專利名稱：小能量試驗(yàn)數(shù)據(jù)推算碳化硅滅磁電阻滿足溫度要求的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種由小能量試驗(yàn)數(shù)據(jù)推算碳化硅滅磁電阻滿足溫度要求的方 法。適用于發(fā)電廠中配置有碳化硅滅磁電阻的大型發(fā)電機(jī)。
背景技術(shù)：
國(guó)內(nèi)大部分碳化硅滅磁電阻由ABB公司配套、由英國(guó)M&I公司制造。對(duì)600MW 汽輪發(fā)電機(jī)有配置4組的，也有配置5組的型號(hào)為600A/US16/P Spec.6298的
碳化硅滅磁電阻。因此有必要弄清楚配置的安全合理性。M&I公司提出該型碳 化硅滅磁電阻的可重復(fù)使用的容量是680kJ、 一次或極少次滅磁的容量為1MJ 和最高溫度160°C。碳化硅滅磁電阻的容量是否滿足要求只要知道該發(fā)電機(jī)最 大滅磁能量即可判斷，但是溫度判斷存在問題。制造廠出廠沒有進(jìn)行大能量溫 升試驗(yàn)，沒有溫升數(shù)據(jù)無法判斷最高溫度是否滿足要求。實(shí)際使用中發(fā)生若干 碳化硅滅磁電阻燒毀的情況，M&I公司也沒有提供現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)方法，發(fā)電廠沒有 手段判斷已經(jīng)配置的滅磁電阻是否能夠滿足要求，給國(guó)內(nèi)超過一半的使用碳化 硅滅磁電阻的大型發(fā)電機(jī)帶來安全隱患。如果滅磁電阻損壞，采購(gòu)一套需要30 萬元人民幣，訂貨周期按一個(gè)月計(jì)算， 一臺(tái)600MW發(fā)電機(jī)至少少發(fā)電量3億 多kWh (每天0.1億多kWh)。
由于發(fā)電機(jī)最嚴(yán)重的滅磁發(fā)生在發(fā)電機(jī)空載誤強(qiáng)勵(lì)或發(fā)電機(jī)機(jī)端三相短路 事故時(shí)，該事故不可能進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)。也不可能將所有碳化硅滅磁電阻移到試 驗(yàn)室進(jìn)行1比1的最大滅磁能量下試驗(yàn)以證明碳化硅滅磁電阻可以經(jīng)受沖擊。 因此，有必要提供一種由小能量試驗(yàn)數(shù)據(jù)推算大能量下碳化硅滅磁電阻滿足溫 度要求的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種小能量試驗(yàn)數(shù)據(jù)推算碳化硅滅磁電 阻滿足溫度要求的方法，旨在用最低的成本對(duì)碳化硅滅磁電阻容量是否滿足最 大滅磁能量下的溫度要求作出判斷，該方法應(yīng)是方便易行，不用采購(gòu)特殊設(shè)備， 卻能有效消除大型發(fā)電機(jī)的安全隱患。
5本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是 一種小能量試驗(yàn)數(shù)據(jù)推算碳化硅滅磁電阻滿 足溫度要求的方法，其特征在于該方法包括以下步驟
1) 確認(rèn)下列已知參數(shù)發(fā)電機(jī)最嚴(yán)重條件下整套碳化硅滅磁電阻耗散能量 五g、碳化硅滅磁電阻允許的最高溫度Wcmax、最高環(huán)境溫度raycmax 、碳化硅 滅磁電阻允許最大溫升A7^cmax-7^cmax-r"Vcmax 、配置的滅磁電阻標(biāo)稱能量 勘'c、滅磁電阻標(biāo)稱能量制造廠保證的均能系數(shù)(^c、碳化硅滅磁電阻的組件數(shù)
n以及組件內(nèi)并聯(lián)支路數(shù)m;
