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      光纖磁光探測裝置的制作方法

      文檔序號:6148981閱讀:295來源:國知局
      專利名稱:光纖磁光探測裝置的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及光學(xué)應(yīng)用領(lǐng)域,具體而言,涉及一種光纖磁光探測裝置。
      背景技術(shù)
      磁光晶體廣泛應(yīng)用在光纖通信中的光強、光路控制中、以及其
      他領(lǐng)域的》茲場和電流測量中。石榴石,茲光晶體是目前應(yīng)用比4交廣泛的 一種磁光晶體,下面以石榴石石茲光晶體進行舉例說明。
      多晶的石榴石磁光晶體內(nèi)部多數(shù)情況下會形成條形狀復(fù)合磁疇結(jié)構(gòu)。圖1示出了單晶的石榴石磁光晶體的^茲疇結(jié)構(gòu)微觀圖;圖2示出了單晶的石榴石磁光晶體的磁疇結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示,
      即使是單晶的石榴石磁光晶體,通常情況下內(nèi)部也會形成條形狀復(fù)合》茲疇結(jié)構(gòu)。^r圖2所示,多凄t情況下,相鄰的不茲疇/茲化方向相反垂直于晶體表面。
      當在外磁場作用下,磁光晶體的相鄰磁疇區(qū)域隨著外磁場的強度和方向變4匕, 一種相對;也變大而另一種相^";也變小。當外f茲場超過該材沖牛的確々包和》茲場時,復(fù)合^茲疇轉(zhuǎn)變?yōu)閱我环较颉菲?t的單一均勻石茲疇。而當外;茲場強度減小時,復(fù)合》茲疇又重新形成。當外f茲場拍吏消時,兩種》茲疇區(qū)i或相對均衡。這樣的過考呈對應(yīng)了晶體不同的》茲光效應(yīng)及強度變化,從而形成各類應(yīng)用。圖3示出了根據(jù)相關(guān)技術(shù)的光纖^磁光探頭裝置的結(jié)構(gòu)示意圖,其包括輸入光纖6、輸入光準直器5a、第一偏振分光器3d、磁光晶體1、 1/2波片2、第二偏振分光器3e、輸出光準直器5b、輸出光纖7。
      該光纖》茲光探頭裝置采用光偏振處理,對所述的光正交偏振分量進4亍分波、》茲光感應(yīng)、合波處理。
      其中,在法拉第磁光旋轉(zhuǎn)器后設(shè)置波片,波片用于對法拉第磁
      應(yīng),偏4^險測對兩正交偏4展分量同時、等量進4??;第一偏l展分光器3d和第二偏4展分光器3e由單軸晶體制成,能把兩個相互正交的偏振光分開一定的角度;當光通過第一偏振分光器3d后,它被分成偏振面相互正交兩束,兩束光的傳播方向成一個小的角度同時通過磁光晶體1和1/2波片2;當它們到達第二偏振分光器3e后,每束光中偏振面相對于第一偏振分光器3d產(chǎn)生的原始偏振面轉(zhuǎn)90。的分量傳播方向?qū)⒆円恢?,盡管兩束之間還有一微小的空間分離,它們還是可以祐^敘出光準直器5b和輸出光纖7等量才妄收,而其它分量將被隔離在輸出光纖7以外。
      如果應(yīng)用石榴石磁光晶體作為法拉第旋光器,當光的入射偏振
      態(tài)和^r偏偏振器的光軸成一角度"時,#:測到的光強隨被測》茲場變
      化符合下式描述
      f i/、
      'cc厶r (2cosacos^)2+(2sirmsin-)2(l-《+《一)+ 2
      l仏J
      sin 2a sin 2-
      (4)
      式中/表示光源光強,r光學(xué)系統(tǒng)透過率,^是晶體的法拉第旋
      轉(zhuǎn)角,a入射偏振面與檢測偏振器的夾角,應(yīng)用中a、 ^般接近45。;
      67/是被測/磁場,/^是晶體的飽和;茲場,《是一參數(shù)用來描述4冊狀》茲 疇結(jié)構(gòu)形成的光的干涉程度。
