專利名稱：：地磁檢測裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種安裝在例如移動(dòng)電話設(shè)備中用于測定方位的地磁傳感器，并且涉及一種使用存儲(chǔ)在熔絲式存儲(chǔ)器中的偏移值來校正測定值的地磁傳感器校正方法。本申請(qǐng)要求2004年10月7日提交的申請(qǐng)?zhí)枮?004-295139的日本專利申請(qǐng)、2004年10月12日提交的申請(qǐng)?zhí)枮?004-297981的日本專利申請(qǐng)和2005年3月30日提交的申請(qǐng)?zhí)枮?005-99092的日本專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，它們的內(nèi)容以引用方式并入本文。本發(fā)明還涉及一種用于對(duì)安裝在例如移動(dòng)電話設(shè)備中用于測定方位的地磁傳感器進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)臏囟葌鞲衅?，并且涉及一種使用存儲(chǔ)在熔絲式存儲(chǔ)器中的初始值和校正值來校正測定值的溫度傳感器校正方法。本發(fā)明還涉及一種具有用來檢測地磁的正交軸分量的地磁檢測元件的地磁檢測裝置，特別涉及一種具有熱變成型(thermalmetamorphictype)非易失性存儲(chǔ)元件的地磁檢測裝置，所述熱變成型非易失性存儲(chǔ)元件用來存儲(chǔ)與地磁檢測元件的檢測輸出相關(guān)的校正信息。
背景技術(shù)：
：近年來，人們?cè)絹碓绞煜ぶT如移動(dòng)電話之類的便攜式信息終端。這些便攜式信息終端設(shè)置有用來檢測地磁的地磁傳感器，并且根據(jù)該地磁傳感器檢測到的地磁進(jìn)行方位測定。將測定的方位用在例如地圖顯示中。舉例來說，出現(xiàn)了具有以下功能的移動(dòng)電話，所述功能為基于進(jìn)行位置檢測的GPS(全球定位系統(tǒng))而獲得的當(dāng)前位置信息，并根據(jù)移動(dòng)電話方向(方位)來顯示地圖。順便提一下，地磁傳感器的特性根據(jù)芯片的不同而不同，并且應(yīng)該通過某種裝置來校正這些特性。例如，結(jié)合有地磁傳感器的移動(dòng)電話在不改變水平狀態(tài)的情況下，在固定磁場中以勻速緩慢旋轉(zhuǎn)一圈或多圈時(shí)，根據(jù)其輸出所繪制的圓被稱作方位圓，所述地磁傳感器具有沿著的水平面中的兩個(gè)軸(X軸和Y軸方向)的地磁檢測方向作為傳感方向。該類方位圓理想的圓心是X軸和Y軸所交叉的原點(diǎn)，并且具有指定半徑。然而，如上所述，地磁傳感器的特性根據(jù)芯片的不同而不同，并且移動(dòng)電話內(nèi)部存在磁場。由于特性上存在該差異而且存在前述磁場，所以，所述方位圓的圓心偏離原點(diǎn)。該偏離被稱作偏移，并且該偏離值被稱作偏移值。當(dāng)存在這種偏移時(shí)，根據(jù)沒有偏移這樣的假設(shè)，基于地磁傳感器的測定值而計(jì)算出的方位與實(shí)際方位不同。因此，地磁傳感器根據(jù)測定值校正所述偏移。由于在此通過從測定值中減去偏移值而對(duì)來自地磁傳感器的測定值的偏移進(jìn)行校正，所以，需要將用于所述校正的偏移值存儲(chǔ)在地磁傳感器中，所述偏移值是通過根據(jù)多個(gè)測定值進(jìn)行數(shù)字計(jì)算而獲得的，所述多個(gè)測定值是通過旋轉(zhuǎn)所述移動(dòng)電話而獲得的。因此，通過把用于檢測地磁(磁場)的地磁傳感器元件和運(yùn)算單元、A/D轉(zhuǎn)換器和EEPROM(電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)相結(jié)合，而在一個(gè)芯片上構(gòu)成傳統(tǒng)的地磁傳感器，所述運(yùn)算單元用于根據(jù)所述地磁傳感器元件的測定值計(jì)算偏移值，所述A/D轉(zhuǎn)換器用于對(duì)所述偏移值進(jìn)行A/D(模/數(shù))轉(zhuǎn)換，所述EEPROM用于存儲(chǔ)已被A/D轉(zhuǎn)換的偏移值。然而，在傳統(tǒng)的地磁傳感器中，存儲(chǔ)有前述偏移值的EEPROM將隧道絕緣膜之類的薄氧化膜應(yīng)用于存儲(chǔ)單位(memoryunit)，并且把用于在芯片上形成位線和字線的多晶硅層和金屬層層疊為幾層。因此，需要特殊工藝來制造所述芯片，這導(dǎo)致了芯片單價(jià)高的問題。而且，EEPROM需要用于進(jìn)行寫入的高壓產(chǎn)生電路、寫入電路等，這導(dǎo)致了進(jìn)一步的問題，即，芯片尺寸增大，并且用于驅(qū)動(dòng)EEPROM的地磁傳感器系統(tǒng)規(guī)模增大。傳統(tǒng)上，在半導(dǎo)體芯片上形成的溫度傳感器中，使用了例如圖12所示的溫度傳感器電路212。溫度傳感器電路212由運(yùn)算放大器0A、二極管D1-D2、電阻器R1-R3和A/D(模/數(shù))轉(zhuǎn)換器ADC構(gòu)成。由運(yùn)算放大器0A、二極管Dl-D2、電阻器Rl-R3構(gòu)成了通常的帶隙參考電路(bandg即referencecircuit)。運(yùn)算放大器OA的非反相輸入端與二極管D1的正極相連接，并且二極管D1的負(fù)極接地。運(yùn)算放大器OA的反相輸入端與電阻器R3的一端相連接，電阻器R3的另一端與二極管D2的正極相連接，并且二極管D2的負(fù)極接地。運(yùn)算放大器OA的輸出端通過電阻器Rl與非反相輸入端相連接，并且通過電阻器R2與反相輸入端相連接。用于輸出所述帶隙參考電路的輸出電壓Vref的輸出端OpVref與運(yùn)算放大器OA的輸出端相連接，同時(shí)用于將所述電壓Vbe輸出到二極管Dl的輸出端OpVbe與運(yùn)算放大器OA的非反相輸入端相連接。所述帶隙參考電路的輸出端OpVref與A/D轉(zhuǎn)換器ADC的輸入端IpVh相連接，并且所述帶隙參考電路的輸出端OpVbe與A/D轉(zhuǎn)換器ADC的輸入端IpVl相連接。A/D轉(zhuǎn)換器ADC對(duì)輸入到輸入端IpVh的電壓和輸入到輸入端IpVl的電壓的差的電壓Vin進(jìn)行A/D(模/數(shù))轉(zhuǎn)換，并且A/D轉(zhuǎn)換器ADC設(shè)置有用于輸出輸出值Dout的輸出端OpDout，輸出值Dout為輸出電壓的轉(zhuǎn)換值。前述A/D轉(zhuǎn)換器ADC將電壓Vin的范圍設(shè)置為0_1.25V，對(duì)所述電壓Vin進(jìn)行1251級(jí)(st印)(0-1250)A/D轉(zhuǎn)換，并且輸出輸出值Dout。接下來，說明溫度傳感器電路212的操作。包括運(yùn)算放大器0A、二極管Dl-D2、電阻器R1-R3的帶隙參考電路把源電壓和溫度依存性很低的輸出電壓Vref(=1.25V)從輸出端OpVref輸出到A/D轉(zhuǎn)換器ADC的輸入端IpVh，把具有大約_21^/1:溫度系數(shù)的輸出電壓Vbe從輸出端OpVbe輸出到A/D轉(zhuǎn)換器ADC的輸入端IpVl。其后，A/D轉(zhuǎn)換器ADC對(duì)作為輸出電壓Vref和輸出電壓Vbe的差的電壓的電壓Vin進(jìn)行1251級(jí)A/D轉(zhuǎn)換，并且輸出輸出值Dout。此時(shí)，由于輸出電壓Vref具有很低的源電壓和溫度依存性，所以可將其看作常量，并且由于輸出電壓Vbe具有大約-2mV/°C的溫度系數(shù)，所以電壓Vin根據(jù)與輸出電壓Vbe對(duì)應(yīng)的溫度而改變。因此，輸出值Dout根據(jù)溫度變化。由于這個(gè)原因，如果假設(shè)當(dāng)環(huán)境溫度為25t:時(shí)輸出電壓Vbe為0.6V，則輸出值Dout將如以下公式(21)所示。Dout=-2(T-25)+600......(21)根據(jù)公式(21)，當(dāng)環(huán)境溫度為3(TC時(shí)，輸出電壓Vbe為0.59，并且輸出值Dout為590。作為該發(fā)明的相關(guān)文獻(xiàn)，例如，日本專利申請(qǐng)2004-85384記錄了一種溫度傳感器電路，其中，由結(jié)合了熔絲和所述電阻器組的熔絲電路對(duì)電阻器組的分壓比進(jìn)行調(diào)整，其中，制造處理差異的影響可被消除，并且能夠通過由所述熔絲電路所調(diào)整的輸出電壓來進(jìn)行高精度溫度補(bǔ)償。然而，在前述溫度傳感器電路212中，關(guān)于內(nèi)部帶隙參考電路的輸出電壓Vref和二極管Dl的相關(guān)電壓Vbe，電壓值和溫度特性具有各自的變化，這導(dǎo)致難以對(duì)作為測定值的輸出值Dout的準(zhǔn)確度進(jìn)行改善的問題。通常，在芯片上安裝兩個(gè)正交軸方向的磁傳感器以進(jìn)行地磁檢測的LSI(大規(guī)模集成電路)具有校正地磁傳感器的靈敏度的手段。作為一種通過算術(shù)處理來對(duì)磁傳感器的檢測輸出進(jìn)行校正的技術(shù)，例如，記錄在同一日本專利申請(qǐng)2000-180170中的一種技術(shù)。根據(jù)記錄在該文獻(xiàn)中的技術(shù)，如下對(duì)X軸檢測部分的檢測輸出進(jìn)行校正。即，磁傳感器的檢測范圍按每90。而分割為4塊，X軸檢測部分的最大輸出電壓值為Al，并且在從Y軸檢測部分的輸出值為0的位置旋轉(zhuǎn)90°的點(diǎn)處，X軸檢測部分的輸出電壓值為A2。根據(jù)輸出電壓值A(chǔ)2處于+側(cè)的情況、處于一側(cè)的情況、和為無窮小的情況來進(jìn)行分類。在+側(cè)的情況下，將公式(301)用作校正公式；在一側(cè)的情況下，將公式(302)用作校正公式；并且在無窮小的情況下，不進(jìn)行校正。[ABS(A3)+ABS(A2)]Z..(301)[ABS(A3)+ABS(A2)]/Z.(302)假設(shè)A3為X軸檢測部分的實(shí)際測定輸出，并且Z為公式(303)示出的校正參數(shù)。Z=Al/[A1-ABS(A2)](303)通過相同的技術(shù)對(duì)Y軸進(jìn)行校正，并且對(duì)X軸檢測部分和Y軸檢測部分的正交度進(jìn)行校正。在以該方式通過算術(shù)處理對(duì)磁傳感器的檢測輸出進(jìn)行校正的情況下，例如可采用如下模式，即，在發(fā)貨檢驗(yàn)(shipmentinspection)時(shí)測定校正數(shù)據(jù)、并且將該校正數(shù)據(jù)寫到安裝在LSI中的非易失性存儲(chǔ)器中。順便提一下，關(guān)于這種LSI，近來，一種安裝了熔絲式存儲(chǔ)器的LSI已經(jīng)變得可用，該熔絲式存儲(chǔ)器用于接收低壓產(chǎn)生的請(qǐng)求，并且作為即使處在低壓情況下也允許對(duì)其進(jìn)行適當(dāng)?shù)淖x取的非易失性存儲(chǔ)器。然而，與前述優(yōu)點(diǎn)相比，熔絲式存儲(chǔ)器針對(duì)在寫入期間使用的熔絲切斷需要大容量晶體管，而且關(guān)注電路規(guī)模也是必要的。因此，通過將發(fā)貨檢驗(yàn)時(shí)獲得的校正數(shù)據(jù)值寫到熔絲式存儲(chǔ)器中而不作改變的模式，需要大量熔絲式存儲(chǔ)器，這不便于電路設(shè)計(jì)。
發(fā)明內(nèi)容根據(jù)前述情況而作出本申請(qǐng)的第一組發(fā)明，并且其目的在于提供一種更小型和更便宜的地磁傳感器和地磁傳感器校正方法，無需在通過具有內(nèi)置熔絲式存儲(chǔ)器并存儲(chǔ)偏移值等而制造的芯片中進(jìn)行特殊處理，就使整個(gè)存儲(chǔ)器系統(tǒng)規(guī)模更小，。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出以下手段。本申請(qǐng)的第一組發(fā)明包括地磁檢測裝置，用于檢測地磁；熔絲式存儲(chǔ)器，該熔絲6式存儲(chǔ)器具有多個(gè)存儲(chǔ)單位，其能夠以可選擇的方式使各個(gè)所述存儲(chǔ)單位電氣斷開或電氣連接，以根據(jù)電氣斷開或電氣連接的狀態(tài)來將指定數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在各個(gè)所述存儲(chǔ)單位；校正數(shù)據(jù)寫入裝置，用于在制造時(shí)輸入所述地磁檢測裝置的測定值，基于所述測定值獲得對(duì)地磁檢測裝置的測定值的溫度特性進(jìn)行校正的校正值，并且根據(jù)所述校正值，通過對(duì)包含在所述熔絲式存儲(chǔ)器中的各個(gè)存儲(chǔ)單位選擇性地進(jìn)行電氣斷開或電氣連接，來將所述校正值寫入到所述熔絲式存儲(chǔ)器中；校正數(shù)據(jù)讀取裝置，用于在制造之后的實(shí)際使用時(shí)，從所述熔絲式存儲(chǔ)器讀取所述校正值；以及校正裝置，用于在實(shí)際使用時(shí)輸入所述地磁檢測裝置的測定值，并且基于由所述校正數(shù)據(jù)讀取裝置讀取的校正值來校正所述地磁檢測裝置的測定值。通過本發(fā)明，在制造地磁傳感器時(shí)，校正數(shù)據(jù)寫入裝置從用來校正所述測定值的地磁檢測裝置的測定值中獲得校正值，并且使用熔絲式存儲(chǔ)器進(jìn)行寫入，同時(shí)通過物理地?cái)嚅_與所述校正值對(duì)應(yīng)的熔絲來保證所述校正值的可保存性。在實(shí)際使用地磁傳感器時(shí)，校正數(shù)據(jù)讀取裝置從熔絲式存儲(chǔ)器讀取校正值，并且校正裝置基于所述校正值校正地磁檢測裝置的測定值。本申請(qǐng)的第一組發(fā)明還包括用于校正已記錄的地磁傳感器的測定值的地磁傳感器校正方法，所述地磁傳感器還設(shè)置有用于檢測溫度的溫度測定裝置，所述地磁傳感器校正方法包括以下步驟在制造所述地磁傳感器時(shí)，預(yù)先獲得所述溫度測定裝置的靈敏度特性，并且將其存儲(chǔ)在所述熔絲式存儲(chǔ)器中的步驟；根據(jù)存儲(chǔ)在所述熔絲式存儲(chǔ)器中的靈敏度特性數(shù)據(jù)來校正所述溫度測定裝置的靈敏度特性的步驟；以及根據(jù)所述地磁傳感器的溫度來校正磁靈敏度的偏移，并且將所述校正的偏移存儲(chǔ)在所述熔絲式存儲(chǔ)器中的步驟。通過該發(fā)明，預(yù)先獲得設(shè)置在地磁傳感器中的溫度測定裝置的靈敏度特性，并且在制造地磁傳感器時(shí)將其存儲(chǔ)在熔絲式存儲(chǔ)器中；根據(jù)所述靈敏度特性數(shù)據(jù)來校正溫度測定裝置的靈敏度特性；根據(jù)所述溫度來校正具有溫度特性的地磁傳感器的溫度偏移；以及將所述偏移存儲(chǔ)在熔絲式存儲(chǔ)器中。本申請(qǐng)的第一組發(fā)明還包括用于校正地磁傳感器的測定值的地磁傳感器校正方法，其具有下述步驟其中，在制造所述地磁傳感器時(shí)，基于零磁場中的測定值，來對(duì)測定值進(jìn)行校正。通過本發(fā)明，在制造地磁傳感器時(shí)，基于零磁場中的測定值來校正測定值。本申請(qǐng)的第一組發(fā)明具有以下效果基于由熔絲式存儲(chǔ)器存儲(chǔ)的地磁檢測裝置的測定值的校正值來校正地磁檢測裝置的測定值，并且可正確地獲得地磁檢測裝置的測定值。對(duì)于傳統(tǒng)的地磁傳感器，與在EEPROM中存儲(chǔ)偏移值相比較，還具有這樣的效果當(dāng)制造芯片時(shí)不需要特殊工藝，并且可使用普通的C-MOS工藝來制造所述芯片。而且，有這樣的效果不需要用于寫入的高壓產(chǎn)生電路、寫入電路等，且可力爭使得存儲(chǔ)器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的規(guī)模更小。而且，由于通過物理地?cái)嚅_熔絲來存儲(chǔ)校正值，所以有這樣的效果可消除所述校正值隨著時(shí)間而改變的情況。通過本申請(qǐng)的第一組發(fā)明，由于由把所述地磁傳感器的靈敏度特性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在熔絲式存儲(chǔ)器中的溫度測定裝置來校正地磁傳感器的偏移，由于所述偏移存儲(chǔ)在熔絲式存儲(chǔ)器中，并且由于用所述偏移來校正地磁傳感器的測定值時(shí)，所以有這樣的效果即使與溫度相關(guān)，也可在每一芯片中精確進(jìn)行對(duì)所述地磁傳感器的測定。根據(jù)本申請(qǐng)的第一組發(fā)明，本發(fā)明具有這樣的效果在制造地磁傳感器時(shí)校準(zhǔn)零磁場中的測定值，并且可進(jìn)行更精確的測定。