專利名稱：晶圓中斷測試后再工事時快速處理的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種半導體測試方法，具體涉及一種晶圓中斷測試后再工事時快速處 理的方法。
背景技術：
在晶圓制造完成之后，測試是非常重要的步驟。測試是晶圓生產(chǎn)過程的成績單。 在測試過程中，每一個芯片的電性能力和電路機能都被檢測到。晶圓測試也就是芯片測試 (芯片sort)或晶圓電測(晶圓sort)。在測試時，晶圓被固定在真空吸力的卡盤上，并與很薄的測試裝置電測器對準，同 時測試裝置與芯片的每一個焊接墊相接觸。電測器在電源的驅動下測試電路并記錄下結 果。測試的數(shù)量、順序和類型由計算機程序控制。測試機是自動化的，所以在測試裝置電測 器與第一片晶圓對準后(人工對準或使用自動視覺系統(tǒng))的測試工作無須操作員的輔助。測試是為了以下三個目標。第一，在晶圓送到封裝工廠之前，鑒別出合格的芯片。 第二，器件/電路的電性參數(shù)進行特性評估。工程師們需要監(jiān)測參數(shù)的分布狀態(tài)來保持工 藝的質(zhì)量水平。第三，芯片的合格品與不良品的核算會給晶圓生產(chǎn)人員提供全面業(yè)績的反 饋。合格芯片與不良品在晶圓上的位置在計算機上以晶圓圖的形式記錄下來。晶圓測試是主要的芯片良品率統(tǒng)計方法之一。隨著芯片的面積增大和密度提高使 得晶圓測試的費用越來越大。這樣一來，芯片需要更長的測試時間以及更加精密復雜的電 源、機械裝置和計算機系統(tǒng)來執(zhí)行測試工作和監(jiān)控測試結果。視覺檢查系統(tǒng)也是隨著芯片 尺寸擴大而更加精密和昂貴。芯片的設計人員被要求將測試模式引入存儲陣列。測試的設 計人員在探索如何將測試流程更加簡化而有效，例如在芯片參數(shù)評估合格后使用簡化的測 試程序，另外也可以隔行測試晶圓上的芯片，或者同時進行多個芯片的測試。在目前的技術中，晶圓的測試信息是在一枚晶圓測試完畢后才上傳到測試數(shù)據(jù)管 理系統(tǒng)的。當一枚晶圓只測試了一部分的情況下，測試系統(tǒng)突然下電，則已經(jīng)完成的測試結 果將會丟失。如圖1所示的是一個晶圓的測試示意圖，陰影部分為已經(jīng)測試完的，白色部分 為系統(tǒng)原因未能進行測試的部分。特別是像有些產(chǎn)品測試時間很長，達到六個小時左右的情況下，重新測試意味著 產(chǎn)能的極大損耗。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種晶圓中斷測試后再工事時快速處理的方 法，其可以改善進行測試的效率。為了解決以上技術問題，本發(fā)明提供了一種晶圓中斷測試后再工事時快速處理的 方法；包括以下步驟步驟一、測試過程中把晶圓的實時測試結果依次記錄到指定的文件 中，并保存已測試芯片的信息；步驟二、在每個晶圓在測試前，傳遞一個標志位給測試裝置， 判斷測試裝置對該枚晶圓要進行的操作是否是再工事操作；如果不是再工事操作，直接對3每個芯片進行測試；步驟三、如果是再工事操作，則依次讀取步驟一所述文件中的信息，并 把所述信息傳輸給晶圓中的相應的芯片，直到所述文件中保存的上次操作的最后一個芯片 的信息；步驟四、所有被測試過的芯片處理完畢后，開始對剩余的芯片進行測試，并按步驟 一所述將測試信息保存在指定的文件，直到測試結束。本發(fā)明的有益效果在于對已經(jīng)測試完畢的芯片進行快速處理，極大提高了測試 效率。


下面結合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細說明。圖1是晶圓進行測試的示意圖；圖2是本發(fā)明實施例所述流程的示意圖。
具體實施例方式本發(fā)明要解決的問題是晶圓的測試信息是在一枚晶圓測試完畢后才上傳到測試 數(shù)據(jù)管理系統(tǒng)的。當一枚晶圓只測試了一部分的情況下，測試系統(tǒng)突然遇到下電等故障，則 已經(jīng)完成的測試結果將會丟失。特別是像有些產(chǎn)品測試時間很長，達到六個小時左右的情 況下，重新測試意味著產(chǎn)能的極大損耗。本發(fā)明所述的方法在重新啟動測試后，快速定義完畢之前測試過的芯片信息，之 后再通過正常的流程完成后續(xù)的測試。包括以下步驟1)在測試過程中，當每個芯片測試完畢后，均會實時追加保存測試結果到下述 format的文件中，文件的名字以“l(fā)og號+slot號”命名。需要把晶圓的測試結果按照表1 的格式記錄到指定的文件中(“l(fā)og號+slot號”)，并保存到硬盤上。
權利要求
1.一種晶圓中斷測試后再工事時快速處理的方法；其特征在于，包括以下步驟 步驟一、測試過程中把晶圓的實時測試結果依次記錄到指定的文件中，并保存已測試芯片的信息；步驟二、在每個晶圓在測試前，傳遞一個標志位給測試裝置，判斷測試裝置對該枚晶圓 要進行的操作是否是再工事操作；如果不是再工事操作，直接對每個芯片進行測試；步驟三、如果是再工事操作，則依次讀取步驟一所述文件中的信息，并把所述信息傳輸 給晶圓中的相應的芯片，直到所述文件中保存的上次操作的最后一個芯片的信息；步驟四、所有被測試過的芯片處理完畢后，開始對剩余的芯片進行測試，并按步驟一所 述將測試信息保存在指定的文件，直到測試結束。
2.如權利要求1所述的晶圓中斷測試后再工事時快速處理的方法；其特征在于，所述 晶圓的實時測試信息包括每一枚被測芯片的行信息、列信息和針腳信息。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種晶圓中斷測試后再工事時快速處理的方法；包括以下步驟步驟一、測試過程中把晶圓的實時測試結果依次記錄到指定的文件中，并保存已測試芯片的信息；步驟二、在每個晶圓在測試前，判斷測試裝置對該晶圓要進行的操作是否是再工事操作；如果不是再工事操作，直接對每個芯片進行測試；步驟三、如果是再工事操作，則依次讀取步驟一所述文件中的信息，并把所述信息傳輸給晶圓中的相應的芯片，直到所述文件中保存的上次操作的最后一個芯片的信息；步驟四、所有被測試過的芯片處理完畢后，開始對剩余的芯片進行測試，并按步驟一所述將測試信息保存在指定的文件。本發(fā)明對已經(jīng)測試完畢的芯片進行快速處理，極大提高了測試效率。
文檔編號G01R31/26GK102053217SQ20091020176
公開日2011年5月11日 申請日期2009年11月5日 優(yōu)先權日2009年11月5日
發(fā)明者?？Ｖ? 辛吉升 申請人:上海華虹Nec電子有限公司