2) 盡可能拆除擋住碳化硅滅磁電阻表面影響拍攝工作的擋板；
3) 按試驗(yàn)要求完成測(cè)試電路的連接；
4) 將發(fā)電機(jī)調(diào)整到空載額定狀態(tài)；
5) 確定碳化硅滅磁電阻表面溫度每10分鐘變化小于rc后，用熱成像儀
拍攝碳化硅滅磁電阻冷態(tài)時(shí)的表面溫度，得到各組件的冷態(tài)表面溫度分布6) 分磁場(chǎng)斷路器滅磁，錄制各組件滅磁電阻上的電流和電壓波形；
7) 在碳化硅滅磁電阻表面溫度高的那點(diǎn)溫度達(dá)到最高時(shí)用熱成像儀拍攝該 組件的熱態(tài)表面溫度，得到該組件的熱態(tài)表面溫度分布圖，同樣方法得到各組 件的熱態(tài)表面溫度分布圖。
步驟3)中所述的測(cè)試電路具有相互串聯(lián)的磁場(chǎng)斷路器Q02、分流器R06 和發(fā)電機(jī)磁場(chǎng)繞組L，在發(fā)電機(jī)磁場(chǎng)繞組L的兩端并聯(lián)跨接器C和與之串聯(lián)的 一組并聯(lián)連接的碳化硅火磁電阻組件Rml-5，每個(gè)碳化硅滅磁電阻組件Rml-5 都串接一個(gè)直流電流變送器CTl-5，在所述碳化硅滅磁電阻組件Rml-5和與之 串接的直流電流變送器CT1-5的兩端并接直流電壓變送器VT。
本發(fā)明所述的方法分為兩種具體的判斷方法， 一種是采用表面最大溫升法 判斷碳化硅滅磁電阻滿足最大能量滅磁要求，該判斷方法包括步驟8) 10)。
8) 由熱態(tài)表面溫度分布圖上讀出一個(gè)組件的表面最高溫度點(diǎn)H的溫度 r/max， j^…n，再由該組件冷態(tài)表面溫度分布圖上讀出H點(diǎn)表面溫度r厶， j二l…n，計(jì)算該組件表面最大溫升A"max:r/max-r厶，j^l…n，對(duì)各個(gè)組件進(jìn) 行相同計(jì)算，獲得整套碳化硅滅磁電阻的表面最大溫升A7Ymax-M4Z[Ar乂max]，
發(fā)生表面最大溫升的組件能量為A,1,—;
9) 根據(jù)滅磁電阻上電流和電壓波形計(jì)算滅磁電阻各組件的耗散能量Ej，j=1...n，其中最大耗散能量為^max，組件間的均能系數(shù)Cem^—J——，如Ceav<C 'c，估計(jì)用均能系數(shù)C^采用Ceoi;，如Ce"v > ，估計(jì)用均能系數(shù)C欲
10) 按照發(fā)電機(jī)最大滅磁能量&計(jì)算組件的最大能量Eg/max:^^，計(jì)
參
算該能量下的估計(jì)溫升A7^^ ￡g/maX ，A7ymax，如果A7^"A7yc，則滿足要
求；如果A7^/〉A(chǔ)7^c，則不滿足要求；
為了滿足要求可以按照實(shí)際情況采取下述兩種之一的方法i )增加組數(shù)后再進(jìn)行估計(jì)，直至滿足要求，現(xiàn)場(chǎng)碳化硅滅磁電阻的并聯(lián)組數(shù)需要達(dá)到估計(jì)值；
11) 調(diào)整環(huán)境溫度，環(huán)境溫度調(diào)整量等于溫升偏差。
本發(fā)明的另一種判斷方法是采用表面均溫系數(shù)判斷碳化硅滅磁電阻滿足最大能量滅磁要求，該方法包括了步驟(11)和歩驟(12)。
(11)由冷、熱態(tài)表面溫度分布圖上讀出各片碳化硅電阻片的表面平均溫度
f" i二1…m禾口？^， i=1...m，計(jì)算片表面平均溫升Af" i=1...m,Af/ = f/H -^，
川
計(jì)算組件表面平均溫升A77,/"』，Af/ = ^~~，由熱態(tài)表面溫度分布圖上讀出
附
組件的表面最高點(diǎn)溫度"max， j=l...n，計(jì)算組件的表面最高溫升AT/max ，j=l...n， A"max^熱態(tài)組件最高溫度點(diǎn)H的溫度-H點(diǎn)冷態(tài)的溫度，獲得整套碳化硅滅磁電阻表面最大溫升A7Vmax-皿[A"'max]，計(jì)算整套碳化硅滅磁電阻的