以下，在本說明書中，用于將電氣連接狀態(tài)改變?yōu)殡姎鈹嚅_狀態(tài)的所謂熔絲、和用于將電氣斷開狀態(tài)改變?yōu)殡姎膺B接狀態(tài)的反熔絲(anti-fuse)都被稱作熔絲而不作特別區(qū)分，并且采用這種結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器被稱作熔絲式存儲(chǔ)器。"熔絲物理地?cái)嚅_"指的是如下手段，S卩，用于對(duì)熔絲元件執(zhí)行電氣斷開的裝置使用物理手段把形成該熔絲元件的材料的電氣連接斷開，或者包括通過生成高電阻來阻止導(dǎo)電直至可判斷出實(shí)質(zhì)上已經(jīng)出現(xiàn)斷開的狀態(tài)，所述物理手段包括在電子上、或使用諸如激光束的能量束、或使用與來自電子槍和FIB(聚焦離子束)等的電子束類似的電荷束來執(zhí)行所述電氣斷開的物理手段。根據(jù)前述情況，進(jìn)行本申請(qǐng)的第二組發(fā)明，其目的在于提供一種溫度傳感器和一種溫度傳感器校正方法，能夠通過提供熔絲式存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)初始值和校正值、并且根據(jù)所述初始值和校正值校正所述測定值，針對(duì)測定值來校正變化并試圖提高精確度。為了實(shí)現(xiàn)前述目的，本發(fā)明提供以下手段。本申請(qǐng)的第二組發(fā)明包括溫度檢測裝置，用于檢測溫度；熔絲式存儲(chǔ)器，其為具有多個(gè)存儲(chǔ)單位的熔絲式存儲(chǔ)器，其能夠選擇性地使各個(gè)所述存儲(chǔ)單位電氣斷開或電氣連接，以根據(jù)各個(gè)所述存儲(chǔ)單位中的電氣斷開或電氣連接的狀態(tài)來存儲(chǔ)指定數(shù)據(jù)；校正數(shù)據(jù)寫入裝置，用于在制造時(shí)輸入所述溫度檢測裝置的測定值，基于所述測定值來獲得對(duì)所述溫度檢測裝置的測定值進(jìn)行校正的初始值，基于所述測定值來獲得對(duì)所述溫度檢測裝置的靈敏度特性進(jìn)行校正的校正值，并且根據(jù)所述初始值和所述校正值，通過對(duì)包含在所述熔絲式存儲(chǔ)器中的各個(gè)存儲(chǔ)單位選擇性地進(jìn)行電氣斷開或電氣連接，來將所述初始值和所述校正值寫入到所述熔絲式存儲(chǔ)器中；校正數(shù)據(jù)讀取裝置，用于在制造之后的實(shí)際使用時(shí)，從所述熔絲式存儲(chǔ)器讀取所述初始值和校正值；以及校正裝置，用于在所述實(shí)際使用時(shí)輸入所述溫度檢測裝置的測定值，并且基于由所述校正數(shù)據(jù)讀取裝置讀取的初始值和校正值來對(duì)所述溫度檢測裝置的測定值進(jìn)行校正。根據(jù)本發(fā)明，在制造溫度傳感器之前，校正數(shù)據(jù)寫入裝置從溫度檢測裝置的測定值中獲得用于校正所述溫度檢測裝置的測定值的初始值，根據(jù)所述測定值獲得用于對(duì)所述溫度檢測裝置的靈敏度特性進(jìn)行校正的校正值，并且將它們寫入熔絲式存儲(chǔ)器。在實(shí)際使用溫度傳感器時(shí)，校正數(shù)據(jù)讀取裝置從熔絲式存儲(chǔ)器讀取初始值和校正值，并且校正裝置基于所述初始值和校正值來校正溫度檢測裝置的測定值，其結(jié)果是能夠減少各個(gè)溫度傳感器中的溫度特性的變化，并且能夠減少各個(gè)溫度傳感器中測定值的差。本申請(qǐng)的第二組發(fā)明還包括用于校正溫度傳感器中的測定數(shù)據(jù)的溫度傳感器校正方法，所述溫度傳感器包括溫度檢測裝置，用于檢測溫度；控制裝置，用于處理所述溫度檢測裝置的測定值；以及熔絲式存儲(chǔ)器，用于允許通過電流流動(dòng)來選擇性地進(jìn)行電氣斷開，并且根據(jù)電氣斷開狀態(tài)來存儲(chǔ)由所述校正裝置在校正中所使用的校正數(shù)據(jù)，所述溫度傳感器校正方法包括以下步驟在制造時(shí)由所述控制裝置輸入所述溫度檢測裝置的測定值，基于所述測定值來獲得對(duì)所述溫度檢測裝置的測定值變化進(jìn)行校正的初始值，基于所述測定值來獲得用于校正所述溫度檢測裝置的靈敏度變化的校正值，以及根據(jù)所述初始值和所述校正值，通過對(duì)所述熔絲式存儲(chǔ)器進(jìn)行電氣斷開來將所述初始值和所述校正值寫入8所述熔絲式存儲(chǔ)器的步驟；在制造之后的實(shí)際使用時(shí)，由所述控制裝置從所述熔絲式存儲(chǔ)器讀取所述初始值和校正值的步驟；以及在所述實(shí)際使用時(shí)，由所述控制裝置輸入所述溫度檢測裝置的測定值，并且基于由所述校正數(shù)據(jù)讀取裝置所讀取的初始值和校正值來校正所述溫度檢測裝置的測定值的步驟。通過本發(fā)明，在制造溫度傳感器之前，校正數(shù)據(jù)寫入裝置從溫度檢測裝置的測定值中獲得用于校正溫度檢測裝置的測定值的初始值，根據(jù)所述測定值獲得用于校正溫度檢測裝置的靈敏度特性的校正值，并且將它們寫到熔絲式存儲(chǔ)器中；在實(shí)際使用溫度傳感器時(shí)，校正數(shù)據(jù)讀取裝置從熔絲式存儲(chǔ)器讀取初始值和校正值；并且校正裝置基于所述初始值和校正值來校正溫度檢測裝置的測定值。因此，可減少各個(gè)溫度傳感器中溫度特性的變化，并且可減少各個(gè)溫度傳感器中測定值的差。本申請(qǐng)的第二組發(fā)明也是溫度傳感器校正方法，其中，所述校正數(shù)據(jù)寫入步驟包括以下處理從與所述溫度檢測裝置的第一溫度相關(guān)的測定值中減去與溫度檢測裝置的第一溫度相關(guān)的預(yù)設(shè)的邏輯值，并計(jì)算所述校正值的處理；將通過從與所述溫度檢測裝置的第二溫度相關(guān)的測定值中減去與所述溫度檢測裝置的第一溫度相關(guān)的測定值而獲得的值，除以通過從所述第二溫度中減去所述第一溫度而獲得的值的處理；以及根據(jù)所述初始值和所述校正值，通過選擇性地使包含在所述熔絲式存儲(chǔ)器中的各個(gè)存儲(chǔ)單位電氣斷開或電氣連接，來將所述初始值和所述校正值寫入所述熔絲式存儲(chǔ)器的處理。通過本發(fā)明，在校正數(shù)據(jù)寫入步驟，根據(jù)第一溫度和第二溫度計(jì)算初始值和校正值，將所述溫度下的溫度檢測裝置的測定值、第一溫度下的溫度檢測裝置的理論值、溫度檢測裝置的靈敏度的理論值和相關(guān)值寫入熔絲式存儲(chǔ)器。本申請(qǐng)的第二組發(fā)明具有這樣的效果可基于溫度檢測裝置的測定值的初始值和校正值來校正溫度檢測裝置的測定值，并且可準(zhǔn)確地獲得溫度檢測裝置的測定值。本申請(qǐng)的第二組發(fā)明具有這樣的效果可根據(jù)第一溫度和第二溫度的測定值等來計(jì)算溫度檢測裝置的初始值和校正值，并且可將它們有效地存儲(chǔ)在熔絲式存儲(chǔ)器中，所述熔絲式存儲(chǔ)器在存儲(chǔ)小容量數(shù)據(jù)方面具有優(yōu)勢。而且，由于通過物理地?cái)嚅_熔絲來在存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)初始值和校正值，所以存在這樣的效果在所述初始值和校正值中的變化可被消除。根據(jù)這些情況，本申請(qǐng)的第三組發(fā)明與地磁檢測裝置相關(guān)，所述地磁檢測裝置具有用于檢測地磁的正交軸分量的地磁檢測元件、和用于存儲(chǔ)地磁檢測元件的檢測輸出的校正數(shù)據(jù)的熱變成型非易失性存儲(chǔ)元件，其中，提供一種使得熱變成型非易失性存儲(chǔ)元件小型化的技術(shù)。為了完成前述任務(wù)，本申請(qǐng)的第三組發(fā)明提供一種地磁檢測裝置，其包括用于檢測地磁的正交軸分量的地磁檢測元件、和用于存儲(chǔ)所述地磁檢測元件的檢測輸出的校正信息的熱變成型非易失性存儲(chǔ)元件，其中，所述校正信息由軸靈敏度校正系數(shù)和軸間校正系數(shù)、以及表示為相對(duì)于任一軸的軸靈敏度校正系數(shù)的比率的值構(gòu)成。本申請(qǐng)的第三組發(fā)明提供一種地磁檢測裝置，其中，所述非易失性存儲(chǔ)元件存儲(chǔ)有最小量的校正信息，所述校正信息與除任一軸的所述軸靈敏度校正系數(shù)之外的軸靈敏度校正系數(shù)相關(guān)。本申請(qǐng)的第三組發(fā)明提供一種地磁檢測裝置，其使用如下差值作為與除所述任一軸的軸靈敏度校正系數(shù)之外的軸靈敏度校正系數(shù)相關(guān)的校正信息，所述差值是通過從該軸靈敏度校正系數(shù)的相對(duì)于軸靈敏度校正系數(shù)的比率減去預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)值而獲得的。本申請(qǐng)的第三組發(fā)明提供一種地磁檢測裝置，其設(shè)置有用于對(duì)所述地磁檢測元件的檢測輸出進(jìn)行校正計(jì)算的校正計(jì)算電路，其中，該校正計(jì)算電路這樣計(jì)算檢測輸出的校正值將軸靈敏度校正系數(shù)乘以檢測輸出以進(jìn)行校正，并且加上如下校正項(xiàng)即，通過將軸間校正系數(shù)與另一個(gè)軸的檢測輸出相乘而獲得的校正項(xiàng)。本申請(qǐng)的第三組發(fā)明提供一種地磁檢測裝置，其設(shè)置有用于對(duì)所述地磁檢測元件的檢測輸出進(jìn)行校正計(jì)算的校正計(jì)算電路，其中，該校正計(jì)算電路在所述標(biāo)準(zhǔn)值與所述差值相加并且復(fù)原軸靈敏度校正系數(shù)之后，進(jìn)行校正計(jì)算。本申請(qǐng)的第三組發(fā)明提供一種地磁檢測裝置，其中，所述校正計(jì)算電路通過用預(yù)設(shè)的替代值來代替不能從所述校正數(shù)據(jù)中獲得的校正系數(shù)而進(jìn)行計(jì)算。為了完成前述任務(wù)，本申請(qǐng)的第三組發(fā)明是一種地磁檢測裝置，其包括地磁檢測元件，用于檢測每一個(gè)正交軸分量的地磁；以及熱變成型非易失性存儲(chǔ)元件，用于存儲(chǔ)一個(gè)或多個(gè)校正數(shù)據(jù)，所述校正數(shù)據(jù)用來校正所述檢測到的地磁值，其中，每一個(gè)所述校正數(shù)據(jù)均被表示為如下數(shù)據(jù)相對(duì)于任一軸的軸靈敏度校正系數(shù)的比率值，所述數(shù)據(jù)為軸靈敏度校正系數(shù)、或軸間校正系數(shù)、或通過從軸靈敏度校正系數(shù)中減去預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)值而獲得的差值。本申請(qǐng)的第三組發(fā)明提供一種地磁檢測裝置，其中，所述校正數(shù)據(jù)中的至少一個(gè)是如下比率值即，是除與所述任一軸相關(guān)的軸靈敏度校正系數(shù)之外的軸靈敏度校正系數(shù)相對(duì)于所述任一軸的軸靈敏度校正系數(shù)的比率值。本申請(qǐng)的第三組發(fā)明提供一種地磁檢測裝置，其中，所述校正數(shù)據(jù)中的至少一個(gè)是如下差值相對(duì)于任一軸的所述軸靈敏度校正系數(shù)的比率值即，通過從與除所述任一軸之外的軸相關(guān)的軸靈敏度校正系數(shù)中減去指定標(biāo)準(zhǔn)值而獲得的差值。本申請(qǐng)的第三組發(fā)明提供一種地磁檢測裝置，其設(shè)置有用于對(duì)所述地磁檢測元件檢測到的每一個(gè)正交軸分量的地磁值進(jìn)行校正的校正計(jì)算電路，其中，所述校正計(jì)算電路通過計(jì)算出以下兩個(gè)乘積值的和來獲得被校正的地磁值第一個(gè)乘積值是通過將規(guī)定軸分量的地磁值乘以通過將指定值與如下比率相加而獲得的相加值來獲得的，所述比率為如下數(shù)據(jù)相對(duì)于所述任一軸的軸靈敏度校正系數(shù)的比率，所述數(shù)據(jù)為所述規(guī)定軸分量的軸靈敏度校正系數(shù)或通過從所述規(guī)定軸分量的軸靈敏度校正系數(shù)中減去指定標(biāo)準(zhǔn)值而獲得的差值；第二個(gè)乘積值是通過將另一軸分量的地磁值和如下比率值相乘而獲得的，所述比率值為所述軸間校正系數(shù)相對(duì)于所述任一軸分量的軸靈敏度校正系數(shù)的比率值。本申請(qǐng)的第三組發(fā)明提供一種地磁檢測裝置，其設(shè)置有用于對(duì)所述地磁檢測元件檢測到的每一個(gè)正交軸分量的地磁值進(jìn)行校正的校正計(jì)算電路，其中，所述校正計(jì)算電路通過計(jì)算如下乘積值來獲得被校正的地磁值所述乘積值是通過將規(guī)定軸分量的地磁值乘以通過將指定值與如下比率相加而獲得的相加值相乘來獲得的，所述比率為如下數(shù)據(jù)相對(duì)于所述任一軸的軸靈敏度校正系數(shù)的比率，所述數(shù)據(jù)為所述規(guī)定軸分量的軸靈敏度校正系數(shù)或通過從所述規(guī)定軸分量的軸靈敏度校正系數(shù)中減去指定標(biāo)準(zhǔn)值而獲得的差值。本申請(qǐng)的第三組發(fā)明提供一種地磁檢測裝置，其中，所述熱變成型非易失性存儲(chǔ)元件表示為熔絲式存儲(chǔ)器。而且，本申請(qǐng)的第三組發(fā)明提供一種地磁檢測裝置，其中，所述指定標(biāo)準(zhǔn)值是所述10任一軸的軸靈敏度校正系數(shù)。通過該上述發(fā)明，根據(jù)另一軸靈敏度校正系數(shù)與任一軸的軸靈敏度校正系數(shù)的比率獲得的值存儲(chǔ)在熱變成型非易失性存儲(chǔ)元件中，其結(jié)果是校正信息可變得更加小型化，并且可減少熱變成型非易失性存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)容量，同時(shí)通過進(jìn)行軸間校正來維持校正精度。而且，可將任一軸的軸靈敏度校正系數(shù)和軸間校正系數(shù)從校正信息中省略掉，并且可使校正信息變得更加小型化，而且可進(jìn)一步降低非易失性存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)容量。而且，通過把從另一軸的靈敏度校正系數(shù)減去標(biāo)準(zhǔn)值而獲得的差值用作校正信息，可使得該校正信息變得更加小型化，并且可進(jìn)一步降低非易失性存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)容量。圖1是示出本申請(qǐng)的第一組發(fā)明的代表性實(shí)施例中的地磁傳感器1的結(jié)構(gòu)的示圖。圖2A是示出在這些相同的實(shí)施例中的存儲(chǔ)單位MUa的結(jié)構(gòu)的示圖。圖2B是示出在這些相同的實(shí)施例中的存儲(chǔ)單位MUb的結(jié)構(gòu)的示圖。圖3是在這些相同的實(shí)施例中數(shù)據(jù)寫入期間的熔絲式存儲(chǔ)器13的電路圖。圖4是示出這些相同的實(shí)施例中數(shù)據(jù)寫入期間的熔絲式存儲(chǔ)器13的時(shí)序的圖。圖5是在這些相同的實(shí)施例中數(shù)據(jù)讀取期間的熔絲式存儲(chǔ)器13的電路圖。圖6是示出這些相同的實(shí)施例中數(shù)據(jù)讀取期間的熔絲式存儲(chǔ)器13的時(shí)序的圖。圖7A是示出在本申請(qǐng)的第一組發(fā)明的實(shí)施例1-2中的地磁傳感器1的晶片的預(yù)加工過程中，將偏移值設(shè)置到熔絲式存儲(chǔ)器13中的操作的流程圖。圖7B是示出這些相同發(fā)明的實(shí)施例1-2中的地磁傳感器1實(shí)際使用時(shí)的操作的流程圖。圖8是將施加零磁場(步驟Scl)的步驟加到圖7的流程圖中的流程圖。圖9是示出在本申請(qǐng)的第一組發(fā)明的第二實(shí)施例中的地磁傳感器1的晶片的預(yù)加工過程中，將偏移值設(shè)置到熔絲式存儲(chǔ)器13中的操作的流程圖。圖10是示出本申請(qǐng)的第二組發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中的溫度傳感器201的結(jié)構(gòu)的示圖。圖11A是示出在該相同的實(shí)施例中，在預(yù)加工溫度傳感器201的過程中在熔絲式存儲(chǔ)器213中設(shè)置初始值A(chǔ)D和校正值A(chǔ)k的操作、和溫度傳感器201實(shí)際使用時(shí)的操作的流程圖。圖11B是示出在該相同的實(shí)施例中實(shí)際使用溫度傳感器201的過程中的操作的流程圖。圖12是示出在傳統(tǒng)情況下和在該相同的實(shí)施例中溫度傳感器電路212的結(jié)構(gòu)的框圖。圖13是示出與本申請(qǐng)的第三組發(fā)明的第一實(shí)施例相關(guān)的用于地磁檢測的LSI的示意性結(jié)構(gòu)的框圖。圖14是示出熔絲式存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)實(shí)例的框圖。