專利名稱：測試裝置及電路模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及測試裝置及電路模塊。
背景技術(shù)：
構(gòu)成電子電路的半導(dǎo)體器件隨動作而發(fā)熱。隨著近幾年的半導(dǎo)體器件的動作速度的高速化，或是電路的集成化等，半導(dǎo)體器件的發(fā)熱量增大。其結(jié)果，在裝配了多個半導(dǎo)體器件的測試基板中，對半導(dǎo)體器件進(jìn)行冷卻變得不可缺少。比如，在半導(dǎo)體測試裝置中，將流體箱覆蓋在裝載了半導(dǎo)體器件等的電路元件的多層測試基板上，同時通過使流體箱中流通冷卻材料來冷卻測試基板上的半導(dǎo)體器件(參照專利文獻(xiàn)1)。圖12表示用于冷卻安裝了半導(dǎo)體器件等的電路元件的測試基板的現(xiàn)有方法。如該圖所示，多層的測試基板100，用多個環(huán)氧樹脂等的絕緣板102、103以玻璃纖維基材等的預(yù)浸板104貼合。在測試基板100的兩面，貼裝以半導(dǎo)體器件106為首的電路元件。同時，測試基板100，借助連接器108與其他測試基板連接。為了緩和由于半導(dǎo)體器件106發(fā)熱的溫度上升，在測試基板100上安裝流體箱110，半導(dǎo)體器件106被填充于測試基板100和流體箱110之間的密閉空間112中的氟系液體等的冷卻材料冷卻。圖13，是將圖12連接器108附近擴(kuò)大后的圖。在該圖中，半導(dǎo)體器件106，經(jīng)由在絕緣板102表層用銅箔等形成的第1線路116、貫通通孔120、在絕緣板102內(nèi)層形成的第2 線路118、貫通通孔121、絕緣板102的表層形成的第3線路117以及連接端子122與連接器108的端子114連接。同樣，在絕緣板103的內(nèi)層也形成線路119。如果線路118和線路 119接近的話，在線路118和線路119之間產(chǎn)生串音。因此，以線路118與線路119不接近為目的，線路118及線路119不是形成在絕緣板102及絕緣板103和預(yù)浸板104之間的交界面上，而是在絕緣板102及絕緣板103內(nèi)部形成。專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 特開2002-280507號公報發(fā)明要解決的課題然而，如果在絕緣板102的內(nèi)部形成線路118，則貫通通孔120和線路與118的交點以及貫通通孔120和預(yù)浸板104的切點之間形成短截線。如果產(chǎn)生短截線，則由于在貫通通孔120邊部產(chǎn)生的反射的影響將造成信號波形失真的問題。同時，也將引發(fā)由于失真所產(chǎn)生的高頻成分作為噪音被放射到測試基板100外部這樣的問題。特別是，如果傳送的信號的頻率為2GHZ以上，由于短截線產(chǎn)生的上述問題變得顯著起來。通過使用表面通孔(SVH)、內(nèi)部通孔(IVH)，可以防止發(fā)生串音，同時，也消除短截線的發(fā)生?？墒?，如果使用SVH、IVH，則存在測試基板的成本增大的問題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于解決上述問題，提供一種測試裝置及電路模塊。該目的通過獨立權(quán)利要求記載的特征的組合來實現(xiàn)。從屬權(quán)利要求規(guī)定了本發(fā)明的更有利的具體
4例。根據(jù)本發(fā)明的第1方式，提供一種測試裝置，具有相向配置的第1測試基板及第 2測試基板；設(shè)置在所述第1測試基板中的與所述第2測試基板對著的面上，用于測試所述被測試器件的第1測試電路；設(shè)置在所述第2測試基板中與所述第1測試基板對著的面上， 用于測試所述被測試器件的第2測試電路；通過密閉所述第1測試基板及所述第2測試基板之間的空間而將所述第1測試電路及所述第2測試電路密閉在共同的空間內(nèi)，且在所述共通的空間內(nèi)填充冷卻材料的密閉部。再者，上述的發(fā)明的概要，并非列舉了本發(fā)明的必要特征的全部，這些特征群的輔助組合也構(gòu)成本發(fā)明。