      然而在實現(xiàn)本發(fā)明過程中,發(fā)明人發(fā)現(xiàn),f茲光晶體例如石榴石 磁光晶體特性^和/^一般會隨溫度變化而變化,這將使測量結(jié)果隨 溫度而變化,因此產(chǎn)生了溫度誤差。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明旨在提供一種光纖磁光探測裝置,能夠解決現(xiàn)有技術(shù)的 溫度誤差問題。
      在本發(fā)明的實施例中,提供了一種光纖^茲光探測裝置,包括 導(dǎo)光輸入部分,用于導(dǎo)入偏振光;法拉第^茲光旋轉(zhuǎn)器,其是,茲光晶 體,用于隨著磁場變化而影響偏振光的光強;導(dǎo)光輸出部分,用于 導(dǎo)出偏振光;還包括補償單元,用于對導(dǎo)入的偏4展光進行旋轉(zhuǎn), 以避免近零失敏,并補償^茲光晶體的溫度誤差,其設(shè)置在導(dǎo)光輸入 部分與法拉第磁光旋轉(zhuǎn)器之間,或者設(shè)置在法拉第f茲光旋轉(zhuǎn)器與導(dǎo) 光輸出部分之間。
      可選的,在上述的光纖磁光探測裝置中,導(dǎo)光輸入部分包括 輸入光纖,用于輸入光束;輸入光準直器,用于將輸入光束準直; 第一偏振分光器,用于將光束分成兩束平4亍光,其偏振態(tài)相互正交。
      可選的,在上述的光纖磁光探測裝置中,導(dǎo)光輸出部分包括 第二偏振分光器,用于將兩束平行光合并;輸出光準直器,用于將 合并的光束準直;輸出光纖,用于輸出準直光束。
      可選的,在上述的光纖石茲光4罙測裝置中, 一磁光晶體是石榴石f茲 光晶體。
      7可選的,在上述的光纖^茲光#:測裝置中,補償單元是波片系統(tǒng)。
      可選的,在上述的光纖磁光探測裝置中,波片系統(tǒng)包括第一 波片,其是厚的多周期1/4波片;第二波片,普通零級的l/4波片。
      可選的,在上述的光纖z磁光4笨測裝置中,第一波片的光軸與的 第一偏光分光器的晶體光軸成45°角;第二波片的光軸與第一偏光 分光器的晶體光軸平行或垂直。
      可選的,在上述的光纖f茲光4笨測裝置中,第一波片的雙折射位 相差在參考溫度下是U+7/"乂, A為厚度系數(shù),其數(shù)值是第一波片 的厚度所容納的偏振光的整波數(shù)量;A是偏振光的波長;其中,第 一波片的厚度隨溫度影響而變化,乂人而導(dǎo)致A變4匕,進而^f吏雙4斤射 位相差變化,以產(chǎn)生溫度補償效果。
      可選的,在上述的光纖磁光探測裝置中,根據(jù)磁光晶體的溫度 系數(shù)和第一波片的溫度系數(shù),來選取笫一波片的厚度。
      可選的,在上述的光纖磁光探測裝置中,當溫度變化時,磁光 晶體的法拉第轉(zhuǎn)角變化zl^;第一波片的雙折射4立相差的S走轉(zhuǎn)角變化 第一波片的厚度被選取為使得/1"=^^。
      上述實施例的光纖,茲光^:測裝置增加了補償單元,能將由于溫 度變化而造成的測量誤差進行補償,從而解決了現(xiàn)有技術(shù)的溫度誤 差問題。


      此處所i兌明的附圖用來4是供對本發(fā)明的進一步理解,構(gòu)成本申 請的一部分,本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明,并 不構(gòu)成只十本發(fā)明的不當限定。在附圖中
      8圖1示出了單晶石榴石》茲光晶體的^茲疇結(jié)構(gòu)孩"見圖2示出了單晶石榴石;茲光晶體的》茲疇結(jié)構(gòu)示意圖3示出了根據(jù)相關(guān)技術(shù)的光纖磁光探測裝置的結(jié)構(gòu)示意圖4示出了才艮據(jù)本發(fā)明一個實施例的光纖》茲光^罙測裝置的結(jié)構(gòu) 示意圖5示出了根據(jù)本發(fā)明另 一實施例的光纖磁光探測裝置的結(jié)構(gòu) 示意圖。
      具體實施例方式
      下面將參考附圖并結(jié)合實施例,來詳細說明本發(fā)明。
