專利名稱：溫度檢測(cè)電路、方法及電子系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電路，特別是涉及一種溫度檢測(cè)電路、方法及電子系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
能量?jī)?chǔ)存組件，例如電池，在過(guò)溫的情況下可能會(huì)損壞。圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中 的過(guò)溫檢測(cè)電路100的電路圖。過(guò)溫檢測(cè)電路100包括集成電路(integrated circuit, IC)芯片 110 和負(fù)溫度系數(shù)(negative temperaturecoefficient, NTC)熱敏電阻 130。熱 敏電阻130通過(guò)專用模擬NTC引腳耦合于IC芯片110的外部。IC芯片110包括比較器120 和多個(gè)內(nèi)部電阻，例如集成在IC芯片110上的電阻112、電阻114、電阻116和電阻118。 熱敏電阻130感應(yīng)溫度，例如電池的溫度。當(dāng)溫度改變時(shí)，熱敏電阻130的阻值發(fā)生變化。 由電阻112、電阻118和熱敏電阻130構(gòu)成的分壓器在節(jié)點(diǎn)122提供溫度感應(yīng)電壓。由電阻 114、電阻116和電阻118構(gòu)成的分壓器在節(jié)點(diǎn)124提供參考閾值電壓。比較器120比較溫 度感應(yīng)電壓和參考閾值電壓的大小，并當(dāng)溫度感應(yīng)電壓小于參考閾值電壓時(shí)，產(chǎn)生過(guò)溫檢 測(cè)信號(hào)0TA。因此，當(dāng)溫度達(dá)到溫度閾值時(shí)，熱敏電阻130取決于內(nèi)部電阻的阻值，例如電 阻112、電阻114和電阻116的阻值。內(nèi)部電阻由硅芯片上的摻雜區(qū)域制作而成。因此，內(nèi)部電阻的阻值在不同的芯片 上或相同芯片上的不同摻雜區(qū)域上會(huì)有所波動(dòng)。由此，過(guò)溫檢測(cè)電路100的精度會(huì)受到影 響。此外，電阻118可能被設(shè)置相對(duì)高的阻值以降低電流能耗，進(jìn)而增加芯片的面積以及過(guò) 溫檢測(cè)電路100的成本。圖2所示為現(xiàn)有技術(shù)中的另一過(guò)溫檢測(cè)電路200的電路圖。圖2中與圖1標(biāo)號(hào)相 同的元素具有相同的功能。過(guò)溫檢測(cè)電路200包括耦合于熱敏電阻130和IC芯片110的 外部可調(diào)節(jié)電阻210，用于調(diào)節(jié)因內(nèi)部電阻的阻值波動(dòng)引起的誤差。然而，芯片面積的問(wèn)題 仍未解決。圖3所示為現(xiàn)有技術(shù)中的另一過(guò)溫檢測(cè)電路300的電路圖。圖3中與圖1和圖2 標(biāo)號(hào)相同的元素具有相同的功能。過(guò)溫檢測(cè)電路300包括與熱敏電阻130串聯(lián)的外部電阻 312。由此，包含外部電阻312和熱敏電阻130的分壓器在節(jié)點(diǎn)302產(chǎn)生溫度感應(yīng)電壓。包 含電阻116和114的分壓器在節(jié)點(diǎn)304產(chǎn)生參考閾值電壓。在前述的現(xiàn)有技術(shù)中，可通過(guò)提高過(guò)溫檢測(cè)電路100、200和300中的電阻(例如 內(nèi)部電阻118和外部電阻312)的阻值以降低能耗。由此，減小了流經(jīng)熱敏電阻130的電 流。因此，當(dāng)溫度發(fā)生變化時(shí)，節(jié)點(diǎn)302或122上的溫度感應(yīng)電壓的對(duì)應(yīng)變化量隨之減小。 例如，溫度可能達(dá)到溫度閾值。此時(shí)，溫度感應(yīng)電壓等于參考閾值電壓。當(dāng)溫度增加時(shí)，溫 度感應(yīng)電壓可減小到小于參考閾值電壓。在某些情況下，溫度感應(yīng)電壓的電壓變化可能小 于比較器120的失調(diào)電壓，或者溫度感應(yīng)電壓相對(duì)小的電壓變化可能會(huì)受到比較器120的 耦合噪聲的影響。因此，可能不會(huì)產(chǎn)生檢測(cè)信號(hào)0TA(例如高電平)來(lái)表示過(guò)溫狀態(tài)。