均溫系數(shù)￡^ = ~^-;
k 厶7Y max
(12)配置的碳化硅滅磁電阻的可用能量a^-^/"C如￡"^>&,則滿足要求，如&微<^，則不滿足要求；
為了滿足要求可以按照實(shí)際情況采取下述兩種之一的方法.-i )增加組數(shù)后再進(jìn)行估計(jì)，直至滿足要求，現(xiàn)場(chǎng)碳化硅滅磁電阻的并聯(lián)組數(shù)需要達(dá)到估計(jì)值。
ii)調(diào)整環(huán)境溫度，環(huán)境溫度降低量A7W^ = ￡g — ￡, AWc max 。
本發(fā)明的有益效果是本方法方便易行，使用常規(guī)儀器設(shè)備、利用常規(guī)試驗(yàn)手段對(duì)已經(jīng)在發(fā)電廠安裝運(yùn)行的碳化硅滅磁電阻進(jìn)行測(cè)試，即可判斷被測(cè)碳化硅滅磁電阻是否滿足發(fā)電機(jī)所需要的最大滅磁能量下的溫度要求，具有經(jīng)濟(jì)實(shí)用、方便快捷、安全高效的特點(diǎn)。


圖l是本發(fā)明的試驗(yàn)接線圖。
圖2是本發(fā)明實(shí)施例某發(fā)電機(jī)空載額定滅磁前碳化硅滅磁電阻一個(gè)組件的冷態(tài)表面溫度分布圖。
圖3是本發(fā)明實(shí)施例某發(fā)電機(jī)空載額定滅磁后碳化硅滅磁電阻一個(gè)組件表面溫度達(dá)到最高時(shí)的熱態(tài)表面溫度分布圖。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施方法一，本方法為采用表面最大溫升法判斷碳化硅滅磁電阻能否滿足最大能量滅磁要求，如圖]、圖2、圖3所示。
1) 在開始測(cè)試前先通過查尋相關(guān)資料確認(rèn)下列已知參數(shù)如發(fā)電機(jī)最嚴(yán)重
條件下整套碳化硅滅磁電阻耗散能量i g、碳化硅滅磁電阻允許的最高溫度
T^cmax 、最高環(huán)境溫度r"Vrmax 、碳化硅滅磁電阻允許最大溫升A7^'cmax=rw'cmax-r"Vcmax 、配置的滅磁電阻標(biāo)稱能量五w'c 、滅磁電阻標(biāo)稱能量制造廠保證的均能系數(shù)CWc、碳化硅滅磁電阻的組件數(shù)n以及組件內(nèi)并聯(lián)支路
數(shù)m (碳化硅電阻片)。
碳化硅滅磁電阻組件標(biāo)稱能量為一次或極少次滅磁的能量。
2) 盡可能拆除擋住碳化硅滅磁電阻表面影響拍攝工作的擋板。
3) 按圖1完成測(cè)試電路的連接測(cè)試電路具有相互串聯(lián)的磁場(chǎng)斷路器Q02、分流器R06和發(fā)電機(jī)磁場(chǎng)繞組L，在發(fā)電機(jī)磁場(chǎng)繞組L的兩端并聯(lián)跨接器C和與之串聯(lián)的一組并聯(lián)連接的碳化硅滅磁電阻組件Rml-5，每個(gè)碳化硅滅磁電阻組件Rml-5都串接一個(gè)直流電流變送器CTl-5，在所述碳化硅滅磁電阻組件
8Rml-5和與之串接的直流電流變送器CT1-5的兩端并接直流電壓變送器VT。
直流電流變送器和直流電壓變送器均采用隔離技術(shù)，響應(yīng)時(shí)間小于lms。分辨率和量程滿足實(shí)際電流和電壓的測(cè)量要求。如采用電壓變送器
CV-4-4000/SP1 ， 2800Vrms,10V/4000V。電流變送器LEM HOP500-SB/SP1 ，Vc=±12 15V,In=500A,Vout=±4V。
4) 將發(fā)電機(jī)調(diào)整到空載額定狀態(tài)。
