專利名稱：一種欠壓檢測電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及微電子技術(shù)，尤其涉及一種欠壓檢測電路。
背景技術(shù)：
業(yè)內(nèi)常用的欠壓檢測電路的基本結(jié)構(gòu)是外部電源通過兩個電阻分壓得到一檢測 電壓，其基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖1所示，圖中欠壓檢測電路由電阻R1’和電阻R2’串聯(lián)組成，其 原理就是電阻分壓，使得檢測電壓Vtest隨電源電壓Vcc等比例變化。上述電路結(jié)構(gòu)構(gòu)架 簡單，設(shè)計(jì)容易。一般來說，檢測電路的功耗是比較重要的性能指標(biāo)，特別是當(dāng)檢測電路應(yīng)用在高 壓電路中，當(dāng)外部電源Vcc太高的時候，要使得功耗達(dá)到系統(tǒng)設(shè)計(jì)的要求，則必須要提高電 阻R1’和電阻R2’的阻值，從而增加了芯片面積。因此，現(xiàn)有的常用欠壓檢測電路存在對電 阻阻值要求大，比較浪費(fèi)芯片面積等缺點(diǎn)。

實(shí)用新型內(nèi)容為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本實(shí)用新型旨在提供一種改進(jìn)的欠壓檢測電 路，以達(dá)到在實(shí)現(xiàn)欠壓檢測功能的前提下，減小電阻阻值，節(jié)省芯片面積的目的。本實(shí)用新型所述的一種欠壓檢測電路，包括串聯(lián)連接的第一電阻和第二電阻，且 該第一電阻的另一端與外部電源連接，所述第二電阻的另一端接地，所述的欠壓檢測電路 還包括一連接在所述第一電阻和第二電阻之間的高壓管，且該高壓管的與所述第二電阻的 連接端輸出一檢測電壓。在上述的欠壓檢測電路中，所述的欠壓檢測電路還包括一連接在所述第一電阻和 外部電源之間的偏置電流鏡像。在上述的欠壓檢測電路中，所述的高壓管為橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管，該高壓 管的漏極與所述的第一電阻連接，源極與所述的第二電阻連接，柵極接收一恒定偏置電壓。由于采用了上述的技術(shù)解決方案，本實(shí)用新型通過增加一高壓管，使檢測電壓并 不隨外部電源線性變化，從而實(shí)現(xiàn)了在很高的外部電源下用很小的第一電阻和第二電阻達(dá) 到很低功耗的要求，減小了芯片面積；另外，本實(shí)用新型還增加了一偏置電流鏡像，使本電 路具有判斷偏置電流是否建立的功能，在保證低功耗的同時，節(jié)省了判斷偏置電流而需建 立的電路，從而進(jìn)一步節(jié)省了芯片面積。

圖1是常用欠壓檢測電路的基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖；圖2是本實(shí)用新型一種欠壓檢測電路的較佳實(shí)施例的電路圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖，對本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。[0012]如圖2所示，本實(shí)用新型，即一種欠壓檢測電路，包括依次串聯(lián)連接的偏置電流鏡 像Ibias、第一電阻R1、高壓管Ml和第二電阻R2，其中，偏置電流鏡像Ibias的另一端與外 部電源Vcc連接，第二電阻R2的另一端接地；高壓管Ml為橫向擴(kuò)散金屬氧化物晶體管，其 漏極與第一電阻R1連接，源極與第二電阻R2連接，并輸出一檢測電壓Vtest，柵極接收一恒 定偏置電壓Vg。本實(shí)用新型的工作原理如下首先，電路中的偏置電流鏡像Ibias用于判斷偏置電流是否建立，當(dāng)偏置電流沒 有建立的時候，檢測電壓Vtest輸出值為0，檢測電路實(shí)現(xiàn)與欠壓保護(hù)相同的保護(hù)功能；當(dāng) 偏置電流建立后，檢測電路開始工作。在檢測電路工作的情況下，當(dāng)外部電源Vcc的值很小時，高壓管Ml處于深三極管 區(qū)，也就是說高壓管Ml的漏源級之間的壓差Vds幾乎為零，此時檢測電壓Vtest的輸出值 為外部電源Vcc在第一電阻R1和第二電阻R2上的分壓；隨著外部電源Vcc的值升高，高壓 管Ml由深三極管區(qū)進(jìn)入飽和區(qū)，因此，檢測電壓Vtest并不隨外部電源Vcc線性增加，而且 該檢測電壓Vtest最終只能達(dá)到比恒定偏置電壓Vg低一個閾值電壓Vth的電壓值Vg-Vth， 檢測電路的電流最多等于(Vg-Vth)/R2，而不會使電路功耗線性增加，從而實(shí)現(xiàn)在很高的外 部電源Vcc下用很小的第一電阻R1和第二電阻R2達(dá)到很低的功耗要求，節(jié)省芯片面積。以上結(jié)合附圖實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域中普通技術(shù)人員可根 據(jù)上述說明對本實(shí)用新型做出種種變化例。因而，實(shí)施例中的某些細(xì)節(jié)不應(yīng)構(gòu)成對本實(shí)用 新型的限定，本實(shí)用新型將以所附權(quán)利要求書界定的范圍作為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求一種欠壓檢測電路，包括串聯(lián)連接的第一電阻和第二電阻，且該第一電阻的另一端與外部電源連接，所述第二電阻的另一端接地，其特征在于，所述的欠壓檢測電路還包括一連接在所述第一電阻和第二電阻之間的高壓管，且該高壓管的與所述第二電阻的連接端輸出一檢測電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的欠壓檢測電路，其特征在于，所述的欠壓檢測電路還包括一 連接在所述第一電阻和外部電源之間的偏置電流鏡像。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的欠壓檢測電路，其特征在于，所述的高壓管為橫向擴(kuò)散金 屬氧化物晶體管，該高壓管的漏極與所述的第一電阻連接，源極與所述的第二電阻連接，柵 極接收一恒定偏置電壓。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種欠壓檢測電路，包括串聯(lián)連接的第一電阻和第二電阻，且該第一電阻的另一端與外部電源連接，所述第二電阻的另一端接地，所述的欠壓檢測電路還包括一連接在所述第一電阻和第二電阻之間的高壓管，且該高壓管的與所述第二電阻的連接端輸出一檢測電壓。本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)了在很高的外部電源下用很小的第一電阻和第二電阻達(dá)到很低功耗的要求，減小了芯片面積；另外，本實(shí)用新型同時具有判斷偏置電流是否建立的功能，在保證低功耗的同時，節(jié)省了判斷偏置電流而需建立的電路，從而進(jìn)一步節(jié)省了芯片面積。
文檔編號G01R1/20GK201561992SQ200920211789
公開日2010年8月25日 申請日期2009年11月3日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月3日
發(fā)明者朱磊 申請人:上海貝嶺股份有限公司