專利名稱：液晶顯示裝置和光傳感器的電壓檢測方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)，尤其涉及一種液晶顯示裝置和光傳感器的電壓檢測方 法。
背景技術(shù)：
目前，在液晶顯示裝置中設(shè)置有環(huán)境傳感器，該環(huán)境傳感器可以用來檢測液晶顯 示裝置周圍的光線強(qiáng)度，根據(jù)檢測到的光線強(qiáng)度來自動(dòng)調(diào)整背光源的光強(qiáng)，如在室外等較 亮的環(huán)境下提高背光源的光強(qiáng)，而在夜間或室內(nèi)等較暗的環(huán)境下降低背光源的光強(qiáng)，從而 可以提高畫面的目視清晰度，同時(shí)降低使用功耗，這對于在室外使用頻率較高的便攜式終 端裝置來說尤其重要。
光電二極管、光電晶體管等光傳感器均屬于環(huán)境傳感器，光傳感器可以作為分立 元件安裝在液晶顯示面板上，也可以通過有源元件的形成工藝來形成光傳感器；光傳感器 可以形成在液晶顯示面板的像素區(qū)域，也可以形成在液晶顯示面板的周邊；光傳感器可 以采用非晶硅或多晶硅作為半導(dǎo)體層材料。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中液晶顯示面板的內(nèi)部結(jié)構(gòu) 圖，如圖1所示，“I”部分和“II”部分為利用多晶硅材料形成的薄膜晶體管(Thin Film Transistor ；以下簡稱TFT)有源元件，“III”部分為利用形成TFT的工藝而形成的光傳感 器。多晶硅材料相對于非晶硅材料來說具有較高的載流子遷移率，但其易受到來自背光源 的雜散光的干擾，使得光傳感器檢測外來光線的精確度降低，而且制備多晶硅的工藝相對 復(fù)雜，成本也較高，因此，采用非晶硅制備TFT仍是目前的主流技術(shù)。然而，由于非晶硅材料 的載流子遷移率較低，對外來光檢測的靈敏度較低，因此現(xiàn)有技術(shù)中通常通過增大接受外 來光的探測面積來提高靈敏度；但這樣會(huì)使得非晶硅半導(dǎo)體層的漂移電流增大，而漂移電 流會(huì)隨著周圍環(huán)境的溫度、濕度等條件發(fā)生變化，而且漂移電流信號對于光傳感器來說是 干擾信號，因此，漂移電流的增大會(huì)導(dǎo)致光傳感器的檢測靈敏度降低。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種液晶顯示裝置和光傳感器的電壓檢測方法，使得液晶 顯示裝置檢測到的外來光的信號更加準(zhǔn)確，可以提高檢測外來光的靈敏度。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種液晶顯示裝置，包括對盒設(shè)置的有源矩陣 基板和彩膜基板，以及夾在所述有源矩陣基板和所述彩膜基板之間的液晶層，還包括設(shè)置 在所述有源矩陣基板上的非像素區(qū)域的第一光傳感器和第二光傳感器，所述第一光傳感器 上方設(shè)置有非擋光層，所述第二光傳感器上方設(shè)置有擋光層。
進(jìn)一步地，所述擋光層和所述非擋光層由所述液晶顯示裝置的外殼構(gòu)成，通過在 所述外殼上與所述第一光傳感器對應(yīng)的位置處設(shè)置開孔，形成所述第一光傳感器上方的所 述非擋光層和所述第二光傳感器上方的所述擋光層。
或者，所述擋光層和所述非擋光層由所述彩膜基板構(gòu)成，通過在所述彩膜基板上 與所述第一傳感器對應(yīng)的位置處去除黑矩陣，形成所述第一光傳感器上方的所述非擋光層，通過在所述彩膜基板上與所述第二光傳感器對應(yīng)的位置處設(shè)置黑矩陣，形成所述第二 光傳感器上方的所述擋光層。
進(jìn)一步地，所述第一光傳感器和所述第二光傳感器采用非晶硅材料制成。
進(jìn)一步地，所述第一光傳感器和所述第二光傳感器采用有源元件的制作工藝進(jìn)行 制作。
更進(jìn)一步地，本發(fā)明提供的液晶顯示裝置還包括與所述第一光傳感器和所述第 二光傳感器連接的檢測電路，所述檢測電路用于獲取所述第一光傳感器生成的實(shí)際電壓值 和所述第二光傳感器生成的漂移電壓值，并根據(jù)所述實(shí)際電壓值和所述漂移電壓值生成理 想電壓值。