5) 確定碳化硅滅磁電阻表面溫度每io分鐘變化小于rc后，用熱成像儀
拍攝碳化硅滅磁電阻冷態(tài)時(shí)的表面溫度，得到各組件的冷態(tài)表面溫度分布圖，
如圖2所示。
熱成像儀采用與外制冷共平面紅外熱成像儀(型號(hào)IR928)等效的熱成像儀。測(cè)量時(shí)一般在滅磁電阻正前方，與各個(gè)碳化硅片基本等距離，距離被測(cè)滅磁電阻約lm。
6) 分磁場(chǎng)斷路器滅磁，錄制各組件滅磁電阻上的電流和電壓波形。
7) 在碳化硅滅磁電阻表面溫度高的那點(diǎn)溫度達(dá)到最高時(shí)用熱成像儀拍攝該組件的熱態(tài)表面溫度，得到該組件的熱態(tài)表面溫度分布圖，如圖3所示，同樣方法得到各組件的熱態(tài)表面溫度分布圖。
8) 由熱態(tài)表面溫度分布圖上讀出一個(gè)組件的表面最高溫度點(diǎn)H的溫度rymax， j^…n，再由該組件冷態(tài)表面溫度分布圖上讀出H點(diǎn)表面溫度r厶，j=l'"n，計(jì)算該組件表面最大溫升AUma)^:r/max-r厶，j4…n，對(duì)各個(gè)組件進(jìn)行相同計(jì)算，獲得整套碳化硅滅磁電阻的表面最大^U升A7Ymax = M4X[A7ymax]，發(fā)生表面最大溫升的組件能量為^^^—;
9) 根據(jù)滅磁電阻上電流和電壓波形計(jì)算滅磁電阻各組件的耗散能量Ej，
￡巧
j=1...n，其中最大耗散能量為^max，組件間的均能系數(shù)Cem^^——，如估計(jì)用均能系數(shù)CM采用Ce"v ，如估計(jì)用均能系數(shù)CeW
采用;
10) 按照發(fā)電機(jī)最大滅磁能量^計(jì)算組件的最大能量^/maxz^—，計(jì)算該能量下的估計(jì)溫升A7^b徹.max 'A"max ，如果< A7>/c ，則滿足要求；如果Arw〉A(chǔ)7^c，貝!J不滿足要求；
為了滿足要求可以按照實(shí)際情況采取下述兩種之一的方法 i )增加組數(shù)后再進(jìn)行估計(jì)，直至滿足要求，現(xiàn)場(chǎng)碳化硅滅磁電阻的并聯(lián) 組數(shù)需要達(dá)到估計(jì)值；
ii)調(diào)整環(huán)境溫度，環(huán)境溫度調(diào)整量等于溫升偏差。
本實(shí)施方法的一個(gè)計(jì)算實(shí)例是通過實(shí)驗(yàn)室小能量實(shí)驗(yàn)值推算大能量下滿足 表面最高溫度16(TC的碳化硅滅磁電阻組件數(shù)量的過程。
600匿汽輪發(fā)電機(jī)最大滅磁能量化為2880 kJ?？紤]碳化硅滅磁電阻估計(jì)用 均能系數(shù)C^為0.9，表面最高溫度16(TC，環(huán)境溫度4(TC，表面最大溫升為 120K。小能量試驗(yàn)時(shí)溫升最大組件的能量95.1kJ，表面最大溫升11.7'C。
5組件時(shí)最大組件能量=2880/5/0.9=640 kJ，表面最大溫升=640/95.1 X 1L7二78.7K小于120K，滿足要求。
4組件時(shí)最大組件能量=2880/4/0.9=800 kJ，表面最大溫升=800/95.1 X 11.7=98.4K小于120K，滿足要求。
3組件時(shí)最大組件能量=2880/3/0.9=1066 kJ，表面最大溫升=1066/95.1 X 11.7二131K大于120K，且大于1MJ，不滿足要求。
因此，4組件碳化硅滅磁電阻能夠滿足2880 kJ極少次數(shù)滅磁的要求。
實(shí)驗(yàn)室大能量試驗(yàn)獲得表面最大溫升和表面最高溫度，與小能量數(shù)據(jù)推導(dǎo) 的大能量下表面最大溫升和表面最高溫度進(jìn)行比較，結(jié)果見下。
