專利名稱:二極管芯片的量測裝置及量測方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明是有關(guān)于一種二極管芯片的量測裝置及量測方法,且特別是有關(guān)于一種可用以量測交流電驅(qū)動(dòng)的二極管芯片的量測裝置及量測方法。
背景技術(shù):
近幾年來,發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,LED)半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展由于技術(shù)的提升,使得芯片發(fā)光效率大幅提升,也因此增加在各方面的應(yīng)用性,例如從投影筆到照明應(yīng)用等,大幅增加了應(yīng)用的范圍。此外,LED也具有體積小、壽命長、低污染以及低成本等優(yōu)點(diǎn),在光學(xué)特性上更具有色彩飽和度佳以及動(dòng)態(tài)色彩控制等特點(diǎn),因此使得LED相關(guān)技術(shù)成為目前最受矚目的技術(shù)。一般而言,LED最廣為人知就是比起傳統(tǒng)燈源具有更省電,更環(huán)保以及體積更小的優(yōu)勢,交流電驅(qū)動(dòng)LED的出現(xiàn)使得其在照明系統(tǒng)使用上更具競爭力,但是與直流電驅(qū)動(dòng)LED 同樣必須面對芯片電與光的轉(zhuǎn)換效率低的問題,目前LED的芯片仍是將大部分的輸入電能轉(zhuǎn)換為熱能,僅少部分轉(zhuǎn)換為光,因此過熱問題仍是LED技術(shù)發(fā)展的主要議題。在目前LED 芯片發(fā)光效率有限的狀況下,大部份的電源轉(zhuǎn)換成為熱,也使得發(fā)熱密度大幅提升。過熱問題已成為技術(shù)發(fā)展的瓶頸。而熱阻定義為LED芯片接面處的溫度(Junction Temperature) 減去環(huán)境溫度,再除以輸入功率所得的值。此一熱阻值為LED封裝中,判斷散熱能力優(yōu)劣的標(biāo)準(zhǔn),如果熱阻值越大,表示散熱能力越差;反之,若熱阻值越小,則散熱能力越好。故熱阻值,提供了一個(gè)判斷標(biāo)準(zhǔn)。在LED封裝中,經(jīng)常需要對散熱元件做最大熱阻的限定,因此元件熱阻的量測, 有其重要性也有其代表性。在計(jì)算熱阻的參數(shù)中,外界環(huán)境溫度,利用熱電耦(Thermo couple)即可很容易量測到。對于一發(fā)熱元件,其輸入功率也是已知,可以推算出來。但是在一完整的封裝中,就難以直接量測到芯片的接面溫度,因此一般需要以一種間接的電性量測方法,來獲得芯片接面溫度。若此方法能快速而準(zhǔn)確的量測驗(yàn)證元件的熱傳特性以及熱對光學(xué)特性的影響,將有助于提升LED芯片的熱傳設(shè)計(jì)與驗(yàn)證,來達(dá)到有效的散熱效果。交流電驅(qū)動(dòng)LED與直流電驅(qū)動(dòng)LED相同的情況是皆無法直接量測得到芯片接點(diǎn)溫度,都必須以間接性的電性量測方法換算得到,但是交流電驅(qū)動(dòng)LED的熱阻量測方法有別于直流電驅(qū)動(dòng)LED是由于輸入的電源為交流電,輸入的電壓及電流非一定值,而為一正弦周期波,所以量測方法將與直流電驅(qū)動(dòng)LED有所不同。交流電驅(qū)動(dòng)LED封裝熱阻量測技術(shù)的建立,將有助于提升交流電驅(qū)動(dòng)LED的封裝散熱設(shè)計(jì)。中國臺(tái)灣專利200925571揭露一種量測LED特性與芯片溫度的裝置,其量測過程主要有兩個(gè)步驟。第一步驟是利用傳導(dǎo)形式及輸入脈沖形式的電流來量測其偏壓值與溫度的TSP(Temperature Sensitive Parameter)校正曲線。第二步驟是量測實(shí)際操作情況下的電壓值,再利用TSP校正曲線換算發(fā)光二極管芯片溫度及封裝熱阻值。但此設(shè)備及方法只可以量測直流電驅(qū)動(dòng)LED。此外,此一前案僅局限于量測直流電源發(fā)光二極管,而且并無將光、熱及電三種特性量測方法整合在一起。