圖1是作為測試裝置的實施方式之一的半導(dǎo)體器件測試裝置1構(gòu)成的圖2是電路模塊30的一部分立體圖。圖3是電路模塊30的一部分側(cè)視圖。圖4是電路模塊30的構(gòu)成的一例。圖5是電路模塊30的側(cè)視圖。圖6是電路模塊30的螺旋夾部放大圖。圖7是表示電路模塊30的第2實施方式的側(cè)視圖。圖8是表示電路模塊30的第3實施方式的側(cè)視圖。圖9是表示電路模塊30的第4實施的方式的側(cè)視圖。圖10是表示電路模塊30的第5實施的方式的側(cè)視圖。圖11是表示電路模塊30的第6實施的方式的側(cè)視圖。圖12是以前的電路模塊30的側(cè)視圖。圖13是以前的電路模塊30的放大圖。
具體實施例方式以下，通過發(fā)明的實施的方式說明本發(fā)明的一個側(cè)面。不過，以下的實施方式并非限定權(quán)利要求涉及的本發(fā)明，在實施方式中說明的特征的組合也不是全部為本發(fā)明的解決手段的必須。圖1，是作為測試裝置的實施方式之一的半導(dǎo)體器件測試裝置1構(gòu)成的一個例子。 半導(dǎo)體器件測試裝置1具有處理器10、測試頭15以及控制部20。處理器10具有安裝了用于裝載被測試器件的插座14的插座基板12。插座基板12經(jīng)由第1電纜16連接測試頭15。 測試頭15，通過功能板21及第1電纜16與處理器10連接，同時，經(jīng)由背板23及第2電纜 19與控制部20連接。在測試頭15中裝有多個電路模塊30。各個電路模塊30具有安裝了構(gòu)成電路的半導(dǎo)體器件等的元件的第1測試基板32 及第2測試基板34兩張測試基板，通過連接器22、連接電纜沈、功能板21以及第1電纜16 連接處理器10。同時，電路模塊30、連接器對、背板23以及第2電纜19連接控制部20?？刂撇?0，通過第2電纜19來控制測試基板中包含的測試電路。另外，圖1所示的例子中，測試頭15中收容6張電路模塊30，不過，可以按照處理器10內(nèi)的插座14的數(shù)量增減張數(shù)。
圖2，是電路模塊30的連接器22周邊部的立體圖。圖3，是圖2所示的區(qū)域的側(cè)視圖。在圖2及圖3中，第1測試基板32及第2測試基板34，在設(shè)置了第1測試電路36及第 2測試電路37的面的背面，設(shè)置背面配線60。同時，在第1測試基板32中形成貫通設(shè)置測試電路的面到設(shè)置背面配線60的面的第1通孔74。第1通孔74電連接第1測試電路36 及背面配線60。在第2測試基板34中形成同樣的背面配線61及第1通孔75。再者，第1 測試電路36及第2測試電路37在向被測試器件輸入信號，同時，測量被測試器件應(yīng)答的信號。第1測試電路36及第2測試電路37可以有圖形發(fā)生器、格式器、比較儀、邏輯電路。第1測試基板32及第2測試基板34的邊部，延伸到被密閉部38包圍的區(qū)域外側(cè)而形成。背面配線60及背面配線61，在第1測試基板32及第2測試基板34的背面中，從與密閉部38內(nèi)側(cè)對應(yīng)的區(qū)域延伸到與密閉部38外側(cè)對應(yīng)的區(qū)域而設(shè)置。再者，在與密閉部38內(nèi)側(cè)對應(yīng)的區(qū)域設(shè)置第1測試電路36及第2測試電路37，在與密閉部38外側(cè)對應(yīng)的區(qū)域設(shè)置連接器22。密閉部38由螺釘52固定在第1測試基板32及第2測試基板34上。