專利名稱：功率吸收裝置及具有該功率吸收裝置的測試裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子通信技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種功率吸收裝置及具有該功率吸收裝
置的測試裝置。
背景技術(shù)：
通信基站產(chǎn)品經(jīng)常需要測試其功率放大器(簡稱功放)的性能，在進行其中某些 測試(比如功放效率測試、整機老化測試等)時需要首先將信號功率吸收掉。
在現(xiàn)有技術(shù)中，最常見的功率吸收裝置如圖1和圖2所示，在PCB (PrintedCircuit Board,印制電路板)3上設(shè)有接入微帶線1和功率電阻4 ;通過接入微帶線1將射頻信號引 入到功率電阻4，使所述射頻信號攜帶的能量在功率電阻4中消耗掉；功率電阻4在工作時 產(chǎn)生的熱量則通過散熱器件2散發(fā)出去。 發(fā)明人在使用現(xiàn)有的功率吸收裝置的過程中，發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下缺點
由于現(xiàn)有的功率吸收裝置采用功率電阻，其結(jié)構(gòu)特征決定了其生產(chǎn)裝配時不只要 將功率電阻焊接到PCB板上，還要通過螺釘將其與散熱器件之間進行固定，因此生產(chǎn)裝配 效率很低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例提供一種功率吸收裝置及具有該功率吸收裝置的測試裝置，以解
決現(xiàn)有功率吸收裝置生產(chǎn)裝配效率低的問題。 為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案 —種功率吸收裝置，包括PCB板上的金屬導(dǎo)體層和絕緣介質(zhì)層，在所述金屬導(dǎo)體
層上形成有傳輸線，所述傳輸線的一端為射頻信號輸入端。 —種測試裝置，包括測試模塊以及上述功率吸收裝置；其中， 所述測試模塊，用于測試功率放大器的性能； 所述功率吸收裝置，用于在對功率放大器的性能進行測試前對信號功率進行吸收。
本發(fā)明實施例提供的功率吸收裝置，通過PCB板中金屬導(dǎo)體層上形成的傳輸線以 及傳輸線兩側(cè)的絕緣介質(zhì)層來吸收射頻信號能量，由于所述傳輸線遍布整個PCB板，因此 熱源分布均勻，散熱較現(xiàn)有功率吸收裝置方便很多；而且，本發(fā)明實施例提供的功率吸收裝 置用傳輸線替代了現(xiàn)有功率吸收裝置中常用的功率電阻，使得功率吸收裝置及具有該功率 吸收裝置的測試裝置的生產(chǎn)裝配都得到簡化，甚至可以實現(xiàn)自動化生產(chǎn)。相對于現(xiàn)有的功 率吸收裝置，本發(fā)明實施例提供的功率吸收裝置不僅可以改善功率吸收裝置的散熱效果、 提高功率吸收裝置及具有該功率吸收裝置的測試裝置的生產(chǎn)裝配效率，而且由于不再使用 功率電阻從而大大降低了功率吸收裝置及具有該功率吸收裝置的測試裝置的生產(chǎn)成本。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中功率吸收裝置的側(cè)視 圖2為現(xiàn)有技術(shù)中功率吸收裝置的俯視圖； 圖3為現(xiàn)有技術(shù)中改進型功率吸收裝置的俯視圖； 圖4為本發(fā)明實施例提供的功率吸收裝置的俯視圖； 圖5為本發(fā)明實施例一提供的功率吸收裝置的側(cè)視圖； 圖6為本發(fā)明實施例中傳輸線布線的俯視圖； 圖7為本發(fā)明實施例二提供的功率吸收裝置的側(cè)視圖； 圖8為本發(fā)明實施例三提供的功率吸收裝置的側(cè)視圖。
具體實施例方式
為了解決現(xiàn)有功率吸收裝置散熱效果差且生產(chǎn)裝配效率低的問題，本發(fā)明實施例 提供了一種新的功率吸收裝置及具有該功率吸收裝置的測試裝置。下面結(jié)合附圖以及具體 實施例對本發(fā)明提供的功率吸收裝置及具有該功率吸收裝置的測試裝置進行詳細描述。