美國申請專利申請?zhí)朥S0815403043揭露一交流電驅(qū)動(dòng)LED的接面溫度的量測方法,其量測方法是參考直流電源的發(fā)光二極管熱阻量測方法,只是交流發(fā)光二極管是以輸入交流電壓的方式量測。其量測過程主要有兩個(gè)階段。在第一階段量測步驟,先給予LED 一啟動(dòng)電壓,控制不同LED基板溫度,并量測LED的電流與基板溫度,以得到LED的特性曲線。在第二階段量測步驟,則另外串聯(lián)一微小電阻,以實(shí)際地操作額定交流電壓的輸入,并利用雙頻道的數(shù)據(jù)獲取模塊同時(shí)獲取電阻的電阻值以及交流電的電壓值。之后再由電壓波形中找出LED的啟動(dòng)電壓及其所對應(yīng)到的電阻的電壓值,以換算成電流值。另外,再獲取其初始電流值與達(dá)到熱平衡后的電流值的電流變化量,以依據(jù)上述的特性曲線換算得到其溫度變化量。而上述的溫度變化量再加上初始溫度值,即為二極管接面溫度。比較前案專利,中國臺(tái)灣專利200925571雖然具備快速量測發(fā)光二極管熱阻的功能,但僅局限于量測直流電源發(fā)光二極管,而且并無將光、熱及電三種特性量測方法整合在一起。美國申請專利申請?zhí)朥S0815403043量測方法雖可以量測交流電源發(fā)光二極管,但是量測程序復(fù)雜,需要兩階段步驟,并且在進(jìn)行第二步驟時(shí)需要另外串接一個(gè)電阻來量測,而電阻大小不同將影響量測結(jié)果,又因不易判斷選擇何種阻值的電阻,故其在量測上會(huì)有許多變量及不便性。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種二極管芯片的量測裝置及其量測方法,其能準(zhǔn)確而快速地量測出二極管芯片在某溫度下的電特性。本發(fā)明提出一種二極管芯片的量測方法。上述量測方法包括將該二極管芯片設(shè)置在熱傳導(dǎo)元件上。之后,將電壓施加在該二極管芯片,且借由電流量測單元量測該二極管芯片的瞬間啟動(dòng)電流,并借由溫度量測元件量測該熱傳導(dǎo)元件的溫度為第一溫度。在該電壓施加在該二極管芯片后,開始借由溫度控制模塊,控制該熱傳導(dǎo)元件的溫度,直到該電流量測單元所量測到該二極管芯片的電流等于該瞬間啟動(dòng)電流為止。當(dāng)控制該熱傳導(dǎo)元件的溫度后,倘若該電流量測單元所量測到該二極管芯片的電流等于該瞬間啟動(dòng)電流,則借由該溫度量測元件量測該熱傳導(dǎo)元件的溫度為第二溫度。所述的二極管芯片的量測方法,更包括計(jì)算該二極管芯片于施加該電壓時(shí)的一實(shí)功率;將該第一溫度減去該第二溫度,以求得該第一溫度與該第二溫度之間的一溫度差;以及將該溫度差除以該實(shí)功率,以求得該二極管芯片的一熱阻值。該電壓為交流電壓,而所量測到的該二極管芯片的電流及該瞬間啟動(dòng)電流為均方根電流。該電壓為直流電壓。該二極管芯片具有至少一發(fā)光二極管。本發(fā)明提出一種量測裝置。上述量測裝置包括熱傳導(dǎo)元件、電壓源、電流量測單元、溫度量測元件以及溫度控制模塊。所述的熱傳導(dǎo)元件適于設(shè)置上述的二極管芯片。所述的電壓源適于將電壓施加在上述的二極管芯片。所述的電流量測單元適于當(dāng)電壓源施加電壓在二極管芯片時(shí),量測二極管芯片的電流。所述的溫度量測元件適于量測熱傳導(dǎo)元件的溫度。所述的溫度控制模塊適于控制熱傳導(dǎo)元件的溫度。其中當(dāng)電壓源開始施加電壓在二極管芯片時(shí),電流量測單元量測上述二極管芯片的瞬間啟動(dòng)電流,且溫度量測元件量測上述熱傳導(dǎo)元件的溫度為第一溫度。其中在上述電壓施加在二極管芯片后,溫度控制模塊開始將上述熱傳導(dǎo)元件的溫度控制至第二溫度,以使上述電流量測單元所量測到二極管芯片的電流等于上述的瞬間啟動(dòng)電流。上述第二溫度不等于第一溫度。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的量測裝置計(jì)算二極管芯片于施加上述電壓時(shí)的實(shí)功率,且將第一溫度減去第二溫度以求得第一溫度與第二溫度之間的溫度差,并將上述溫度差除以上述實(shí)功率以求得二極管芯片的熱阻值。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的電壓為交流電壓,而所量測到的二極管芯片的電流及瞬間啟動(dòng)電流為均方根電流。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的電壓為直流電壓。