在第1測試基板32中，在設(shè)置了第1測試電路36的面中，密閉部38的外側(cè)，設(shè)置與外部的電路電連接的連接端子72。同時，在第1測試基板32中形成貫通設(shè)置連接端子 72的面到設(shè)置背面配線60的面的第2通孔76。第2通孔76與連接端子72和背面配線60 電連接。第2測試基板34和第1測試基板32同樣，事先形成連接端子73及第2通孔77， 第2通孔77與連接端子73和背面配線61電連接。在第1測試基板32及第2測試基板34邊部中，第1測試基板32及第2測試基板 34間被插入連接器22。連接器22的端子56及端子57，通過與在第1測試基板32及第2 測試基板34設(shè)置的連接端子72及連接端子73的接觸，第1測試電路36及第2測試電路 37與電路模塊30外部的電路電連接。圖4，是電路模塊30構(gòu)成的一個例子。圖4(a)是相對于具有電路模塊30的測試基板，從垂直方向看到的電路模塊30的透視圖。圖4(b)，是從處理器10或從控制部20方向看的電路模塊30的剖面圖。圖4(c)，是從測試頭15的近前側(cè)或從里側(cè)看的電路模塊30 的剖面圖。如圖4所示，在電路模塊30中，第1測試基板32及第2測試基板34相對配置。在第1測試基板32中與第2測試基板34對著的面，設(shè)置測試被測試器件的第1測試電路36。 同時，在第2測試基板34中與第1測試基板32對著的面，設(shè)置測試被測試器件的第2測試電路37。在圖4的例子中，第1測試電路36，具有在第1測試基板32呈矩陣狀配置的半導(dǎo)體器件。在第2測試電路37也同樣，具有在第2測試基板34呈矩陣狀配置的半導(dǎo)體器件。同時，在第1測試基板32和第2測試基板34之間設(shè)置連接器22、密閉部38。密閉部38，被設(shè)置在第1測試基板32及第2測試基板34間，第1測試基板32 —側(cè)的邊部及在第2測試基板34 —側(cè)的邊部中具有設(shè)置了開口的筒狀。并且，電路模塊30，具有被第1測試基板32和第2測試基板34夾隔的狀態(tài)形成密閉部38的，填充冷卻材料的冷卻材料流路空間40。S卩，由密閉部38密閉第1測試基板32 及第2測試基板34之間，以此，將第1測試電路36及第2測試電路37密閉在共同的冷卻材料流路空間40上。在密閉部38的內(nèi)側(cè)，從第1測試基板32延伸到第2測試基板34而設(shè)置，在冷卻材料流路空間40設(shè)置形成被填充的冷卻材料的流路的隔斷39。隔斷39從密閉部38水平方向(背板23平行的方向)的一面向另一面延伸到達(dá)其他面的前面。并且，從密閉部38 垂直方向(背板23垂直的方向)的一邊，奇數(shù)號的隔斷39和偶數(shù)號的隔斷39從不同的水平方向的一面交錯延伸。在每個矩陣狀配置的半導(dǎo)體器件的配置間隔也可配置隔斷39。根據(jù)這樣的配置， 使交錯延伸形成的流路的幅度方向配置1個以上的半導(dǎo)體器件變?yōu)榭赡?，形成圖4(a)的箭形符號表示的冷卻材料的流路。同時，隔斷39與第1測試基板32及第2測試基板34之間可以被具有后述的螺釘?shù)炔考墓潭ú抗潭?。由于?測試基板32及第2測試基板34被固定部固定在隔斷39 上，而防止第1測試基板32及第2測試基板34發(fā)生翹曲。再者，密閉部38及隔斷39可以由金屬等的導(dǎo)電性材料構(gòu)成。在共同的冷卻材料流路空間40中填充冷卻材料，如圖4(a)所示，冷卻材料從冷卻材料流入口 42向冷卻材料流出口 44流動。沿著由密閉部38和隔斷39形成的冷卻材料流路空間40，通過冷卻材料在第1測試電路36和第2測試電路37之間流過，而使第1測試電路36及第2測試電路37中包含的半導(dǎo)體器件等的元件被冷卻。冷卻材料的流通，譬如，可以通過在冷卻材料流入口 42及冷卻材料流出口 44安裝冷卻材料循環(huán)裝置進(jìn)行。