專利名稱：防偽檢測系統(tǒng)的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及防偽領域，尤其涉及一種防偽檢測系統(tǒng)。
背景技術：
目前紙張防偽技術主要有水印、安全線、激光全息、熒光涂飾、防偽纖維、磁性油墨 等技術，在這些紙張防偽技術當中，采用非晶態(tài)合金的防盜防偽標簽得到了廣泛應用，這是 由于非晶態(tài)合金具有巴克豪森效應，以及在交變磁場的激勵下能夠產(chǎn)生豐富的高次諧波的 效應，這兩種效應可能實現(xiàn)優(yōu)良的防盜防偽功能?，F(xiàn)有技術中對采用非晶態(tài)合金的防盜防偽標簽進行防偽檢測的方案如圖1所示， 可以看出防偽標簽中含有多根不同矯頑力的非晶絲材，其中的非晶絲材2a、2b、2c、2d按照 矯頑力的由小至大的順序，依次平行且按固定間隔的排列分布在防偽標簽1中。在檢測時， 防偽標簽1由傳送系統(tǒng)按照矯頑力小的非晶絲材先進入、矯頑力大的非晶絲材后進入的方 式送至檢測區(qū)域。在交變磁場的激勵下，防偽標簽在不同的磁場下感生出多個脈沖信號，形 成一個磁場強度的脈沖序列(Ha、Hb、He、Hd)，根據(jù)該脈沖序列間隔的比率來判斷標簽的真 偽。此外利用這種方式，通過調整非晶絲材的根數(shù)以及材料矯頑力的大小，在實現(xiàn)防偽功能 的同時，還實現(xiàn)了對標簽的簡單編碼。但這種防偽檢測技術存在著以下的缺點1、防偽標簽必須以特定的方向進入檢測區(qū)域，以使得非晶絲材依次按照矯頑力從 小到大的順序被激勵，如果矯頑力大的非晶絲材先進入檢測區(qū)域，而矯頑力小的非晶絲材 后進入，則可能會導致激勵順序錯亂，造成誤報。2、由于判斷標簽真?zhèn)蔚囊罁?jù)是脈沖序列間隔的比率，那么如果防偽標簽出現(xiàn)皺 褶，使得非晶絲材之間的間隔發(fā)生變化，則會導致感生的脈沖序列間隔發(fā)生改變，從而造成 誤報。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是提出一種防偽檢測系統(tǒng)，能夠避免現(xiàn)有技術中防偽標簽必須以特 定方向進入檢測區(qū)域導致的誤報，且降低因防偽材料不規(guī)范導致的誤報情況。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種防偽檢測系統(tǒng)，包括激勵磁場發(fā)生裝置，用于產(chǎn)生激勵磁場；感測信號提取裝置，用于在將防偽材料置入所述激勵磁場時，提取所述防偽材料 中的非晶合金細長材料在所述激勵磁場中感生出的感生電壓信號，其中所述非晶合金細長 材料的長度方向與所述激勵磁場方向一致；防偽信號判斷裝置，用于判斷所述感生電壓信號的衰減方式是否符合預設要求， 是則確定所述防偽材料為真防偽材料，否則確定所述防偽材料為假防偽材料。在上述技術方案中，所述激勵磁場發(fā)生裝置至少包括信號發(fā)生器和激勵線圈，所 述信號發(fā)生器的輸出端與激勵線圈相連，其中所述信號發(fā)生器至少包括
信號產(chǎn)生電路，用于產(chǎn)生防偽檢測所需頻率的信號；濾波器，用于對所述信號進行工頻段干擾的濾除；放大電路，用于對濾除干擾后的所述信號進行信號放大，并輸出放大后的信號。優(yōu)選的，所述激勵線圈為亥姆赫茲線圈或螺線管。進一步的，所述感測信號提取裝置至少包括感測線圈和信號提取電路，所述感測 線圈設于所述激勵線圈的中空部分，且所述感測線圈的軸線與所述激勵磁場的方向平行， 所述信號提取電路與所述感測線圈的輸出端相連，其中所述信號提取電路至少包括信號接收機，與所述感測線圈阻抗匹配，接收感生出的感生電壓信號；濾波器，用于對所述感生電壓信號進行濾波；放大器，用于對濾波后的感生電壓信號進行放大；模數(shù)轉換器，用于對放大后的感生電壓信號進行模數(shù)轉換，獲得轉換后的數(shù)字信 號。