專利名稱：光二極管陣列結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型有關(guān)于一種光二極管陣列結(jié)構(gòu)，特別是指一種包括可測得正確的光電流并改善相鄰二極管間互相干擾的問題的光二極管陣列結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：
目前，光二極管陣列元件(Photodiode Array)廣泛運用到電子產(chǎn)品中。如圖5所示，為現(xiàn)有的光二極管元件結(jié)構(gòu)示意圖。該光二極管陣列元件結(jié)構(gòu)200包括陰極210及多個陽極220，各該陽極220以陣列排列設(shè)置于該陰極210上。然而，由于在量測單一光二極管元件的光電流時，將受陣列上鄰近光二極管元件的光電流影響，而導(dǎo)致光二極管元件所產(chǎn)生的光電流升高，進(jìn)而影響其準(zhǔn)確性。

實用新型內(nèi)容有鑒于此，本實用新型人乃潛心研思、設(shè)計組制，期能提供一種測得正確的光電流的光二極管陣列結(jié)構(gòu)，用以降低成本、提高生產(chǎn)效益，為本實用新型所欲研創(chuàng)的創(chuàng)作動機。
本實用新型的主要目的，在于提供一種光二極管陣列結(jié)構(gòu)，可測得正確的光電流，并改善相鄰二極管間互相干擾的問題。
為達(dá)上述目的，本實用新型的光二極管陣列結(jié)構(gòu)包括光二極管陣列結(jié)構(gòu)，包括一第一電極；多個第二電極，其間隔且陣列排列設(shè)置于該第一電極上；以及多個阻斷部，其設(shè)于各該第二電極間，用以阻隔光擴散電流流通。
本實用新型的有益效果本實用新型的光二極管陣列結(jié)構(gòu)阻隔光擴散電流流通，由此，使其可測得正確的光電流，進(jìn)而改善相鄰二極管間互相干擾的問題，以有效壓抑噪聲干擾，S/N比低落的現(xiàn)象，進(jìn)而增加元件精確度、功能穩(wěn)定度，并降低產(chǎn)品不良率。

圖1為本實用新型的光二極管陣列結(jié)構(gòu)的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為本實用新型的光二極管陣列結(jié)構(gòu)的俯面示意圖。
圖3為本實用新型的光二極管陣列結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
圖4為本實用新型的光二極管陣列結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有的光二極管陣列的光電流曲線比較示意圖，其中，L1代表比較例1，L2代表實施例1，L3代表實施例2，L4實施例3。
圖5為現(xiàn)有的光二極管陣列元件結(jié)構(gòu)示意圖。
主要元件號說明
100光二極管陣列結(jié)構(gòu) 110第一電極 120第二電極 130阻斷部 200光二極管陣列 210陰極 220陽極 具體實施方式
為了能夠更進(jìn)一步了解本實用新型的特征、特點和技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本實用新型的詳細(xì)說明與附圖，但所附圖式僅提供參考與說明用，非用以限制本實用新型。
請參閱圖1至3所示，為本實用新型的光二極管陣列結(jié)構(gòu)的立體結(jié)構(gòu)、俯面示意圖以及其剖面結(jié)構(gòu)示意圖。該光二極管陣列結(jié)構(gòu)100包括一第一電極110、多個第二電極120及多個阻斷部130，以供進(jìn)行光電流測試時，可測得正確的光電流。
各該第二電極120間隔且以陣列排列設(shè)置于該第一電極110上，其中，該第一電極110為陰極時，該第二電極120則為陽極；若該第一電極110為陽極，而該第二電極120則為陰極，于本實施例中，該第一電極110為陰極。
各該阻斷部130設(shè)于各間隔排列的第二電極120間，使該光二極管陣列結(jié)構(gòu)100進(jìn)行光電流測試時，其所產(chǎn)生的光擴散電流可由該阻斷部130所形成的斷層而阻隔，以供可測得正確的光電流，進(jìn)而改善相鄰二極管間互相干擾(cross-talk)的問題，且該阻斷部130的深度大于該第二電極的深度，其范圍可為5至550微米。
另請參閱圖4及5所示，為光二極管陣列結(jié)構(gòu)的光電流曲線示意圖，是依表1所示的比例，取相同工藝且具有光二極管陣列結(jié)構(gòu)的芯片進(jìn)行芯片半切。
表1 分別將上述所芯片半切成的具有光二極管陣列結(jié)構(gòu)的芯片進(jìn)行光電流(Light current)測試，其結(jié)果如表2至5所示，并依照表2至5的數(shù)據(jù)繪制比較示意圖(如圖4所示，其中，L1代表比較例1，L2代表實施例1，L3代表實施例2，L4實施例3)。
表2