冷卻材料循環(huán)裝置，是能夠使冷卻材料從冷卻材料流入口 42流入，從冷卻材料流出口 44流出的冷卻材料的裝置，對其構(gòu)成不做特別限定。圖5，是電路模塊30剖面圖的放大圖，表示密閉部38的固定方法。第1測試基板 32和第2測試基板34面對限制第1測試電路36和第2測試電路37的冷卻材料流路空間 40而配置，并夾著連接器22、連接器24以及密閉部38而相對著。密閉部38由螺釘52固定于第1測試基板32及第2測試基板34。圖6，是連接第1測試基板32和密閉部38的固定部的放大圖。以在密閉部38冷卻材料流路空間40 —側(cè)和連接器22 —側(cè)之間不產(chǎn)生間隙的狀態(tài)設(shè)置密閉部38和第1測試基板32間的襯墊M，成為用螺釘52將第1測試基板32、襯墊M以及密閉部38 —起擰緊的構(gòu)造。第2測試基板34和密閉部38的連接部也可以為同樣的構(gòu)造。同時，隔斷39和第1測試基板32以及隔斷39和第2測試基板34的連接部也可以為同樣的構(gòu)造。再者，作為襯墊M可以使用導(dǎo)電性材料。并且，在第1測試基板32和第2測試基板34中，在與密閉部38及隔斷39接觸的區(qū)域可以形成銅箔等的金屬箔。根據(jù)這樣的構(gòu)成， 借助導(dǎo)電性的襯墊M，將第1測試基板32和第2測試基板34與密閉部38及隔斷39電耦合。其結(jié)果，在第1測試電路36及第2測試電路37產(chǎn)生的電磁波難以泄漏到電路模塊30 的外部。如上所述，在本實施方式中，由于第1測試電路36和第2測試電路3相對配置，所以背面配線60和背面配線61不接近。其結(jié)果，得以防止背面配線60和背面配線61之間的串音。并且，因為可以不在第1測試基板32及第2測試基板34的中間層形成線路，所以即使用貫通通孔連接第1測試電路36和背面配線60以及第2測試電路37和背面配線61， 也將起到不產(chǎn)生短截線這樣的效果。圖7，表示第2實施方式涉及的電路模塊30構(gòu)成例。第1測試基板32在形成有背面配線的面上設(shè)置覆蓋背面配線的絕緣層80。在圖2及圖3表示的構(gòu)成中，第1測試基板32的背面配線60露出表面。其結(jié)果，在背面配線上流動的電流產(chǎn)生的電磁波作為噪音被放射到第1測試基板32周圍。如果噪音被放射的話，則有可能使在測試頭15上收容的其他電路模塊30中的電路上的信號波形失真而產(chǎn)生數(shù)據(jù)錯誤。相反，如圖7所示，如果形成覆蓋背面配線的絕緣層 80，能夠降低電磁波的輻射。在絕緣層80表面，通過形成提供接地電位的接地電極層，還可以降低電磁波的輻射。再者，絕緣層80可以覆蓋第1測試基板32及第2測試基板34的全部，也可以覆蓋一部分。譬如，第1測試基板32從背面配線60和第1通孔74的連接點起在一定的范圍內(nèi)也可以具有不形成絕緣層80的區(qū)域。通過設(shè)置不形成這樣的絕緣層80的區(qū)域，使用測量儀等的探針而能夠觀測背面配線60上面的信號的波形。同時，在不形成絕緣層80的區(qū)域，可以設(shè)置連接連接器22的端子56和第1測試基板32的連接端子72。第1測試電路36，通過第1通孔74、背面配線60、連接端子72、端子56以及連接器22與外部的電路連接。第2測試電路37也通過同樣的構(gòu)成與外部的電路連接。譬如，第1測試電路36 及第2測試電路37可以經(jīng)由第1電纜16及功能板21連接處理器10。并且，連接器M的端子56，在第1測試基板32或第2測試基板34中，也可以接觸裝載第1測試電路36或第 2測試電路37的表面。圖8，表示第3實施方式涉及的電路模塊30構(gòu)成例。本例的第1測試電路36，借助第1通孔、74背面配線60、第2通孔76、連接端子72、端子56以及連接器22也可以與外部的電路連接。