優(yōu)選的，所述感測線圈為串連反接的兩個線圈。進一步的，所述防偽信號判斷裝置至少包括數(shù)據(jù)存儲模塊，用于對從所述感測信號提取裝置輸出的一組感生電壓信號進行存 儲，所述一組感生電壓信號包括多個周期的感生電壓信號；衰減方式匹配模塊，用于判斷所述一組感生電壓信號的峰值絕對值是否符合沿時 間增加的方向非依次遞減的要求，是則確定所述防偽材料為真防偽材料，否則確定所述防 偽材料為假防偽材料。進一步的，所述防偽信號判斷裝置還包括信號初識別模塊，用于預先對從所述感 測信號提取裝置輸出的本周期的感生電壓信號進行防偽材料的識別，如果識別結果為防偽 材料，那么輸出所述本周期的感生電壓信號到所述數(shù)據(jù)存儲模塊，否則繼續(xù)采集下一周期 的感生電壓信號。進一步的，所述防偽信號判斷裝置還包括防偽編碼匹配模塊，用于提取所述感生電壓信號中的前η個峰值位置和峰值幅 值，η為正整數(shù)，并將所述前η個峰值位置和峰值幅值與預設的防偽編碼表進行匹配編碼， 判斷該編碼是否符合預設的防偽編碼，其中所述防偽編碼表由多組峰值位置和峰值幅值進 行劃分，如果符合，則確定所述防偽材料為真防偽材料，否則確定所述防偽材料為假防偽材 料。優(yōu)選的，所述防偽編碼匹配模塊還進一步包括歸一化模塊，用于在將所述前η個峰值位置和峰值幅值與預設的防偽編碼表進行 匹配編碼之前，還包括對所述前η個峰值位置和/或峰值幅值進行歸一化的操作。進一步的，防偽檢測系統(tǒng)還包括報警裝置，與所述防偽信號判斷裝置相連，用于當 確定所述防偽材料為假防偽材料時，啟動報警操作?；谏鲜黾夹g方案，本發(fā)明以非晶合金感生出的電壓信號的衰減情況作為防偽材 料真?zhèn)蔚呐袛嘁罁?jù)，這既不要求防偽材料中非晶合金細長材料有特定順序，也避免了在對 防偽材料進行防偽檢測時，褶皺或者傾斜等帶來的誤報問題。


此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，構成本申請的一部分，本發(fā) 明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構成對本發(fā)明的不當限定。在附圖中圖1為現(xiàn)有技術中對采用非晶態(tài)合金的防盜防偽標簽進行防偽檢測的方案示意圖。圖2a_2c為本發(fā)明防偽材料的結構示意圖。圖3為本發(fā)明防偽檢測系統(tǒng)的一實施例的結構示意圖。圖4為本發(fā)明的防偽檢測系統(tǒng)實施例中的各部件的空間關系示意圖。圖5為本發(fā)明防偽檢測系統(tǒng)實施例所采用的防偽檢測方法的流程示意圖。圖6為本發(fā)明防偽檢測系統(tǒng)實施例所采用的防偽檢測方法對具有單一矯頑力的 非晶合金細長材料的一防偽材料進行檢測所產(chǎn)生的衰減信號示意圖。圖7為本發(fā)明防偽檢測系統(tǒng)實施例所采用的防偽檢測方法對具有單一矯頑力的 非晶合金細長材料的另一防偽材料進行檢測所產(chǎn)生的衰減信號示意圖。圖8為本發(fā)明防偽檢測系統(tǒng)實施例所采用的防偽檢測方法對具有不同矯頑力的 非晶合金細長材料的一防偽材料進行檢測所產(chǎn)生的衰減信號示意圖。圖9為本發(fā)明防偽檢測系統(tǒng)實施例所采用的防偽檢測方法對具有不同矯頑力的 非晶合金細長材料的另一防偽材料進行檢測所產(chǎn)生的衰減信號示意圖。圖10為本發(fā)明防偽檢測系統(tǒng)實施例所采用的防偽檢測方法對具有不同矯頑力的 非晶合金細長材料的再一防偽材料進行檢測所產(chǎn)生的衰減信號示意圖。