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的二極管芯片具有至少一發(fā)光二極管。基于上述,本發(fā)明的二極管芯片的量測裝置及量測方法,不但可用以量測以直流電驅(qū)動(dòng)的二極管芯片的電特性,亦可用以量測以交流電驅(qū)動(dòng)的二極管芯片的電特性。此外, 本發(fā)明使用傳導(dǎo)形式的溫度控制即可達(dá)到相當(dāng)快速且高精準(zhǔn)度的控制,并且可快速量測不同芯片接點(diǎn)溫度的光、熱及電特性。以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述,但不作為對本發(fā)明的限定。
圖1是依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的量測裝置的示意圖;圖2是圖1中的電壓源尚未施加電壓至二極管芯片時(shí)流經(jīng)二極管芯片的電流與時(shí)間的關(guān)系圖;圖3是圖1中的電壓源開始施加電壓至二極管芯片時(shí)流經(jīng)二極管芯片的電流與時(shí)間的關(guān)系圖;圖4是當(dāng)圖1中的溫度控制模塊控制熱傳導(dǎo)元件的溫度時(shí),二極管芯片的電流與時(shí)間的關(guān)系圖;圖5是依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的量測裝置的示意圖。其中,附圖標(biāo)記100、500:量測裝置10U64:散熱模塊102,266 溫度控制元件104 熱傳導(dǎo)元件105 絕緣薄膜106 二極管芯片107 接腳108:隔熱蓋110:溫度控制器112:電源電表114:數(shù)據(jù)讀取卡
116:固定元件118:溫度量測元件258 積分球
具體實(shí)施例方式本發(fā)明實(shí)施例,能使LED的電特性量測與熱特性量測達(dá)較完整、快速與準(zhǔn)確的結(jié)果。此方法除了可量測以直流電驅(qū)動(dòng)的二極管芯片的電特性,亦可用以量測以交流電驅(qū)動(dòng)的二極管芯片的電特性。以下舉一些實(shí)施例來描述本發(fā)明,但是本發(fā)明不受限于所舉實(shí)施例。又,所舉實(shí)施例之間也可以相互做適當(dāng)組合,無須限制于單一實(shí)施例的內(nèi)容。請參考圖1,圖1是依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的量測裝置100的示意圖。參閱圖1,為了達(dá)到溫度控制,可由量測裝置100的一溫度控制模塊來控制溫度。上述的溫度控制模塊可以包括一溫度控制元件102,例如加熱器、熱電致冷器等。其中熱電致冷器可將溫度降至低于室溫,以允許量測裝置100在比室溫低的溫度下進(jìn)行量測。溫度控制元件102帶出的熱源(Heat source)可借由散熱模塊(Thermal Module) 101來達(dá)成穩(wěn)定的散熱,尤其可在熱電致冷器運(yùn)作時(shí)帶走熱電致冷器的熱能。又,若是采用加熱器增溫則不需要散熱模塊 101。另外溫度控制模塊還包括一些控制電路,這類的控制電路例如是溫度控制器110,以達(dá)到溫度控制的效果。溫度控制器110可以是比例積分微分(proportional-integral-de rivative,PID)控制器、停機(jī)反應(yīng)器冷卻(shutdown reactor cooling, SRC)控制器等控制
ο本發(fā)明更提出一種利用熱傳導(dǎo)形式(Thermal Conductive Type)的量測方式,以對所要量測的二極管芯片加熱或致冷,達(dá)到所要的溫度。例如借由一熱傳導(dǎo)元件104與溫度控制元件102連接。如此熱傳導(dǎo)元件104可以快速與溫度控制元件102的溫度達(dá)到平衡, 得到所要的溫度。熱傳導(dǎo)元件104例如是具有高熱傳導(dǎo)系數(shù)的金屬結(jié)構(gòu)層、例如銅、青銅、 鋁等的結(jié)構(gòu)層。在本發(fā)明一實(shí)施例中,熱傳導(dǎo)元件104表層鍍有一高熱傳導(dǎo)系數(shù)的絕緣薄膜105,絕緣薄膜105的材質(zhì)例如是氧化鋁、類鉆碳(Diamond-like carbon, DLC)薄膜等。 