圖15是示出在將本申請(qǐng)的發(fā)明結(jié)合到移動(dòng)電話設(shè)備中的情況下的示意性結(jié)構(gòu)的框圖。具體實(shí)施例方式以下將參照本申請(qǐng)的第一組發(fā)明的第一實(shí)施例。如圖1所示，該實(shí)施例的地磁傳感器1是在一個(gè)芯片上構(gòu)造的，并且由控制邏輯電路11(校正數(shù)據(jù)寫入裝置)(校正數(shù)據(jù)讀取裝置)(校正裝置)、地磁傳感器電路12(地磁檢測裝置)和熔絲式存儲(chǔ)器13構(gòu)成，控制邏輯電路11控制地磁傳感器l，地磁傳感器電路12由A/D(模/數(shù))轉(zhuǎn)換器和用于在相互垂直的X軸和Y軸的各個(gè)軸向(磁靈敏度方向)檢測地磁的地磁傳感器元件構(gòu)成，并且所述地磁傳感器元件例如包括GMR(巨磁阻)元件。地磁傳感器電路12使用A/D轉(zhuǎn)換器來對(duì)地磁傳感器元件獲得的X軸和Y軸方向上的磁場的測定值進(jìn)行A/D轉(zhuǎn)換，并且將它們輸出到控制邏輯電路11。當(dāng)將地磁傳感器1安裝在移動(dòng)電話設(shè)備中時(shí)，在所述移動(dòng)電話設(shè)備旋轉(zhuǎn)的情況下，控制邏輯電路11讀取表示由地磁傳感器電路12測定的環(huán)境磁場的多個(gè)測定值，根據(jù)所述測定值獲得地磁傳感器電路12的偏移值，并且將所述值存儲(chǔ)在熔絲式存儲(chǔ)器13中。而且，通過讀取來自熔絲式存儲(chǔ)器13的偏移值，并且通過對(duì)所述值和來自地磁傳感器電路12的測定值進(jìn)行算術(shù)處理，控制邏輯電路11對(duì)來自地磁傳感器電路12的測定值進(jìn)行數(shù)字式校正。地磁傳感器1中設(shè)置有附圖中未示出的物理量傳感器，該物理量傳感器包含溫度傳感器(溫度測定裝置)?？刂七壿嬰娐穕l從所述溫度傳感器中讀取環(huán)境溫度數(shù)據(jù)，把與所述環(huán)境溫度對(duì)應(yīng)的偏移值寫到熔絲式存儲(chǔ)器13中，并且從熔絲式存儲(chǔ)器13中讀取與所述環(huán)境溫度對(duì)應(yīng)的偏移值。熔絲式存儲(chǔ)器13根據(jù)存儲(chǔ)器容量的比特?cái)?shù)而具有圖2A中示出的存儲(chǔ)單位MUa。例如，具有32比特存儲(chǔ)容量的熔絲式存儲(chǔ)器13具有32個(gè)存儲(chǔ)單位MUa。由N通道M0S晶體管Nl和熔絲FU構(gòu)成存儲(chǔ)單位MUa，所述熔絲FU插入到與地磁傳感器1的電源電壓VDD相連接的端子Ta和與M0S晶體管的漏極相連接的端子Tb之間。熔絲Fu由多硅結(jié)構(gòu)(多晶硅)形成。寫入電壓輸入端IpWr與M0S晶體管Nl的柵極相連接，并且數(shù)據(jù)輸出端0pD與M0S晶體管Nl的漏極相連接。M0S晶體管Nl以一定尺寸形成在芯片上，當(dāng)M0S晶體管Nl通過柵極導(dǎo)通時(shí)，該尺寸使得漏極和源極之間的電流能夠產(chǎn)生使熔絲Fu斷開所需的熱量。例如，將M0S晶體管N1形成為通道長度L=0.65iim和通道寬度W=140iim。在將電源電壓VDD施加到存儲(chǔ)單位MUa的狀態(tài)下，當(dāng)從寫入電壓輸入端IpWr將等于或高于使M0S晶體管N1導(dǎo)通的電壓(M0S晶體管N1的閾值電壓)的電壓施加到MOS晶體管柵極時(shí)，M0S晶體管Nl導(dǎo)通，并且由漏極和源極之間的電流產(chǎn)生的熱量來使熔絲Fu斷開。結(jié)果，存儲(chǔ)單位MUa采用如下結(jié)構(gòu)，S卩，如圖2B所示，消除熔絲Fu。以下稱作存儲(chǔ)單位MUb。另一方面，當(dāng)從寫入電壓輸入端IpWr將等于或低于M0S晶體管Nl的閾值電壓的電壓施加到M0S晶體管柵極時(shí)，MOS晶體管Nl截止，在漏極和源極之間沒有電流，并且熔絲Fu未斷開。如上所述，在將等于或高于M0S晶體管N1的閾值電壓的電壓輸入到寫入電壓輸入端IpWr情況下，僅使熔絲Fu斷開，以便構(gòu)成存儲(chǔ)單位MUb的結(jié)構(gòu)。12接下來，關(guān)于前述存儲(chǔ)單位MUa，當(dāng)施加電源電壓VDD從而將等于或低于MOS晶體管Nl的閾值電壓的電壓施加到寫入電壓輸入端IpWr時(shí)，因?yàn)镸OS晶體管Nl截止，所以電源電壓VDD通過熔絲Fu出現(xiàn)在數(shù)據(jù)輸出端OpD。此時(shí)，當(dāng)與數(shù)據(jù)輸出端OpD相連接的C-MOS(互補(bǔ)型MOS)邏輯電路的輸入端的輸入電阻高時(shí)，幾乎沒有電流(放電電流)從數(shù)據(jù)輸出端OpD流出，熔絲Fu不會(huì)被所述電流斷開。另一方面，在前述存儲(chǔ)單位MUb中，即使施加電源電壓VDD從而將等于或低于MOS晶體管N1的閾值電壓的電壓施加到寫入電壓輸入端IpWr，因?yàn)镸OS晶體管N1截止，并且因?yàn)槿劢zFu斷開，所以電源電壓VDD也不會(huì)被傳送到數(shù)據(jù)輸出端OpD。如上所述，在將電源電壓VDD施加到存儲(chǔ)單位MUa的情況下，通過將等于或高于MOS晶體管N1的閾值電壓的電壓施加到寫入電壓輸入端IpWr來使得熔絲Fu斷開，從而形成存儲(chǔ)單位MUb。在存儲(chǔ)單位MUb中，當(dāng)施加電源電壓VDD從而將等于或低于MOS晶體管Nl的閾值電壓的電壓施加到寫入電壓輸入端IpWr時(shí)，不會(huì)將電壓輸出到數(shù)據(jù)輸出端OpD。另一方面，在將電源電壓VDD施加到存儲(chǔ)單位MUa的情況下，通過將等于或低于MOS晶體管N1的閾值電壓的電壓施加到寫入電壓輸入端IpWr，不會(huì)使得熔絲Fu斷開。在存儲(chǔ)單位MUa中，當(dāng)施加電源電壓VDD從而將等于或低于MOS晶體管N1的閾值電壓的電壓施加到寫入電壓輸入端IpWr時(shí)，將電源電壓VDD輸出到數(shù)據(jù)輸出端OpD。例如，可通過使每一電壓值按以下方式對(duì)應(yīng)于輸入和輸出數(shù)據(jù)來把輸入數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中。即，使用M0S晶體管N1，該M0S晶體管N1的閾值電壓為電源電壓VDD的值的一半(VDD/2)。關(guān)于施加到寫入電壓輸入端IpWr的電壓，使得等于或低于MOS晶體管N1的閾值電壓的電壓(例如，地電平，以下稱作"低電平")對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)"O"，同時(shí)使得等于或高于M0S晶體管N1的閾值電壓的電壓(例如，VDD，以下稱作"高電平")對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)"l"。關(guān)于輸出到數(shù)據(jù)輸出端OpD的電壓，使得低電平對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)"l"，并且使得高電平對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)"0"。通過以上述方式進(jìn)行設(shè)置，在施加電源電壓VDD的情況下，根據(jù)熔絲Fu的存在形式來存儲(chǔ)與施加到寫入電壓輸入端IpWr的電壓對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)。通過將低電平施加到寫入電壓輸入端IpWr，在數(shù)據(jù)輸出端OpD出現(xiàn)與根據(jù)熔絲Fu的存在形式而存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)相對(duì)應(yīng)的電壓。根據(jù)以上描述，關(guān)于存儲(chǔ)單位MUa，在施加電源電壓VDD的情況下，根據(jù)數(shù)據(jù)把高電平或低電平施加到寫入電壓輸入端IpWr的操作和根據(jù)熔絲Fu的存在形式來存儲(chǔ)所述數(shù)據(jù)的操作被稱作"寫入"。關(guān)于根據(jù)熔絲Fu的存在形式而存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)單位MUa或MUb，在施加電源電壓VDD的情況下、通過將低電平施加到寫入電壓輸入端IpWr、來從數(shù)據(jù)輸出端OpD提取與所述數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的電壓的操作被稱作"讀取"?？刂七壿嬰娐?1將電源電壓VDD提供給熔絲式存儲(chǔ)器13，并且通過僅將高電平給予存儲(chǔ)單位MUa的寫入電壓輸入端IpWr，控制邏輯電路11使得所述存儲(chǔ)單位MUa的熔絲Fu斷開，所述存儲(chǔ)單位MUa與熔絲式存儲(chǔ)器13中的存儲(chǔ)單位MUa中要存儲(chǔ)數(shù)據(jù)"l"的比特對(duì)應(yīng)。因此，與要存儲(chǔ)數(shù)據(jù)"l"的比特對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單位采用存儲(chǔ)單位MUb的結(jié)構(gòu)，并且存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。因此，與要存儲(chǔ)數(shù)據(jù)"l"的比特對(duì)應(yīng)的熔絲Fu被斷開，并且進(jìn)行數(shù)據(jù)"l"的"寫入"。另一方面，與要存儲(chǔ)數(shù)據(jù)"0"的比特對(duì)應(yīng)的熔絲Fu不被斷開，并且進(jìn)行數(shù)據(jù)"0"的"寫入"。通過使控制邏輯電路11將電源電壓VDD提供給熔絲式存儲(chǔ)器13，并且將低電平給予寫入電壓輸入端IpWr，并且通過輸出與根據(jù)熔絲Fu的存在形式而存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)相對(duì)應(yīng)的電壓，在控制邏輯電路11中從數(shù)據(jù)輸出端0pD進(jìn)行數(shù)據(jù)"讀取"。接下來，對(duì)在本實(shí)施例中實(shí)際使用的熔絲式存儲(chǔ)器13、和數(shù)據(jù)寫入和數(shù)據(jù)讀取時(shí)的時(shí)序進(jìn)行說明。前述熔絲式存儲(chǔ)器13串行輸出4比特?cái)?shù)據(jù)，如下詳細(xì)所述。圖3是示出該實(shí)施例中的熔絲式存儲(chǔ)器13、和寫入時(shí)的時(shí)序的示圖。在圖3中，由存儲(chǔ)單元(memorycell)Cel0-Ce13和非門(反轉(zhuǎn)電路)Ntl_2構(gòu)成熔絲式存儲(chǔ)器13。因?yàn)榇鎯?chǔ)單元CelO-Ce13具有相同的結(jié)構(gòu)，以下給出關(guān)于存儲(chǔ)單元CelO的說明。存儲(chǔ)單元CelO由圖2A所示的存儲(chǔ)單位MUa、D觸發(fā)器(延遲觸發(fā)器)DFF(以下稱作DFF)、雙輸入與門Ad、三輸入或非門Nora和雙輸入或非門Norb構(gòu)成。如上所述，存儲(chǔ)單元CelO-Cel3具有相同的結(jié)構(gòu)，并且在下面，所述存儲(chǔ)單元CelO-Cel3的后綴附在每一前述組成元件的代號(hào)尾部。因此，存儲(chǔ)單元CelO中的DFF為DFF0，同時(shí)存儲(chǔ)單元Ce12中的DFF為DFF2。因此，存儲(chǔ)單元CelO的組成元件為D觸發(fā)器DFFO、與門AdO和或非門NoraO和NorbO。DFFO的正數(shù)據(jù)輸出端00同或非門NoraO的三個(gè)輸入端之一相連接。DFFO的負(fù)數(shù)據(jù)輸出端ONO同或非門NorbO的輸入端之一相連接。或非門NoraO的輸出端與存儲(chǔ)單位MUaO的寫入電壓輸入端IpWrO相連接。存儲(chǔ)單位MUaO的數(shù)據(jù)輸出端OpDO和與門AdO的輸入端之一相連接。與門AdO的輸出端和或非門NorbO的另一輸入端相連接。存儲(chǔ)單元CelO中設(shè)置有以下輸入端和輸出端，并且各個(gè)輸入端或輸出端按以下方式連接。即，存儲(chǔ)單元CelO中設(shè)置有輸入端IpCkO、IpNCkO、Ip麗rtO、IpRedO和IpDFiO，并且還設(shè)置有輸出端OpNDiO。輸入端IpCkO與DFFO的時(shí)鐘輸入端CkO相連接。輸入端IpNCkO和Ip麗rtO分別同或非門NoraO的剩下兩個(gè)輸入端相連接。輸入端IpRedO和與門AdO的另一輸入端相連接。輸入端IpDFiO與DFFO的數(shù)據(jù)輸入端DO相連接。輸出端OpNDiO和或非門NorbO的輸出端相連接。熔絲式存儲(chǔ)器13中設(shè)置有輸入端IpClk、Ip麗rite、IpRead、IpNDai和輸出端OpDo。輸入端IpClk與存儲(chǔ)單元CelO的輸入端IpCkO相連接。其還通過非門Ntl和存儲(chǔ)單元CelO的輸入端IpNCkO相連接。輸入端Ip麗rite和存儲(chǔ)單元CelO的輸入端Ip麗rtO相連接。輸入端IpRead和存儲(chǔ)單元CelO的輸入端IpRedO相連接。輸入端IpClk還和存儲(chǔ)單元Cell-Ce13的輸入端IpCkl-IpCk3相連接。其還通過非門Ntl和存儲(chǔ)單元Cell-Ce13的輸入端IpNCkl-IpNCk3相連接。輸入端Ip麗rite還和存儲(chǔ)單元Cell-Ce13的輸入端Ip麗rtl-Ip麗rt3相連接。輸入端IpRead還和存儲(chǔ)單元Cell-Ce13的輸入端IpRedl-IpRed3相連接。熔絲式存儲(chǔ)器13的輸入端IpNDai和存儲(chǔ)單元CelO的輸入端IpDFiO相連接。存儲(chǔ)單元CelO的輸出端OpNDiO和存儲(chǔ)單元Cell的輸入端IpDFil相連接。存儲(chǔ)單元Cell的輸出端OpNDil和存儲(chǔ)單元Ce12的輸入端IpDFi2相連接。存儲(chǔ)單元Cel2的輸出端0pNDi2和存儲(chǔ)單元Cel3的輸入端IpDFi3相連接。存儲(chǔ)單元Cel3的輸出端OpNDi3通過非門Nt2和熔絲式存儲(chǔ)器的輸出端OpDo相連接。接下來，對(duì)把數(shù)據(jù)寫入熔絲式存儲(chǔ)器13的操作進(jìn)行說明。在此例中，如圖4(時(shí)序圖)所示，將數(shù)據(jù)DD0和DD2("l":低電平)寫入存儲(chǔ)單元CelO和Cel2，并且將數(shù)據(jù)DDI和DD3("0":高電平)寫入存儲(chǔ)單元Cell和Ce13。而且，所述時(shí)序圖中的斜線部分表示不定電平，即，可采用高電平(=VDD)或低電平(=地電平)中任一個(gè)的電壓值。首先，在輸出時(shí)鐘Clk的時(shí)鐘脈沖Cpl之前，信號(hào)Read、麗rite、和NDai被設(shè)置為不定電平，并且將每一存儲(chǔ)單元Cel0-Ce13的輸出信號(hào)NDiO-NDi3和或非門Nora0-Nora3的輸出信號(hào)W0-W3設(shè)置為不定電平。接下來，輸出時(shí)鐘脈沖Cpl。與時(shí)鐘脈沖Cpl的啟動(dòng)同步，將信號(hào)Read設(shè)置為低電平，并且將信號(hào)麗rite和NDai設(shè)置為高電平。因此，將信號(hào)NDai(高電平)輸入DFFO的數(shù)據(jù)輸入端DO。當(dāng)信號(hào)NWrite為高電平時(shí)，將高電平輸入到或非門Nora0-Nora3的輸入端之一。不考慮輸入到另一輸入端的信號(hào)——S卩，不考慮DFF0-DFF3的數(shù)據(jù)輸出端00-03的輸出信號(hào)、和存儲(chǔ)單元CelO-Ce13的輸入端IpNCkO-IpNCk3中的輸入信號(hào)的電平——或非門Nora0-Nora3以低電平輸出輸出信號(hào)W0-W3。以下，這被稱作"或非門NoraO的輸出信號(hào)被固定在低電平"。因此，各個(gè)存儲(chǔ)單元CelO-Ce13的各個(gè)存儲(chǔ)單位MUaO-MUa3不進(jìn)行前述寫入操作。其后，將信號(hào)Read維持在低電平。當(dāng)輸出時(shí)鐘脈沖Cp2時(shí)，作為預(yù)先被取入數(shù)據(jù)輸入端DO的信號(hào)NDai(高電平)的反轉(zhuǎn)結(jié)果的低電平信號(hào)被輸出到DFFO的負(fù)輸出端ONO，并且被輸入到或非門NorbO的輸入端之一。由于在此將信號(hào)Read維持在低電平，把與門Ad0的輸出信號(hào)固定在低電平。因此，把或非門Norb0的另一輸入端的信號(hào)固定在低電平。