圖11為本發(fā)明防偽檢測系統(tǒng)實施例所采用的防偽檢測方法對具有不同矯頑力的 非晶合金細長材料的又一防偽材料進行檢測所產(chǎn)生的衰減信號示意圖。圖12為本發(fā)明防偽檢測系統(tǒng)實施例的信號發(fā)生器的結構示意圖。圖13為本發(fā)明防偽檢測系統(tǒng)實施例的信號提取電路的結構示意圖。圖14為本發(fā)明防偽編碼表的一種實例的示意圖。圖15為本發(fā)明防偽檢測系統(tǒng)實施例所采用的防偽檢測方法的流程示意圖。
具體實施例方式下面通過附圖和實施例，對本發(fā)明的技術方案做進一步的詳細描述。首先介紹一下本發(fā)明所采用的防偽材料，如圖2a_2c所示，為本發(fā)明防偽材料的 結構示意圖。防偽材料由兩部分構成，分別是防偽材料的基片4和非晶合金細長材料3。非 晶合金細長材料3可以貼附在基片4的表面，也可以嵌入在基片4內。非晶合金細長材料 3通常至少有兩根，在本實施例給出了三根的例子，實際使用中還可以設置更多。非晶合金細長材料3被平行布置在基片4上，非晶合金細長材料3之間可以有間 隔，或者無間隔，或者有間隔和無間隔混合。其間隔可以為等間距，也可以是非等間距。在防偽材料上的這些非晶合金細長材料3中，至少有兩根具有不同的矯頑力。由 于防偽檢測的原理不同，因此這些非晶合金細長材料3的排列順序不必按矯頑力大小的順 序排列。非晶合金可以采用正磁致伸縮材料，也可以采用近零磁致伸縮材料。非晶合金細 長材料可以為非晶帶材、非晶絲材或玻璃包覆非晶絲。其中優(yōu)選玻璃包覆非晶絲，與非晶帶 材、非晶絲材相比，其尺寸小、隱蔽性好。
本發(fā)明提供了針對上述防偽材料的防偽檢測系統(tǒng)，如圖3所示，為本發(fā)明防偽檢 測系統(tǒng)的一實施例的結構示意圖。本實施例的防偽檢測系統(tǒng)包括激勵磁場發(fā)生裝置、感測 信號提取裝置和防偽信號判斷裝置，其中激勵磁場發(fā)生裝置用于產(chǎn)生激勵磁場。感測信號 提取裝置用于在將防偽材料置入激勵磁場時，提取防偽材料中的非晶合金細長材料在激勵 磁場中感生出的感生電壓信號，其中非晶合金細長材料的長度方向與激勵磁場方向一致。 防偽信號判斷裝置用于判斷感生電壓信號的衰減方式是否符合預設要求，是則確定防偽材 料為真防偽材料，否則確定防偽材料為假防偽材料。激勵磁場發(fā)生裝置至少可以包括信號發(fā)生器6和激勵線圈5，信號發(fā)生器6的輸 出端與激勵線圈5相連，圖12示出了一種信號發(fā)生器6的構成實例，信號發(fā)生器6至少包 括信號產(chǎn)生電路61，用于產(chǎn)生防偽檢測所需頻率的信號；濾波器62，用于對所述信號進行 工頻段干擾的濾除；放大電路63，用于對濾除干擾后的所述信號進行信號放大，并輸出放 大后的信號。信號發(fā)生器6可以由微控制器芯片進行控制來發(fā)出防偽檢測所需頻率的信號(例 如正弦波信號、方波、三角波等)，然后利用濾波器62進行工頻段的干擾(例如通過帶通濾 波器濾除低頻和高頻干擾，或者利用低通濾波器濾除高頻干擾等)，再通過放大電路63 (例 如電壓放大和/或功率放大電路等)對信號進行放大，并輸出到激勵線圈5。感測信號提取裝置至少包括感測線圈7和信號提取電路8，感測線圈7設于激勵線 圈5的中空部分，且感測線圈7的軸線與激勵磁場的方向平行，信號提取電路8與感測線圈 7的輸出端相連。防偽檢測系統(tǒng)的各部件的空間關系具體可參見圖4。其中激勵線圈5可 以選用亥姆赫茲線圈或螺線管(參見圖4)等。感測線圈7可以選用圖4中的串連反接的 兩個線圈。信號提取電路8至少包括信號接收機81，與感測線圈7阻抗匹配，接收感生出的 感生電壓信號；濾波器82，用于對所述感生電壓信號進行濾波；放大器83，用于對濾波后的 感生電壓信號進行放大；模數(shù)轉換器84，用于對放大后的感生電壓信號進行模數(shù)轉換，獲 得轉換后的數(shù)字信號。