測量的TEG20的情況。在此情況下，圖16C示出了導(dǎo)電圖形26和下層 圖形27，導(dǎo)電圖形26是用于接觸電阻測量的TEG 20的一部分，以及下 層圖形27是下層圖形區(qū)域25中的一部分。導(dǎo)電圖形26具有與下層圖形 區(qū)域25的上層重疊的位置無關(guān)的平整表面。與該例子一樣，如果用于 接觸電阻測量的一個(gè)TEG 20和在TEG 20之前已經(jīng)形成的下層圖形區(qū)域 25相互沒有不利地影響，那么可以在下層圖形區(qū)域25上面形成用于接 觸電阻測量的TEG 20，以與部分下層圖形區(qū)域25重疊。應(yīng)該注意，圖 16C示出了通過在用于接觸電阻測量的TEG 20上面形成絕緣膜23和從 探針1接觸焊盤的區(qū)域中去除絕緣膜23形成窗口24的例子。因?yàn)閳D16B所示的下層圖形區(qū)域25是例示圖形區(qū)如對(duì)準(zhǔn)相關(guān)圖形 區(qū)、臺(tái)階監(jiān)視器相關(guān)圖形區(qū)和TEG相關(guān)圖形區(qū)。對(duì)準(zhǔn)相關(guān)圖形區(qū)是光 刻步驟中使用的圖形區(qū)如對(duì)準(zhǔn)參考位置測量圖形和對(duì)準(zhǔn)誤差測量圖 形。臺(tái)階監(jiān)視相關(guān)圖形區(qū)是諸如尺寸測量圖形和膜厚度測量圖形的圖 形區(qū)。TEG相關(guān)圖形區(qū)是被設(shè)置來執(zhí)行裝置電特性評(píng)估的半導(dǎo)體電路 的圖形區(qū)。上述對(duì)準(zhǔn)相關(guān)圖形包括基于多個(gè)元件圖形的布置和組合形成的圖 形組。措詞"圖形區(qū)"表示整個(gè)圖形組的區(qū)域。當(dāng)形成用于接觸電阻測量的TEG，以與下層圖形區(qū)域重疊時(shí)。將 考慮至少它們其中之一影響其他的情況。(1) 當(dāng)對(duì)準(zhǔn)相關(guān)圖形的測量變?yōu)椴豢赡軙r(shí)，通過在光刻工序中使用 的對(duì)準(zhǔn)相關(guān)圖形上面形成TEG，以在焊盤上形成鈍化膜的開口，下層圖 形的使用目的不被實(shí)現(xiàn)。(2) 當(dāng)用于接觸電阻測量的TEG的導(dǎo)電圖形表面變得不平坦時(shí)，通過在具有臺(tái)階的下層圖形上面形成，以便測量精度被降低，沒有實(shí)現(xiàn)用于接觸電阻測量的TEG的使用目的。在可以避免這些不利影響的位置上布置用于接觸電阻測量的TEG 是符合需要的。如圖16B和16C所示，如果在形成TEG20之后未使用的下層圖形區(qū) 域25上面形成用于接觸電阻測量的TEG 20，以在高度方向上與下層圖 形區(qū)域25重疊，那么用于接觸電阻測量的TEG 20是適當(dāng)?shù)?，以及用?接觸電阻測量的TEG 20的導(dǎo)電圖形26具有平整表面，以便該表面沒有 不利影響測量精度。[第十一實(shí)施例]通過使用多次曝光工序，可以形成用于接觸電阻測量的TEG 20。 通過多次曝光，用于接觸電阻測量的部分TEG 20可以被曝光多次。通 過該多次曝光，可以轉(zhuǎn)換部分用于接觸電阻測量的TEG20。圖17A至17F示出了一個(gè)例子。例如，圖17A示出了當(dāng)通過使用縮 小投影型曝光設(shè)備執(zhí)行曝光工序時(shí)曝光區(qū)域中的下部的示意圖。線b-b' 示出了劃痕線區(qū)中的中心線。在鄰近于產(chǎn)品區(qū)29A的曝光區(qū)域下部中的 劃線區(qū)30A上形成用于接觸電阻測量的TEG 20A的上部。圖17B示出了曝光區(qū)域中的下部的示意圖，類似于圖17A。線b-b' 示出了劃痕線區(qū)域中的中心線。在鄰近于產(chǎn)品區(qū)29B的曝光區(qū)域上部中 的劃痕線區(qū)30B上形成用于接觸電阻測量的TEG 20B的下部。圖17C示出了圖17A和17B所示的剖面被鄰近布置時(shí)形成的用于接 觸電阻測量的TEG20。線b-b'示出了劃痕線區(qū)中的中心線。在該用于接 觸電阻測量的TEG 20中，在頂側(cè)區(qū)域中的下部中形成的圖17A所示的用 于接觸電阻測量的TEG 20A和在下側(cè)區(qū)中的上部形成圖17B所示的用于接觸電阻測量的TEG 20B。