絕緣薄膜105的目的在于利用其電絕緣的特性,使二極管芯片106在測試時(shí)不致發(fā)生其電流有部分從熱傳導(dǎo)元件104漏失的現(xiàn)象而影響到測量的準(zhǔn)確性。另外,量測裝置100可包括一絕熱蓋108,設(shè)置在熱傳導(dǎo)元件105上,以構(gòu)成一隔熱的空間。隔熱蓋108例如可用一些隔熱綿與電木組合而成。在本實(shí)施例中,所要測試的二極管芯片106包含至少一個(gè)發(fā)光二極管,而二極管芯片106是以交流電來驅(qū)動(dòng)。然而,本發(fā)明并不以此為限,例如在本發(fā)明一實(shí)施例中,所要測試的二極管芯片106不包含有發(fā)光二極管,而只具有一般非可發(fā)光的二極管。又例如在本發(fā)明另一實(shí)施例中,二極管芯片106是以直流電來驅(qū)動(dòng)。此外,所要測試的二極管芯片 106例如可以借由導(dǎo)熱膏被黏附到熱傳導(dǎo)元件104上,且是在隔熱蓋108內(nèi)的隔熱空間內(nèi), 以得較佳的穩(wěn)定溫度。然而,值得注意的,隔熱蓋108對本發(fā)明而言并非絕對必要的元件。 另外,在本發(fā)明一實(shí)施例中,量測裝置100包括兩固定元件116,分別與二極管芯片106的兩接腳107接觸,以將二極管芯片106固定在熱傳導(dǎo)元件104上,并使量測人員可迅速地拆換二極管芯片106。此外,為了避免固定元件116因吸收光線而影響二極管芯片106的熱量測的結(jié)果,在本發(fā)明其它實(shí)施例中,固定元件116可選用白色材質(zhì)的材料,或在固定元件116上鍍上硫酸鋇。因固定元件116可提供二極管芯片106的電源的機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì),故可以不需要另外焊接出線,來連接電壓源112與二極管芯片106的兩接腳107。上述的溫度控制模塊另包括一溫度量測元件118,設(shè)于二極管芯片106的基板和熱傳導(dǎo)元件104的交接處,并置于二極管芯片106的下方,用于偵測熱傳導(dǎo)元件104的溫度?;旧?,因熱傳導(dǎo)元件104和絕緣薄膜105具有極高的熱傳導(dǎo)系數(shù),故溫度量測元件 118所量測到的溫度除了會(huì)等于熱傳導(dǎo)元件104的溫度之外,也會(huì)等于二極管芯片106的基板溫度。溫度量測元件118可為熱電耦(thermocouple)、熱敏電阻(thermistor)或電阻式溫度傳感器(Resistance Temperature Detector, RTD)。量測裝置100還具有一電壓源112,適于將一電壓施加在二極管芯片106。在本發(fā)明一實(shí)施例中,電壓源112可以是一電源電表(Source meter),其除了可提供電壓給二極管芯片106之外,亦可以同時(shí)量測其輸出電流。在本發(fā)明另一實(shí)施例中,電源電表112中的用以量測二極管芯片106的電流的量測單元?jiǎng)t可從電源電表112獨(dú)立出來,以得到更準(zhǔn)確的電流值。所獨(dú)立出來的電流量測單元例如是一數(shù)據(jù)獲取卡(DAQ Card),其電性連接于電壓源112和二極管芯片106。在本發(fā)明一實(shí)施例中,數(shù)據(jù)獲取卡的電流分辨率小于0. ImA, 故其所量測到的電流值具有極高的精準(zhǔn)度。在量測二極管芯片106的流程中,會(huì)先利用上述的溫度控制模塊將二極管芯片 106的基板溫度和熱傳導(dǎo)元件104的溫度控制在某一穩(wěn)定溫度,例如25°C。此時(shí),電壓源112尚未施加電壓于二極管芯片106,又因熱平衡的緣故二極管芯片106的接面溫度 (junction temperature)會(huì)與熱傳導(dǎo)元件104的溫度相同。之后,電壓源112施加電壓至二極管芯片106,以使二極管芯片106開始運(yùn)作。在電壓源112開始施加電壓至二極管芯片 106的初始期間,電流量測單元114量測二極管芯片106的瞬間啟動(dòng)電流,而溫度量測元件 118量測熱傳導(dǎo)元件104的溫度為一第一溫度。在本發(fā)明一實(shí)施例中,倘若二極管芯片106 是以交流電驅(qū)動(dòng),則電流量測單元114所量測二極管芯片106的瞬間啟動(dòng)電流會(huì)等于流經(jīng)二極管芯片106的電流的第一個(gè)正半波的均方根值。