表3
表4
表5

由表2至5及圖4的測試結(jié)果可知，本實用新型的光二極管陣列結(jié)構(gòu)所測得的光電流相較于未設(shè)有阻斷部的光二極管陣列結(jié)構(gòu)所測得的光電流的標(biāo)準(zhǔn)差數(shù)值較低，并可測得較正確的光電流，且具有較深深度的阻斷部的光二極管陣列結(jié)構(gòu)所測得的光電流又相較于具有較淺深度的阻斷部的光二極管陣列結(jié)構(gòu)所測得的光電流的標(biāo)準(zhǔn)差數(shù)值為低，亦即，可由該光二極管陣列結(jié)構(gòu)的第二電極做為受光區(qū)，而設(shè)于兩相鄰第二電極間的阻斷部做為光遮斷道，使該光二極管陣列結(jié)構(gòu)受光時，其所產(chǎn)生的光擴散電流可由該阻斷部所形成的斷層而阻隔，而使該光二極管陣列結(jié)構(gòu)可獲得較穩(wěn)定的電流判斷。
綜上所述，本實用新型的光二極管陣列結(jié)構(gòu)主要是于第一電極上設(shè)有多個以間隔且陣列排列的第二電極，并將多個阻斷部分別設(shè)于該些間隔排列的第二電極之間，使其進(jìn)行光電流測試時，可測得正確的光電流，進(jìn)而改善相鄰二極管間互相干擾的問題，以有效壓抑噪聲干擾，S/N比低落的現(xiàn)象，進(jìn)而增加元件精確度、功能穩(wěn)定度，并降低產(chǎn)品不良率，且無需考慮與光源匹配的機率問題，以省略測試手續(xù)及其成本。
以上所述僅為本實用新型的較佳可行實施例，非因此即局限本實用新型的專利范圍，凡是運用本實用新型說明書及附圖內(nèi)容所為的等效結(jié)構(gòu)變化，均理同包含于本實用新型的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種光二極管陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括
一第一電極；
多個第二電極，其間隔且陣列排列設(shè)置于該第一電極上；以及
多個阻斷部，其設(shè)于各該第二電極間，用以阻隔光擴散電流流通。
2.如權(quán)利要求1所述的光二極管陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一電極為陽極，該第二電極為陰極。
3.如權(quán)利要求1所述的光二極管陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一電極為陰極，該第二電極為陽極。
4.如權(quán)利要求1所述的光二極管陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，該阻斷部的深度大于該第二電極的深度。
5.如權(quán)利要求1所述的光二極管陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，該阻斷部的深度為5至550微米。
專利摘要本實用新型是一種光二極管陣列結(jié)構(gòu)，主要是第一電極上設(shè)有多個以間隔且陣列排列的第二電極，并將多個阻斷部分別設(shè)于該些間隔排列的第二電極之間，使其進(jìn)行光電流測試時，可測得正確的光電流，進(jìn)而改善相鄰二極管間互相干擾的問題，以有效壓抑噪聲干擾，S/N比低落的現(xiàn)象。
文檔編號G01R19/00GK201490193SQ20092016837
公開日2010年5月26日 申請日期2009年8月14日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月14日
發(fā)明者周文隆, 朱倪廷, 王瓊徵 申請人:鼎元光電科技股份有限公司