第2測試電路37也可以根據(jù)同樣的構(gòu)成與外部的電路連接。圖9，表示第4實施方式涉及的電路模塊30的構(gòu)成例。在第1測試基板32上載置第1測試電路36。在載置第1測試電路36的電路載置層84的表面，形成與第1測試電路 36的端子電連接的表面線路82，表面線路82形成微帶線層。對此，在不形成第1測試電路36的區(qū)域中，在電路載置層84上層，同樣地，形成遮蔽表面線路82的接地層86?？傊砻婢€路82形成帶狀線層，帶狀線層從密閉部38內(nèi)側(cè)被延伸到外側(cè)。再者，接地層86在不接觸表面線路82的表面具有金屬箔的介電質(zhì)，金屬箔被接地。并且，表面線路82，可以經(jīng)由第2通孔76連接設(shè)置在第1測試基板32的背面的連接端子72。根據(jù)這樣的構(gòu)成，被安裝在電路載置層84上面的第1測試電路36，經(jīng)由被接地層86覆蓋的表面線路82、第2通孔76、連接端子72、端子56以及連接器22與外部的電路連接。再者，可以通過焊接連接來接通連接端子72和連接器22端子56。再者，接地層86可以覆蓋第1測試基板32的全面，也可以覆蓋一部。譬如，在以表面線路82和第2通孔76的切點為中心的一定的區(qū)域中，也可以不設(shè)置接地層86。如果以接地層86覆蓋表面線路82和第2通孔76的切點時，要想防止短截線的發(fā)生而需要使用高價的內(nèi)部通孔(IVH)。因此，通過不設(shè)置接地層86使表面線路82露出，而不使用內(nèi)部通孔(IVH)、表面線路82與連接端子72連接。如果采取圖9的構(gòu)成，在載置第1測試電路36的電路載置層84和接地層86之間產(chǎn)生高低差。為了以這樣的具有高低差的狀態(tài)安裝第1測試電路36，可以利用C0B(Chip on Board)掩模技術(shù)。由于利用COB掩模技術(shù)，在生成與第1測試基板32及第2測試基板34 的凹凸匹配的、具有凹凸的金屬掩模之后，可以印刷錫膏。
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再者，在第1測試基板32的背面的連接端子72周邊的高方向的位置，在和第1測試基板32背面的其他的區(qū)域的高方向的位置之間有著高低差。由于第1測試基板32在背面具有高低差，所以第1測試基板32的背面位置和連接器22邊部的位置能夠大體上相等。圖10，表示有關(guān)第5實施方式的電路模塊30構(gòu)成例。在本例中，第1測試基板32 沒有第2通孔76，而在表面線路82邊部形成連接端子72。連接器22的端子56，通過與連接端子72接觸，第1測試電路36與外部的電路連接。圖11，表示有關(guān)第6實施方式的電路模塊30構(gòu)成例。在第1實施方式中，第1測試基板32和第2測試基板34是通過夾隔密閉部38形成填充冷卻材料的冷卻材料流路空間40的基板。對此，在圖11中的密閉部38的貫通孔斷面的形狀具有與第1測試基板32及第2 測試基板34外形大致相同的筒狀。第1測試基板32和第2測試基板34，面對限制第1測試電路36和第2測試電路37的冷卻材料流路空間40，且各測試基板相對配置。并且，第1 測試基板32及第2測試基板34的邊部，通過填料92和螺釘94被固定在密閉部38貫通孔的內(nèi)壁。根據(jù)以上構(gòu)成，能夠通過冷卻材料冷卻在第1測試基板32及第2測試基板34上設(shè)置的測試電路。以上，通過實施方式說明了本發(fā)明，不過，以上的實施方式所記載的范圍并不限定本發(fā)明的技術(shù)范圍。另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員明白，能夠?qū)ι鲜鰧嵤├右远喾N多樣的改良和變更。