本發(fā)明還提供了一種光傳感器的電壓檢測方法，包括
通過第一取樣開關(guān)從第一光傳感器獲取所述第一光傳感器的第一信號電壓，通過 第二取樣開關(guān)從第二光傳感器獲取所述第二光傳感器的第二信號電壓，并將所述第一信號 電壓和所述第二信號電壓分別存儲(chǔ)到第一取樣電容和第二取樣電容中；
將所述第一信號電壓傳送到比較器的正輸入端，通過參考電容將所述第二信號電 壓傳送到所述比較器的負(fù)輸入端，通過所述比較器的比較輸出理想電壓值。
進(jìn)一步地，在所述通過所述比較器的比較輸出理想電壓值之后，還包括
將所述第一取樣電容和所述第二取樣電容短路，以使所述第一取樣電容和所述第 二取樣電容進(jìn)行放電。
本發(fā)明提供的一種液晶顯示裝置和光傳感器的電壓檢測方法，通過設(shè)置第一光傳 感器和第二光傳感器，其中第一光傳感器可以接收外來光的入射，而第二光傳感器則不會(huì) 接收到外來光的入射，所以第二光傳感器只輸出漂移電流信號。由于第一光傳感器與第二 光傳感器具有相同的結(jié)構(gòu)，所以具有同樣的漂移電流信號，通過第二光傳感器得到漂移電 流信號，就可以去除第一光傳感器輸出信號中包含的漂移電流信號，使得液晶顯示裝置檢 測到的外來光的信號更加準(zhǔn)確，可以提高檢測外來光的靈敏度。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中液晶顯示面板的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖2為本發(fā)明液晶顯示裝置一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖3為本發(fā)明液晶顯示裝置另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖4為本發(fā)明液晶顯示裝置實(shí)施例中有源矩陣基板的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖5為本發(fā)明液晶顯示裝置實(shí)施例中檢測電路的連接示意圖6為本發(fā)明液晶顯示裝置實(shí)施例中光傳感器的平面結(jié)構(gòu)示意圖7為圖6中A-A，處的截面示意圖8為本發(fā)明光傳感器的電壓檢測方法實(shí)施例的流程圖。
具體實(shí)施方式
下面通過附圖和實(shí)施例，對本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
目前生產(chǎn)的液晶顯示裝置具備自動(dòng)調(diào)整背光源強(qiáng)度的功能，該功能主要通過液晶 顯示裝置中設(shè)置的光傳感器對外來光進(jìn)行檢測來實(shí)現(xiàn)，而現(xiàn)有技術(shù)中液晶顯示裝置中的光4傳感器一般采用多晶硅作為半導(dǎo)體層材料，多晶硅材料相對于非晶硅材料來說具有較高的 載流子遷移率，但其易受到來自背光源的雜散光的干擾，使得光傳感器檢測外來光線的精 確度降低，而且制備多晶硅的工藝相對復(fù)雜，成本也較高，因此，采用非晶硅制備TFT仍是 目前的主流技術(shù)。然而，由于非晶硅材料的載流子遷移率較低，對外來光檢測的靈敏度較 低，因此現(xiàn)有技術(shù)中通常通過增大接受外來光的探測面積來提高靈敏度；但這樣會(huì)使得非 晶硅半導(dǎo)體層的漂移電流增大，而漂移電流會(huì)隨著周圍環(huán)境的溫度、濕度等條件發(fā)生變化， 而且漂移電流信號對于光傳感器來說是干擾信號，因此，漂移電流的增大會(huì)導(dǎo)致光傳感器 的檢測靈敏度降低。針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種液晶顯示裝置，在 其中設(shè)置第一光傳感器和第二光傳感器，其中第一光傳感器可以接收外來光的入射，而第 二光傳感器則不會(huì)接收到外來光的入射，使得第二光傳感器只輸出漂移電流信號。