本發(fā)明實施例提供的功率吸收裝置，如圖4所示，其包括PCB板3上的金屬導(dǎo)體層 和絕緣介質(zhì)層，而且在所述金屬導(dǎo)體層上形成有傳輸線6，所述傳輸線6的一端為射頻信號 輸入端。 當射頻信號輸入到所述傳輸線6中時，由于傳輸線6具有一定的電導(dǎo)率，在射頻信 號經(jīng)過時會產(chǎn)生能量損耗；同時，輸入射頻信號后形成的電場經(jīng)過絕緣介質(zhì)層時，引起絕緣 介質(zhì)分子的交替極化和晶格來回碰撞，也會產(chǎn)生能量損耗。這樣，由于傳輸線6以及傳輸線 6兩側(cè)的絕緣介質(zhì)同時消耗射頻信號的能量，因此，只要傳輸線6足夠長，就能夠吸收掉任 何大功率能量。如果要使能量吸收的更快，我們還可以選擇高介電損耗的絕緣材料來作為 PCB板的絕緣介質(zhì)層。 圖4中所示的傳輸線的布線方式只是一個示例，并不用于限定本發(fā)明實施例中功 率吸收裝置的傳輸線布線方式，在實際應(yīng)用中當然還可以有其他多種方式進行傳輸線的布 線。 本發(fā)明實施例提供的功率吸收裝置，通過PCB板中金屬導(dǎo)體層上形成的傳輸線6
以及傳輸線6兩側(cè)的絕緣介質(zhì)層來吸收射頻信號能量，由于所述傳輸線6在PCB板上覆蓋
了很大的面積，因此熱源分布均勻，散熱較現(xiàn)有功率吸收裝置方便很多；而且，本發(fā)明實施
例提供的功率吸收裝置用傳輸線替代了現(xiàn)有功率吸收裝置中常用的功率電阻，不僅使得功
率吸收裝置的生產(chǎn)裝配得到簡化，而且大大降低了功率吸收裝置的生產(chǎn)成本。 上述功率吸收裝置有以下幾種實現(xiàn)方式 實施例一 如圖5所示，上述PCB板為雙面PCB板31，在位于其上部的金屬導(dǎo)體層(例如，銅
箔)上刻蝕出微帶線61 ;射頻信號從微帶線61的一端輸入，在微帶線61內(nèi)傳輸?shù)倪^程中，
一部分能量被銅導(dǎo)線消耗掉，一部分能量被銅導(dǎo)線兩側(cè)的絕緣介質(zhì)消耗掉。 如果需要消耗的射頻信號能量太大，只依靠微帶線61很可能難以將所有能量全
部吸收，那么可以在所述微帶線61的另一端連接一個小型功率電阻7，用以消耗掉微帶線
61未能完全吸收的能量。 由于在微帶線61消耗射頻信號能量的過程中，會產(chǎn)生大量的熱量，這就需要在 PCB板31的下方設(shè)置散熱器件2 ;如圖5所示，所述散熱器件2包括貼置在所述PCB板31上用于吸收熱量的金屬板和用于散熱的散熱齒。某些情況下，還可以在所述PCB板31的上 方貼置所述散熱器件，這樣能使微帶線61產(chǎn)生的熱量更快地散發(fā)出去；或者，在所述PCB板 31的上方添加一個金屬屏蔽蓋，這樣不僅可以屏蔽外部的電磁干擾，而且可以使微帶線61 產(chǎn)生的熱量通過金屬屏蔽蓋散發(fā)出去。 由于射頻信號在微帶線61中傳輸?shù)臅r候，在微帶線61前端產(chǎn)生的能量損耗最大、 產(chǎn)生熱量也最多，隨著射頻信號在微帶線61中的傳輸，其能量損耗量會逐漸減小、產(chǎn)生熱 量也逐漸減少，因此本發(fā)明實施例可以以圖6所示的形狀對微帶線61進行布線導(dǎo)線部分 在PCB板平面上整條對折，然后呈蛇形盤繞，這樣微帶線吸收射頻信號能量后產(chǎn)生的熱量 能更均勻地分布在PCB板31上。 在所述PCB板31上部的金屬導(dǎo)體層上，可以設(shè)置多路微帶線61，以應(yīng)對存在多路 視頻信號輸入的情況；所述多路微帶線可以是分區(qū)域盤繞，即在一定范圍內(nèi)只設(shè)有一路微 帶線；還可以是多路微帶線以同心圓的方式進行盤繞。 