因 此，降低了過(guò)溫檢測(cè)電路100、200和300的精度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種溫度檢測(cè)電路、方法及電子系統(tǒng)，以提高 溫度檢測(cè)的精度。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種溫度檢測(cè)電路。溫度檢測(cè)電路包括傳感 器、集成電路芯片和電阻。傳感器用于感應(yīng)溫度。電阻耦合于集成電路芯片的外部。集成 電路芯片耦合于所述傳感器，用于比較表示所述溫度的感應(yīng)電壓和表示溫度閾值的閾值電 壓之間的大小以決定所述溫度的狀態(tài)，所述集成電路芯片具有實(shí)質(zhì)恒定參數(shù)。所述集成電 路芯片還保持電流比值等于所述實(shí)質(zhì)恒定的參數(shù)，所述電流比值包括流經(jīng)所述傳感器的第 一電流和流經(jīng)所述電阻的第二電流之間的電流比。本發(fā)明還提供了一種方法。所述方法包括保持電流比值等于集成電路芯片的實(shí) 質(zhì)恒定的參數(shù)，所述電流比值包括流經(jīng)傳感器的第一電流和流經(jīng)電阻的第二電流之間的電 流比，所述電阻耦合于所述集成電路芯片的外部；比較表示溫度的感應(yīng)電壓和表示溫度閾 值的閾值電壓之間的大小；及根據(jù)所述比較的結(jié)果產(chǎn)生表示所述溫度的狀態(tài)的溫度檢測(cè)信號(hào)。本發(fā)明再提供了一種電子系統(tǒng)。所述電子系統(tǒng)包括電源、負(fù)載及溫度檢測(cè)電路。 負(fù)載耦合于所述電源，用于接收來(lái)自所述電源的電能。溫度檢測(cè)電路耦合于所述電源，用于 檢測(cè)所述電源的溫度。所述溫度檢測(cè)電路包括集成電路芯片和所述集成電路芯片的外圍組 件，所述外圍組件包括傳感器和電阻。所述集成電路芯片保持流經(jīng)所述傳感器的電流和流 經(jīng)所述電阻的電流之間的比值等于實(shí)質(zhì)恒定的參數(shù)，其中，當(dāng)所述溫度達(dá)到溫度閾值時(shí)，所 述傳感器的阻值等于由所述電阻的阻值和所述實(shí)質(zhì)恒定參數(shù)所決定的函數(shù)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過(guò)比較熱敏電阻的阻值與由外部電阻的阻值和實(shí)質(zhì)恒 定參數(shù)決定的函數(shù)之間的大小決定溫度狀態(tài)。由于外部電阻的阻值和實(shí)質(zhì)恒定參數(shù)K都相 對(duì)精確，則進(jìn)一步提高了檢測(cè)電路的總體精度。以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明，以使本發(fā)明的 特性和優(yōu)點(diǎn)更為明顯。


圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中的過(guò)溫檢測(cè)電路的電路圖；圖2所示為現(xiàn)有技術(shù)中的另一過(guò)溫檢測(cè)電路的電路圖；圖3所示為現(xiàn)有技術(shù)中的另一過(guò)溫檢測(cè)電路的電路圖；圖4所示為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的電子系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖；圖5所示為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的溫度檢測(cè)電路的結(jié)構(gòu)圖；圖6所示為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的圖5中的偏置電路的示例；圖7所示為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的圖5中的偏置電路的另一示例；圖8所示為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的溫度檢測(cè)電路的另一結(jié)構(gòu)圖；圖9所示為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的溫度檢測(cè)電路的另一結(jié)構(gòu)圖；圖10所示為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的溫度檢測(cè)電路的另一結(jié)構(gòu)圖；以及圖11所示為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的溫度檢測(cè)電路的方法流程圖。