圖2為本發(fā)明液晶顯示裝置一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示，本實(shí)施例提供了 一種液晶顯示裝置，該液晶顯示裝置可以包括對盒設(shè)置的有源矩陣基板1和彩膜基板2，在 有源矩陣基板1和彩膜基板2之間設(shè)置有液晶層3，以及背光源8，背光源8從有源矩陣基板 1一側(cè)對液晶顯示裝置進(jìn)行照明。另外，本實(shí)施例提供的液晶顯示裝置還包括第一光傳感器 4和第二光傳感器5，第一光傳感器4和第二光傳感器5設(shè)置在有源矩陣基板1上的非像素 區(qū)域，即位于有源矩陣基板1在液晶層3 —側(cè)的基板的顯示區(qū)域的周邊區(qū)域。其中，第一光 傳感器4上方設(shè)置有非擋光層，第二光傳感器5上方設(shè)置有擋光層，使得外來光可以入射到 第一光傳感器4上，而不會(huì)入射到第二光傳感器5上。本實(shí)施例中的擋光層和非擋光層可以 由液晶顯示裝置的外殼6構(gòu)成，具體可以通過在外殼6上設(shè)置開孔7，該開孔7位于外殼6 上與第一光傳感器4所對應(yīng)的位置處，即可以位于第一光傳感器4的正上方，而第二傳感器 5的正上方對應(yīng)的外殼6則不設(shè)置開孔，進(jìn)而形成了本實(shí)施例中的第一光傳感器4上方的非 擋光層和第二光傳感器5上方的擋光層，使得第一光傳感器4可以接收到外來光的入射，而 第二光傳感器5不會(huì)接收到外來光的入射。因此，在本實(shí)施例提供的液晶顯示裝置中，由于 外來光可以入射到第一光傳感器4，而第二光傳感器5上則沒有入射的外來光，則第二光傳 感器5只輸出漂移電流信號，本實(shí)施例通過第二光傳感器5對漂移電流信號進(jìn)行檢測，可以 從第一光傳感器4輸出的信號中去除其中包含的漂移電流信號，使得液晶顯示裝置檢測到 的外來光的信號更加準(zhǔn)確，可以提高檢測外來光的靈敏度。
圖3為本發(fā)明液晶顯示裝置另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖3所示，本實(shí)施例提供 的液晶顯示裝置中第一光傳感器4的非擋光層和第二光傳感器5的擋光層由彩膜基板2來 形成，可以通過在彩膜基板2上設(shè)置開孔9，該開孔9位于彩膜基板2上與第一光傳感器4所 對應(yīng)的位置處，即可以位于第一光傳感器4的正上方，而第二傳感器5的正上方對應(yīng)的彩膜 基板2則不設(shè)置開孔，進(jìn)而形成了本實(shí)施例中的第一光傳感器4上方的非擋光層和第二光 傳感器5上方的擋光層，使得第一光傳感器4可以接收到外來光的入射，而第二光傳感器5 不會(huì)接收到外來光的入射。具體地，可以通過去除掉在彩膜基板2上與第一光傳感器4對應(yīng) 的位置處的黑矩陣，形成第一光傳感器4上方的非擋光層，而通過保留在彩膜基板2上與第 二光傳感器5對應(yīng)的位置處的黑矩陣，形成第二光傳感器5上方的擋光層。因此，在本實(shí)施 例提供的液晶顯示裝置中，由于外來光可以入射到第一光傳感器4，而第二光傳感器5上則 沒有入射的外來光，則第二光傳感器5只輸出漂移電流信號，本實(shí)施例通過第二光傳感器5 對漂移電流信號進(jìn)行檢測，可以從第一光傳感器4輸出的信號中去除其中包含的漂移電流信號，使得液晶顯示裝置檢測到的外來光的信號更加準(zhǔn)確，可以提高檢測外來光的靈敏度。
進(jìn)一步地，本實(shí)施例提供的液晶顯示裝置中的第一光傳感器4和第二光傳感器5 采用非晶硅材料制成，由于非晶硅的工藝條件成熟、制備成本低廉，可以提高液晶顯示裝置 的生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。同時(shí)，通過設(shè)置第一光傳感器4和具有擋光層的第二光傳感器 5，可以去除第一光傳感器獲得的光信號中的漂移電流信號，使得液晶顯示裝置檢測到的外 來光的信號更加準(zhǔn)確，可以提高檢測外來光的靈敏度。