在實際制作上述功率吸收裝置之前，可以先對其進行仿真，以確定微帶線61的長 度、PCB板31和散熱器件2的尺寸，以及對所述微帶線61能否完全吸收射頻信號的能量進 行測試；若所述微帶線61不能完全吸收視頻信號的能量，就需要添加一個小型功率電阻7， 且添加小型功率電阻的原則是微帶線61吸收的能量+功率電阻7吸收的能量=射頻信號 的總能量。 本發(fā)明實施例提供的功率吸收裝置，通過PCB板中金屬導(dǎo)體層上形成的微帶線61 以及微帶線61兩側(cè)的絕緣介質(zhì)層來吸收射頻信號能量，由于所述傳輸線61在PCB板上覆 蓋了很大的面積，因此熱源分布均勻，散熱較現(xiàn)有功率吸收裝置方便很多；而且，本發(fā)明實 施例提供的功率吸收裝置用傳輸線替代了現(xiàn)有功率吸收裝置中常用的功率電阻，使得功率 吸收裝置的生產(chǎn)裝配得到簡化。雖然本發(fā)明實施例提供的功率吸收裝置在某些情況下也要 用到小型功率電阻，不過小型功率電阻可以由常規(guī)的SMT(Surface Mounted Technology, 表面貼裝技術(shù))貼片電阻實現(xiàn)，相對于現(xiàn)有功率吸收裝置來說，其生產(chǎn)裝配過程還是會簡 化很多，而且本發(fā)明實施例提供的功率吸收裝置可以大大降低生產(chǎn)成本。
實施例二 如圖7所示，所述PCB板為多層PCB板32，其最上層和最下層的金屬導(dǎo)體層(例 如，銅箔)鋪滿整個PCB板用以作為參考地，在位于其中間層的金屬導(dǎo)體層(例如，銅箔) 上刻蝕出帶狀線62 ;射頻信號從帶狀線62的一端輸入，在帶狀線62內(nèi)傳輸?shù)倪^程中，一部 分能量被銅導(dǎo)線消耗掉，一部分能量被銅導(dǎo)線兩側(cè)的絕緣介質(zhì)消耗掉。在所述多層PCB板 32上還設(shè)置有貫穿多層金屬導(dǎo)體層和絕緣介質(zhì)層的過孔8，在過孔8的內(nèi)表面上可以鋪設(shè) 帶狀的金屬箔，通過所述帶狀的金屬箔(例如，銅箔)可以將位于其中一層帶狀線的輸出端 另外一層帶狀線的輸入端連接起來。 所述射頻信號可以通過接入微帶線1、過孔8內(nèi)表面上的帶狀金屬箔引入到帶狀
線62中，也可以是通過設(shè)在過孔8處的一個連接線引入到帶狀線62中。 如果需要消耗的射頻信號能量太大，只依靠帶狀線62可能難以將所有能量全部
吸收，那么可以在所述帶狀線62的另一端連接一個小型功率電阻7，用以消耗掉帶狀線62
未能完全吸收的能量。 由于在帶狀線62消耗射頻信號能量的過程中，會產(chǎn)生大量的熱量，這就需要在PCB板32的下方設(shè)置散熱器件2 ;如圖7所示，所述散熱器件2包括貼置在所述PCB板32 上用于吸收熱量的金屬板和用于散熱的散熱齒。某些情況下，還可以在所述PCB板32的上 方貼置所述散熱器件，這樣能使帶狀線62產(chǎn)生的熱量更快地散發(fā)出去；或者，在所述PCB板 32的上方添加一個金屬屏蔽蓋，這樣不僅可以屏蔽外部的電磁干擾，而且可以使帶狀線62 產(chǎn)生的熱量通過金屬屏蔽蓋散發(fā)出去。 由于射頻信號在帶狀線62中傳輸?shù)臅r候，在帶狀線62前端產(chǎn)生的能量損耗最大、 產(chǎn)生熱量也最多，隨著射頻信號在帶狀線62中的傳輸，其能量損耗量會逐漸減小、產(chǎn)生熱 量也逐漸減少，因此本發(fā)明實施例可以以圖6所示的形狀對帶狀線62進行布線每層帶狀 線的導(dǎo)線部分在PCB板平面上整條對折，然后呈蛇形盤繞，這樣帶狀線吸收射頻信號能量 后產(chǎn)生的熱量能更均勻地分布在PCB板32上。 在所述多層PCB板32的每層金屬導(dǎo)體層上，都可以設(shè)置多路帶狀線62 ;所述多路 帶狀線可以是分區(qū)域盤繞，即在一定范圍內(nèi)只設(shè)有一路帶狀線；還可以是多路帶狀線以同 心圓的方式進行盤繞。如果存在多路射頻信號輸入的話，可以將其分別引入同一層金屬導(dǎo) 體層上的多路帶狀線62，或者通過過孔8內(nèi)表面的帶狀金屬箔將其分別引入到位于不同金 屬導(dǎo)體層的帶狀線62中；對于本身功率很大的射頻信號，還可以通過所述過孔8內(nèi)表面的 帶狀金屬箔將位于不同層的帶狀線62連接起來，以擴展帶狀線的長度來消耗大功率信號 所攜帶的能量。 