圖17A和17B的線b-b'與圖17C的線b-b'—致。例如，圖17C示出了當(dāng)通過使用縮小投影型曝光設(shè)備執(zhí)行曝光同時(shí) 以基于曝光區(qū)域的尺寸限定的預(yù)定間距移動(dòng)晶片時(shí)，相鄰曝光區(qū)域中 的邊界剖面。曝光區(qū)域下部中的劃痕線區(qū)30A和曝光區(qū)域上部中的劃痕 線區(qū)30B被人工合成，以形成劃痕線區(qū)30。此外，用于接觸電阻測量的 TEG20A和用于接觸電阻測量的TEG20B被人工合成，以形成用于接觸 電阻測量的TEG 20。以此方式，通過多次使用曝光工序，可以形成用 于接觸電阻測量的TEG 20。通過多次曝光工序，存在用于接觸電阻測量的TEG變形的情況。 下面，將描述該變形。圖17D和17E分別示出了通過擴(kuò)大圖17A和17B的 部分的曝光區(qū)域中的上下部分的詳細(xì)視圖。這里，線c-c'和線d-d'表示 劃痕線區(qū)中的中心線。在圖17A和17B中，曝光區(qū)域中的上下部分被示出與由線b-b'表示 的劃線區(qū)中的中心線一致。但是，如圖17D和17E所示，通常，曝光區(qū) 域中的下和上部從由線c-c'和線d-d'所示的劃痕線區(qū)的中心延伸X。在曝 光區(qū)域中，曝光區(qū)域中的下和上部重疊2X。通過以下因素提供該重疊。亦即，當(dāng)通過依次使用縮小投影型曝 光設(shè)備執(zhí)行曝光同時(shí)以基于曝光區(qū)域的尺寸限定的預(yù)定間距移動(dòng)晶片 執(zhí)行曝光時(shí)，通常難以使相鄰曝光區(qū)域的邊界部分正確地重合。這是 因?yàn)檎`差因素如復(fù)制到晶片上的曝光區(qū)域尺寸的光學(xué)誤差、移動(dòng)晶片 時(shí)的機(jī)械誤差以及由于晶片變形的尺寸誤差。因此，由于誤差，有可 能在相鄰曝光區(qū)域的邊界部分中形成未曝光部分。為了防止這種未曝 光部分，設(shè)置圖17D和17E所示的寬度X的重疊部分。圖17F示出了圖17D和17E所示的曝光區(qū)域中的上下部分重疊時(shí)用于接觸電阻測量的TEG 20。線e-e'表示劃痕線區(qū)的中心線。線e-e'幾乎 與線c-c'和線d-d'重合。在曝光區(qū)域中的上下部分中，從由線c-c'和線d-d'所示的劃痕線區(qū) 的中心延伸寬度X的部分互相重疊。結(jié)果，在劃痕線區(qū)的中心形成具有 寬度2X的多次曝光部分。在通過人工合成用于接觸電阻測量的TEG 20a 形成的用于接觸電阻測量的TEG 20和用于人工合成的用于接觸電阻測 量的TEG20B中，形成具有寬度2X的多次曝光部分。通常，該多次曝光部分與普通部分相比，在光刻膠層中接收更多 能量。因此，有光刻膠層被轉(zhuǎn)變的情況，取決于光刻工序中的條件。 如果在圖形的端部引起光刻膠層的變形，變形被立即轉(zhuǎn)移到內(nèi)部或外 部圖形方向，以及通過光刻，該變形可以被復(fù)制到晶片上的圖形中。 圖17F示出了通過多次曝光變形的焊盤圖形的變形區(qū)31。另一方面，連接圖17F中的焊盤和焊盤的布線部分沒有變形。例如， 當(dāng)焊盤和連接布線由相同的布線材料形成時(shí)，連接焊盤和焊盤的布線 不是圖形端部，即使它是多次曝光部分。因此，光刻膠層的變形被變 形為膜厚度的方向，以便光刻膠層變薄。因此，可以形成光刻膠層， 以便晶片上的圖形本身不被變形，即使光刻膠層的膜厚度被影響。在 此情況下，因?yàn)檫B接布線部分中的布線材料的形狀不變形，所以不影 響布線電阻，和用于接觸電阻測量的TEG20的測量精度沒有不利影響。如第十一實(shí)施例所示，用于接觸電阻測量的部分TEG 20可以接收 多次曝光。此外，如果測量精度沒有不利影響，那么通過該多次曝光， 部分TEG 20可能變形。[第十二實(shí)施例]在水平方向和垂直方向中的劃痕線區(qū)上可以形成用于接觸電阻測 量的TEG20。圖18示出了一個(gè)例子。在一個(gè)曝光區(qū)域32中形成四個(gè)產(chǎn)品區(qū)29。 在相鄰產(chǎn)品區(qū)29之間形成劃痕線區(qū)。這種曝光區(qū)域32以恒定間距周期 性地形成。在曝光區(qū)域32的邊界部分中，由相鄰曝光區(qū)域人工合成劃痕線區(qū) 30。