實(shí)測(cè)大能量為1134 kJ，環(huán)境溫度26.6'C，表面最大溫升140.8K和表面最 高溫度167.4°C。
推導(dǎo)實(shí)驗(yàn)室大能量下表面最大溫升=1134/95.1 X 11.7439.5K,加上環(huán)境溫 度26.6。C，表面最高溫度等于166.rC，兩種方法相差0.8%。說明由小能量下 數(shù)據(jù)推導(dǎo)大能量下溫升的方法可信。
本實(shí)施方法另一個(gè)計(jì)算實(shí)例是嘉興發(fā)電廠6號(hào)機(jī)空載額定滅磁試驗(yàn)數(shù)據(jù)推 導(dǎo)最大滅磁能量2460 kJ下可否滿足表面最高溫度16CTC的碳化硅滅磁電阻組件 數(shù)量的過程。
嘉興發(fā)電廠6號(hào)機(jī)已經(jīng)配置5組件碳化硅滅磁電阻。試驗(yàn)滅磁能量163 kJ， 表面最大溫升7.9K。環(huán)境溫度26.6°C 。
考慮最大滅磁能量下允許的表面最大溫升120K和允許的表面最高溫度160°C。
推算的最大滅磁能量下的表面最大溫升為7.9X2460/163=117.8K小于 120K，因此5組件碳化硅滅磁電阻可以滿足一次或極少次最大能量為2460 kJ 的滅磁要求。
實(shí)施方法二，如圖l、圖2、圖3所示。
本方法的步驟1) 7)與實(shí)施方法一相同，不同之處是本方法釆用表面均 溫系數(shù)判斷碳化硅滅磁電阻能否滿足最大能量滅磁要求。
(WI)由冷、熱態(tài)表面溫度分布圖上讀出各片碳化硅電阻片的表面平均溫度 fz丄，i-1…m禾口f/H， i=1...m，計(jì)算片表面平均溫升A巧，i=1...m，Af/ = f\—f\，
附
計(jì)算組件表面平均溫升A"J-1 j， Af/ = ^^，由熱態(tài)表面溫度分布圖上讀出
組件的表面最高點(diǎn)溫度"max， j=l...n，計(jì)算組件的表面最高溫升AT/max ， j=l...n， A7)'rnax二熱態(tài)組件最高溫度點(diǎn)H的溫度-H點(diǎn)冷態(tài)的溫度，獲得整套碳 化硅滅磁電阻表面最大溫升A7Ymax-M4Z[A77max]，計(jì)算整套碳化硅滅磁電阻的
均溫系數(shù)Z)h~^-;
" A7Ymax
(IX)配置的碳化硅滅磁電阻的可用能量&^ = ￡**"，如￡麼>^,則滿
足要求，如&w〈Eg，則不滿足要求；
為了滿足要求可以按照實(shí)際情況采取下述兩種之一的方法 i )增加組數(shù)后再進(jìn)行估計(jì)，直至滿足要求，現(xiàn)場(chǎng)碳化硅滅磁電阻的并聯(lián) 組數(shù)需要達(dá)到估計(jì)值。
ii)調(diào)整環(huán)境溫度，環(huán)境溫度降低量Ard;r^^^^A7^max。
￡聰
本實(shí)施方法的一個(gè)計(jì)算實(shí)例是通過實(shí)驗(yàn)室小能量實(shí)驗(yàn)值推算滿足滅磁能量 2880kJ要求的試驗(yàn)樣品碳化硅滅磁電阻組件數(shù)量的過程。
實(shí)驗(yàn)室小能量試驗(yàn)獲得試驗(yàn)樣品5組件的表面均溫系數(shù)Dt為0.6336。 5組 件碳化硅滅磁電阻的標(biāo)稱容量Esic為5000kJ。
115組件下可用滅磁能量Euse=5000kJX0.6336=3168kJ,實(shí)際滅磁能量2880 kJ小于3168kJ，所以5組件碳化硅滅磁電阻試驗(yàn)樣品可以滿足一次或極少次滅 磁能量2880kJ的要求。
本實(shí)施方法另一個(gè)計(jì)算實(shí)例是嘉興發(fā)電廠6號(hào)機(jī)空載額定滅磁試驗(yàn)數(shù)據(jù)推 導(dǎo)最大滅磁能量2460 kJ下采用5組件碳化硅滅磁電阻可否滿足滅磁能量 2460kJ要求的試驗(yàn)樣品碳化硅滅磁電阻組件數(shù)量的過程。