      圖4示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的光纖磁光探測裝置的結(jié)構(gòu) 示意圖,包括
      導(dǎo)光輸入部分IO,用于導(dǎo)入偏4展光;
      法拉第》茲光^走轉(zhuǎn)器2,其是磁光晶體,用于隨著石茲場變化而影 響偏4展光的光強;
      導(dǎo)光輸出部分30,用于導(dǎo)出偏振光;
      補償單元(la和lb),用于對導(dǎo)入的偏振光進行旋轉(zhuǎn),以避免 近零失敏,并補償磁光晶體的溫度誤差,其設(shè)置在導(dǎo)光輸入部分與 法拉第磁光旋轉(zhuǎn)器之間,或者設(shè)置在法拉第磁光旋轉(zhuǎn)器與導(dǎo)光輸出 部分之間。
      9該光纖磁光探測裝置增加了補償單元,能將由于溫度變化而造 成的測量誤差進行補償,從而解決了現(xiàn)有技術(shù)的溫度誤差問題。
      圖5示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施例的光纖磁光探測裝置的結(jié)構(gòu) 示意圖。
      如圖4和圖5所示,導(dǎo)光llT入部分包4舌 輸入光纖6,用于輸入光束; 輸入光準直器5a,用于將輸入光束準直;
      第一偏振分光器3a、 3d,用于將光束分成兩束平行光,其偏振 態(tài)相互正交。
      如圖4和圖5所示,導(dǎo)光輸出部分包括
      第二偏振分光器3b、 3e,用于將兩束平行光合并;
      輸出光準直器5b,用于將合并的光束準直;
      輸出光纖7,用于輸出準直光束。
      可選的,在上述的光纖磁光探測裝置中,磁光晶體是石榴石磁 光晶體,石榴石磁光晶體是目前應(yīng)用比較廣泛的 一種磁光晶體。
      法4立第f茲光S走轉(zhuǎn)器是石榴石石茲光晶體。其具有條形狀復(fù)合》茲疇 結(jié)構(gòu),相鄰的/f茲疇石茲化方向相反與晶體表面垂直當在外f茲場作用 下,相鄰f茲疇區(qū)域隨著外^茲場的強度和方向變化一種相對地變大而 另一種相對地變小,當外^茲場超過該材料的確飽和/茲場時,復(fù)合f茲 疇轉(zhuǎn)變?yōu)閱我环较?;?化的單一均勻f茲疇。而當外》茲場強度減小時,
      10復(fù)合;茲疇又重新形成。當外;茲場^敎消時,兩種》茲疇區(qū)i或相對均衡。 所述的》茲化反向的條形^茲疇具有旋轉(zhuǎn)方向相反而等值的法拉第旋 轉(zhuǎn)角^,所述的法拉第旋轉(zhuǎn)角^在工作溫度范圍內(nèi)接近參考溫度下的
      轉(zhuǎn)角A,但隨溫度變化而有小量的變化,參考溫度r。下的轉(zhuǎn)角^設(shè)
      定為45°。
      如圖4和圖5所示,補償單元是波片系統(tǒng)。該波片系統(tǒng)不^f旦以 克服現(xiàn)有技術(shù)中近零失敏的缺點,還可以自動補償溫度漂移造成的 誤差。
      上述實施例所采用的光纖,茲光^:頭裝置包括采用光纖導(dǎo)向的 光和法拉第f茲光》走轉(zhuǎn)器,采用光偏振處理,對所述的光正交偏振分 量進行分波、磁光感應(yīng)、合波處理,法拉第磁光旋轉(zhuǎn)器是石榴石磁
      光晶體;法拉第》茲光旋轉(zhuǎn)器前或后設(shè)置波片系統(tǒng),波片系統(tǒng)用于對 引入法4立第》茲光i走轉(zhuǎn)器兩束輸入光的偏振面進行旋轉(zhuǎn)以避免近零 失敏,而且,該波片系統(tǒng)具有溫度補償功能,能將由于溫度變化而 造成的測量誤差進行補償;偏振檢測對兩正交偏振分量同時、等量 進行。
      波片系統(tǒng)包括第一波片la,其是厚的多周期1/4波片;第二 波片lb,普通零級的1/4波片。第一波片和第二波片的位置可以互 換,組成的波片系統(tǒng)和》茲光晶體的位置也可以互換,還可以將f茲光 晶體設(shè)置在第一波片和第二波片之間。