此外，人工合成用于接觸電阻測量的TEG 20。在水平方向和垂直 方向上延伸的劃痕線區(qū)上形成用于接觸電阻測量的TEG 20。存在水平方向和垂直方向上的劃痕線區(qū)中布置裝置電特性評(píng)估的 各種類型TEG的情況。在此情況下，當(dāng)通過使用多個(gè)探針的探針單元 測量水平方向上的劃痕線區(qū)上的TEG和垂直方向上的劃痕線區(qū)上的 TEG時(shí)，有必要旋轉(zhuǎn)晶片載物臺(tái)上的晶片卯度。通常，通過再次設(shè)置 改變晶片的取向。在晶片載物臺(tái)的軸傾斜的情況下，由于針端壓力的 差異，在水平方向方向上的TEG的測量和旋轉(zhuǎn)之后垂直方向上的TEG 的測量的情況之間，探針接觸電阻是不同的。因此，可能引起誤差。為了解決該問題，在水平方向上布置用于接觸電阻測量的至少一 個(gè)TEG 20和在垂直方向上布置用于接觸電阻測量的至少另一TEG 20是 符合需要的，以便甚至在晶片的任意取向中可以檢查探針接觸電阻。通過結(jié)合第十實(shí)施例和第十一實(shí)施例，在曝光區(qū)域32的邊界部分 中布置的對(duì)準(zhǔn)相關(guān)圖形區(qū)上面設(shè)置用于接觸電阻測量的TEG 20，該問 題可以被解決。甚至在任意半導(dǎo)體產(chǎn)品中，在水平方向和垂直方向一 直布置對(duì)準(zhǔn)相關(guān)圖形區(qū)。因此，通過使用這些圖形區(qū)可以在水平方向 和垂直方向上布置用于接觸電阻測量的TEG 20。同時(shí)，如該第十二實(shí) 施例所示，在水平方向和垂直方向上的劃痕線區(qū)上可以布置用于接觸 電阻測量的TEG 20。根據(jù)本發(fā)明，通過設(shè)置布線圖形，在布線圖形中在評(píng)估晶片或產(chǎn)品晶片上三個(gè)或更多焊盤與低電阻布線串聯(lián)連接，可以測量每個(gè)探針 的接觸電阻。在產(chǎn)品晶片的測試和排序工序和裝置電特性評(píng)估中，可 以容易地安全確認(rèn)接觸電阻和探針狀態(tài)。作為一個(gè)例子，在由于接觸電阻被顯著地影響的MOSFET的導(dǎo)通電流中，可以沒有誤差地進(jìn)行測量o此外，根據(jù)本發(fā)明，可以測量每個(gè)探針的接觸電阻，以及可以準(zhǔn) 確地測量該裝置的電流。此外，根據(jù)本發(fā)明，通過測量每個(gè)探針的接觸電阻，可以決定該探針。即使存在接觸電阻約10Q，高精確度測量變?yōu)榭赡?。這在相關(guān)技 術(shù)中不能被測量，此外，通過記錄每次測量的所有探針的接觸電阻變化，探針單元 的保持和管理變?yōu)榭赡堋４送?，在高溫、常溫和寒冷溫度中，通過測 量每個(gè)溫度下探針的接觸電阻和監(jiān)視溫度，性能評(píng)估中高精確度測量 變?yōu)榭赡?。盡管上面結(jié)合幾個(gè)優(yōu)選實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是所屬領(lǐng)域的熟 練的技術(shù)人員將明白，提供那些實(shí)施例僅僅是說明本發(fā)明，不應(yīng)該被 依靠為以限制意義解釋權(quán)利要求。
權(quán)利要求
1. 一種探針電阻測量方法，包括基于第一對(duì)應(yīng)關(guān)系，通過將探針單元的多個(gè)探針的至少部分探針與三個(gè)或更多個(gè)用于電阻測量的焊盤接觸，測量三個(gè)或更多節(jié)點(diǎn)處的第一電阻；存儲(chǔ)測量的第一電阻作為第一測量結(jié)果；以及基于所述第一測量結(jié)果，計(jì)算所述探針單元的所述多個(gè)探針的接觸電阻。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的探針電阻測量方法，其中所述計(jì)算接觸 電阻包括產(chǎn)生第一方程組，其中所述測量的第一電阻由所述多個(gè)探針與所 述三個(gè)或更多節(jié)點(diǎn)之間的接觸電阻和所述節(jié)點(diǎn)之間的電阻的總和表 示；以及通過關(guān)于接觸電阻求解第一方程組，計(jì)算所述多個(gè)探針和所述節(jié) 點(diǎn)之間的接觸電阻。