在制作上述功率吸收裝置之前，可以先對其進行仿真，以確定帶狀線62的長度、 PCB板32和散熱器件2的尺寸，以及對所述帶狀線62能否完全吸收射頻信號的能量進行測 試；若所述帶狀線62不能完全吸收視頻信號的能量，就需要添加一個小型功率電阻7，且添 加小型功率電阻的原則是帶狀線62吸收的能量+功率電阻7吸收的能量=射頻信號的總能量。 本發(fā)明實施例提供的功率吸收裝置，通過PCB板中金屬導(dǎo)體層上形成的帶狀線62 以及帶狀線62兩側(cè)的絕緣介質(zhì)層來吸收射頻信號能量，由于所述帶狀線62在PCB板上覆 蓋了很大的面積，因此熱源分布均勻，散熱較現(xiàn)有功率吸收裝置方便很多；而且，本發(fā)明實 施例提供的功率吸收裝置用傳輸線替代了現(xiàn)有功率吸收裝置中常用的功率電阻，使得功率 吸收裝置的生產(chǎn)裝配得到簡化。雖然本發(fā)明實施例提供的功率吸收裝置在某些情況下也要 用到小型功率電阻，不過小型功率電阻可以由常規(guī)的SMT貼片電阻實現(xiàn)，相對于現(xiàn)有功率 吸收裝置來說，其生產(chǎn)裝配過程還是會簡化很多；雖然本發(fā)明實施例提供的功率吸收裝置 增加了 PCB的層疊數(shù)，但是綜合成本還是較現(xiàn)有的功率吸收裝置要低很多。
實施例三 如圖8所示，所述PCB板為多層PCB板32，其最下層的金屬導(dǎo)體層(例如，銅箔)鋪 滿整個PCB板用以作為參考地，在最上層的金屬導(dǎo)體層(例如，銅箔)上刻蝕出微帶線61， 在位于其中間層的金屬導(dǎo)體層(例如，銅箔)上刻蝕出帶狀線62，所述微帶線61和帶狀線 62共同組合成射頻信號的傳輸線；射頻信號從微帶線61的一端輸入，從所述微帶線61的 另一端傳入到所述帶狀線62中；在所述微帶線61和帶狀線62內(nèi)傳輸?shù)倪^程中，射頻信號 的一部分能量被銅導(dǎo)線消耗掉，一部分能量被銅導(dǎo)線兩側(cè)的絕緣介質(zhì)消耗掉。在所述多層 PCB板32上還設(shè)置有貫穿多層金屬導(dǎo)體層和絕緣介質(zhì)層的過孔8，在過孔8的內(nèi)表面上可 以鋪設(shè)帶狀的金屬箔，通過所述帶狀的金屬箔(例如，銅箔)可以將所述微帶線的輸出端與其中一層帶狀線的輸入端連接起來，也可以將位于其中一層帶狀線的輸出端另外一層帶狀 線的輸入端連接起來。 如果需要消耗的射頻信號功率太大，只依靠所述微帶線61和帶狀線62可能難以 將所有能量全部吸收，那么可以在所述帶狀線62的另一端連接一個小型功率電阻7，用以 消耗掉微帶線61和帶狀線62未能完全吸收的能量。 由于在微帶線61和帶狀線62消耗射頻信號能量的過程中，會產(chǎn)生大量的熱量，這 就需要在PCB板32的下方設(shè)置散熱器件2 ;如圖8所示，所述散熱器件2包括貼置在所述 PCB板32上用于吸收熱量的金屬板和用于散熱的散熱齒。某些情況下，還可以在所述PCB 板32的上方貼置所述散熱器件，這樣能使微帶線61和帶狀線62產(chǎn)生的熱量更快地散發(fā)出 去；或者，在所述PCB板32的上方添加一個金屬屏蔽蓋，這樣不僅可以屏蔽外部的電磁干 擾，而且可以使微帶線61和帶狀線62產(chǎn)生的熱量通過金屬屏蔽蓋散發(fā)出去。
由于射頻信號在微帶線61和帶狀線62中傳輸?shù)臅r候，在傳輸線前端產(chǎn)生的能量 損耗大、產(chǎn)生熱量也多，隨著射頻信號在傳輸線中的傳輸，其能量損耗量會逐漸減小、產(chǎn)生 熱量也逐漸減少，因此本發(fā)明實施例優(yōu)選地以圖6所示的形狀對微帶線61和帶狀線62進 行布線微帶線或者每層帶狀線的導(dǎo)線部分在PCB板平面上整條對折，然后呈蛇形盤繞，這 樣微帶線或者帶狀線吸收射頻信號能量后產(chǎn)生的熱量能更均勻地分布在PCB板32上。