具體實(shí)施例方式以下將對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例給出詳細(xì)的說(shuō)明。盡管本發(fā)明將結(jié)合一些具體實(shí)施方式
進(jìn)行闡述和說(shuō)明，但需要注意的是本發(fā)明并不僅僅只局限于這些實(shí)施方式。相反，對(duì)本發(fā)明 進(jìn)行的修改或者等同替換，均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。另外，為了更好的說(shuō)明本發(fā)明，在下文的具體實(shí)施方式
中給出了眾多的具體細(xì)節(jié)。 本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，沒(méi)有這些具體細(xì)節(jié)，本發(fā)明同樣可以實(shí)施。在另外一些實(shí)例中，對(duì) 于大家熟知的方法、流程、元件和電路未作詳細(xì)描述，以便于凸顯本發(fā)明的主旨。本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種溫度檢測(cè)電路，所述溫度檢測(cè)電路包括外部電阻、傳 感器(例如熱敏電阻)和集成電路(integrated circuit, IC)芯片。傳感器可感應(yīng)溫度， 例如電源的溫度。耦合于傳感器的IC芯片可比較表示溫度的感應(yīng)電壓和表示溫度閾值的 閾值電壓之間的大小，以決定溫度狀態(tài)。外部電阻耦合于IC芯片的外部。IC芯片具有實(shí)質(zhì) 恒定參數(shù)K，并可保持流經(jīng)傳感器的電流和流經(jīng)外部電阻的電流之間的比值等于實(shí)質(zhì)恒定 參數(shù)K。優(yōu)點(diǎn)在于，溫度狀態(tài)(例如電源的溫度狀態(tài))可由傳感器和外部電阻的阻 值關(guān)系來(lái)決定。例如當(dāng)溫度達(dá)到溫度閾值時(shí)，熱敏電阻的阻值由外部電阻的阻值(R_ external)和實(shí)質(zhì)恒定參數(shù)K決定。例如，當(dāng)溫度等于溫度閾值時(shí)，熱敏電阻的阻值可等于 [external/K。在運(yùn)行中，通過(guò)比較熱敏電阻的阻值和[external/K的大小決定溫度狀 態(tài)。外部電阻相比集成在IC芯片上的內(nèi)部電阻具有較小的阻值波動(dòng)。因此，外部電阻的阻 值和實(shí)質(zhì)恒定參數(shù)K都相對(duì)精確。由此，可提高該比較的結(jié)果的精確性。因此，可進(jìn)一步提 高檢測(cè)電路的總體精度。圖4所示為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的電子系統(tǒng)400。在一個(gè)實(shí)施例中，電子系統(tǒng)400 包括電源404、負(fù)載406和溫度檢測(cè)電路402。耦合于電源404的負(fù)載406，接收來(lái)自電源 404的電能。耦合于電源404的溫度檢測(cè)電路402，用于感應(yīng)電源404的溫度，并在引腳V0 產(chǎn)生溫度檢測(cè)信號(hào)TA，以表示電源404是處于正常溫度狀態(tài)還是異常溫度狀態(tài)(例如過(guò) 溫狀態(tài)或欠溫狀態(tài))。如果溫度檢測(cè)信號(hào)TA表示電源404的溫度處于異常溫度狀態(tài)，電源 404執(zhí)行過(guò)溫保護(hù)或欠溫保護(hù)。電源404可為電池組。如果來(lái)自溫度檢測(cè)電路402的溫度 檢測(cè)信號(hào)TA表示電池組的溫度異常，溫度檢測(cè)信號(hào)TA用于停止電池組的充電或放電，從而 保護(hù)電池組不受異常溫度狀態(tài)的影響。溫度檢測(cè)電路402還可用于檢測(cè)其他電子系統(tǒng)中的 設(shè)備溫度，且不局限于圖4的實(shí)例。