因此，或非門Norb0作為與從輸入端之一所輸入的信號(hào)相關(guān)的非門而進(jìn)行工作，反轉(zhuǎn)輸入信號(hào)并且將其輸出。以下，這被稱作"或非門NorbO作為與DFFO的負(fù)數(shù)據(jù)輸出端0N0相關(guān)的非門而工作"。結(jié)果，存儲(chǔ)單元CelO的輸出端0pNDi0中的信號(hào)NDiO從不定電平轉(zhuǎn)換為高電平。因此，在輸出時(shí)鐘脈沖Cp2時(shí)，把在輸出時(shí)鐘脈沖Cpl時(shí)被取入存儲(chǔ)單元Cel0的輸入端IpDFi0的信號(hào)(高電平)發(fā)送到存儲(chǔ)單元CelO的輸出端OpNDiO。由于存儲(chǔ)單元CelO的輸出端OpNDiO與存儲(chǔ)單元Cell的輸入端IpDFil相連接，在輸出時(shí)鐘脈沖Cp2時(shí)，把在輸出時(shí)鐘脈沖Cpl時(shí)被取入存儲(chǔ)單元CelO的輸入端IpDFiO的信號(hào)(高電平)發(fā)送到存儲(chǔ)單元Cell的輸入端IpDFil。當(dāng)出現(xiàn)這種情況時(shí)，信號(hào)NDiO(高電平)被取入與所述輸入端連接的DFF1的數(shù)據(jù)輸入端Dl。接下來，當(dāng)輸出時(shí)鐘脈沖Cp3時(shí)，把通過前述操作預(yù)先輸入到存儲(chǔ)單元Cell的輸入端IpDFil中的信號(hào)NdiO(高電平)發(fā)送到輸出端OpNDil，并且把所述輸出端OpNDil中的信號(hào)NDil從不定電平轉(zhuǎn)換為高電平。當(dāng)出現(xiàn)這種情況時(shí)，把所述輸出端OpNDil中的信號(hào)NDil輸出到存儲(chǔ)單元Cel2的輸入端IpDFi2。接下來，當(dāng)輸出時(shí)鐘脈沖Cp4時(shí)，把預(yù)先輸入到存儲(chǔ)單元Ce12的輸入端IpDFi2中的信號(hào)NDil(高電平)發(fā)送到輸出端0pNDi2，并且把所述輸出端0pNDi2中的信號(hào)NDi2從不定電平轉(zhuǎn)換為高電平。當(dāng)出現(xiàn)這種情況時(shí)，把所述輸出端0pNDi2中的信號(hào)NDi2輸出到存儲(chǔ)單元Cel3的輸入端IpDFi3。接下來，當(dāng)輸出時(shí)鐘脈沖Cp5時(shí)，把預(yù)先輸入到存儲(chǔ)單元Cel3的輸入端IpDFi3中的信號(hào)NDi2(高電平)發(fā)送到輸出端0pNDi3，并且把所述輸出端0pNDi3中的信號(hào)NDi3從不定電平轉(zhuǎn)換為高電平。如上所述，由于在各個(gè)存儲(chǔ)單位MUaO-MUa3的數(shù)據(jù)輸出端0pD0-0pD3中高電平與數(shù)據(jù)"0"對(duì)應(yīng)并且低電平與數(shù)據(jù)"1"對(duì)應(yīng)，所以，由非門Nt2反轉(zhuǎn)信號(hào)NDi3(高電平)，并且從輸出端0pDo輸出信號(hào)Do(低電平)。如上所述，熔絲式存儲(chǔ)器13從輸入端IpNDai輸入信號(hào)NDai(高電平)，并且通過時(shí)鐘脈沖Cpl-Cp5，將內(nèi)部存儲(chǔ)單元CelO-Ce13的輸出端0pNDi0-0pNDi3中的信號(hào)NDiO-NDi3從不定電平改變?yōu)楦唠娖?。因此，如圖4所示，把內(nèi)部存儲(chǔ)單元Ce10的輸入端IpNDai中的信號(hào)NDai和與存儲(chǔ)單元Cel0-Ce12的輸出端0pNDi0-0pNDi2相連接的存儲(chǔ)單元Cell-Ce13的輸入端IpDFil-IpDFi3中的信號(hào)NDiO-NDi2從不定電平初始化為高電平。作為前述操作的結(jié)果，熔絲式存儲(chǔ)器13作為移位寄存器工作。另一方面，如下具體所述，通過時(shí)鐘脈沖Cp5-Cp9來進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入操作。首先，當(dāng)輸出時(shí)鐘脈沖Cp5時(shí)，將低電平信號(hào)輸入到輸入端IpNDai作為輸入信號(hào)NDai。當(dāng)輸出時(shí)鐘脈沖Cp6時(shí)，將高電平信號(hào)輸入到輸入端IpNDai作為輸入信號(hào)NDai。如上所述，由于在輸出時(shí)鐘脈沖Cp5之前已經(jīng)以高電平初始化了輸入信號(hào)NDai，所以，僅在從輸出時(shí)鐘脈沖Cp5到輸出時(shí)鐘脈沖Cp6的時(shí)間段內(nèi)，即，僅在輸出一個(gè)時(shí)鐘脈沖期間，輸入信號(hào)NDai為低電平。其后，將該低電平輸入信號(hào)NDai發(fā)送到存儲(chǔ)單元Cell-Ce13的輸入端IpDFil-IpDFi3，如下根據(jù)上述熔絲式存儲(chǔ)器13的移位寄存器操作以高電平初始化所述存儲(chǔ)單元Cell-Ce13的輸入端IpDFil-IpDFi3，使得各個(gè)輸入端中的信號(hào)NDiO-NDi2進(jìn)行如下改變。即，如圖4所示，僅在從輸出時(shí)鐘脈沖Cp6到輸出時(shí)鐘脈沖Cp7的時(shí)間段內(nèi)，信號(hào)NDiO為低電平。接下來，僅在從輸出時(shí)鐘脈沖Cp7到輸出時(shí)鐘脈沖Cp8的時(shí)間段內(nèi)，信號(hào)NDil為低電平。接下來，僅在從輸出時(shí)鐘脈沖Cp8到輸出時(shí)鐘脈沖Cp9的時(shí)間段內(nèi)，信號(hào)NDi2為低電平。接下來，僅在從輸出時(shí)鐘脈沖Cp9到輸出時(shí)鐘脈沖CplO的時(shí)間段內(nèi)，存儲(chǔ)單元Cel3的輸出端0pNDi3中的信號(hào)NDi3為低電平。根據(jù)寫入數(shù)據(jù)DD0-DD3，與時(shí)鐘脈沖Cp6_Cp9同步地順序改變信號(hào)麗rite，并且進(jìn)行輸出。以下，對(duì)輸出時(shí)鐘脈沖Cp6-Cp9時(shí)的熔絲式存儲(chǔ)器13的操作進(jìn)行說明。首先，當(dāng)輸出時(shí)鐘脈沖Cp6時(shí)，把在已經(jīng)輸出時(shí)鐘脈沖Cp5時(shí)存儲(chǔ)單元CelO的輸入端IpNDai中的信號(hào)NDai(低電平)發(fā)送到DFFO的正數(shù)據(jù)輸出端00，并且將其輸出到存儲(chǔ)單元CelO的或非門NoraO的三個(gè)輸入端之一。另一方面，把信號(hào)麗rite對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)DDO("1")的低電平信號(hào)輸出到或非門NoraO的剩下的兩個(gè)輸入端之一。而且，由非門Ntl反轉(zhuǎn)時(shí)鐘脈沖Cp6的信號(hào)被輸出到或非門NoraO的剩下的輸入端。在此情況下，在時(shí)鐘脈沖Cp6為高電平(時(shí)間間隔PO)時(shí)，輸出作為反轉(zhuǎn)輸出的低電平信號(hào)，并且在時(shí)鐘脈沖Cp6為低電平時(shí)，輸出作為反轉(zhuǎn)輸出的高電平信號(hào)。在此情況下，由于在時(shí)間間隔PO中將低電平信號(hào)輸出到或非門NoraO剩下的那個(gè)輸入端，所以，低電平信號(hào)輸入到或非門NoraO的全部輸入端，其結(jié)果是或非門NoraO的輸出信號(hào)WO變?yōu)楦唠娖?，把高電平輸入到存?chǔ)單位MUaO的數(shù)據(jù)輸入端IpWrO，存儲(chǔ)單位MUaO中的MOS晶體管NIO導(dǎo)通，熔絲FuO斷開，從而"cut"被記錄在圖4的輸出信號(hào)WO的時(shí)序圖中，并且數(shù)據(jù)DDO("1":低電平)被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單位MUaO中。在時(shí)鐘脈沖Cp6是低電平時(shí)，把高電平輸入到或非門NoraO的三個(gè)輸入端之一，或非門NoraO的輸出信號(hào)WO被固定在低電平，把低電平輸入到存儲(chǔ)單位MUaO的數(shù)據(jù)輸入端IpWrO，存儲(chǔ)單位MUaO中的熔絲FuO未被斷開。在除了存儲(chǔ)單元CelO之外的其它存儲(chǔ)單元Cell-Ce13中的或非門Noral-Nora3中，由于在輸入信號(hào)NDiO-NDi2(=高電平)已被輸入到三個(gè)輸入端之一的情況下輸入來自DFF0-DFF2的正輸出端00-02的輸出信號(hào)(=高電平)，所以，或非門Noral-Nora3的輸出信號(hào)Wl-W3被固定在低電平，把低電平輸入到存儲(chǔ)單位MUal-MUa3的數(shù)據(jù)輸入端IpWrl-IpWr3，存儲(chǔ)單位MUal-MUa3中的熔絲Ful-Fu3未被斷開。接下來，當(dāng)輸出時(shí)鐘脈沖Cp7時(shí)，把信號(hào)麗rite與數(shù)據(jù)DDl("0")對(duì)應(yīng)的高電平信號(hào)輸出到或非門Noral的三個(gè)輸入端之一?；蚍情TNoral的輸出信號(hào)Wl被固定在低電平，把低電平輸入到存儲(chǔ)單位MUal的數(shù)據(jù)輸入端IpWrl，存儲(chǔ)單位MUal中的熔絲Ful未被斷開。在除了存儲(chǔ)單元Cell之外的其它存儲(chǔ)單元CelO和Cel2_Cel3中的或非門NoraO和Nora2-Nora3中，由于把DFF0和DFF2-DFF3的正輸出端00和02-03的輸出信號(hào)(=高電平)輸入到三個(gè)輸入端的任一個(gè)，所以，或非門Nora0和Nora2-Nora3的輸出信號(hào)W0和W2-W3被固定在低電平，把低電平輸入到存儲(chǔ)單位MUa0和MUa2-MUa3的數(shù)據(jù)輸入端IpWr0和IpWr2-IpWr3，還未被斷開的存儲(chǔ)單位MUa2-MUa3中的熔絲Fu2-Fu3被斷開。因此，進(jìn)行以下說明。即，根據(jù)輸入信號(hào)Nwrite的數(shù)據(jù)，在時(shí)鐘脈沖Cp6_Cp7已變?yōu)楦唠娖綍r(shí)，當(dāng)?shù)碗娖叫盘?hào)已被選擇性地輸入到存儲(chǔ)單元CelO-Cell中的輸入端IpNDai或輸入端IpDFi0時(shí)，存儲(chǔ)單位MUaO-MUal中的熔絲Fu0-Ful被斷開。接下來，當(dāng)輸出時(shí)鐘脈沖Cp8-Cp9時(shí)，根據(jù)以上描述進(jìn)行以下操作。S卩，當(dāng)輸出時(shí)鐘脈沖Cp8時(shí)，把信號(hào)NWrite與數(shù)據(jù)DD2("1")對(duì)應(yīng)的低電平信號(hào)輸出到或非門Nora2的三個(gè)輸入端之一。在時(shí)鐘脈沖Cp8為高電平(時(shí)間間隔P2)時(shí)，輸出作為反轉(zhuǎn)輸出信號(hào)的低電平信號(hào)。在此情況下，由于在時(shí)間間隔P2中輸出作為反轉(zhuǎn)輸出信號(hào)的低電平信號(hào)，把低電平信號(hào)輸入到或非門Nora2的全部輸入端，其結(jié)果是或非門Nora2的輸出信號(hào)W2變?yōu)楦唠娖剑唠娖奖惠斎氲酱鎯?chǔ)單位MUa2的數(shù)據(jù)輸入端IpWr2，存儲(chǔ)單位MUa2的熔絲Fu2斷開從而"cut"被記錄在圖4的輸出信號(hào)W2的時(shí)序圖中，并且數(shù)據(jù)DD2("l":低電平)被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單位MUa2中。當(dāng)輸出時(shí)鐘脈沖Cp9時(shí)，把信號(hào)NWrite與數(shù)據(jù)DD3("0")對(duì)應(yīng)的高電平信號(hào)輸出到或非門Nora3的三個(gè)輸入端之一。或非門Nora3的輸出信號(hào)W3變?yōu)榈碗娖?，并且存?chǔ)單位MUa3中的熔絲Fu3未被斷開。作為上述操作的結(jié)果，在存儲(chǔ)單元CelO-Ce13中，熔絲式存儲(chǔ)器13根據(jù)存儲(chǔ)單位MUaO-MUa3中的熔絲Fu0-Fu3的存在形式寫入順序輸入的數(shù)據(jù)DD0-DD3。接下來，參照從熔絲式存儲(chǔ)器13讀取數(shù)據(jù)的操作。如圖5所示，圖3中所示的熔絲式存儲(chǔ)器13的存儲(chǔ)單元CelO和Cel2的兩個(gè)存儲(chǔ)單位MUaO和MUa2的熔絲FuO和Fu2被斷開。因此，把構(gòu)成"l"(:低電平)的數(shù)據(jù)DD0和DD2寫入存儲(chǔ)單元CelO和Ce12，并且把構(gòu)成"0"(:高電平)的數(shù)據(jù)DDI和DD3寫入存儲(chǔ)單元Cell和Cel3。圖6的時(shí)序圖中示出讀取的時(shí)序。首先，在輸出時(shí)鐘Clk的時(shí)鐘脈沖Cpl之前，把信號(hào)Read、Nwrite和NDai設(shè)置為不定電平，并且把各個(gè)存儲(chǔ)單元Cel0-Ce13的輸出信號(hào)NDiO-NDi3和或非門Nora0-Nora3的輸出信號(hào)W0-W3設(shè)置為不定電平。接下來，輸出時(shí)鐘脈沖Cpl，并且將信號(hào)Read設(shè)置為低電平，并且同步于時(shí)鐘脈沖17Cpl的啟動(dòng)把信號(hào)麗rite和NDai設(shè)置為高電平。從而，信號(hào)NDai(高電平)被取入DFFO的數(shù)據(jù)輸入端DO。由于信號(hào)NWrite為高電平，所以，或非門Nora0-Nora3的輸出信號(hào)被固定在低電平，輸出低電平輸出信號(hào)W0-W3，并且各個(gè)存儲(chǔ)單位MUaO-MUa3不進(jìn)行前述寫入操作。當(dāng)其后輸出時(shí)鐘脈沖Cp2時(shí)，作為預(yù)先被取入數(shù)據(jù)輸入端DO的信號(hào)NDai(高電平)的反轉(zhuǎn)結(jié)果的低電平信號(hào)被輸出到DFFO的負(fù)數(shù)據(jù)輸出端ONO，并且被輸入到或非門NorbO的輸入端之一。在此情況下，由于將信號(hào)Read維持在低電平，如上所述，或非門Norb0作為與DFF0的負(fù)數(shù)據(jù)輸出端0N0相關(guān)的非門而工作，輸入到輸入端之一的信號(hào)被反轉(zhuǎn)，并被輸出。結(jié)果，存儲(chǔ)單元CelO的輸出端0pNDi0中的信號(hào)NDiO從不定電平轉(zhuǎn)換為高電平。通過輸出時(shí)鐘脈沖Cp3-Cp5來進(jìn)行前述操作。因此，把信號(hào)NDai和NDiO-NDi2從不定電平初始化為高電平。接下來，正如下面詳細(xì)說明的，根據(jù)時(shí)鐘脈沖Cp6-Cp9來進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取操作。首先，當(dāng)輸出時(shí)鐘脈沖Cp6時(shí)，把高電平信號(hào)作為輸入信號(hào)Read輸入到輸入端IpRead。當(dāng)隨后輸出時(shí)鐘脈沖Cp7時(shí)，把低電平信號(hào)作為輸入信號(hào)Read輸入到輸入端IpRead。如上所述，由于在輸出時(shí)鐘脈沖Cp6之前低電平信號(hào)已經(jīng)作為輸入信號(hào)Read輸入到輸入端IpRead，所以，僅在從輸出時(shí)鐘脈沖Cp6到輸出時(shí)鐘脈沖Cp7的時(shí)間段內(nèi)，即，僅在輸出一個(gè)時(shí)鐘脈沖的時(shí)間段內(nèi)，輸入信號(hào)Read為高電平。在此情況下，由于信號(hào)Read為高電平，把高電平信號(hào)輸入到和或非門Norb0-Norb3的另一輸入端連接的與門Ad0-Ad3的輸入端之一，并且與門Ad0-Ad3作為緩沖器工作，并且把輸入到與門Ad0-Ad3的另一輸入端的信號(hào)(存儲(chǔ)單位MUaO-MUa3的輸出信號(hào))的電平發(fā)送到或非門Norb0-Norb3的另一輸入端。另一方面，由于如上所述已經(jīng)以高電平初始化信號(hào)NDai和NDiO-NDi2，所以，低電平從DFF0-DFF3的負(fù)數(shù)據(jù)輸出端0N0-0N3輸出，并且輸入到或非門Norb0-Norb3的輸入端之一。結(jié)果，或非門Norb0-Norb3作為與存儲(chǔ)單位MUaO-MUa3的數(shù)據(jù)輸出端0pD0-0pD3相關(guān)的非門而工作，并且存儲(chǔ)單位MUaO-MUa3的輸出信號(hào)被反轉(zhuǎn)和輸出，所述存儲(chǔ)單位MUaO-MUa3的輸出信號(hào)是輸入到和另一輸入端相連接的與門Ad0-Ad3的另一輸入端的輸入信號(hào)。