      另外,第一波片la和第二波片lb—起構(gòu)成了一個l/2波片, 可以克服現(xiàn)有技術(shù)中近零失敏的缺點。而其中的第一波片還可以起 到溫度補償?shù)淖饔?,下面進行詳細地i兌明。
      可選的,第 一波片的光軸與的第 一偏光分光器的晶體光軸成 45°角;第二波片的光軸與第一偏光分光器的晶體光軸平行或垂直??蛇x的,第一波片的雙折射位相差在參考溫度下是(A+〃^M, A為厚度系數(shù),其數(shù)值是第一波片的厚度所容納的偏振光的整波數(shù) 量;A是偏振光的波長;其中,第一波片的厚度隨溫度影響而變化, 從而導(dǎo)致A變化,進而使雙折射位相差變化,以產(chǎn)生溫度補償效果。
      可選的,才艮據(jù)磁光晶體的溫度系數(shù)和第一波片的溫度系數(shù),來 選取第一波片的厚度。
      可選的,當溫度變化時,磁光晶體的法拉第轉(zhuǎn)角變化zlA第一 波片的雙折射位相差的旋轉(zhuǎn)角變化-zla;第一波片的厚度被選取為
      具體來說,其中的波片系統(tǒng)由兩片波片第一波片和第二波片構(gòu) 成。第一波片是厚的多周期1/4波片,其雙折射位相差在參考溫度 下是所用波長1/4波的整數(shù)倍,即U+〃<M, A為整數(shù)。其整體的 雙折射位相差受溫度影響,而且隨厚度增加即A的增加而影響變大。 整數(shù)A可根據(jù)溫度補償?shù)男枰獊磉x取。所述第二波片是普通零級的 1/4波片,其雙折射位相差隨溫度變化可以忽略。所述第一波片的 光軸與的第一偏光分光器的晶體光軸成45°角;所述第二波片的光 軸與第一偏光分光器的晶體光軸平行或垂直。這樣的安排使從第一
      正面旋轉(zhuǎn)一角度a。所述的角度a完全由第一波片的位相差決定,在 參考溫度下為"。=45。。
      波片系統(tǒng)的溫度補償功能是通過如下的途徑實現(xiàn)的。例如,當 溫度升高時,法拉第轉(zhuǎn)角將從^變小為A+zlA同時,所述波片系 統(tǒng)的對偏振面的凝:轉(zhuǎn)角將/人"e變大為ac-zla;才艮據(jù)石榴石f茲光晶體 的溫度系數(shù)和所用波片材料的溫度系數(shù)選取適當?shù)牡?一 波片厚度 即A整數(shù),可使兩者對光強變化的影響相互抵消而達到溫度補償效 果。
      12以上所述 <又為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已,并不用于限制本發(fā) 明,對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說,本發(fā)明可以有各種更改和變化。 凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進 等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
      權(quán)利要求
      1. 一種光纖磁光探測裝置,其特征在于,包括導(dǎo)光輸入部分,用于導(dǎo)入偏振光;法拉第磁光旋轉(zhuǎn)器,其是磁光晶體(2),用于隨著磁場變化而影響所述偏振光的光強;導(dǎo)光輸出部分,用于導(dǎo)出所述偏振光;還包括補償單元(1a、1b),用于對導(dǎo)入的偏振光進行旋轉(zhuǎn),以避免近零失敏,并補償所述磁光晶體的溫度誤差,其設(shè)置在所述導(dǎo)光輸入部分與所述法拉第磁光旋轉(zhuǎn)器之間,或者設(shè)置在所述法拉第磁光旋轉(zhuǎn)器與所述導(dǎo)光輸出部分之間。
      2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖磁光探測裝置,其特征在于,所述 導(dǎo)光輸入部分包括輸入光纖(6),用于輸入光束;輸入光準直器(5a),用于將輸入光束準直;第一偏振分光器(3a、 3d),用于將所述光束分成兩束平 4亍光,其偏纟展態(tài)相互正交。