換言之,上述的瞬間啟動(dòng)電流為均方根電流。因此時(shí)二極管芯片106未受到熱效應(yīng)的影響,故瞬間啟動(dòng)電流為二極管芯片106 的接面溫度為第一溫度時(shí)所對應(yīng)的電流值。請參考圖2和圖3,其中圖2是電壓源112尚未施加電壓至二極管芯片106時(shí)流經(jīng)二極管芯片106的電流與時(shí)間的關(guān)系圖,而圖3是電壓源112開始施加電壓至二極管芯片 106時(shí)流經(jīng)二極管芯片106的電流與時(shí)間的關(guān)系圖。其中,如圖2所示,當(dāng)電壓源112尚未施加至二極管芯片106時(shí),所對應(yīng)的電流值為零。另如圖三所示,當(dāng)電流量測單元114量測二極管芯片106的瞬間啟動(dòng)電流時(shí),其會(huì)依據(jù)、至t2期間的所偵測到的二極管芯片106的電流值,計(jì)算出二極管芯片106的均方根電流,而所得到的均方根電流即為二極管芯片106 的瞬間啟動(dòng)電流。此外,在本發(fā)明一實(shí)施中,倘若二極管芯片106是以直流電壓驅(qū)動(dòng),則電流量測單元114所偵測到的電流波形將不會(huì)如圖3所示,在此情況下,則可依據(jù)電壓源112 開始施加至二極管芯片106后的一預(yù)設(shè)時(shí)間間隔,所量測到的二極管芯片106的電流,來計(jì)算上述的瞬間啟動(dòng)電流。其中,上述的預(yù)設(shè)時(shí)間間隔例如小于毫秒等級(jí)。在電壓施加在二極管芯片106后,因耗能的緣故,二極管芯片106的溫度會(huì)逐漸升高。又因二極管芯片106的溫度升高的緣故,二極管芯片106的電流也會(huì)增大。為量測二極管芯片106的特性,在電壓施加在二極管芯片106后,上述的溫度控制模塊開始控制熱傳導(dǎo)元件104的溫度,直到電流量測單元114所量測到的二極管芯片106的電流等于上述的瞬間啟動(dòng)電流為止。此外,當(dāng)熱傳導(dǎo)元件104的溫度被控制后,倘若電流量測單元114所量測到二極管芯片106的電流等于上述的瞬間啟動(dòng)電流,則借由溫度量測元件118量測此時(shí)的熱傳導(dǎo)元件104的溫度為一第二溫度。值得注意的,倘若二極管芯片106是以交流電壓驅(qū)動(dòng),則電流量測單元114所量測到的二極管芯片106的電流亦為其均方根電流。請參考圖4,圖4是當(dāng)溫度控制模塊控制熱傳導(dǎo)元件104的溫度時(shí),二極管芯片 106的電流與時(shí)間的關(guān)系圖。在此一實(shí)施中,電流量測單元114所量測到的二極管芯片106 的瞬間啟動(dòng)電流為27. 05732mA,而因?yàn)闊嵝?yīng)的緣故,二極管芯片106的電流提升到約 ^mA。之后,溫度控制模塊開始調(diào)降熱傳導(dǎo)元件104的溫度。因熱傳導(dǎo)元件104的溫度的下降,二極管芯片106的接面溫度也會(huì)下降,進(jìn)而使得二極管芯片106的電流也跟著下降。 當(dāng)熱傳導(dǎo)元件104的溫度下降之后,倘若電流量測單元114所量測到的二極管芯片106的電流等于上述的瞬間啟動(dòng)電流,則溫度量測元件118此時(shí)所量測到的熱傳導(dǎo)元件104的溫度即為上述的第二溫度。以圖4為例,在溫度控制模塊開始調(diào)降熱傳導(dǎo)元件104的溫度后的500秒,二極管芯片106的電流即等于二極管芯片106的瞬間啟動(dòng)電流,而此時(shí)溫度量測元件118所量測到的溫度即為上述的第二溫度。在本發(fā)明一實(shí)施例中,電流量測單元114會(huì)計(jì)算二極管芯片106在被施加電壓時(shí)的一實(shí)功率(Real Power),若二極管芯片106的實(shí)功率以PMal表示,則實(shí)功率PMal可以下述方程式表示
一 W⑴Xl⑴
權(quán)利要求