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的探針電阻測量方法，其中所述節(jié)點(diǎn)的相 鄰兩個(gè)節(jié)點(diǎn)之間的電阻是恒定的。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的探針電阻測量方法，其中所述節(jié)點(diǎn)的數(shù) 目是4個(gè)或更多。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4的任意一項(xiàng)所述的探針電阻測量方法，還包括基于第二對(duì)應(yīng)關(guān)系，通過使所述探針單元的所述多個(gè)探針的至少 部分探針與三個(gè)或更多個(gè)用于電阻測量的所述焊盤接觸，測量所述三 個(gè)或更多節(jié)點(diǎn)處的第二電阻；存儲(chǔ)測量的第二電阻作為第二測量結(jié)果；以及基于所述第二測量結(jié)果，計(jì)算所述探針單元的所述多個(gè)探針的接 觸電阻。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的探針電阻測量方法，其中通過旋轉(zhuǎn)其上 設(shè)置了用于電阻測量的所述焊盤的襯底，切換所述第一對(duì)應(yīng)關(guān)系和所 述第二對(duì)應(yīng)關(guān)系。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的探針電阻測量方法，其中所述計(jì)算接觸 電阻包括產(chǎn)生第二方程組，其中所述測量的第二電阻由所述多個(gè)探針與所 述三個(gè)或更多節(jié)點(diǎn)之間的接觸電阻和所述節(jié)點(diǎn)之間的電阻的總和表 示；以及通過對(duì)于接觸電阻求解第二方程組，計(jì)算所述多個(gè)探針和所述節(jié) 點(diǎn)之間的接觸電阻。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1至4的任意一項(xiàng)所述的探針電阻測量方法，還包括基于第三對(duì)應(yīng)關(guān)系，通過使所述探針單元的所述多個(gè)探針的至少 部分探針與襯底的半導(dǎo)體區(qū)接觸，測量所述三個(gè)或更多節(jié)點(diǎn)處的第三 電阻；存儲(chǔ)測量的第三電阻作為第三測量結(jié)果；以及 基于所述第三測量結(jié)果，計(jì)算所述探針單元的所述多個(gè)探針的接 觸電阻。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的探針電阻測量方法，其中所述節(jié)點(diǎn)的數(shù) 目是三個(gè)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1至4的任意一項(xiàng)所述的探針電阻測量方法，其 中設(shè)置可通過所述襯底上設(shè)置的所述焊盤訪問的半導(dǎo)體電路，以及在相同線上混和地設(shè)置用于電阻測量的焊盤和所述用于裝置的焊盤。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1至4的任意一項(xiàng)所述的探針電阻測量方法，其 中與設(shè)置了電連接到半導(dǎo)體電路的電路的區(qū)域相比，在襯底的外圍部 分上設(shè)置了用于電阻測量的焊盤。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1至4的任意一項(xiàng)所述的探針電阻測量方法，其 中在其上設(shè)置了用于電阻測量的焊盤的半導(dǎo)體襯底上形成的導(dǎo)電膜覆 蓋有絕緣膜，用于電阻測量的焊盤是通過絕緣膜的窗口露出導(dǎo)電膜的區(qū)域。
13. —種具有用于探針電阻測量的焊盤的半導(dǎo)體裝置，包括 與半導(dǎo)體襯底上形成的半導(dǎo)體電路電隔離的三個(gè)或更多焊盤；以及在所述焊盤之間提供串聯(lián)連接并具有相同電阻的布線。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置，其中焊盤的數(shù)目是三個(gè)。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述三個(gè)或更多焊盤之一與所述襯底的半導(dǎo)體區(qū)域連接。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體裝置，其中焊盤的數(shù)目是三個(gè)。