在圖4的實(shí)施例中，溫度檢測(cè)電路402包括IC芯片410和IC芯片410的外圍組 件。其中，外圍組件包括傳感器430和外部電阻440。傳感器430通過(guò)引腳NTC(例如專 用模擬引腳)耦合于芯片410的外部，并用于感應(yīng)溫度。在一個(gè)實(shí)施例中，傳感器430包括 耦合于地的熱敏電阻432，例如負(fù)溫度系數(shù)(negative temperature coefficient,NTC)熱 敏電阻，其阻值隨著溫度的升高而降低。在一個(gè)實(shí)施例中，IC芯片410提供電流411給熱 敏電阻432。由于電流411流經(jīng)熱敏電阻432，則產(chǎn)生熱敏電阻432上的電壓434?；蛘撸?IC芯片410在引腳NTC上提供參考電壓(例如帶隙電壓)，由于參考電壓加在熱敏電阻 432上，則產(chǎn)生流經(jīng)熱敏電阻432的電流411。傳感器430還可包括其他組件，例如正溫 度系數(shù)(positive temperature coefficient, PTC)熱敏電阻、熱電偶、電阻式溫度檢測(cè)器 (resistance temperature detector, RTD)或集成溫度傳感器。
外部電阻440的一端通過(guò)引腳RST (例如專用模擬引腳或混合模擬引腳)耦合于 IC芯片410外部，且其另外一端耦合于地。在一個(gè)實(shí)施例中，IC芯片410提供電流413流 經(jīng)外部電阻440，由此，在引腳RST上產(chǎn)生了電壓444?；蛘?，IC芯片410可在引腳RST上 提供參考電壓(例如帶隙電壓)，由此，則產(chǎn)生電流413流經(jīng)外部電阻440。在一個(gè)實(shí)施例中，IC芯片410具有實(shí)質(zhì)恒定的參數(shù)K。IC芯片410可保持電流411 和電流413的比值等于實(shí)質(zhì)恒定的參數(shù)K。在本發(fā)明中，“實(shí)質(zhì)恒定”表示參數(shù)K的值可變 化，但保持在一個(gè)變化范圍，由此，電流411和電流413的變化不會(huì)影響電壓434和電壓444 的精度，在圖5、圖6和圖7中將進(jìn)一步地說(shuō)明。更具體地說(shuō)，流經(jīng)熱敏電阻432的電流411 的電流值由參數(shù)K和流經(jīng)外部電阻440的電流413所決定。在一個(gè)實(shí)施例中，電流411與 電流413成比例，電流411和電流413之間的電流比等于實(shí)質(zhì)恒定的參數(shù)K。此外，IC芯片 410比較表示感應(yīng)溫度的感應(yīng)電SV_sensing和表示溫度閾值(例如過(guò)溫閾值或欠溫閾 值)的閾值電壓VTH之間的大小，并根據(jù)比較的結(jié)果輸出溫度檢測(cè)信號(hào)TA。在一個(gè)實(shí)施例 中，由熱敏電阻432提供的電壓434被用作感應(yīng)電壓V_sensing。在這種情況下，閾值電壓 VTH為外部電阻440上的電壓444或參考電壓生成器產(chǎn)生的參考電壓V_ref?；蛘?，閾值電 壓VTH為參考電壓V_ref，其中，V_ref同時(shí)又是熱敏電阻432上的電壓434。在這種情況 下，電壓444被用作表示感應(yīng)溫度的感應(yīng)電壓V_sensing。感應(yīng)電壓V_sensing和閾值電壓 VTH的操作將在圖5至圖10中進(jìn)一步地描述。優(yōu)點(diǎn)在于，通過(guò)提供與電流413成比例的電流411，溫度檢測(cè)信號(hào)TA由外部電阻 440和實(shí)質(zhì)恒定數(shù)值(例如實(shí)質(zhì)恒定數(shù)值可為K或M*K)決定，并將在圖5至圖10作進(jìn)一 步說(shuō)明。由于溫度檢測(cè)電路402中與溫度檢測(cè)有關(guān)的電阻(例如外部電阻440)位于IC 芯片410之外，外部電阻440的阻值波動(dòng)小于內(nèi)部電阻(例如圖1中的電阻112)的阻值 波動(dòng)。因此，提高了溫度檢測(cè)信號(hào)TA的精度，進(jìn)而提供更可靠的溫度保護(hù)。圖5所示為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的溫度檢測(cè)電路402的結(jié)構(gòu)圖。