作為這些操作的結(jié)果，當(dāng)輸出時(shí)鐘脈沖Cp6時(shí)，把已經(jīng)將存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單位MUaO-MUa3中的數(shù)據(jù)反轉(zhuǎn)的信號(hào)輸出到存儲(chǔ)單元Cel0-Ce13的輸出端。由非門Nt2反轉(zhuǎn)信號(hào)NDi3，并且從輸出端0pD0將其輸出。在此情況下，由于信號(hào)NDi3是已經(jīng)將存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單位MUa3中的數(shù)據(jù)DD3的電平反轉(zhuǎn)的信號(hào)時(shí)，從輸出端0pD0輸出數(shù)據(jù)DD3。接下來，在輸出時(shí)鐘脈沖Cp7之后，Read信號(hào)變?yōu)榈碗娖?，并且如上所述，或非門Norb0-Norb3作為與DFF0-DFF3的負(fù)數(shù)據(jù)輸出端0N0-0N3相關(guān)的非門而工作。其后，熔絲式存儲(chǔ)器13進(jìn)行前述類型的移位寄存器操作，并且同步于時(shí)鐘脈沖Cp7-Cp9，通過非門Nt2從輸出端0pD0順序輸出存儲(chǔ)單元Ce10、Cell和Cel2的輸出端0pNDi0、0pNDil和0pNDi2中的信號(hào)NDi0、NDil和NDi2(數(shù)據(jù)DD0、DD1和DD2的反轉(zhuǎn)信號(hào))。因此，從輸出端0pD0輸出數(shù)據(jù)DD1、DD2和DD3。接下來，參照?qǐng)D7A所示流程圖，說明在預(yù)加工該實(shí)施例中的地磁傳感器1的晶片期間，將偏移值設(shè)置在熔絲式存儲(chǔ)器13中的操作。首先，把其中已經(jīng)形成有地磁傳感器1的電路的晶片連接到測試器，并且將其放置在具有接觸探頭的探查控制裝置上。把用于施加磁場的線圈安裝到所述卡盤的底面，由所述測試器控制所述線圈，從而該線圈產(chǎn)生所期望的外部磁場，并且將該外部磁場施加到所述晶片。其后，通過晶片上的端子而連接到測試器上的探查控制裝置的接觸探頭接觸到安裝在地磁傳感器1內(nèi)部的線圈，預(yù)設(shè)電流流動(dòng)，通過所產(chǎn)生的熱量來將地磁傳感器1加熱到所期望的溫度。而且，測試器將指令通過探查控制裝置發(fā)到控制邏輯電路11，并且提取與由用于施加磁場的線圈所施加的磁場對(duì)應(yīng)的地磁傳感器1的測定值。在該實(shí)施例中，磁場和溫度條件變化，并且重復(fù)進(jìn)行多次測定，以獲得在多個(gè)所期望的磁場和所期望的溫度下的測定值。其后，對(duì)在多個(gè)磁場和溫度條件下獲得的多個(gè)測定值分別進(jìn)行計(jì)算，并且計(jì)算各個(gè)偏移值(步驟Sal)。尤其是，在溫度變化(或磁場變化)時(shí)，重復(fù)進(jìn)行對(duì)傳感器特性的測定。接下來，在熔絲式存儲(chǔ)器13中存儲(chǔ)計(jì)算出的磁靈敏度偏移值(步驟Sa2)。其后，終止在熔絲式存儲(chǔ)器13設(shè)置偏移值的操作。結(jié)果，根據(jù)地磁傳感器1的溫度變化來存儲(chǔ)偏移變化。接下來，說明實(shí)際使用該實(shí)施例的地磁傳感器1時(shí)的操作。首先，打開其中安裝有地磁傳感器的移動(dòng)電話設(shè)備的電源，并且開始各部分的操作。以下參照?qǐng)D7B中示出的流程圖來說明地磁傳感器1的操作。在地磁傳感器l的熔絲式存儲(chǔ)器13中存儲(chǔ)地磁傳感器電路12的前述偏移值。首先，關(guān)于地磁傳感器，控制邏輯電路11從熔絲式存儲(chǔ)器13讀取所述溫度下的偏移值(步驟Sbl)。接下來，進(jìn)行當(dāng)前環(huán)境溫度的測定(步驟Sb2)，以便對(duì)方向測定數(shù)據(jù)進(jìn)行溫度補(bǔ)償，并且讀取與所述溫度數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的磁靈敏度偏移值。接下來，地磁傳感器電路12進(jìn)行方向測定(步驟Sb3)。接下來，控制邏輯電路11從地磁傳感器電路12讀取方向測定數(shù)據(jù)，并且使用前述偏移值校正測定值(步驟Sb4)。接下來，根據(jù)所述方向數(shù)據(jù)將地圖數(shù)據(jù)顯示在移動(dòng)電話設(shè)備的顯示屏上。其后返回到步驟Sb2，并且重復(fù)步驟Sb2-Sb4的處理。如上所述，該實(shí)施例使得控制邏輯電路11能夠在熔絲式存儲(chǔ)器13中設(shè)置用于校正通過在移動(dòng)電話設(shè)備中結(jié)合地磁傳感器1而產(chǎn)生的地磁傳感器電路12的磁靈敏度偏移的偏移校正值。在實(shí)際使用地磁傳感器1時(shí)，其還使得控制邏輯電路11能夠從熔絲式存儲(chǔ)器13中讀取熔絲式存儲(chǔ)器13中設(shè)置的地磁傳感器電路12的偏移值，并且能夠根據(jù)所述值來校正測定值。結(jié)果，可校正與測定值相關(guān)的各個(gè)特性的變化，并且可尋求地磁傳感器的測定值的精度的改善。把在EEPR0M中存儲(chǔ)偏移值的情況和傳統(tǒng)地磁傳感器相比較，在制造芯片的過程中不需要特殊處理，諸如把類似于隧道絕緣膜的薄氧化膜應(yīng)用于存儲(chǔ)單位，和將多晶硅層和金屬層層疊在一起以在芯片上形成位線和字線，并且可使用普通的C-M0S工藝來制造芯片，同時(shí)抑制芯片單價(jià)。由于不需要用于寫入的高壓產(chǎn)生電路、寫入電路等，所以可尋求減小存儲(chǔ)器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的規(guī)模，縮減芯片大小，并且降低價(jià)格。例如，通過利用在芯片中形成MOS-FET(場效應(yīng)晶體管)的柵極的過程中所使用的多硅結(jié)構(gòu)層，可進(jìn)行管理甚至無需為熔絲增加一層的布線層，并且可避免在由金屬層形成熔絲的情況下電源或地線纏結(jié)的現(xiàn)象。19由于由多硅結(jié)構(gòu)形成熔絲FuO-Fu3，所以，與金屬相比其阻抗率高，并且可形成能夠通過導(dǎo)電所產(chǎn)生的熱量而干凈利索地?cái)嚅_的熔絲。由于熔絲式存儲(chǔ)器用來存儲(chǔ)偏移值，并且由于通過物理地?cái)嚅_熔絲而存儲(chǔ)所述偏移值，所以，可消除隨著時(shí)間推移而在所述偏移值的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)中出現(xiàn)的任何改變。由于為了存儲(chǔ)偏移值而具有大約32比特的容量是足夠的，所以，易于創(chuàng)建小容量(從4到幾百比特)的存儲(chǔ)器的熔絲式存儲(chǔ)器適合于存儲(chǔ)所述偏移值。由于用于計(jì)算地磁傳感器1的偏移值的數(shù)據(jù)的測定中使用了在晶片的制造過程中所使用的測試器，所以可與其結(jié)合使用其它的IC產(chǎn)品的測試設(shè)備。已經(jīng)從晶片上切下(割下)的芯片可被安裝到裝備有用于施加磁場的線圈的測試夾具上，并且能夠以類似于晶片的方式來由探頭測定數(shù)據(jù)。如圖8所示的流程圖，將步驟(步驟Scl)加到圖7A中所示的流程圖中也是可接受的，在該步驟中，由前述測試器將外部磁場設(shè)置為零磁場。在此情況下，步驟Sc2對(duì)應(yīng)于步驟Sal，并且步驟Sc3對(duì)應(yīng)于步驟Sa2。而且，使用當(dāng)外部磁場被設(shè)置為零磁場時(shí)的輸出值作為標(biāo)準(zhǔn)值，還可通過將所述標(biāo)準(zhǔn)值和地磁傳感器的測定值進(jìn)行比較來校正地磁傳感器的測定值的特性。作為由測試器將外部磁場設(shè)置為零磁場的具體方法，可設(shè)想感應(yīng)這樣的電流，即，該電流在消除當(dāng)前存在于線圈中的磁場(環(huán)境磁場)的方向上產(chǎn)生磁場。接下來，就本申請(qǐng)的第一組發(fā)明和第二組發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行說明。該第二實(shí)施例的地磁傳感器1的模塊結(jié)構(gòu)和第一實(shí)施例相同，但是，把偏移變化/溫度變化的比率存儲(chǔ)在熔絲式存儲(chǔ)器13中作為偏移的溫度系數(shù)的情況不同于第一實(shí)施例中把偏移值自身存儲(chǔ)在熔絲式存儲(chǔ)器13中。在此例中，當(dāng)計(jì)算所述溫度系數(shù)時(shí)，使用前述物理量傳感器中的溫度傳感器所測定的溫度的情況不同于第一實(shí)施例中由流入內(nèi)部線圈的電流來調(diào)整溫度。以下將參照附圖來說明該實(shí)施例。在制造過程中，地磁傳感器1中的溫度傳感器從內(nèi)部溫度傳感器電路(未示出)讀取與環(huán)境溫度相關(guān)的特性的測定結(jié)果，根據(jù)所述結(jié)果獲得用于校正溫度傳感器電路的測定值的初始值，根據(jù)所述結(jié)果獲得用于校正溫度傳感器電路的靈敏度特性的校正值，并且將其存儲(chǔ)在熔絲式存儲(chǔ)器13中。而且，計(jì)算偏移變化與前述初始值和校正值所校正的溫度的比率，作為偏移的溫度系數(shù)，并且將其存儲(chǔ)在熔絲式存儲(chǔ)器13中。前述溫度傳感器電路由通常的帶隙參考電路和A/D轉(zhuǎn)換器構(gòu)成。帶隙參考電路由例如運(yùn)算放大器、二極管和電阻器構(gòu)成。A/D轉(zhuǎn)換器對(duì)帶隙參考電路的輸出電壓進(jìn)行A/D轉(zhuǎn)換，并且輸出作為A/D轉(zhuǎn)換結(jié)果的輸出值Dout。在溫度傳感器電路中，當(dāng)在環(huán)境溫度T為25t:的情況下輸出值Dout為600時(shí)，輸出值Dout如以下公式(1)所示。Dout=-2(T-25)+600...(1)根據(jù)公式(l)，例如當(dāng)環(huán)境溫度T為3(TC時(shí)，輸出值Dout為590?？刂七壿嬰娐?1從熔絲式存儲(chǔ)器13中讀取下述初始值A(chǔ)D和校正值A(chǔ)k連同前述偏移的溫度系數(shù)，使用所述值校正溫度傳感器電路的測定值，并且根據(jù)所述測定溫度值和偏移的溫度系數(shù)計(jì)算偏移。接下來，在該實(shí)施例的地磁傳感器1的晶片的制造過程中，參照?qǐng)D9中示出的流程圖，說明用于將前述偏移的溫度系數(shù)、以及與內(nèi)部溫度傳感器相關(guān)的前述初始值A(chǔ)D和校正值A(chǔ)k設(shè)置在熔絲式存儲(chǔ)器13中的操作。首先，形成有地磁傳感器l的電流的晶片被放置在卡盤(用于固定該晶片的夾具)上。將加熱線圈安裝在所述晶片中，由連接到所述卡盤的測試器控制所述線圈以便產(chǎn)生所期望的熱量，并且加熱所述晶片。接下來，通過使用施加磁場的線圈來由測試器把外部磁場設(shè)置為零磁場(步驟Sdl)，并且通過以下過程測定傳感器特性。g卩，由測試器把前述線圈控制到溫度T1。接下來，測定溫度傳感器電路的特性。其后，控制邏輯電路11將結(jié)果通過探頭臨時(shí)輸入到測試器內(nèi)的存儲(chǔ)器作為與溫度Tl相關(guān)的溫度傳感器電路的輸出值Dout的輸出值Dl'(步驟Sd2)。接下來，由測試器將線圈控制到溫度T2，測定該溫度傳感器電路的特性，其后，控制邏輯電路11將結(jié)果臨時(shí)輸入到測試器內(nèi)的存儲(chǔ)器作為與溫度T2相關(guān)的溫度傳感器電路的輸出值Dout的輸出值D2'(步驟Sd3)。接下來，使用公式(1)來計(jì)算與溫度Tl相關(guān)的輸出值Dout的理論值Dl、和與溫度T2相關(guān)的輸出值Dout的理論值D2。通過以下計(jì)算，使用輸出值Dl'、D2'、理論值Dl、溫度T1、T2、和公式(1)的溫度系數(shù)m(=-2)來計(jì)算初始值A(chǔ)D和校正值A(chǔ)k。g卩，如公式(2)所示，通過從輸出值D1'中減去理論值D1來獲得初始值A(chǔ)D。AD=Dl，-D1.(2)其后，通過公式(3)中所示的計(jì)算，使用輸出值D1'、D2'、溫度T1、T2和公式(1)的溫度系數(shù)m來獲得校正值A(chǔ)k。Ak=(D2，-Dl，)/[(T2-Tl)m]..(3)接下來，將初始值A(chǔ)D和校正值A(chǔ)k存儲(chǔ)在熔絲式存儲(chǔ)器13中(步驟Sd4)。接下來，測定地磁傳感器1的溫度，并且校正根據(jù)前述初始值A(chǔ)D和校正值A(chǔ)k測定的溫度(步驟Sd5)。接下來，提取與零磁場對(duì)應(yīng)的地磁傳感器1的測定值(步驟Sd6)。接下來，使預(yù)設(shè)電流在地磁傳感器1內(nèi)設(shè)置的線圈中流動(dòng)，通過產(chǎn)生該熱量來把地磁傳感器1加熱到所期望的溫度，改變地磁傳感器1的溫度(步驟Sd7)。接下來，由提供磁場的線圈來把預(yù)設(shè)的外部磁場施加給地磁傳感器1(步驟Sd8)。其后，返回步驟Sd5，并且重復(fù)上述步驟Sd5-Sd8的處理?？山⑦@樣的設(shè)置，使得在地磁傳感器1的溫度校正值具有根據(jù)外部磁場強(qiáng)度而變化的元件特性的情況下，在該步驟Sd8中提供外部磁場，而在地磁傳感器1的溫度校正值具有不受外部磁場強(qiáng)度影響的元件特性的情況下，跳過步驟Sd8，前進(jìn)到步驟Sd5。當(dāng)步驟Sd5-Sd8的處理進(jìn)行了預(yù)定的次數(shù)時(shí)，在步驟Sd7的處理之后不會(huì)進(jìn)行到步驟Sd8，而是進(jìn)行到步驟Sd9。S卩，根據(jù)地磁傳感器l的測定值計(jì)算偏移值，對(duì)構(gòu)成偏移值變化/溫度傳感器變化的比率的偏移值的溫度系數(shù)進(jìn)行計(jì)算，并且將它們存儲(chǔ)在熔絲式存儲(chǔ)器13中(步驟Sd9)。其后，終止在熔絲式存儲(chǔ)器13中設(shè)置偏移值的溫度系數(shù)的操作。結(jié)果，將地磁傳感器1的偏移值的溫度系數(shù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中。接下來，參照?qǐng)D7B中所示的流程圖來說明在實(shí)際使用該實(shí)施例的地磁傳感器1時(shí)的操作。由于在實(shí)際使用該實(shí)施例中的地磁傳感器1時(shí)的操作類似于第一實(shí)施例中的地磁傳感器1的操作，所以僅說明它們的不同點(diǎn)。首先，在地磁傳感器1中，控制邏輯電路11從熔絲式存儲(chǔ)器13讀取相關(guān)溫度下的偏移的溫度系數(shù)(步驟Sbl)。接下來，為了對(duì)方向測定數(shù)據(jù)的進(jìn)行溫度補(bǔ)償而對(duì)當(dāng)前環(huán)境溫度的進(jìn)行測定(步驟Sb2)，并且根據(jù)得自溫度傳感器的溫度校正和偏移的溫度系數(shù)的值來計(jì)算與相關(guān)溫度對(duì)應(yīng)的偏移值。此時(shí)，控制邏輯電路11從熔絲式存儲(chǔ)器13讀取前述初始值A(chǔ)D和校正值。使用該讀取的值，其輸出溫度輸出值Tout(步驟Sb3)，并且對(duì)溫度傳感器進(jìn)行校正，所述溫度輸出值Tout是通過下述類型的計(jì)算而把從溫度傳感器輸出的輸出值Dout轉(zhuǎn)換為溫度的值。S卩，通過公式(4)中示出的計(jì)算，使用測定值D、理論值D1、初始值A(chǔ)D、校正值A(chǔ)k和公式(1)中的溫度系數(shù)m來獲得溫度輸出值Tout。Tout=[D-(D1+AD)]X[1/(AkXm)]+Tl(。C).(4)在針對(duì)25°C的溫度Tl來進(jìn)行在熔絲式存儲(chǔ)器13中設(shè)置初始值A(chǔ)D和校正值A(chǔ)k的操作的情況下，公式(4)中的Tl為25°C(Dl=600)。接下來，地磁傳感器電路12進(jìn)行方向測定(步驟Sb3)。接下來，控制邏輯電路11從地磁傳感器電路12讀取方向測定數(shù)據(jù)，并且使用與前述校正后的溫度輸出值Tout相關(guān)的偏移值來校正測定值(步驟Sb4)。接下來，根據(jù)所述方向數(shù)據(jù)，把地圖數(shù)據(jù)顯示在移動(dòng)電話設(shè)備的顯示屏上。其后，回到步驟Sb2，并且重復(fù)步驟Sb2-Sb4的處理。如上所述，在地磁傳感器1內(nèi)的溫度傳感器的制造過程中，該實(shí)施例使得控制邏輯電路11能夠在熔絲式存儲(chǔ)器13中設(shè)置溫度傳感器內(nèi)的溫度傳感器電路的初始值A(chǔ)D和校正值A(chǔ)k。其進(jìn)一步使得控制邏輯電路11能夠計(jì)算偏移變化與由前述初始值和校正值所校正的溫度的比率而作為偏移的溫度系數(shù)，并且將其存儲(chǔ)在熔絲式存儲(chǔ)器13中。