17. 根據(jù)權(quán)利要求13至16的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，還包括 用于與所述半導(dǎo)體電路連接的裝置的焊盤，其中在同一條線上布置所述三個(gè)或更多焊盤和用于裝置的所述焊盤。
18. 根據(jù)權(quán)利要求13至16的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中與 設(shè)置所述半導(dǎo)體電路的區(qū)域相比，所述三個(gè)或更多焊盤被設(shè)置在所述襯底的外圍部分上。
19. 根據(jù)權(quán)利要求13至16的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，還包括: 在設(shè)置所述三個(gè)或更多焊盤的區(qū)域中形成的導(dǎo)電膜；以及 形成為覆蓋所述導(dǎo)電膜的絕緣膜，其中所述三個(gè)或更多焊盤是通過所述絕緣膜的窗口露出的所述導(dǎo) 電膜的區(qū)域。
20. 根據(jù)權(quán)利要求13至16的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，還包括: 當(dāng)在所述半導(dǎo)體襯底上形成所述半導(dǎo)體電路時(shí)用來測量所述半導(dǎo)體電路的對(duì)準(zhǔn)參考位置和對(duì)準(zhǔn)誤差的對(duì)準(zhǔn)相關(guān)圖形、用來測量尺寸或 厚度的臺(tái)階監(jiān)視器相關(guān)圖形和所述半導(dǎo)體電路的至少一個(gè)，其中在形成所述對(duì)準(zhǔn)相關(guān)圖形、所述臺(tái)階監(jiān)視器相關(guān)圖形或所述 半導(dǎo)體電路的區(qū)域中布置所述三個(gè)或更多焊盤。
21. 根據(jù)權(quán)利要求13至16的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中在 所述半導(dǎo)體襯底上形成劃痕線，以及所述三個(gè)或更多焊盤被布置為在所述劃痕線上重疊。
22. 根據(jù)權(quán)利要求13至16的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中所 述三個(gè)或更多焊盤包括通過第一曝光步驟露出的第一部分；以及 通過第二曝光步驟露出的第二部分。
23. 根據(jù)權(quán)利要求13至16的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述三個(gè)或更多焊盤在第一方向上對(duì)準(zhǔn)， 該半導(dǎo)體裝置包括與所述半導(dǎo)體電路電隔離的另一組三個(gè)或更多焊盤；以及 提供用來串聯(lián)連接具有相同電阻的所述另一組的三個(gè)或更多焊盤 的另一組布線，在不同于所述第一方向的第二方向上對(duì)準(zhǔn)所述另一組三個(gè)或更多淳盤。
全文摘要
一種探針電阻測量方法包括，基于第一對(duì)應(yīng)關(guān)系，通過將探針單元的多個(gè)探針的至少一部分與三個(gè)或更多個(gè)用于電阻測量的焊盤接觸，測量三個(gè)或更多節(jié)點(diǎn)處的第一電阻。所測量的電阻被作為第一測量結(jié)果存儲(chǔ)?；谒龅谝粶y量結(jié)果，計(jì)算所述探針單元的所述多個(gè)探針的接觸電阻。
文檔編號(hào)G01R1/073GK101281218SQ200810091160
公開日2008年10月8日 申請(qǐng)日期2008年4月7日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月5日
發(fā)明者柳澤正之, 道又重臣, 黑柳一誠 申請(qǐng)人:恩益禧電子股份有限公司