基于上述系統(tǒng)實施例所采用的防偽檢測流程參見圖5所示。該流程包括步驟101、將前述的防偽材料置入激勵磁場，如圖4所示，防偽材料中的非晶合金 細長材料的長度方向與激勵磁場的方向一致，并提取所述非晶合金細長材料在所述激勵磁 場中感生出的感生電壓信號；步驟102、判斷所述感生電壓信號的衰減方式是否符合預設要求，是則執(zhí)行步驟 103，否則執(zhí)行步驟104;步驟103、確定所述防偽材料為真防偽材料；步驟104、確定所述防偽材料為假防偽材料。這里的判斷感生電壓信號的衰減方式是否符合預設要求的操作具體是判斷感生 電壓信號的峰值絕對值是否符合沿時間增加的方向非依次遞減的要求，也就是根據(jù)是否出 現(xiàn)“反常衰減”現(xiàn)象作為判斷防偽檢測的依據(jù)。下面通過一系列對比試驗來對本發(fā)明的防偽檢測原理進行說明。如圖6所示，為 采用本發(fā)明防偽檢測方法對具有單一矯頑力的非晶合金細長材料進行檢測所產(chǎn)生的衰減 信號示意圖。在本次對比試驗中，激勵磁場為IKHz交變磁場，在防偽材料表面上的多根非
7晶合金細長材料均具有單一矯頑力，矯頑力大小為0. 80eo在將防偽材料置入激勵磁場中 后，由圖6的感生電壓信號曲線可見，出現(xiàn)了多個震蕩的峰值絕對值，并隨著時間增加的方 向依次遞減。圖7也采用的是單一矯頑力的多根非晶合金細長材料，其矯頑力大小為10e，可以 看出，圖7中的峰值絕對值也遵循著隨時間增加的方向依次遞減的規(guī)律。與圖6相比，峰值 絕對值出現(xiàn)的時間和幅值不同，這是由材料特性決定的，在本實施例中，主要是矯頑力大小 的因素?？梢钥闯觯捎脝我怀C頑力的非晶合金細長材料時，感生出的電壓信號的峰值絕對 值按時間增加的方向依次減小的趨勢是相同的。接下來，使用前面描述的本發(fā)明的防偽材料進行試驗，本發(fā)明的防偽材料中至少 有兩根非晶合金細長材料，非晶合金細長材料中至少有兩根具有不同的矯頑力。如圖8所 示，為采用本發(fā)明防偽檢測方法對具有不同矯頑力的非晶合金細長材料進行檢測所產(chǎn)生的 衰減信號示意圖。在本例中存在兩種矯頑力的非晶合金細長材料，一種為0.70e，一個為 10e，其所感生出的電壓信號的趨勢與前面圖6和圖7明顯不同，出現(xiàn)了“反常衰減”的現(xiàn)象。 圖8中前1-5個峰值電壓依次為2. 5V、-0. 7V、2V、-1V、0. 7V，可以看出第二個峰值絕對值明 顯低于第三個峰值絕對值。這種“反常衰減”現(xiàn)象是含有不同矯頑力的非晶合金細長材料 的防偽材料所特有的，可以作為辨別真?zhèn)蔚囊罁?jù)。圖9給出了矯頑力大小分別為0. 70e和1. 20e的防偽材料的感生電壓信號曲線， 可以看出前1-5個峰值電壓依次為1. 8V、-0. 7V、0. 9V、-0. 1V、0. 5V。其中第二個峰值絕對 值低于第三個峰值絕對值，且第四個峰值絕對值低于第五個峰值絕對值。也就是說，圖9的 試驗中出現(xiàn)了 “反常衰減”現(xiàn)象。圖10給出了矯頑力大小分別為IOe和1. 20e的防偽材料的感生電壓信號曲線，可 以看出前1-5個峰值電壓依次為2. 4V、-IV、1. 2V、-0. 7V、0. 5V。其中第二個峰值絕對值低 于第三個峰值絕對值。圖9的試驗中出現(xiàn)了 “反常衰減”現(xiàn)象，而且圖10與前兩個試驗的 附圖相比，出現(xiàn)峰值的時間和峰值的幅值也明顯不同。圖11采用了與圖8相同的矯頑力，即一種為0. 