在所述PCB板32的最上層金屬導(dǎo)體層上，可以設(shè)置多路微帶線61，所述多路微帶 線可以是分區(qū)域盤繞，即在一定范圍內(nèi)只設(shè)有一路微帶線，還可以是多路微帶線以同心圓 的方式進行盤繞；在所述PCB板32中部的每層金屬導(dǎo)體層上，可以設(shè)置多路帶狀線62。所 述多路帶狀線可以是分區(qū)域盤繞，還可以是多路帶狀線以同心圓的方式進行盤繞。如果存 在多路射頻信號輸入的話，可以通過所述多路微帶線61將其分別引入同一層金屬導(dǎo)體層 上的多路帶狀線62，或者通過過孔8內(nèi)表面的帶狀金屬箔將其分別引入到位于不同金屬導(dǎo) 體層的帶狀線62中；對于本身功率很大的射頻信號，還可以通過所述過孔8內(nèi)表面的帶狀 金屬箔將位于不同層的帶狀線62連接起來，以擴展帶狀線的長度來消耗大功率信號所攜 帶的能量。 在實際制作上述功率吸收裝置之前，可以先對其進行仿真，以確定微帶線61和帶 狀線62的長度、PCB板32和散熱器件2的尺寸，以及對所述微帶線61和帶狀線62能否完 全吸收射頻信號的能量進行測試；若所述微帶線61和帶狀線62不能完全吸收視頻信號的 能量，就需要添加一個小型功率電阻7，且添加小型功率電阻的原則是傳輸線吸收的能量 +功率電阻7吸收的能量=射頻信號的總能量。 本發(fā)明實施例提供的功率吸收裝置，通過PCB板中金屬導(dǎo)體層上形成的傳輸線以 及傳輸線兩側(cè)的絕緣介質(zhì)層來吸收射頻信號功率，由于所述傳輸線在PCB板上覆蓋了很大 的面積，因此熱源分布均勻，散熱較現(xiàn)有功率吸收裝置方便很多；而且，本發(fā)明實施例提供 的功率吸收裝置用傳輸線替代了現(xiàn)有功率吸收裝置中常用的功率電阻，使得功率吸收裝置 的生產(chǎn)裝配得到簡化。雖然本發(fā)明實施例提供的功率吸收裝置在某些情況下也要用到小 型功率電阻，不過小型功率電阻可以由常規(guī)的SMT貼片電阻實現(xiàn)，相對于現(xiàn)有功率吸收裝 置來說，其生產(chǎn)裝配過程還是會簡化很多；雖然本發(fā)明實施例提供的功率吸收裝置增加了 PCB的層疊數(shù)，但是綜合成本還是較現(xiàn)有的功率吸收裝置要低很多。 通過上述實施例可知，本發(fā)明實施例提供的功率吸收裝置，通過傳輸線代替功率電阻來吸收射頻信號的能量，使得其成本較現(xiàn)有功率吸收裝置減少很多；各路射頻信號之 間獨立性好，相互沒有影響； 而且，雖然本發(fā)明實施例提供的功率吸收裝置在某些情況下需要添加一個小型功 率電阻，不過所述小型功率電阻可以通過常規(guī)SMT貼片電阻來實現(xiàn)，這樣本發(fā)明實施例提 供的功率吸收裝置完全可以實現(xiàn)自動化生產(chǎn)，裝配效率大大提高； 本發(fā)明實施例提供的功率吸收裝置采用傳輸線來吸收射頻信號能量，而傳輸線產(chǎn) 生的熱量可以均勻地散布在整個PCB板上，使得裝置的散熱效果大大提高；
還有，本發(fā)明實施例提供的功率吸收裝置，其駐波很好，雖然在過孔處的傳輸阻抗 連續(xù)性不夠好，不過通過加大過孔處反焊盤就能夠改善駐波，此時的傳輸阻抗連續(xù)性能足 夠使用，對射頻信號在傳輸線中的傳輸影響不大。 與現(xiàn)有的功率吸收裝置相比，本發(fā)明實施例提供的功率吸收裝置在成本、加工裝 配復(fù)雜度、小型化等方面都優(yōu)于業(yè)界采用的現(xiàn)有技術(shù)方案。 本發(fā)明實施例還提供了一種測試裝置，該測試裝置包括測試模塊以及上述功率吸 收裝置；其中， 所述測試模塊，用于測試功率放大器的性能； 所述功率吸收裝置，用于在對功率放大器的性能進行測試前對信號功率進行吸 收。 本發(fā)明實施例提供的測試裝置，對其包含的功率吸收裝置做了較大改進，在確保 功率吸收的效率且所述測試裝置散熱良好的前提下使所述測試裝置的生產(chǎn)裝配過程得到 簡化。 以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式