根據(jù)權(quán)利要求的記載可以明確，實施了這樣的變更和改良的實施方式也包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍之內(nèi)。在權(quán)利要求書、說明書和附圖中表示的裝置、系統(tǒng)、程序，以及在方法中的動作、次序、步驟和階段等的各處理的實行順序，只要沒有特別注明“比…先”、“在…之前”等，或者只要不是后邊的處理必須使用前面的處理的輸出的，就可以以任意順序?qū)嵤?。有關(guān)權(quán)利要求書、說明書和附圖中的動作流程，為了說明上的方便，使用了“首先”、“其次”、等字樣加以說明，但即使這樣也不意味著以這個程序?qū)嵤┦潜仨毜臈l件。附圖標(biāo)記說明1、半導(dǎo)體器件測試裝置，10、處理器，12、插座基板，14、插座，15、測試頭，16，19、電纜，20、控制部，21、功能板，22、連接器，23、背板，24、連接器，26、連接電纜，30、電路模塊， 32、第1測試基板，34、第2測試基板，36、第1測試電路，37、第2測試電路，38、密閉部，39、 隔斷，40、冷卻材料流路空間，42、冷卻材料流入口，44、冷卻材料流出口，52、螺釘，M、襯墊， 56、端子，57、端子，60、背面配線，61、背面配線，72、連接端子，73、連接端子，74、第1通孔， 75、第1通孔，76、第2通孔，77、第2通孔，80、絕緣層，82、表面線路，84、電路載置層，86、接地層，92、填料，94、螺釘，100、測試基板，102，103、絕緣板，104、預(yù)浸板，106、半導(dǎo)體器件， 108、連接器，110、流體箱，112、密閉空間，114、端子，116，117，118，119、線路，120，121、貫通通孔，122、連接端子。
權(quán)利要求
1.一種測試裝置，是測試被測試器件的測試裝置，其具有 相向配置的第1測試基板及第2測試基板；設(shè)置在所述第1測試基板中的與所述第2測試基板對著的面上，用于測試所述被測試器件的第1測試電路；設(shè)置在所述第2測試基板中與所述第1測試基板對著的面上，用于測試所述被測試器件的第2測試電路；通過密閉所述第1測試基板及所述第2測試基板之間的空間，將所述第1測試電路及所述第2測試電路密閉在共同的空間內(nèi)，且在所述的共同的空間內(nèi)填充冷卻材料的密閉部。
2.根據(jù)權(quán)利要1所述的測試裝置，所述密閉部具有筒狀，其設(shè)置在所述第1測試基板及所述第2測試基板之間，在所述第 1測試基板側(cè)的邊部及所述第2測試基板側(cè)的邊部設(shè)置有開口 ；所述第1測試基板及所述第2測試基板以夾持所述密閉部的狀態(tài)而設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測試裝置，所述密閉部的貫通孔斷面的形狀具有與所述第1測試基板及所述第2測試基板的外形大致相同的筒狀；所述第1測試基板及所述第2測試基板的各自的基板邊部被固定在所述貫通孔的內(nèi)壁。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的測試裝置，在所述第1測試基板及所述第2測試基板的各個測試基板上形成背面配線，其形成在所述第1測試電路及所述第2測試電路的、設(shè)置有對應(yīng)的測試電路的面的背面上；第1通孔，從設(shè)置有所述測試電路的面貫通到設(shè)置有所述背面配線的表面而形成，電連接所述測試電路及所述背面配線。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的測試裝置，所述第1測試基板及所述第2測試基板的邊部延伸到所述密閉部圍著的區(qū)域外側(cè)而形成；所述背面配線，在所述背面中，從與所述密閉部內(nèi)側(cè)對應(yīng)的區(qū)域延伸到與所述密閉部的外側(cè)對應(yīng)的區(qū)域而設(shè)置；在所述測試基板上，形成有連接端子，設(shè)置在設(shè)有所述測試電路的面中所述密閉部的外側(cè)，與外部的電路電連接；第2通孔，從設(shè)置有所述連接端子的面貫通到設(shè)有所述背面配線的面而形成，電連接所述連接端子及所述背面配線。