70e，一種為10e，區(qū)別在于矯頑力 為IOe的非晶合金細長材料的尺寸不同，以優(yōu)選的玻璃包覆非晶絲為例，圖11中矯頑力 大小為IOe的玻璃包覆非晶絲的金屬芯直徑為16微米，玻璃層厚度為4微米，不同于圖8 中的23微米的金屬芯，6微米的玻璃層厚度。其所感生的電壓信號前1-5個峰值分別為 2. 5V、-1. 3V、1. 3V、-0. 6V、0. 5V，其中第二個峰值絕對值等于第三個峰值絕對值，仍然是未 沿時間增加的方向非依次遞減，即出現(xiàn)了 “反常衰減”現(xiàn)象。對比圖8和圖11，可以看出雖然都出現(xiàn)了 “反常衰減”現(xiàn)象，防偽材料感生出的電 壓信號的衰減形式、幅值、峰值位置是由防偽材料中含有的非晶合金細長材料的物理性能 決定的，如果將不同物理性能的非晶合金細長材料添加入防偽材料中，則可以調節(jié)感生信 號的衰減形式、幅值、峰值位置等參數(shù)，從而實現(xiàn)防偽材料的編碼。從前面的幾個試驗可以看出，采用本發(fā)明的防偽檢測方法，是對感生信號的衰減 方式進行判斷，因此對防偽材料的進入檢測區(qū)域的方向以及對防偽材料上的非晶合金細長 材料的排列方式(有否間隔，是否均等間隔等)均沒有特別的要求，即使防偽材料在與激勵 磁場有一定的傾角的情況下進入，其在幅值、峰值位置等參數(shù)上可能會出現(xiàn)變化，但其衰減 方式仍然符合“反常衰減”的現(xiàn)象。
8
下面再對防偽檢測系統(tǒng)實施例中的防偽信號判斷裝置9進行具體的說明。防偽信 號判斷裝置至少可以包括數(shù)據(jù)存儲模塊和衰減方式匹配模塊。其中數(shù)據(jù)存儲模塊用于對 從所述感測信號提取裝置輸出的一組感生電壓信號進行存儲，所述一組感生電壓信號包括 多個周期的感生電壓信號。衰減方式匹配模塊用于判斷所述一組感生電壓信號的峰值絕對 值是否符合沿時間增加的方向非依次遞減的要求，是則確定所述防偽材料為真防偽材料， 否則確定所述防偽材料為假防偽材料?？紤]到有時接收到的感測信號并非防偽材料的信號，而是一些干擾信號，這可能 會影響防偽檢測的效率和準確性，因此在另一個系統(tǒng)實施例中，還可以增加信號初識別模 塊，能夠預先對從所述感測信號提取裝置輸出的本周期的感生電壓信號進行防偽材料的識 別，如果識別結果為防偽材料，那么輸出所述本周期的感生電壓信號到所述數(shù)據(jù)存儲模塊， 否則繼續(xù)采集下一周期的感生電壓信號。對于防偽材料在進入線圈時，如果防偽材料存在褶皺或者傾斜進入，則可能帶來 一定的誤報問題?；谶@一問題，本發(fā)明在另一系統(tǒng)實施例中，在防偽信號判斷裝置9中加 入了防偽編碼匹配模塊，該模塊所執(zhí)行的功能參見圖15，即在檢測到感生電壓衰減方式符 合要求之后，所執(zhí)行的步驟105-108 步驟105、提取所述感生電壓信號中的前η個峰值位置和峰值幅值，η為正整數(shù)；步驟106、將所述前η個峰值位置和峰值幅值與預設的防偽編碼表進行匹配編碼；步驟107、判斷該編碼是否符合預設的防偽編碼，其中所述防偽編碼表由多組峰值 位置和峰值幅值進行劃分，如果符合，則執(zhí)行步驟108，否則執(zhí)行步驟104，確定防偽材料為 假防偽材料；步驟108、確定所述防偽材料為真防偽材料。下面舉例進行說明，將本發(fā)明的防偽材料置入激勵磁場后，使用前五個峰值作為 判斷依據(jù)，其時間和幅值依次為(8 μ s，2. 5V)、(11μ s,-0. 7V)、(14μ s,2V), (17 μ s，-IV)、 (20μ s，0. 7V)。防偽檢測系統(tǒng)可以預先存儲一份防偽編碼表和判斷用的防偽編碼，該防偽 編碼表可以由多組峰值位置和峰值幅值進行劃分，當獲得上述的時間和幅值后，將上述各 組與防偽編碼表進行匹配，獲得被檢測的防偽材料的編碼，如果該防偽材料的編碼與預設 的防偽編碼相符合，則可以確定為真防偽材料。