      3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖^茲光探測裝置,其特征在于,所述 導(dǎo)光輸出部分包括第二偏振分光器(3b、 3e),用于將所述兩束平行光合并;輸出光準直器(5b),用于將所述合并的光束準直;輸出光纖(7),用于輸出所述準直光束。
      4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖磁光探測裝置,其特征在于,所述 磁光晶體是石榴石》茲光晶體。
      5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項所述的光纖磁光探測裝置,其特征 在于,所述補償單元是波片系統(tǒng)。
      6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的光纖磁光探測裝置,其特征在于,所述 波片系統(tǒng)包4舌第一波片(la),其是厚的多周期1/4波片;第二波片(lb),普通零級的l/4波片。
      7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的光纖磁光探測裝置,其特征在于,所述第 一波片的光軸與的第 一偏光分光器的晶體光軸成 45。角;所述第二波片的光軸與所述第一偏光分光器的晶體光 軸平4于或垂直。
      8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的光纖磁光探測裝置,其特征在于,所述第一波片的雙折射位相差在參考溫度下是(A:+7/";i,A為厚度系數(shù),其數(shù)值是所述第一波片的厚度所容納的偏 振光的整波數(shù)量;A是偏振光的波長;其中,所述第一波片的 厚度隨溫度影響而變化,從而導(dǎo)致A變化,進而使雙折射位相 差變化,以產(chǎn)生溫度補償效果。
      9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的光纖磁光探測裝置,其特征在于,根據(jù)所述i茲光晶體的溫度系數(shù)和所述第 一 波片的溫度系 數(shù),來選取所述第一波片的厚度。
      10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的光纖磁光探測裝置,其特征在于,當溫度變化時,所述磁光晶體的法拉第轉(zhuǎn)角變化Z1A所述第一波片的雙折射位相差的旋轉(zhuǎn)角變化-zlcr,所述第 一波片的厚度#皮選取為4吏得」"=」0。
      全文摘要
      本發(fā)明提供了一種光纖磁光探測裝置,包括導(dǎo)光輸入部分,用于導(dǎo)入偏振光;法拉第磁光旋轉(zhuǎn)器,其是磁光晶體,用于隨著磁場變化而影響偏振光的光強;導(dǎo)光輸出部分,用于導(dǎo)出偏振光;還包括補償單元,用于對導(dǎo)入的偏振光進行旋轉(zhuǎn),以避免近零失敏,并補償磁光晶體的溫度誤差,其設(shè)置在導(dǎo)光輸入部分與法拉第磁光旋轉(zhuǎn)器之間,或者設(shè)置在法拉第磁光旋轉(zhuǎn)器與導(dǎo)光輸出部分之間。本發(fā)明的光纖磁光探測裝置增加了補償單元,能將由于溫度變化而造成的測量誤差進行補償,從而解決了現(xiàn)有技術(shù)的溫度誤差問題。
      文檔編號G01R33/032GK101458312SQ20091005680
      公開日2009年6月17日 申請日期2009年1月4日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月4日
      發(fā)明者袁海駿 申請人:上海舜宇海逸光電技術(shù)有限公司
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