圖4為本發(fā)明液晶顯示裝置實(shí)施例中有源矩陣基板的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖，如圖4所示，有 源矩陣基板1的顯示區(qū)域中設(shè)置有垂直方向的數(shù)據(jù)線11和水平方向的掃描線12，數(shù)據(jù)線 11和掃描線12互相垂直交叉排列，在數(shù)據(jù)線11和掃描線12的交叉處設(shè)置有有源元件TFT 13，在有源矩陣基板1的顯示區(qū)域的外圍區(qū)域設(shè)置有數(shù)據(jù)線的外圍電路14和掃描線的外圍 電路15。本實(shí)施例中的第一光傳感器4和第二光傳感器5可以形成于有源矩陣基板1的顯 示區(qū)域的外圍區(qū)域，在外圍區(qū)域中不包含外圍電路之處設(shè)置第一光傳感器4和第二光傳感 器5。其中，有源矩陣基板1的外圍電路14、15通過FPC連接到外部電路板16上，在外部電 路板16上設(shè)置有為數(shù)據(jù)線11和掃描線12提供驅(qū)動(dòng)控制信號的驅(qū)動(dòng)電路161，以及檢測電 路 162。
其中，檢測電路162用于獲取第一光傳感器4生成的實(shí)際電壓值和第二光傳感器 5生成的漂移電壓值，并根據(jù)實(shí)際電壓值和漂移電壓值生成理想電壓值。在本實(shí)施例中，實(shí) 際電壓值可以從第一光傳感器4獲取到的外來光信號的電壓值和半導(dǎo)體層本身產(chǎn)生的漂 移電流信號的電壓值，漂移電壓值為從第二光傳感器5獲取到的漂移電流信號的電壓值， 理想電壓值即為不包含漂移電流信號的外來光信號的電壓值。檢測電路162與第一光傳感 器4和第二光傳感器5連接在一起，如圖5所示為本發(fā)明液晶顯示裝置實(shí)施例中檢測電路 的連接示意圖。檢測電路包括第一取樣開關(guān)1621和第二取樣開關(guān)1622，第一取樣電容1623 和第二取樣電容1624，第一接地開關(guān)1625和第二接地開關(guān)1626，以及參考開關(guān)1627、參考 電容16 和比較器16四。其中，第一取樣開關(guān)1621與第一光傳感器4相連，第二取樣開 關(guān)1622與第二光傳感器5相連，第一接地開關(guān)1625與第一取樣電容1623并聯(lián)，第二接地 開關(guān)16 與第二取樣電容16M并聯(lián)，比較器16 的“ + ”輸入端與第一取樣電容1623連 接，比較器16 的“_”輸入端與參考電容16 連接。該檢測電路的工作過程可以包括取樣 階段、比較階段和放電階段，當(dāng)?shù)谝还鈧鞲衅?和第二光傳感器5各自獲取到信號之后，假 設(shè)第一光傳感器4獲取到的信號電壓為V ，第二光傳感器5獲取到的信號電壓為V (5)， 其中，AK4)即為外來光信號的電壓值與漂移電流信號的電壓值之和，V(5)即為漂移電流信 號的電壓值。在取樣階段中，第一取樣開關(guān)1621和第二取樣開關(guān)1622閉合，第一接地開 關(guān)1625和第二接地開關(guān)16 打開，此時(shí)將從第一光傳感器4和第二光傳感器5獲取到的 信號電壓分別存儲(chǔ)到第一取樣電容1623和第二取樣電容16M中。在比較階段中，第一取 樣開關(guān)1621和第二取樣開關(guān)1622打開，第一接地開關(guān)1625和第二接地開關(guān)16 打開， 將第一取樣電容1623存儲(chǔ)的信號電壓傳送到比較器16 的“ + ”輸入端，而第二取樣電容 16M連接至參考電容16 的左端，參考電容16 的右端連接參考開關(guān)1627，其中，參考電 容16 右端的電壓值為V (Ref)，由于電容兩端電壓連續(xù)，所以參考電容16 右端的電壓變 為V (5)+V (Ref)，并將該電壓信號值輸入至比較器16 的“_”輸入端，通過比較器16 比 較后輸出的電壓值即為V(4)-V(Ref)-V(5)，即為理想電壓值。在放電階段中，第一取樣開關(guān)1621和第二取樣開關(guān)1622打開，第一接地開關(guān)1625和第二接地開關(guān)16 閉合，參考開 關(guān)1627打開，此時(shí)第一取樣電容1623和第二取樣電容16M的兩端短路，則電容完成放電 過程，恢復(fù)到初始狀態(tài)。