此外，在將所述前η個峰值位置和峰值幅值與預設的防偽編碼表進行匹配編碼之 前，還可以在防偽編碼匹配模塊加入歸一化模塊，來對所述前η個峰值位置和/或峰值幅值 進行歸一化的操作。也就是說，采用峰值位置和/或峰值幅值的比率進行編碼，由于比率可 以不受非晶合金細長材料與激勵磁場之間夾角的影響，因此這種歸一化的處理可以避免進 入激勵磁場的方向變化產(chǎn)生出的電壓幅值的變化，而導致誤報的發(fā)生。還以剛才的例子進行說明，感生出的前五組數(shù)據(jù)(8ys，2.5V)、(11 μ s，-0.7V)、 (14μ s,2V), (17 μ S, -IV), (20μ s,0. 7V)經(jīng)過對電壓幅值的歸一化，得到電壓比率依次為 1、0· 28,0. 8,0. 4,0. 28。按照峰值位置和峰值幅值(本實施例指的是峰值幅值的比率)將 坐標空間劃分為不同的區(qū)域，每個區(qū)域與特定的峰值位置和峰值幅值相對應，并可以標注 對應的編號。如圖14所示，編號為11的區(qū)間范圍為(2. 5ys，7. 5ys]，(0. 1，0. 3]，編號 12 的區(qū)間范圍為(2. 5 μ s，7. 5 μ s]，(0. 3,0. 5]，編號 21 的區(qū)間范圍為(7. 5 μ s，12. 5 μ s]， (0· 1,0. 3]，以此類推。
在本實施例中，假設預設的防偽編碼為(25、21、34、32、41)，即圖14中標為3A的 點，如果檢測出的編碼為(25、21、34、32、41)，與預設的防偽編碼相同，則可以確定為真的編 碼材料，如果檢測出的編碼(35、32、42、51、51)，即圖14中標為3C的點，則可以確定為假的 編碼材料。上述實施例既不要求防偽材料中非晶合金細長材料有特定順序，也避免了在對防 偽材料進行防偽檢測時，褶皺或者傾斜等帶來的誤報問題。在上述各項實施例中，還可以進一步增加報警裝置，報警裝置可以與防偽信號判 斷裝置9相連，當確定所述防偽材料為假防偽材料時，可以啟動報警裝置進行報警，報警裝 置可以采用蜂鳴器、LED等方式。最后應當說明的是以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術方案而非對其限制；盡 管參照較佳實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，所屬領域的普通技術人員應當理解依然 可以對本發(fā)明的具體實施方式
進行修改或者對部分技術特征進行等同替換；而不脫離本發(fā) 明技術方案的精神，其均應涵蓋在本發(fā)明請求保護的技術方案范圍當中。
10
權利要求
一種防偽檢測系統(tǒng)，包括激勵磁場發(fā)生裝置，用于產(chǎn)生激勵磁場；感測信號提取裝置，用于在將防偽材料置入所述激勵磁場時，提取所述防偽材料中的非晶合金細長材料在所述激勵磁場中感生出的感生電壓信號，其中所述非晶合金細長材料的長度方向與所述激勵磁場方向一致；防偽信號判斷裝置，用于判斷所述感生電壓信號的衰減方式是否符合預設要求，是則確定所述防偽材料為真防偽材料，否則確定所述防偽材料為假防偽材料。
2.根據(jù)權利要求1所述的防偽檢測系統(tǒng)，其中所述激勵磁場發(fā)生裝置至少包括信號發(fā) 生器和激勵線圈，所述信號發(fā)生器的輸出端與激勵線圈相連，其中所述信號發(fā)生器至少包 括信號產(chǎn)生電路，用于產(chǎn)生防偽檢測所需頻率的信號； 濾波器，用于對所述信號進行工頻段干擾的濾除；放大電路，用于對濾除干擾后的所述信號進行信號放大，并輸出放大后的信號。
3.根據(jù)權利要求2所述的防偽檢測系統(tǒng)，其中所述激勵線圈為亥姆赫茲線圈或螺線管。