在實(shí)際使用溫度傳感器時(shí)，其還可使控制邏輯電路11能夠從熔絲式存儲(chǔ)器13中讀取初始值A(chǔ)D和校正值A(chǔ)k、以及設(shè)置在熔絲式存儲(chǔ)器13中的溫度傳感器電路的偏移的溫度系數(shù)，能夠輸出溫度輸出值Tout、并且能夠根據(jù)相關(guān)值校正地磁傳感器1的偏移。結(jié)果，可減少要被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的數(shù)值的數(shù)量。關(guān)于臨時(shí)存儲(chǔ)用于計(jì)算地磁傳感器1中的溫度傳感器的初始值A(chǔ)D和校正值A(chǔ)k的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器，除了測試器內(nèi)部的存儲(chǔ)器之外，如果可在地磁傳感器1的芯片上形成構(gòu)成DRAM、SRAM等的高速緩沖存儲(chǔ)器或分離的熔絲式存儲(chǔ)器，并且可在其中臨時(shí)存儲(chǔ)前述數(shù)據(jù)，則使用這種存儲(chǔ)器是可接受的。關(guān)于對(duì)用于計(jì)算地磁傳感器l中的溫度傳感器的初始值A(chǔ)D和校正值A(chǔ)k的數(shù)據(jù)所進(jìn)行的測定，由于使用安裝在晶片制造過程中所使用的測試器上的可加熱卡盤，所以，可結(jié)合使用其它用于LSI測試器的設(shè)備。還可以將從晶片上切下(割下)的芯片安裝到裝備有用于加熱的加熱器的測試夾具上，并且能夠以與晶片相同的方式來由探頭測定輸出值。接下來，說明本申請(qǐng)的第一組發(fā)明的第三實(shí)施例。該第三實(shí)施例的地磁傳感器的模塊結(jié)構(gòu)與圖1相同，但是，當(dāng)在預(yù)加工地磁傳感器1的過程中使得溫度和磁場二者發(fā)生變化時(shí)，以下情況是與不由地磁傳感器1中的溫度傳感器進(jìn)行溫度監(jiān)視的第一實(shí)施例的不同點(diǎn)，該情況為，通過預(yù)先獲得安放在每一晶片上的芯片的溫度傳感器的靈敏度特性、并且通過由所述溫度傳感器另外測定實(shí)際溫度并進(jìn)行反饋，來進(jìn)行高精度的溫度控制。以下，參照?qǐng)D7A中示出的流程圖來說明該實(shí)施例。由于在該實(shí)施例中的地磁傳感器1的制造過程中的操作類似于預(yù)加工第一實(shí)施例中的地磁傳22感器1的操作，所以僅針對(duì)不同點(diǎn)進(jìn)行說明。具體地，在步驟Sal中，預(yù)先獲得安放在每一晶片上的芯片的溫度傳感器的靈敏度特性，并且將其存儲(chǔ)在測試器的存儲(chǔ)器中。同時(shí)，給芯片的位置分配地址，并且把該靈敏度特性和該地址信息存儲(chǔ)在測試器的存儲(chǔ)器中作為每一地址的溫度傳感器特性。接下來，通過使用具有溫度調(diào)整功能的探查控制裝置，以與第一實(shí)施例相同的方式來對(duì)地磁傳感器1中的線圈進(jìn)行通電和加熱，以達(dá)到所期望的溫度。由地磁傳感器1中的溫度傳感器來監(jiān)視(測定)傳感器芯片內(nèi)的測定溫度。在此情況下，根據(jù)存儲(chǔ)在測試器中的地址信息來讀取溫度傳感器特性信息，使用該溫度傳感器特性信息來校正所述芯片中的測定溫度，并且計(jì)算精確的溫度。在把該溫度(測定值)和規(guī)定溫度(理論值)進(jìn)行比較并發(fā)現(xiàn)差異的情況下，通過探查控制裝置的溫度調(diào)整功能來調(diào)整溫度傳感器的溫度。根據(jù)上述操作，將地磁傳感器1加熱到所期望的溫度。而且，測試器通過探查控制裝置將指令發(fā)到控制邏輯電路11，并且根據(jù)用于施加磁場的線圈所施加的外部磁場來提取地磁傳感器1的測定值。在該實(shí)施例中，使磁場和溫度條件變化，重復(fù)進(jìn)行多次測定，并且在多個(gè)所期望的磁場和所期望的溫度下獲得測定值。其后，對(duì)在多個(gè)磁場和溫度條件下獲得的多個(gè)測定值分別進(jìn)行計(jì)算，并且計(jì)算各個(gè)偏移值。接下來，在步驟Sa2，把安放在每一晶片上的芯片的溫度傳感器特性信息和所計(jì)算的偏移值存儲(chǔ)在熔絲式存儲(chǔ)器13中。其后，在熔絲式存儲(chǔ)器13中設(shè)置偏移值的操作終止。結(jié)果，根據(jù)地磁傳感器1的溫度變化來存儲(chǔ)偏移變化。根據(jù)前述實(shí)施例，如上所述，當(dāng)使溫度和外部磁場二者都改變時(shí)，通過預(yù)先獲得安放在每一晶片上的芯片的溫度傳感器靈敏度特性、并且通過由溫度傳感器另外測定實(shí)際溫度并進(jìn)行反饋，來進(jìn)行高精度的溫度控制，并且可根據(jù)溫度精確地提取偏移值。同樣，在此實(shí)施例中，可使得溫度條件和外部磁場條件二者變化。例如，可將溫度改變到25t:和35t:兩個(gè)點(diǎn)，并且在多個(gè)磁場條件下分別進(jìn)行測定以計(jì)算偏移值。在此情況下，固定溫度并且使得磁場變化是有效的，但是固定磁場并且優(yōu)先單獨(dú)使得溫度變化也是可接受的。進(jìn)行隨機(jī)測定也是可接受的。作為該實(shí)施例的變型實(shí)例，對(duì)于第二實(shí)施例，還可將偏移的溫度系數(shù)和靈敏度特性存儲(chǔ)在熔絲式存儲(chǔ)器13中。在此情況下，臨時(shí)存儲(chǔ)在測試器的存儲(chǔ)器中的每一地址的靈敏度特性，根據(jù)所述地址而被輸入到芯片的熔絲式存儲(chǔ)器中。通過該手段，在分離為單獨(dú)的芯片之后，可根據(jù)每一溫度傳感器的靈敏度變化(初始值A(chǔ)D)和偏移的溫度系數(shù)(Ak)來校正溫度傳感器。以上參照附圖詳細(xì)說明了本發(fā)明的實(shí)施例，但是，具體結(jié)構(gòu)不限于這些實(shí)施例，并且也包括不脫離本發(fā)明的實(shí)質(zhì)的范圍內(nèi)的設(shè)計(jì)變化。例如，關(guān)于對(duì)熔絲元件的寫入，除了以電子方式進(jìn)行之外，還可通過從外部照射諸如用激光、FIB和電子束來進(jìn)行斷開以進(jìn)行寫入。另外，即使不對(duì)熔絲元件進(jìn)行物理斷開，使用允許把阻抗值提高到下述狀態(tài)的任何手段也是可接受的，在所述狀態(tài)中，可判斷實(shí)質(zhì)上已經(jīng)出現(xiàn)斷開。而且，對(duì)于反熔絲(anti-fuse)，具有這樣的存儲(chǔ)器也是可接受的，S卩，使高阻抗?fàn)顟B(tài)(或絕緣狀態(tài))的阻抗降低到進(jìn)入良好的導(dǎo)電狀態(tài)。以下，參照附圖來說明本申請(qǐng)的第二組發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例。如圖10所示，由用于對(duì)溫度傳感器201進(jìn)行控制的控制邏輯電路211(校正數(shù)據(jù)寫入裝置)(校正數(shù)據(jù)讀取裝置)(校正裝置)(控制裝置)、溫度傳感器電路212(溫度檢測裝置)和熔絲式存儲(chǔ)器213來在一個(gè)芯片上構(gòu)成溫度傳感器201。在溫度傳感器201的制造過程中，控制邏輯電路211從溫度傳感器電路212讀取與環(huán)境溫度相關(guān)的特性的測定結(jié)果，根據(jù)所述結(jié)果獲得用于校正溫度傳感器電路212的測定值的初始值，根據(jù)所述結(jié)果獲得用于校正溫度傳感器電路212的靈敏度特性的校正值，并且將該初始值和該校正值存儲(chǔ)在熔絲式存儲(chǔ)器213中。如下面所述的，控制邏輯電路211從熔絲式存儲(chǔ)器213中讀取初始值A(chǔ)D和校正值A(chǔ)k，并且使用所述值來校正來自溫度傳感器電路212的測定值。該溫度傳感器電路與傳統(tǒng)的溫度傳感器電路相同。熔絲式存儲(chǔ)器213具有多個(gè)熔絲(存儲(chǔ)單位)，根據(jù)來自控制邏輯電路211的某些特定輸入脈沖來把過流脈沖提供給設(shè)置在內(nèi)部的字線和位線的交叉點(diǎn)上的熔絲，以使之熔化，從而將數(shù)據(jù)寫入所述交叉點(diǎn)。把過流脈沖選擇性地給予各個(gè)熔絲，并且存在有已被電氣斷開的熔絲和仍然維持電氣連接的熔絲，其結(jié)果是存儲(chǔ)了規(guī)定比特?cái)?shù)的數(shù)據(jù)。響應(yīng)于來自控制邏輯電路211的其它輸入信號(hào)，并且根據(jù)所述字線和位線的交叉點(diǎn)使得熔絲的斷開狀態(tài)，讀取在所述交叉點(diǎn)上寫入的數(shù)據(jù)，并且將其輸出到控制邏輯電路211。接下來，參照?qǐng)D11A中所示的流程圖來說明該實(shí)施例的溫度傳感器201的制造過程中，在熔絲式存儲(chǔ)器213中設(shè)置初始值A(chǔ)D和校正值A(chǔ)k的操作。首先，其中形成有溫度傳感器201的電路的晶片被放置在卡盤(用于固定晶片的夾具)上。把加熱線圈安裝到所述卡盤的底面，控制所述線圈，以便通過連接到所述卡盤的測試器產(chǎn)生所期望的熱量，并且加熱所述晶片。接下來，通過以下過程來測定傳感器特性(步驟Sal)。g卩，由測試器把加熱器控制在溫度Tl(第一溫度)(步驟Sal)。接下來，對(duì)溫度傳感器電路212的特性進(jìn)行測定(步驟Sa2)。其后，控制邏輯電路211通過探頭把結(jié)果臨時(shí)輸入到測試器內(nèi)的存儲(chǔ)器，作為與溫度Tl相關(guān)的溫度傳感器電路212的輸出值Dout的輸出值Dl'(與第一溫度相關(guān)的測定值)(步驟Sa3)。接下來，由測試器把加熱器控制在溫度T2(第二溫度)(步驟Sa4)，并且測定溫度傳感器電路212的特性(步驟Sa5)。其后，控制邏輯電路211把結(jié)果臨時(shí)輸入到測試器內(nèi)的存儲(chǔ)器，作為與溫度T2相關(guān)的溫度傳感器電路212的輸出值Dout的輸出值D2'(與第一溫度相關(guān)的測定值)(步驟Sa6)。接下來，通過使用前述公式(21)，計(jì)算與溫度Tl相關(guān)的輸出值Dout的理論值Dl(與第一溫度相關(guān)的理論值)和與溫度T2相關(guān)的輸出值Dout的理論值D2。通過使用輸出值D1'、D2'、理論值D1、溫度T1、T2和公式(21)的溫度系數(shù)m(=-2)，通過以下計(jì)算來計(jì)算初始值A(chǔ)D和校正值A(chǔ)k(步驟Sa7)。g卩，如公式(22)所示，通過從輸出值D1'中減去理論值D1來獲得初始值A(chǔ)D。AD=Dl，-D1...(22)使用輸出值D1'、D2'、溫度T1、T2和公式(21)的溫度系數(shù)m，通過公式(23)中所示的計(jì)算來獲得校正值八k。Ak=(D2，-Dl，)/[(T2-T1)m].(23)接下來，在熔絲式存儲(chǔ)器213中存儲(chǔ)初始值A(chǔ)D和校正值A(chǔ)k(步驟Sa8)。其后，終止在熔絲式存儲(chǔ)器213中設(shè)置初始值A(chǔ)D和校正值A(chǔ)k的操作。接下來，說明在實(shí)際使用該實(shí)施例的溫度傳感器201時(shí)的操作。在該實(shí)施例中，溫24度傳感器201與用于進(jìn)行方向測定操作的地磁傳感器一起安裝在移動(dòng)電話設(shè)備中，溫度傳感器201用于作為附屬于所述地磁傳感器的物理量傳感器而提取所述地磁傳感器的溫度補(bǔ)償過程中所使用的環(huán)境溫度數(shù)據(jù)，并且僅在需要對(duì)所述地磁傳感器進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)那闆r下，根據(jù)所述地磁傳感器的指令進(jìn)行操作。首先，其中安裝有溫度傳感器201和地磁傳感器的移動(dòng)電話設(shè)備的電源被打開，并且開始對(duì)各部分進(jìn)行操作。參照?qǐng)D11B中示出的流程圖來對(duì)溫度傳感器201的操作說明如下。將溫度傳感器電路212的前述初始值A(chǔ)D和校正值A(chǔ)k存儲(chǔ)在溫度傳感器201的熔絲式存儲(chǔ)器213中。首先，地磁傳感器指示溫度傳感器201測定當(dāng)前環(huán)境溫度，以便在測定方向的過程中對(duì)方向測定數(shù)據(jù)進(jìn)行溫度補(bǔ)償。其后，控制邏輯電路211從熔絲式存儲(chǔ)器213中讀取初始值A(chǔ)D和校正值A(chǔ)k(步驟Sbl)。接下來，溫度傳感器電路212進(jìn)行溫度測定(步驟Sb2)。接下來，控制邏輯電路211從溫度傳感器電路212中讀取輸出值Dout作為溫度測定數(shù)據(jù)，并且輸出溫度輸出值Tout，所述溫度輸出值Tout是使用前述初始值A(chǔ)D和校正值△k、根據(jù)以下計(jì)算來將輸出值Dout轉(zhuǎn)換為溫度的值(步驟Sb3)。S卩，使用測定值D、理論值D1、初始值A(chǔ)D、校正值A(chǔ)k和公式(21)的溫度系數(shù)m，通過公式(24)中所示的計(jì)算來獲得溫度輸出值Tout。Tout=[D-(D1+AD)]X[1/(AkXm)]+Tl(。C).(24)在針對(duì)25t:的溫度Tl來進(jìn)行在熔絲式存儲(chǔ)器213中設(shè)置初始值A(chǔ)D和校正值A(chǔ)k的操作的情況下，公式(24)中的Tl為25°C。其后，將輸出的溫度輸出值Tout輸出到地磁傳感器，對(duì)方向數(shù)據(jù)進(jìn)行溫度補(bǔ)償，并且根據(jù)所述方向數(shù)據(jù)來把地圖數(shù)據(jù)顯示在移動(dòng)電話設(shè)備的顯示屏上。其后，終止溫度傳感器201的操作。如上所述，該實(shí)施例使得控制邏輯電路211能夠在溫度傳感器201的制造過程中，在熔絲式存儲(chǔ)器213中設(shè)置溫度傳感器電路212的初始值A(chǔ)D和校正值A(chǔ)k。在實(shí)際使用溫度傳感器201時(shí)，其進(jìn)一步使得控制邏輯電路11能夠從熔絲式存儲(chǔ)器213中讀取設(shè)置在熔絲式存儲(chǔ)器213中的溫度傳感器電路212的初始值A(chǔ)D和校正值A(chǔ)k，并且能夠根據(jù)所述值輸出溫度輸出值Tout。結(jié)果，可校正與所述測定值相關(guān)的各個(gè)變化，并且可力爭在溫度傳感器的測定值的精度方面進(jìn)行改進(jìn)。在該實(shí)施例中，替代熱敏電阻或熱電偶，將二極管用作溫度傳感器電路212的溫度檢測元件，并且由多硅結(jié)構(gòu)(多晶硅)形成熔絲，其結(jié)果是，可通過普通的CMOS處理來制造溫度傳感器201的芯片，而無需重新設(shè)置金屬布線層，并且可避免增高成本而且不會(huì)使溫度傳感器201的制造過程變得復(fù)雜。由于熔絲式存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)初始值A(chǔ)D和校正值A(chǔ)k，并且由于通過使熔絲物理地?cái)嚅_而將初始值A(chǔ)D和校正值A(chǔ)k存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中，所以可消除所述值的變化。由于為了存儲(chǔ)初始值A(chǔ)D和校正值A(chǔ)k而具有大約32比特的容量是足夠的，所以易于創(chuàng)建小容量(從4到幾百比特)的存儲(chǔ)器的熔絲式存儲(chǔ)器適合于存儲(chǔ)所述值。在該實(shí)施例中，關(guān)于和地磁傳感器結(jié)合使用的溫度傳感器，由于在所述地磁傳感器中使用兩種金屬，使用由所述兩種金屬形成的熱電偶作為溫度檢測元件是可接受的。在該實(shí)施例中，假設(shè)在對(duì)安裝在移動(dòng)電話設(shè)備中的地磁傳感器進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)倪^程中使用溫度傳感器201，但是，本申請(qǐng)不限于此，并且溫度傳感器201還可用在需要溫度補(bǔ)償?shù)碾娮釉O(shè)備中。用來臨時(shí)存儲(chǔ)用于計(jì)算溫度傳感器201的初始值A(chǔ)D和校正值A(chǔ)k的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器不限于測試器內(nèi)的存儲(chǔ)器，并且如果可在溫度傳感器201的芯片上形成DRAM高速緩沖存儲(chǔ)器或另一熔絲式存儲(chǔ)器，并且可在其中臨時(shí)存儲(chǔ)前述數(shù)據(jù)，則也可使用這種存儲(chǔ)器。由于對(duì)用于計(jì)算溫度傳感器201的初始值A(chǔ)D和校正值A(chǔ)k的數(shù)據(jù)的測定使用在晶片的制造過程中所使用的卡盤，可結(jié)合使用其它用于測試器的設(shè)備。而且，從晶片上切下(割下)的芯片可被安裝到裝備有用于加熱的加熱器的測試夾具上，并且能夠以與晶片相同的方式來由探頭測定輸出值。