圖5將結(jié)合圖4 進(jìn)行描述。圖5中與圖4標(biāo)號(hào)相同的元件具有相同的功能。在圖5的實(shí)施例中，外部電阻 440上的電壓444作為表示溫度閾值的閾值電壓VTH。熱敏電阻432上的電壓434作為表 示感應(yīng)溫度的感應(yīng)電壓V_sensing。因此，在圖5至圖7的描述中，感應(yīng)電壓V_sensing也 稱作感應(yīng)電壓434，且閾值電壓VTH也稱作閾值電壓444。在一個(gè)實(shí)施例中，IC芯片410包括比較器520和偏置電路550。偏置電路550耦 合于引腳NTC和引腳RST，用于產(chǎn)生流經(jīng)熱敏電阻432的電流411。于是，熱敏電阻432在 引腳NTC上產(chǎn)生感應(yīng)電壓434。在一個(gè)實(shí)施例中，偏置電路550還產(chǎn)生流經(jīng)外部電阻440的 電流413。于是，外部電阻440在引腳RST上產(chǎn)生閾值電壓444?；蛘?，偏置電路550直接 在引腳RST上產(chǎn)生閾值電壓444，外部電阻440據(jù)此產(chǎn)生電流413。在一個(gè)實(shí)施例中，IC芯片410提供的電流411與電流413成比例。電流411和電 流413之間的比值為實(shí)質(zhì)恒定的數(shù)值，例如IC芯片410的參數(shù)K。如前所述，“實(shí)質(zhì)恒定” 表示該參數(shù)的數(shù)值可變化，但保持在一個(gè)范圍，由此，電流411和電流413的變化不會(huì)影響 電壓434和電壓444的精度。在一個(gè)實(shí)施例中，比較器520具有耦合于引腳NTC的第一輸 入端和耦合于引腳RST的第二輸入端。比較器520比較感應(yīng)電壓434和閾值電壓444之間 的大小，以輸出溫度檢測(cè)信號(hào)TA。在一個(gè)實(shí)施例中，比較器520是遲滯比較器。更具體地 說(shuō)，在一個(gè)實(shí)施例中，如果感應(yīng)電壓434小于表示預(yù)設(shè)過(guò)溫閾值的閾值電壓444，例如，當(dāng)溫度上升超過(guò)預(yù)設(shè)過(guò)溫閾值時(shí)，則產(chǎn)生溫度檢測(cè)信號(hào)TA (例如高電平)表示過(guò)溫狀態(tài)。同樣 地，如果感應(yīng)電壓434大于表示預(yù)設(shè)欠溫閾值的閾值電壓444，例如，當(dāng)溫度下降到小于預(yù) 設(shè)欠溫閾值時(shí)，則產(chǎn)生溫度檢測(cè)信號(hào)TA (例如低電平)表示欠溫狀態(tài)。由于電流411與電流413之間的電流比值等于參數(shù)K，感應(yīng)電壓434的電壓值可表 示為V_sensing = K*I_external*R_thermistor, (1)其中，V_sensing表示感應(yīng)電壓434的電壓值，I_external表示電流413的電流 值，[thermistor表示熱敏電阻432的阻值。優(yōu)點(diǎn)在于，電流411是電流413的K倍。因 此，當(dāng)溫度變化時(shí)，感應(yīng)電壓434可被調(diào)節(jié)，以具有相對(duì)大的電壓變化，例如，用戶可以設(shè)置 實(shí)質(zhì)恒定的參數(shù)K。由此，降低由比較器520的失調(diào)電壓和耦合噪聲產(chǎn)生的影響，從而提高 溫度檢測(cè)電路402的精度。在一個(gè)實(shí)施例中，如果溫度達(dá)到溫度閾值，感應(yīng)電壓434變?yōu)榈扔陂撝惦妷?44， 可由公式⑵表示V_threshold = I_external*R_external= K*I_external*R_thermistor_T， (2)其中，R_thermistor_T表示在溫度閾值時(shí)熱敏電阻432的阻值，[external表示 外部電阻440的阻值。因此，在溫度達(dá)到溫度閾值(例如過(guò)溫閾值或欠溫閾值)時(shí)，熱敏 電阻432的阻值可表示為R_thermistor_T = R_external/K。(3)如公式(3)所示，溫度狀態(tài)可由熱敏電阻432和外部電阻440之間的電阻關(guān)系來(lái) 表示。也就是說(shuō)，溫度檢測(cè)信號(hào)TA是通過(guò)比較實(shí)質(zhì)恒定的參數(shù)K和外部電阻440的阻值所 組成的函數(shù)(例如R_eXternal/K)與熱敏電阻432的阻值之間的大小來(lái)決定。