1.一種二極管芯片的量測方法,其特征在于,包括 將該二極管芯片設(shè)置在一熱傳導(dǎo)元件上;將一電壓施加在該二極管芯片,且借由一電流量測單元量測該二極管芯片的一瞬間啟動(dòng)電流,并借由一溫度量測元件量測該熱傳導(dǎo)元件的溫度為一第一溫度;在該電壓施加在該二極管芯片后,開始借由一溫度控制模塊,控制該熱傳導(dǎo)元件的溫度,直到該電流量測單元所量測到該二極管芯片的電流等于該瞬間啟動(dòng)電流為止;以及當(dāng)控制該熱傳導(dǎo)元件的溫度后,倘若該電流量測單元所量測到該二極管芯片的電流等于該瞬間啟動(dòng)電流,則借由該溫度量測元件量測該熱傳導(dǎo)元件的溫度為一第二溫度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二極管芯片的量測方法,其特征在于,更包括 計(jì)算該二極管芯片于施加該電壓時(shí)的一實(shí)功率;將該第一溫度減去該第二溫度,以求得該第一溫度與該第二溫度之間的一溫度差;以及將該溫度差除以該實(shí)功率,以求得該二極管芯片的一熱阻值。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二極管芯片的量測方法,其特征在于,該電壓為交流電壓,而所量測到的該二極管芯片的電流及該瞬間啟動(dòng)電流為均方根電流。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二極管芯片的量測方法,其特征在于,該電壓為直流電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二極管芯片的量測方法,其特征在于,該二極管芯片具有至少一發(fā)光二極管。
6.一種二極管芯片的量測裝置,其特征在于,包括 一熱傳導(dǎo)元件,用于設(shè)置該二極管芯片;一電壓源,用于將一電壓施加在該二極管芯片;一電流量測單元,用于當(dāng)該電壓源施加該電壓在該二極管芯片時(shí),量測該二極管芯片的電流;一溫度量測元件,用于量測該熱傳導(dǎo)元件的溫度;以及一溫度控制模塊,用于控制該熱傳導(dǎo)元件的溫度;其中當(dāng)該電壓源開始施加該電壓在該二極管芯片時(shí),該電流量測單元量測該二極管芯片的一瞬間啟動(dòng)電流,且該溫度量測元件量測該熱傳導(dǎo)元件的溫度為一第一溫度;其中在該電壓施加在該二極管芯片后,該溫度控制模塊開始將該熱傳導(dǎo)元件的溫度控制至一第二溫度,以使該電流量測單元所量測到該二極管芯片的電流等于該瞬間啟動(dòng)電流,而該第二溫度不等于該第一溫度。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的二極管芯片的量測裝置,其特征在于,該量測裝置計(jì)算該二極管芯片于施加該電壓時(shí)的一實(shí)功率,將該第一溫度減去該第二溫度以求得該第一溫度與該第二溫度之間的一溫度差,并將該溫度差除以該實(shí)功率以求得該二極管芯片的一熱阻值。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的二極管芯片的量測方法,其特征在于,該電壓為交流電壓,而所量測到的該二極管芯片的電流及該瞬間啟動(dòng)電流為均方根電流。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的二極管芯片的量測方法,其特征在于,該電壓為直流電壓。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的二極管芯片的量測方法,其特征在于,該二極管芯片具有至少一發(fā)光二極管。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種二極管芯片的量測裝置及量測方法。二極管芯片設(shè)置于熱傳導(dǎo)元件上。量測裝置會(huì)先量測二極管芯片的瞬間啟動(dòng)電流,并量測熱傳導(dǎo)元件的對應(yīng)于瞬間啟動(dòng)電流的第一溫度。當(dāng)二極管芯片開始操作之后,量測裝置再將熱傳導(dǎo)元件的溫度調(diào)整至第二溫度,以使二極管芯片的電流等于上述的瞬間啟動(dòng)電流。量測裝置依據(jù)二極管芯片的實(shí)功率以及第一溫度和第二溫度之間的溫度差,計(jì)算二極管芯片的屬性。
文檔編號(hào)G01R31/26GK102221667SQ20101015174
公開日2011年10月19日 申請日期2010年4月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月15日
發(fā)明者劉君愷, 戴光佑, 戴明吉, 李圣良, 林明德, 許中彥, 譚瑞敏 申請人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院