4.根據(jù)權利要求2所述的防偽檢測系統(tǒng)，其中所述感測信號提取裝置至少包括感測線 圈和信號提取電路，所述感測線圈設于所述激勵線圈的中空部分，且所述感測線圈的軸線 與所述激勵磁場的方向平行，所述信號提取電路與所述感測線圈的輸出端相連，其中所述 信號提取電路至少包括信號接收機，與所述感測線圈阻抗匹配，接收感生出的感生電壓信號； 濾波器，用于對所述感生電壓信號進行濾波； 放大器，用于對濾波后的感生電壓信號進行放大；模數(shù)轉換器，用于對放大后的感生電壓信號進行模數(shù)轉換，獲得轉換后的數(shù)字信號。
5.根據(jù)權利要求4所述的防偽檢測系統(tǒng)，其中所述感測線圈為串連反接的兩個線圈。
6.根據(jù)權利要求1所述的防偽檢測系統(tǒng)，其中所述防偽信號判斷裝置至少包括數(shù)據(jù)存儲模塊，用于對從所述感測信號提取裝置輸出的一組感生電壓信號進行存儲， 所述一組感生電壓信號包括多個周期的感生電壓信號；衰減方式匹配模塊，用于判斷所述一組感生電壓信號的峰值絕對值是否符合沿時間增 加的方向非依次遞減的要求，是則確定所述防偽材料為真防偽材料，否則確定所述防偽材 料為假防偽材料。
7.根據(jù)權利要求6所述的防偽檢測系統(tǒng)，其中所述防偽信號判斷裝置還包括信號初識 別模塊，用于預先對從所述感測信號提取裝置輸出的本周期的感生電壓信號進行防偽材料 的識別，如果識別結果為防偽材料，那么輸出所述本周期的感生電壓信號到所述數(shù)據(jù)存儲 模塊，否則繼續(xù)采集下一周期的感生電壓信號。
8.根據(jù)權利要求6所述的防偽檢測系統(tǒng)，其中所述防偽信號判斷裝置還包括 防偽編碼匹配模塊，用于提取所述感生電壓信號中的前η個峰值位置和峰值幅值，η為正整數(shù)，并將所述前η個峰值位置和峰值幅值與預設的防偽編碼表進行匹配編碼，判斷 該編碼是否符合預設的防偽編碼，其中所述防偽編碼表由多組峰值位置和峰值幅值進行劃 分，如果符合，則確定所述防偽材料為真防偽材料，否則確定所述防偽材料為假防偽材料。2
9.根據(jù)權利要求8所述的防偽檢測系統(tǒng)，所述防偽編碼匹配模塊還進一步包括歸一化模塊，用于在將所述前η個峰值位置和峰值幅值與預設的防偽編碼表進行匹配 編碼之前，還包括對所述前η個峰值位置和/或峰值幅值進行歸一化的操作。
10.根據(jù)權利要求1-9任一所述的防偽檢測系統(tǒng)，其中還包括報警裝置，與所述防偽信 號判斷裝置相連，用于當確定所述防偽材料為假防偽材料時，啟動報警操作。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種防偽檢測系統(tǒng)，包括激勵磁場發(fā)生裝置，用于產(chǎn)生激勵磁場；感測信號提取裝置，用于在將防偽材料置入所述激勵磁場時，提取所述防偽材料中的非晶合金細長材料在所述激勵磁場中感生出的感生電壓信號，其中所述非晶合金細長材料的長度方向與所述激勵磁場方向一致；防偽信號判斷裝置，用于判斷所述感生電壓信號的衰減方式是否符合預設要求，是則確定所述防偽材料為真防偽材料，否則確定所述防偽材料為假防偽材料。本發(fā)明以非晶合金感生出的電壓信號的衰減情況作為防偽材料真?zhèn)蔚呐袛嘁罁?jù)，這既不要求防偽材料中非晶合金細長材料有特定順序，也避免了在對防偽材料進行防偽檢測時，褶皺或者傾斜等帶來的誤報問題。
文檔編號G01R19/25GK101900756SQ20091015812
公開日2010年12月1日 申請日期2009年7月13日 優(yōu)先權日2009年5月27日
發(fā)明者盧志超, 周少雄, 張俊峰, 張宏浩, 李德仁, 種挺, 陳征 申請人:安泰科技股份有限公司