上面已經(jīng)參照附圖詳細(xì)說明了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，但是，其具體結(jié)構(gòu)不限于該實(shí)施例，而是也包括不偏離本發(fā)明的實(shí)質(zhì)的范圍內(nèi)的設(shè)計(jì)變型。以下，使用本發(fā)明的實(shí)施例。圖13是示出與本申請(qǐng)的第三組發(fā)明的第一實(shí)施例相關(guān)的用于地磁檢測的LSI的結(jié)構(gòu)概要的框圖。如同一圖所示，LSI301具有電源端子302、地端子303、芯片選擇輸入端子304、數(shù)據(jù)輸入端子305和數(shù)據(jù)輸出端子306。該圖中省略了對(duì)各個(gè)部分所進(jìn)行的電源線和地線的布線。接口電路307相對(duì)于未示出的主芯片發(fā)送和接收芯片選擇信號(hào)和輸入/輸出信號(hào)?；趤碜灾餍酒闹噶睿刂齐娐?08根據(jù)規(guī)定邏輯進(jìn)行工作，并且對(duì)各個(gè)部分進(jìn)行控制。內(nèi)部振蕩器電路309將時(shí)鐘脈沖發(fā)送到控制電路308和其它電路。X軸方向磁傳感器310和Y軸方向磁傳感器311是使用磁阻元件等的磁傳感器。轉(zhuǎn)換開關(guān)電路312根據(jù)控制電路308的控制進(jìn)行工作，交替地把磁傳感器310和311的方向輸出中的輸出切換到放大器313的輸入端。放大器313放大磁傳感器310和311的方向輸出，并且將它們發(fā)送到A/D轉(zhuǎn)換電路314。A/D轉(zhuǎn)換電路314將方向輸出數(shù)字化，并且將它們輸出到控制電路308。熔絲式存儲(chǔ)器315是這樣的存儲(chǔ)器，即，其等效于用于存儲(chǔ)在發(fā)貨檢驗(yàn)時(shí)測定的檢測輸出的校正數(shù)據(jù)和其它數(shù)據(jù)的熱變成型非易失性存儲(chǔ)元件，并且以下值中的任一個(gè)被存儲(chǔ)為所述檢測輸出的校正數(shù)據(jù)(a)Dl至D3的值；(b)D3的值；(c)Dl、D2和D4的值；或(d)D4的值。校正數(shù)據(jù)D1-D4由以下公式(304)-(307)表示。Dl=a12./all.(304)D2=a21./all.(305)D3=a22./all.(306)D4=a22./all-l.(307)假設(shè)aij(i=1或2，j=1或2)是下面講到的校正系數(shù)。圖14是示出熔絲式存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)實(shí)例的框圖。該圖示出了這樣一個(gè)實(shí)例，其中，四個(gè)存儲(chǔ)單元d0-d3以串級(jí)鏈連接(鏈接成一排)，以構(gòu)成4比特掃描通道(scanpass)。利用該結(jié)構(gòu)，檢測輸出的校正數(shù)據(jù)可被存儲(chǔ)為4比特的信息。在每一存儲(chǔ)單元d0-d3中，321是由多晶硅電阻等構(gòu)成的熔絲，322是N類FET(場效應(yīng)晶體管)，323是數(shù)據(jù)觸發(fā)電路，324是對(duì)FET322發(fā)出柵極電壓的三輸入或非門，并且325是由雙輸入與門和雙輸入或非門構(gòu)成的邏輯門，所述雙輸入與門和雙輸入或非門把輸出數(shù)據(jù)輸出到以串級(jí)鏈連接的下一存儲(chǔ)單元。以下給出與存儲(chǔ)單元d0的結(jié)構(gòu)有關(guān)的說明，但是其它存儲(chǔ)單元dl-d3也采用該結(jié)構(gòu)。將要寫入存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)被輸入到數(shù)據(jù)觸發(fā)電路323的數(shù)據(jù)輸入端D，并且時(shí)鐘脈沖ck被提供給CK端。從數(shù)據(jù)觸發(fā)電路323的正輸出端0把輸出數(shù)據(jù)提供給或非門324的輸入端之一，把時(shí)鐘脈沖ck的反轉(zhuǎn)信號(hào)提供給另一輸入端，并且把寫入信號(hào)的反轉(zhuǎn)信號(hào)/WRITE提供給又一輸入端?；蚍情T324的輸出端與FET322的柵極相連接，并且其漏極接地并構(gòu)成地電平。熔絲321的一端與電源電壓VDD相連接，并且另一端與FET322的源級(jí)相連接。把讀信號(hào)READ提供給構(gòu)成邏輯門325的與門的輸入端之一，同時(shí)另一輸入端與FET322的源級(jí)相連接。從數(shù)據(jù)觸發(fā)電路323的負(fù)輸出端0N把輸出數(shù)據(jù)提供給構(gòu)成邏輯門325的或非門的輸入端之一，同時(shí)另一輸入端與構(gòu)成邏輯門325的與門的輸出端相連接。其后，邏輯門325的輸出被提供給以串級(jí)鏈連接的下一存儲(chǔ)單元dl的數(shù)據(jù)觸發(fā)電路323的數(shù)據(jù)輸入端D。當(dāng)以低電平(低電平激活(lowactive))提供READ信號(hào)并以高電平(低電平激活)提供/WRITE信號(hào)時(shí)，每一存儲(chǔ)單元被預(yù)先初始化。當(dāng)對(duì)存儲(chǔ)單元d0進(jìn)行寫入時(shí)，從存儲(chǔ)單元d0的輸入端/di發(fā)送用于寫入的比特，并且在把該比特發(fā)送到所期望的存儲(chǔ)單元時(shí)把/WRITE提供給或非門324作為低電平。結(jié)果，或非門324的輸出W0變?yōu)楦唠娖?，F(xiàn)ET322導(dǎo)通，并且熔絲321通電并被熔斷。作為例子，圖14中描述的情況示出，數(shù)據(jù)被寫入到存儲(chǔ)單元d0和d2，并且各個(gè)熔絲21熔斷。艮卩，其示出，數(shù)據(jù)"l"(低電平)被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元d0中，數(shù)據(jù)"0"(高電平)被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元dl中，數(shù)據(jù)"l"(低電平)被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元d2中，并且數(shù)據(jù)"0"(高電平)被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元d3中。當(dāng)從每一存儲(chǔ)單元讀取數(shù)據(jù)時(shí)，在將數(shù)據(jù)觸發(fā)電路323復(fù)位之后，通過把READ設(shè)置為高電平來在邏輯門325的輸出中反映是否存在熔絲321的斷開。在此狀態(tài)下進(jìn)行掃描輸出操作，并且通過最后的存儲(chǔ)單元d3的邏輯門325來從輸出端d0提取每一存儲(chǔ)單元的輸出以及每一存儲(chǔ)單元的輸出的反轉(zhuǎn)輸出。如果回到圖13來進(jìn)行說明，則轉(zhuǎn)換開關(guān)電路312被控制，并且把磁傳感器310和311的檢測輸出Sx和Sy輸入到A/D轉(zhuǎn)換電路314。在由該A/D轉(zhuǎn)換電路314把檢測輸出Sx和Sy數(shù)字化之后，它們被輸入到控制電路308的內(nèi)部寄存器(未示出)中。其后，從熔絲式存儲(chǔ)器315讀取校正數(shù)據(jù)，并且在檢測輸出Sx和Sy被輸出到接口電路307之后，對(duì)檢測輸出Sx和Sy進(jìn)行校正。代替由控制電路308進(jìn)行的校正，還可通過以下方式相對(duì)于檢測輸出Sx和Sy進(jìn)行校正。即，把用于輸出存儲(chǔ)在熔絲式存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)的功能提供給LSI，并且在校正之前從LSI輸出Sx和Sy。在主側(cè)(master)，基于熔絲式存儲(chǔ)器分開地接收的數(shù)據(jù)，通過軟件處理來校正Sx和Sy。接下來，就檢測輸出Sx和Sy的校正處理進(jìn)行說明。首先，就磁傳感器310和311的檢測輸出Sx和Sy和磁場Hx和Hy來說，其關(guān)系顯示在公式(308)中。(數(shù)一)<table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table>假設(shè)aij(i=l或2，j=l或2)是校正系數(shù)，則all是X軸靈敏度校正系數(shù)(=1/X軸靈敏度)，a22是Y軸靈敏度校正系數(shù)(=1/Y軸靈敏度)，并且al2和a21是軸間校正系數(shù)。對(duì)于理想的磁傳感器，all=a22并且al2=a21，但是對(duì)于實(shí)際磁傳感器，all#a22并且a12#a21，因此需要該校正處理。在第一實(shí)施例中，基于以下校正計(jì)算方法A-D中的任一種來進(jìn)行校正處理。(計(jì)算方法A)當(dāng)考慮到地磁傳感器的特性時(shí)，不需要獲得磁場的絕對(duì)值來測定方向，而是僅需要磁場的每一分量的比率。因此，如果獲得了al2/all、a21/all和a22/all這三個(gè)值，則這對(duì)于在和地磁傳感器相關(guān)的應(yīng)用中進(jìn)行校正計(jì)算是足夠的。因此，在計(jì)算方法A中，通過使用存儲(chǔ)在熔絲式存儲(chǔ)器中的校正數(shù)據(jù)D1-D3的值，通過公式(309)來進(jìn)行校正處理。(數(shù)二)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage28</formula>...(309)假設(shè)Sx'和Sy'是校正后的檢測輸出。根據(jù)公式(309)，由于與X軸靈敏度校正系數(shù)all相關(guān)的校正數(shù)據(jù)因all/all=1而在原理上為l，所以，即使熔絲式存儲(chǔ)器中未存儲(chǔ)該校正數(shù)據(jù)，也可無障礙地進(jìn)行校正處理。因此，就該計(jì)算方法A而言，例如，通過設(shè)置固定值"1"，并且用"1"替換X軸靈敏度校正系數(shù)，來進(jìn)行校正計(jì)算。通過該方法，要被存儲(chǔ)在熔絲式存儲(chǔ)器中的校正數(shù)據(jù)的項(xiàng)數(shù)減少l，并且校正數(shù)據(jù)的總量減少。如果每一校正數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)長度是6比特長度的值，而校正系數(shù)all、al2、a21和a22的總數(shù)據(jù)長度為24比特，則與計(jì)算方法A相關(guān)的校正數(shù)據(jù)Dl、D2和D3的總量將為18比特。(計(jì)算方法B)該計(jì)算方法針對(duì)這樣的情況，S卩，軸間校正系數(shù)除以軸靈敏度校正系數(shù)al2/a11和a21/al1為接近于"O"的值，并且通過使用公式(310)來進(jìn)行校正處理，例如，通過設(shè)置固定值<formula>formulaseeoriginaldocumentpage28</formula>(0"，用該固定值來替代值al2/al1和a21/al1來獲得所述公式(310)。(數(shù)三)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage28</formula>…(310)就該計(jì)算方法而言，所需的校正數(shù)據(jù)的項(xiàng)數(shù)減少到l，其結(jié)果是可將校正數(shù)據(jù)的總量減少到1個(gè)校正數(shù)據(jù)的6比特。(計(jì)算方法C)就該計(jì)算方法而言，使用公式(311)來進(jìn)行校正處理。(數(shù)四)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage29</formula>就該計(jì)算方法而言，針對(duì)這樣的情況，S卩，軸靈敏度校正系數(shù)除以軸靈敏度校正系數(shù)a22/al1為接近于"l"的值，并且例如，通過設(shè)置標(biāo)準(zhǔn)值"1"，并且通過采用該標(biāo)準(zhǔn)值和a22/al1的差作為校正數(shù)據(jù)，來致力于縮短校正數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)長度。g卩，由于校正數(shù)據(jù)Dl和D2最開始是小值的可能性高，并且由于D4也是被給定作為與標(biāo)準(zhǔn)值"l"的差，所以其為小值的可能性高，因此，可縮短各個(gè)數(shù)據(jù)的長度。如果每一校正數(shù)據(jù)的比特長度在此從6比特縮短到4比特，則要被存儲(chǔ)在熔絲式存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)量被減少到校正數(shù)據(jù)D1、D2和D4的總共12比特。(計(jì)算方法D)該計(jì)算方法D針對(duì)這樣的情況，即，軸間校正系數(shù)除以軸靈敏度校正系數(shù)al2/al1和a21/al1為接近于"O"的值，并且通過使用公式(312)來進(jìn)行校正處理。通過采用用計(jì)算方法B說明的校正數(shù)據(jù)項(xiàng)減少、和用計(jì)算方法C說明的校正數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)長度縮短這兩種方式，來減少校正數(shù)據(jù)的總量。簡言之，與計(jì)算方法B類似，用固定值(例如，"O")來替換值al2/all和a21/a11，并且與計(jì)算方法C類似，采用與a22/a11的標(biāo)準(zhǔn)值(例如，"l")的差作為校正數(shù)據(jù)。(數(shù)五)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage29</formula>通過該計(jì)算方法，校正數(shù)據(jù)的項(xiàng)數(shù)可被減少到與方法B相同的一項(xiàng)，并且數(shù)據(jù)長度還可被縮短到例如與方法C相同的4比特。簡言之，校正數(shù)據(jù)的總長度可被減少到作為校正數(shù)據(jù)D4的數(shù)據(jù)長度的4比特。接下來，就本發(fā)明的第二實(shí)施例進(jìn)行說明。該第二實(shí)施例示出了把3個(gè)正交軸用于設(shè)置有地磁傳感器的地磁檢測裝置的例子。該地磁檢測裝置使用具有與圖13所示的LSI相同結(jié)構(gòu)的LSI來檢測沿3軸方向的地磁。該裝置的熔絲式存儲(chǔ)器或者存儲(chǔ)(e)Dl-D3和D5-D9的值，或者存儲(chǔ)(f)D3和D9的值、(g)D4和Dl的值、和(h)Dl，D2，D4-D8和D10的值，作為對(duì)在發(fā)貨檢驗(yàn)時(shí)測定的檢測輸出的校正數(shù)據(jù)。在公式(313)-(318)中示出了校正數(shù)據(jù)D5-D10。的關(guān)系'<formula>formulaseeoriginaldocumentpage29</formula>假設(shè)aij(i=1或2，j=1或2)是下面講到的校正系數(shù)。地磁傳感器的磁檢測輸出Sx、Sy和Sz以及磁場Hx、Hy和Hz具有公式(319)所示(數(shù)六)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage30</formula>假設(shè)aij(i=l至3，j=l至3)是校正系數(shù)，all是X軸靈敏度校正系數(shù)(=1/X軸靈敏度)，a22是Y軸靈敏度校正系數(shù)(=1/Y軸靈敏度)，a33是Z軸靈敏度校正系數(shù)(=1/Z軸靈敏度)，并且a12、a13、a21、a23、a31和a32是軸問校正系數(shù)。在該第二實(shí)施例中，基于以下校正計(jì)算方法E至H中的任一個(gè)來進(jìn)行校正處理。[O313](計(jì)算方法E)通過計(jì)算方法E，與計(jì)算方法A類似，根據(jù)以下觀點(diǎn)使用公式(320)來進(jìn)行校正計(jì)算，所述觀點(diǎn)為，如果獲得了磁場的每一分量的比率，則對(duì)于地磁傳感器應(yīng)用來說這是足夠的。(數(shù)七)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage30</formula>...(320)假設(shè)Sx'、Sy'和Sz'是校正后的檢測輸出。如果校正系數(shù)的數(shù)據(jù)長度是例如6比特長度的值，則為了存儲(chǔ)9個(gè)校正系數(shù)all至a33將需要54比特的存儲(chǔ)容量，根據(jù)計(jì)算方法E，僅存儲(chǔ)8個(gè)校正數(shù)據(jù)Dl-D3和D5-D9是足夠的，其結(jié)果是所需的存儲(chǔ)器容量可被減少到48比特。