發(fā)電機(jī)空載額定滅磁試驗(yàn)獲得滅磁能量為163 kJ， 5組件的表面均溫系數(shù)為 0.47。
5組件下可用滅磁能量=5000 kJ X0.47=2350 kj，實(shí)際滅磁能量2460 kJ略 大于2350kJ，所以采用5組件存在一定危險(xiǎn)度，需要采取降低環(huán)境溫度措施才 能滿足一次或極少次2460kJ滅磁的要求。
認(rèn)為2350 kJ能量下的最大溫升是120K。環(huán)境溫度下降值420X (2460-2350) /2350=5.6。因此宜控制最高環(huán)境溫度為40°C-5.6°C=34.6°C。
權(quán)利要求
1、一種小能量試驗(yàn)數(shù)據(jù)推算碳化硅滅磁電阻滿足溫度要求的方法，其特征在于該方法包括以下步驟1)確認(rèn)下列已知參數(shù)發(fā)電機(jī)最嚴(yán)重條件下整套碳化硅滅磁電阻耗散能量Eg、碳化硅滅磁電阻允許的最高溫度Tsicmax、最高環(huán)境溫度Tcircmax、碳化硅滅磁電阻允許最大溫升ΔTsicmax＝Tsicmax-Tcircmax、配置的滅磁電阻標(biāo)稱能量Esic、滅磁電阻標(biāo)稱能量制造廠保證的均能系數(shù)Csic、碳化硅滅磁電阻的組件數(shù)n以及組件內(nèi)并聯(lián)支路數(shù)m；2)盡可能拆除擋住碳化硅滅磁電阻表面影響拍攝工作的擋板；3)按試驗(yàn)要求完成測(cè)試電路的連接；4)將發(fā)電機(jī)調(diào)整到空載額定狀態(tài)；5)確定碳化硅滅磁電阻表面溫度每10分鐘變化小于1℃后，用熱成像儀拍攝碳化硅滅磁電阻冷態(tài)時(shí)的表面溫度，得到各組件的冷態(tài)表面溫度分布圖；6)分磁場(chǎng)斷路器滅磁，錄制各組件滅磁電阻上的電流和電壓波形；7)在碳化硅滅磁電阻表面溫度高的那點(diǎn)溫度達(dá)到最高時(shí)用熱成像儀拍攝該組件的熱態(tài)表面溫度，得到該組件的熱態(tài)表面溫度分布圖，同樣方法得到各組件的熱態(tài)表面溫度分布圖。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述測(cè)試電路具有相互串聯(lián)的磁場(chǎng)斷路器Q02、分流器R06和發(fā)電機(jī)磁場(chǎng)繞組L，在發(fā)電機(jī)磁場(chǎng)繞組L的兩端并聯(lián)跨接器C和與之串聯(lián)的一組并聯(lián)連接的碳化硅滅磁電阻組件Rml-5，每個(gè)碳化硅滅磁電阻組件Rml-5都串接一個(gè)直流電流變送器CTl-5，在所述碳化硅滅磁電阻組件Rml-5和與之串接的直流電流變送器CTl-5的兩端并接直流電壓變送器VT。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于8) 由熱態(tài)表面溫度分布圖上讀出一個(gè)組件的表面最高溫度點(diǎn)H的溫度"max， j^…n，再由該組件冷態(tài)表面溫度分布圖上讀出H點(diǎn)表面溫度T人，j二l…n，計(jì)算該組件表面最大溫升A7ymax-:r/max-r厶，j二l…n，對(duì)各個(gè)組件進(jìn)行相同計(jì)算，獲得整套碳化硅滅磁電阻的表面最大溫升A7Ymax:M4X[A:(7max]，發(fā)生表面最大溫升的組件能量為i^^w,;9) 根據(jù)滅磁電阻上電流和電壓波形計(jì)算滅磁電阻各組件的耗散能量Ej，t巧.j=1...n,其中最大耗散能量為^max，組件間的均能系數(shù)Con^—J——，如" 