圖6為本發(fā)明液晶顯示裝置實(shí)施例中光傳感器的平面結(jié)構(gòu)示意圖，如圖6所示，第 一光傳感器和第二光傳感器的平面構(gòu)成可以采用圖6中所示的方式。圖7為圖6中A-A’處 的截面示意圖，第一光傳感器和第二光傳感器采用形成有源元件TFT的工藝形成，并且同 有源元件TFT—起形成。具體可以采用如下步驟形成在基板181上沉積柵金屬薄膜，通過 構(gòu)圖工藝形成包括像素區(qū)域的柵線和柵電極(圖7中未示出)以及檢測區(qū)域的柵極62的 圖形。在完成上述步驟的基板上連續(xù)沉積柵絕緣薄膜、半導(dǎo)體薄膜和源漏金屬薄膜，通過構(gòu) 圖工藝形成包括柵絕緣層63、半導(dǎo)體層64和源漏電極層65 (包括圖6所示的源電極6 和 漏電極65b)的圖形。在源漏電極層65之上利用的化學(xué)氣相沉積的方法形成鈍化層薄膜， 然后利用構(gòu)圖工藝形成鈍化層66的圖形。在鈍化層66之上沉積透明導(dǎo)電電極薄膜，通過 構(gòu)圖工藝形成透明導(dǎo)電電極67的圖形。上述圖形都可以在制作像素區(qū)域各膜層時(shí)一并制 作，在此不再贅述。
圖8為本發(fā)明光傳感器的電壓檢測方法實(shí)施例的流程圖，如圖8所示，本實(shí)施例提 供了一種光傳感器的電壓檢測方法，可以利用上述圖5所述的檢測電路來具體實(shí)現(xiàn)本實(shí)施 例的光傳感器的電壓檢測方法，具體可以包括如下步驟
步驟801，通過第一取樣開關(guān)從第一光傳感器獲取第一光傳感器的第一信號電壓， 通過第二取樣開關(guān)從第二光傳感器獲取第二光傳感器的第二信號電壓，并將第一信號電壓 和第二信號電壓分別存儲(chǔ)到第一取樣電容和第二取樣電容中。本步驟為檢測方法的取樣階 段，當(dāng)?shù)谝还鈧鞲衅?和第二光傳感器5各自獲取到信號之后，將圖5中的第一取樣開關(guān) 1621和第二取樣開關(guān)1622閉合，第一接地開關(guān)1625和第二接地開關(guān)16 打開，此時(shí)將從 第一光傳感器4和第二光傳感器5獲取到的信號電壓分別存儲(chǔ)到第一取樣電容1623和第 二取樣電容16M中。需要指出的是，本實(shí)施例中的第一信號電壓可以具體為第一光傳感器 生成的實(shí)際電壓值，第二信號電壓可以具體為第二光傳感器生成的漂移電壓值。
步驟802，將第一信號電壓傳送到比較器的正輸入端，通過參考電容將第二信號電 壓傳送到比較器的負(fù)輸入端，通過比較器的比較輸出理想電壓值。本步驟為檢測方法中的 比較階段，通過將圖5中的第一取樣開關(guān)1621和第二取樣開關(guān)1622打開，第一接地開關(guān) 1625和第二接地開關(guān)16 打開，將第一取樣電容1623存儲(chǔ)的信號電壓傳送到比較器16 的“ + ”輸入端，而第二取樣電容16 連接至參考電容16 的左端，參考電容16 的右端 連接參考開關(guān)1627，其中，參考電容16 右端的電壓值為V(Ref)，由于電容兩端電壓連續(xù)， 所以參考電容16 右端的電壓變?yōu)閂 (5) +V (Ref)，并將該信號電壓值輸入至比較器16 的 “_”輸入端，通過比較器16 比較后輸出的電壓值即為V(4)-V(Ref)-V(5)，即為理想電壓 值。其中，第一光傳感器4獲取到的信號電壓為V ，第二光傳感器5獲取到的信號電壓 為V(5)，其中，V (4)即為外來光信號的電壓值與漂移電流信號的電壓值之和，V (5)即為漂 移電流信號的電壓值。本實(shí)施例通過對第二光傳感器產(chǎn)生的漂移電流信號進(jìn)行檢測，可以 從第一光傳感器輸出的信號中去除其中包含的漂移電流信號，使得液晶顯示裝置檢測到的 外來光的信號更加準(zhǔn)確，可以提高檢測外來光的靈敏度。
進(jìn)一步地，本實(shí)施例提供的光傳感器的電壓檢測方法在上述步驟802之后還可以包括如下步驟將第一取樣電容和第二取樣電容短路，以使第一取樣電容和第二取樣電容 進(jìn)行放電，并恢復(fù)到初始狀態(tài)，以備下一次的電壓檢測。