，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何 熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng) 涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)所述以權(quán)利要求的保護范圍為 準。
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權(quán)利要求
一種功率吸收裝置，其特征在于，包括PCB板上的金屬導(dǎo)體層和絕緣介質(zhì)層，在所述金屬導(dǎo)體層上形成有傳輸線，所述傳輸線的一端為射頻信號輸入端。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率吸收裝置，其特征在于，所述PCB板為雙面板，所述傳輸 線為在所述雙面板的金屬導(dǎo)體層上形成的微帶線。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率吸收裝置，其特征在于，所述PCB板為多層板，所述傳輸 線為在所述多層板的金屬導(dǎo)體層上形成的帶狀線，且在所述PCB板上設(shè)有貫穿多層PCB板 的過孔。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率吸收裝置，其特征在于，所述PCB板為多層板，所述傳輸 線為在所述多層板的金屬導(dǎo)體層上形成的微帶線和帶狀線的組合，且在所述PCB板上設(shè)有 貫穿多層PCB板的過孔。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的功率吸收裝置，其特征在于，位于不同層的帶狀線之間或 者微帶線和帶狀線之間通過所述過孔連接。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2或3或4所述的功率吸收裝置，其特征在于，所述微帶線或者帶狀線 的形狀為導(dǎo)線部分在PCB板平面上整條對折，然后呈蛇形盤繞。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率吸收裝置，其特征在于，另一端連接一個小型功率電阻。
8. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的功率吸收裝置，其特征在于，在所述PCB板的一側(cè)設(shè)置散熱器件。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的功率吸收裝置，其特征在于，在所述PCB板的另一側(cè)設(shè)置屏蔽 蓋或者散熱器件。
10. —種測試裝置，包括測試模塊，其特征在于，所述測試裝置還包括權(quán)利要求1至4、7 至9中任一項所述的功率吸收裝置；其中，所述測試模塊，用于測試功率放大器的性能；所述功率吸收裝置，用于在對功率放大器的性能進行測試前對信號功率進行吸收。
全文摘要
本發(fā)明實施例公開了一種功率吸收裝置及具有該功率吸收裝置的測試裝置，涉及電子通信技術(shù)領(lǐng)域，用以解決現(xiàn)有功率吸收裝置生產(chǎn)裝配效率低的問題。本發(fā)明實施例提供的功率吸收裝置，包括PCB板上的金屬導(dǎo)體層和絕緣介質(zhì)層，在所述金屬導(dǎo)體層上形成有傳輸線，所述傳輸線的一端為射頻信號輸入端。本發(fā)明實施例提供的功率吸收裝置適用于在進行功率放大器的某些性能測試時對信號功率進行消耗。
文檔編號G01R1/00GK101769943SQ20081019294
公開日2010年7月7日 申請日期2008年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月31日
發(fā)明者廖紀昌, 楊瑞泉, 鄧亮輝 申請人:華為技術(shù)有限公司