巧maxCeov<C 'c，估計(jì)用均能系數(shù)Cerf采用Ceav，如Ce"i^Cs/c，估計(jì)用均能系數(shù)CeW 采用;10) 按照發(fā)電機(jī)最大滅磁能量^計(jì)算組件的最人能量五g/max-^^，計(jì) 算該能量下的估計(jì)溫升A7^^ ￡g/maX ,A77腿x，如果A7^"Ari'，則滿足要求；如果A7^,〉 A7i/c，貝(J不滿足要求；為了滿足要求可以按照實(shí)際情況采取下述兩種之-的方法 i )增加組數(shù)后再進(jìn)行估計(jì)，直至滿足要求，現(xiàn)場(chǎng)碳化硅滅磁電阻的并聯(lián) 組數(shù)需要達(dá)到估計(jì)值；11) 調(diào)整環(huán)境溫度，環(huán)境溫度調(diào)整量等于溫升偏差。 4)根據(jù)權(quán)利要求l或2所述的方法，其特征在于(11) 由冷、熱態(tài)表面溫度分布圖上讀出各片碳化硅電阻片的表面平均溫度f/丄，i二1…m禾口f!w , i二1…m， i十算片表面平i勻 品升Af" i=1...m,Afz = f/H — fi丄，計(jì)算組件表面平均溫升A7y，/、1 ..."， = ^^，由熱態(tài)表面溫度分布圖上讀出附組件的表面最高點(diǎn)溫度7)'max， j=l...n，計(jì)算組件的表面最高溫升A"max ， j=l...n， A7)'max二熱態(tài)組件最高溫度點(diǎn)H的溫度-H點(diǎn)冷態(tài)的溫度，獲得整套碳 化硅滅磁電阻表面最大溫升A7ymax:M4X[A2)maxI，計(jì)算整套碳化硅滅磁電阻的1>巧均溫系數(shù)化=~^-;w A77max(12) 配置的碳化硅滅磁電阻的可用能量&脫=&/""，如￡證>^,則滿 足要求，如￡船"^，則不滿足要求；為了滿足要求可以按照實(shí)際情況采取下述兩種之一的方法i) 增加組數(shù)后再進(jìn)行估計(jì)，直至滿足要求，現(xiàn)場(chǎng)碳化硅滅磁電阻的并聯(lián) 組數(shù)需要達(dá)到估計(jì)值。ii) 調(diào)整環(huán)境溫度，環(huán)境溫度降低量A7^^^^，A7^max。
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全文摘要
本發(fā)明涉及一種小能量試驗(yàn)數(shù)據(jù)推算碳化硅滅磁電阻滿足溫度要求的方法。本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種用小能量試驗(yàn)數(shù)據(jù)推算碳化硅滅磁電阻滿足溫度要求的方法，旨在用最低的成本對(duì)碳化硅滅磁電阻容量是否滿足最大滅磁能量下的溫度要求作出判斷，該方法應(yīng)是方便易行，不用采購(gòu)特殊設(shè)備，卻能有效消除大型發(fā)電機(jī)的安全隱患。本發(fā)明所述的方法分為兩種具體的判斷方法，一種是采用表面最大溫升法判斷碳化硅滅磁電阻滿足最大能量滅磁要求；另一種判斷方法是采用表面均溫系數(shù)判斷碳化硅滅磁電阻滿足最大能量滅磁要求。本發(fā)明可用于發(fā)電廠中配置有碳化硅滅磁電阻的大型發(fā)電機(jī)。
文檔編號(hào)G01R31/00GK101487868SQ20091009653
公開日2009年7月22日 申請(qǐng)日期2009年3月5日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月5日
發(fā)明者吳跨宇, 密君才, 竺士章, 陳新琪, 陳福山 申請(qǐng)人:浙江省電力試驗(yàn)研究院;杭州意能電力技術(shù)有限公司