最后應(yīng)說明的是以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡 管參照前述實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依然 可以對前述實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換； 而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，包括對盒設(shè)置的有源矩陣基板和彩膜基板，以及夾在所述有源 矩陣基板和所述彩膜基板之間的液晶層，其特征在于，還包括設(shè)置在所述有源矩陣基板上 的非像素區(qū)域的第一光傳感器和第二光傳感器，所述第一光傳感器上方設(shè)置有非擋光層， 所述第二光傳感器上方設(shè)置有擋光層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述擋光層和所述非擋光層由 所述液晶顯示裝置的外殼構(gòu)成，通過在所述外殼上與所述第一光傳感器對應(yīng)的位置處設(shè)置 開孔，形成所述第一光傳感器上方的所述非擋光層和所述第二光傳感器上方的所述擋光 層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述擋光層和所述非擋光層由 所述彩膜基板構(gòu)成，通過在所述彩膜基板上與所述第一傳感器對應(yīng)的位置處去除黑矩陣， 形成所述第一光傳感器上方的所述非擋光層，通過在所述彩膜基板上與所述第二光傳感器 對應(yīng)的位置處設(shè)置黑矩陣，形成所述第二光傳感器上方的所述擋光層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述第一光傳感器和所述第 二光傳感器采用非晶硅材料制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述第一光傳感器和所述第 二光傳感器采用有源元件的制作工藝進(jìn)行制作。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，還包括與所述第一光傳感器和 所述第二光傳感器連接的檢測電路，所述檢測電路用于獲取所述第一光傳感器生成的實(shí)際 電壓值和所述第二光傳感器生成的漂移電壓值，并根據(jù)所述實(shí)際電壓值和所述漂移電壓值 生成理想電壓值。
7.一種光傳感器的電壓檢測方法，其特征在于，包括通過第一取樣開關(guān)從第一光傳感器獲取所述第一光傳感器的第一信號電壓，通過第二 取樣開關(guān)從第二光傳感器獲取所述第二光傳感器的第二信號電壓，并將所述第一信號電壓 和所述第二信號電壓分別存儲(chǔ)到第一取樣電容和第二取樣電容中；將所述第一信號電壓傳送到比較器的正輸入端，通過參考電容將所述第二信號電壓傳 送到所述比較器的負(fù)輸入端，通過所述比較器的比較輸出理想電壓值。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，在所述通過所述比較器的比較輸出理想 電壓值之后，還包括將所述第一取樣電容和所述第二取樣電容短路，以使所述第一取樣電容和所述第二取 樣電容進(jìn)行放電。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種液晶顯示裝置和光傳感器的電壓檢測方法，包括對盒設(shè)置的有源矩陣基板和彩膜基板，以及夾在所述有源矩陣基板和所述彩膜基板之間的液晶層，還包括設(shè)置在所述有源矩陣基板上的非像素區(qū)域的第一光傳感器和第二光傳感器，所述第一光傳感器上方設(shè)置有非擋光層，所述第二光傳感器上方設(shè)置有擋光層。本發(fā)明還提供了一種光傳感器的電壓檢測方法。本發(fā)明使得液晶顯示裝置檢測到的外來光的信號更加準(zhǔn)確，可以提高檢測外來光的靈敏度。
文檔編號G01J1/46GK102033344SQ20091009348
公開日2011年4月27日 申請日期2009年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月24日
發(fā)明者惠官寶 申請人:北京京東方光電科技有限公司