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的測試裝置，還包括，通過在所述第1測試基板及所述第2測試基板的邊部中插入所述第1測試基板及所述第2測試基板之間而與所述連接端子電連接的連接器。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的測試裝置，在各所述測試基板的形成所述背面配線的面形成有覆蓋所述背面配線的絕緣層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的測試裝置，在所述絕緣層表面形成賦予接地電位的接地電極層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測試裝置，所述第1測試基板及所述第2測試基板的各個測試基板，包括， 電路載置層，載置所述第1測試電路及所述第2測試電路中對應(yīng)的測試電路，在表面形成與所述測試電路的端子電連接的表面線路；帶狀線層，在未形成有所述測試電路的區(qū)域中，在所述電路載置層的上層，以覆蓋所述表面線路的狀態(tài)在表面形成接地層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的測試裝置，所述帶狀線層，從所述密閉部內(nèi)側(cè)延伸到外側(cè)而形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10任何一項所述的測試裝置，還具有，隔斷，其在所述密閉部內(nèi)側(cè)中，從所述第1測試基板延伸到所述第2測試基板而設(shè)置， 形成所述冷卻材料的流路；固定部，分別固定所述隔斷以及所述第1測試基板及所述第2測試基板。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至11任何一項所述的測試裝置，還具有， 控制部，控制所述第1測試電路及所述第2測試電路的各個測試電路。
13.—種電路模塊，是輸出與輸入信號對應(yīng)的輸出信號的電路模塊，包括， 彼此相對配置的第1電路基板及第2電路基板；設(shè)置在所述第1電路基板中的與所述第2電路基板對著的面上，輸出與所述輸入信號對應(yīng)的所述輸出信號的第1動作電路；設(shè)置在所述第2電路基板中的與所述第1電路基板對著的面上，輸出與所述輸入信號對應(yīng)的所述輸出信號的第2動作電路；通過密閉所述第1電路基板及所述第2電路基板之間的空間，而將所述第1動作電路及所述第2動作電路密閉在共同的空間內(nèi)，且在所述共同的空間內(nèi)填充冷卻材料的密閉部。
全文摘要
設(shè)置有彼此相對配置的第1測試基板及第2測試基板；設(shè)置在所述第1測試基板中的與所述第2測試基板對著的面上，測試被測試器件的第1測試電路；設(shè)置在第2測試基板中的與第1測試基板對著的面上，測試被測試器件的第2測試電路；通過密閉第1測試基板及第2測試基板之間的空間，將第1測試電路及第2測試電路密閉在共同的空間內(nèi)，且在共同的空間填充冷卻材料的密閉部。
文檔編號G01R31/28GK102197313SQ200980142610
公開日2011年9月21日 申請日期2009年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月28日
發(fā)明者安高剛, 小島昭二 申請人:愛德萬測試株式會社