[O319](計(jì)算方法F)就該計(jì)算方法而言，與計(jì)算方法B類似，針對(duì)以下情況，S卩，al2/all、al3/all、a21/all、a23/all、a31/all和a32/all是接近于"0"的值，并且使用公式(321)進(jìn)行校正處理，以固定值(例如，"0")來替代al2/all、al3/all、a21/all、a23/all、a31/all和a32/all。(數(shù)八)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage30</formula>就該計(jì)算方法而言，由于可以接受不在熔絲式存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)由固定值"O"替代的校正數(shù)據(jù)，所以可將校正數(shù)據(jù)的總量減少該量。即，由于可以接受僅存儲(chǔ)校正數(shù)據(jù)D3和D9，所以校正數(shù)據(jù)D3和D9所需的總量被減少到12比特。(計(jì)算方法G)就該計(jì)算方法而言，針對(duì)以下情況，即，軸靈敏度校正系數(shù)除以軸靈敏度校正系數(shù)a22/all和a33/all為接近于"1"的值，并且通過將它們表示為與標(biāo)準(zhǔn)值(在此例中，"l")的差，來致力于縮短校正數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)長度。即，該計(jì)算方法使用公式(322)來進(jìn)行校正處理。(數(shù)九)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage31</formula>可以接受將校正數(shù)據(jù)D1、D2、D4-D8和D10的值存儲(chǔ)在熔絲式存儲(chǔ)器中。由于這些校正數(shù)據(jù)值全部是小值的可能性高，它們的各個(gè)數(shù)據(jù)長度可被縮短為4比特。結(jié)果，8個(gè)校正數(shù)據(jù)Dl、D2、D4-D8和D10的總量可被減少到32比特。[O329](計(jì)算方法H)就該計(jì)算方法而言，使用公式(323)來進(jìn)行校正處理。(數(shù)十)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage31</formula>該計(jì)算方法將所采用的校正數(shù)據(jù)減少到如計(jì)算方法F所說明的D4和D10兩項(xiàng)，并且進(jìn)一步使D4和D10成為與標(biāo)準(zhǔn)值(例如，"l")的差值，以便把數(shù)據(jù)長度縮短為4比特。結(jié)果，要被存儲(chǔ)的校正數(shù)據(jù)D4和D10的總量被縮短為8比特。以上詳細(xì)說明了本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，但是，具體結(jié)構(gòu)不限于該實(shí)施例，還包括不偏離本發(fā)明實(shí)質(zhì)的范圍內(nèi)的設(shè)計(jì)等。例如，本發(fā)明不限于使用熔絲式存儲(chǔ)器的模式，并且可采用以下模式，例如，采用作為一種熱變成型的非易失性存儲(chǔ)元件的反熔絲式存儲(chǔ)器。接下來，示出了把本申請(qǐng)的發(fā)明安裝在諸如移動(dòng)電話設(shè)備之類的便攜式設(shè)備中的一個(gè)應(yīng)用實(shí)例。圖15是示出在把本申請(qǐng)的發(fā)明安裝在諸如移動(dòng)電話設(shè)備之類的便攜式設(shè)備中的情況下，移動(dòng)電話設(shè)備的結(jié)構(gòu)概要的框圖。除了磁傳感器之外，安裝在圖15所示的移動(dòng)電話設(shè)備4100中用于地磁檢測的LSI4210中設(shè)置有用于對(duì)磁傳感器進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)臏囟葌鞲衅鳌Ｔ趫D15中，移動(dòng)電話設(shè)備4100具有設(shè)置有終端單元4200和終端單元4300的兩個(gè)外殼的結(jié)構(gòu)。天線4235a是用于同無線電信號(hào)的無線站(未示出)發(fā)送和接收無線電信號(hào)的天線。RF(射頻)單元4201把天線4235a所接收的接收信號(hào)轉(zhuǎn)換為中頻接收信號(hào)，并且把它們輸出到調(diào)制解調(diào)器4202。而且，RF單元4201把從調(diào)制解調(diào)器4202輸入的發(fā)送信號(hào)調(diào)制為發(fā)送頻率的信號(hào)，并且把它們輸出到天線4235a以進(jìn)行發(fā)送。調(diào)制解調(diào)器4202對(duì)從RF單元4201輸入的接收信號(hào)進(jìn)行解調(diào)處理，并且對(duì)從CDMA(碼分多址)單元4204輸入的發(fā)送信號(hào)進(jìn)行調(diào)制處理。CDMA單元4204對(duì)發(fā)送信號(hào)進(jìn)行編碼，并且對(duì)接收信號(hào)進(jìn)行解碼。音頻處理器4205把從麥克風(fēng)4206輸入的音頻信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，并且把它們輸出到CDMA單元4204。其還輸入來自CDMA單元的數(shù)字音頻信號(hào)，把它們轉(zhuǎn)換為模擬音頻信號(hào)，把它們輸出到揚(yáng)聲器4301，在此使它們發(fā)聲。GPS接收機(jī)4207解調(diào)天線4235a從GPS衛(wèi)星接收到的無線電信號(hào)，并且基于該無線電信號(hào)，計(jì)算由其自身的3維空間中的經(jīng)度、緯度或高度等表示的位置。物理量傳感器4231檢測便攜式終端4100的傾斜。而且，便攜式終端4100并不必須設(shè)置有物理量傳感器4231。用于地磁檢測的LSI4210設(shè)置有磁傳感器4212a-4212c、用于檢測溫度的溫度傳感器4213、和磁傳感器控制單元4211，所述磁傳感器4212a-4212c用于檢測規(guī)定的互相垂直的X軸、Y軸和Z軸的各個(gè)軸向的磁力(磁場)。磁傳感器控制單元4211對(duì)溫度傳感器4213和物理量傳感器4231的檢測結(jié)果進(jìn)行諸如模/數(shù)轉(zhuǎn)換之類的處理。主控制單元4220是用于控制便攜式終端4100的各部分的CPU(中央處理單元)。R0M(只讀存儲(chǔ)器)4208存儲(chǔ)有顯示圖像數(shù)據(jù)和音頻數(shù)據(jù)、由主控制單元4220執(zhí)行的程序、在發(fā)貨時(shí)測定的溫度傳感器4213和物理量傳感器4231的初始特性值等。RAM(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)4209是非易失性存儲(chǔ)器區(qū)域，其臨時(shí)存儲(chǔ)由主控制單元4220使用的計(jì)算數(shù)據(jù)等。信號(hào)器4232設(shè)置有揚(yáng)聲器、振動(dòng)器和發(fā)光二極管，并且通過聲音、振動(dòng)和光向用戶通知來電、來郵件等。時(shí)鐘單元4233提供由主控制單元4220使用的時(shí)鐘功能。主操作面板4234把用戶的指令內(nèi)容輸出到主控制單元4220。電子攝像單元4302把所拍攝的對(duì)象的圖像轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，并且把它們輸出到主控制單元4220。顯示單元4303是基于從主控制單元輸入的顯示信號(hào)來顯示圖像、文本等的液晶顯示器。觸摸屏4304內(nèi)置在顯示單元4303的液晶顯示器的表面中，并且把來自用戶的手指壓力的表示操縱的信號(hào)輸出到主控制單元4220。與本申請(qǐng)的發(fā)明相關(guān)的用于地磁檢測的LSI，采用這樣的模式，S卩，在發(fā)貨檢驗(yàn)時(shí)測定校正數(shù)據(jù)、并且將其寫入安裝在LSI中的非易失性存儲(chǔ)器，但是，由于與本申請(qǐng)的發(fā)明相關(guān)的用于地磁檢測的LSI被安裝在便攜式設(shè)備中，所以也可采用這樣的模式，S卩，不是當(dāng)對(duì)用于地磁檢測的LSI進(jìn)行發(fā)貨時(shí)，而是當(dāng)用于地磁檢測的LSI安裝在便攜式裝置中時(shí)，進(jìn)行校正數(shù)據(jù)的寫入，并且對(duì)該便攜式設(shè)備進(jìn)行發(fā)貨檢驗(yàn)。在把用于地磁檢測的LSI發(fā)貨時(shí)進(jìn)行檢驗(yàn)期間所測定的校正數(shù)據(jù)寫入到LSI的內(nèi)部熔絲式存儲(chǔ)器之后，并且進(jìn)一步在把地磁傳感器LSI安裝在便攜式設(shè)備中之后，還可把地磁傳感器LSI的校正數(shù)據(jù)寫入便攜式設(shè)備的存儲(chǔ)器(例如，圖15中的ROM4208)中，所述校正數(shù)據(jù)是在對(duì)便攜式設(shè)備進(jìn)行發(fā)貨檢驗(yàn)時(shí)再次測定的。其后，當(dāng)檢測到地磁時(shí)，不僅應(yīng)用地磁傳感器LSI的輸出結(jié)果也是可接受的，而且應(yīng)用其它校正值(例如，基于圖15中的溫度傳感器和物理量傳感器的輸出結(jié)果的校正值)也是可接受的。工業(yè)實(shí)用性本申請(qǐng)的發(fā)明可被用于具有進(jìn)行方向測定功能的諸如移動(dòng)電話設(shè)備之類的便攜式通信終端。權(quán)利要求一種地磁檢測裝置，其包括地磁檢測元件，用于檢測地磁的正交軸分量；以及熱變成型非易失性存儲(chǔ)元件，用于存儲(chǔ)用來校正由相關(guān)的地磁檢測元件檢測的輸出的校正信息，其中，所述校正信息包括軸靈敏度校正系數(shù)和軸間校正系數(shù)，并且被表示為相對(duì)于任一軸的軸靈敏度校正系數(shù)的比率值。2.如權(quán)利要求1所述的地磁檢測裝置，其中，所述非易失性存儲(chǔ)元件存儲(chǔ)最小量的校正信息，所述校正信息與除所述任一軸的軸靈敏度校正系數(shù)之外的軸靈敏度校正系數(shù)相關(guān)。3.如權(quán)利要求2所述的地磁檢測裝置，其使用如下差值作為與除所述任一軸的軸靈敏度校正系數(shù)之外的軸靈敏度校正系數(shù)相關(guān)的校正信息，所述差值是通過從該軸靈敏度校正系數(shù)的相對(duì)于軸靈敏度校正系數(shù)的比率減去預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)值而獲得的。4.如權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的地磁檢測裝置，其設(shè)置有用于對(duì)所述地磁檢測元件的檢測輸出進(jìn)行校正計(jì)算的校正計(jì)算電路，其中，該校正計(jì)算電路將軸靈敏度校正系數(shù)乘以檢測輸出以進(jìn)行校正，并且加上如下校正項(xiàng)即，通過將軸靈敏度校正系數(shù)與另一個(gè)軸的檢測輸出相乘而獲得的校正項(xiàng)。5.如權(quán)利要求4所述的地磁檢測裝置，其設(shè)置有用于對(duì)所述地磁檢測元件的檢測輸出進(jìn)行校正計(jì)算的校正計(jì)算電路，其中，該校正計(jì)算電路在所述標(biāo)準(zhǔn)值與所述差值相加并且復(fù)原軸靈敏度校正系數(shù)之后，進(jìn)行校正計(jì)算。6.如權(quán)利要求4或5所述的地磁檢測裝置，其中，所述校正計(jì)算電路通過用預(yù)設(shè)的替代值來代替不能從所述校正數(shù)據(jù)中獲得的校正系數(shù)而進(jìn)行計(jì)算。7.—種地磁檢測裝置，包括地磁檢測元件，用于檢測每一個(gè)正交軸分量的地磁；以及熱變成型非易失性存儲(chǔ)元件，用于存儲(chǔ)一個(gè)或多個(gè)校正數(shù)據(jù)，所述校正數(shù)據(jù)用來校正所述檢測到的地磁值，其中，每一個(gè)所述校正數(shù)據(jù)均被表示為如下數(shù)據(jù)相對(duì)于任一軸的軸靈敏度校正系數(shù)的比率值，所述數(shù)據(jù)為軸靈敏度校正系數(shù)、或軸間校正系數(shù)、或通過從軸靈敏度校正系數(shù)中減去預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)值而獲得的差值。8.如權(quán)利要求7所述的地磁檢測裝置，其中，所述校正數(shù)據(jù)中的至少一個(gè)是如下比率值即，是除與所述任一軸相關(guān)的軸靈敏度校正系數(shù)之外的軸靈敏度校正系數(shù)相對(duì)于所述任一軸的軸靈敏度校正系數(shù)的比率值。9.如權(quán)利要求7所述的地磁檢測裝置，其中，所述校正數(shù)據(jù)中的至少一個(gè)是如下差值相對(duì)于任一軸的所述軸靈敏度校正系數(shù)的比率值即，通過從與除所述任一軸之外的軸相關(guān)的軸靈敏度校正系數(shù)中減去指定標(biāo)準(zhǔn)值而獲得的差值。10.如權(quán)利要求7所述的地磁檢測裝置，其設(shè)置有用于對(duì)所述地磁檢測元件檢測到的每一個(gè)正交軸分量的地磁值進(jìn)行校正的校正計(jì)算電路，其中，所述校正計(jì)算電路通過計(jì)算出以下兩個(gè)乘積值的和來獲得被校正的地磁值第一個(gè)乘積值是通過將規(guī)定軸分量的地磁值乘以通過將指定值與如下比率相加而獲得的相加值來獲得的，所述比率為如下數(shù)據(jù)相對(duì)于所述任一軸的軸靈敏度校正系數(shù)的比率，所述數(shù)據(jù)為所述規(guī)定軸分量的軸靈敏度校正系數(shù)或通過從所述規(guī)定軸分量的軸靈敏度校正系數(shù)中減去指定標(biāo)準(zhǔn)值而獲得的差值；第二個(gè)乘積值是通過將另一軸分量的地磁值和如下比率值相乘而獲得的，所述比率值為所述軸間校正系數(shù)相對(duì)于所述任一軸分量的軸靈敏度校正系數(shù)的比率值。11.如權(quán)利要求7所述的地磁檢測裝置，其設(shè)置有用于對(duì)所述地磁檢測元件檢測到的每一個(gè)正交軸分量的地磁值進(jìn)行校正的校正計(jì)算電路，其中，所述校正計(jì)算電路通過計(jì)算如下乘積值來獲得被校正的地磁值所述乘積值是通過將規(guī)定軸分量的地磁值乘以通過將指定值與如下比率相加而獲得的相加值相乘來獲得的，所述比率為如下數(shù)據(jù)相對(duì)于所述任一軸的軸靈敏度校正系數(shù)的比率，所述數(shù)據(jù)為所述規(guī)定軸分量的軸靈敏度校正系數(shù)或通過從所述規(guī)定軸分量的軸靈敏度校正系數(shù)中減去指定標(biāo)準(zhǔn)值而獲得的差值。12.如權(quán)利要求7所述的地磁檢測裝置，其中，所述熱變成型非易失性存儲(chǔ)元件是熔絲式存儲(chǔ)器。13.如權(quán)利要求7所述的地磁檢測裝置，其中，所述指定標(biāo)準(zhǔn)值是所述任一軸的軸靈敏度校正系數(shù)。全文摘要就地磁傳感器(1)而言，控制邏輯電路(11)對(duì)地磁傳感器進(jìn)行控制。當(dāng)將地磁傳感器安裝在移動(dòng)電話設(shè)備中時(shí)，控制邏輯電路從地磁傳感器電路(12)讀取與環(huán)境磁場相關(guān)的測定值，從所述測定值獲得偏移值，并且將其存儲(chǔ)在熔絲式存儲(chǔ)器(13)中。在由地磁傳感器進(jìn)行測定時(shí)，控制邏輯電路從熔絲式存儲(chǔ)器讀取偏移值，并且使用所述值校正地磁傳感器的測定值。在LSI發(fā)貨檢驗(yàn)期間測定磁傳感器的校正系數(shù)a11-a22。把從這些校正系數(shù)a11-a22獲得的校正數(shù)據(jù)D1-D4寫入到熔絲式存儲(chǔ)器(315)中。在地磁檢測期間，控制電路(308)把磁傳感器(310)和(311)的檢測輸出Sx和Sy輸入到內(nèi)部寄存器。從熔絲式存儲(chǔ)器(315)讀取校正數(shù)據(jù)D1-D4。使用公式(309)至(312)校正檢測輸出Sx和Sy。文檔編號(hào)G01V3/40GK101726291SQ200910204610公開日2010年6月9日申請(qǐng)日期2005年10月7日優(yōu)先權(quán)日2004年10月7日發(fā)明者佐藤秀樹,大村昌良,安井彰司,金子誠申請(qǐng)人:雅馬哈株式會(huì)社