例如如果 [thermistor小于[external/K，例如當(dāng)溫度上升到大于預(yù)設(shè)過(guò)溫閾值時(shí)，則產(chǎn)生溫度 檢測(cè)信號(hào)TA (例如高電平)表示過(guò)溫狀態(tài)。同樣地，如果[thermistor大于[external/ K，例如，當(dāng)溫度下降到小于預(yù)設(shè)欠溫閾值時(shí)，則產(chǎn)生溫度檢測(cè)信號(hào)TA(例如低電平)表示 欠溫狀態(tài)。優(yōu)點(diǎn)在于，溫度檢測(cè)信號(hào)TA取決于外部電阻440的阻值和參數(shù)K。由于外部電阻 440相比集成在IC芯片上的內(nèi)部電阻具有較小的阻值波動(dòng)，且IC芯片410的參數(shù)K實(shí)質(zhì)恒 定，[external和K均相對(duì)精確。由此，提高了上述比較的結(jié)果的精確度，從而進(jìn)一步提高 了溫度檢測(cè)電路402的精確度。此外，根據(jù)公式(3)，可通過(guò)設(shè)置外部電阻440的阻值(例 如用戶設(shè)置)以完成對(duì)于各種溫度閾值的溫度檢測(cè)。由此，提高了溫度檢測(cè)電路402的靈 活性。圖6所示為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的圖5中的偏置電路550的示例。圖6將結(jié)合圖 4和圖5進(jìn)行描述。在圖6的實(shí)施例中，偏置電路550可包括電流源611和電流源612，用 于分別產(chǎn)生電流411和電流413。正如圖5所述，電流411和電流413成比例，且電流411 和電流413之間的電流比值為實(shí)質(zhì)恒定的參數(shù)K。在一個(gè)實(shí)施例中，偏置電路550還包括開(kāi)關(guān)電路620和開(kāi)關(guān)控制器616。開(kāi)關(guān)電 路620包括分別耦合于電流源611和電流源612的開(kāi)關(guān)622和開(kāi)關(guān)624。開(kāi)關(guān)622和開(kāi)關(guān) 624用于導(dǎo)通和斷開(kāi)電流411和電流413的電流通路。
開(kāi)關(guān)控制器616用于產(chǎn)生控制信號(hào)630，例如脈寬調(diào)制(pulse widthmodulation, PWM)信號(hào)，以控制開(kāi)關(guān)622和開(kāi)關(guān)624的狀態(tài)。在一個(gè)實(shí)施例中，開(kāi)關(guān) 控制器616可包括振蕩(0SC)電路628和邏輯電路626。振蕩電路628可產(chǎn)生振蕩信號(hào)，例 如周期脈沖信號(hào)。邏輯電路626接收振蕩信號(hào)，并產(chǎn)生控制信號(hào)630，例如PWM信號(hào)?；?者，開(kāi)關(guān)控制器616可具有其他組件，且不局限于圖6的實(shí)施例。因此，開(kāi)關(guān)電路620周期性地導(dǎo)通或關(guān)斷電流411和電流413的電流通路。具體 地說(shuō)，在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)PWM信號(hào)為高電平時(shí)，開(kāi)關(guān)622和開(kāi)關(guān)624閉合以導(dǎo)通電流411 和電流413的電流通路。熱敏電阻432接收電流411，并根據(jù)電流411產(chǎn)生感應(yīng)電壓434。 外部電阻440接收電流413，并根據(jù)電流413產(chǎn)生閾值電壓444。比較器520比較感應(yīng)電壓 434和閾值電壓444之間的大小，并根據(jù)比較的結(jié)果產(chǎn)生溫度檢測(cè)信號(hào)TA，如圖4和圖5中 的描述。在圖6的實(shí)施例中，IC芯片410的溫度變化可能造成電流411和電流413的電流 值的波動(dòng)。優(yōu)點(diǎn)在于，電流411和電流413之間的電流比值可保持為實(shí)質(zhì)恒定的參數(shù)K。舉 例說(shuō)明，如果電流413增加，感應(yīng)電壓434和閾值電壓444均會(huì)因此增加。也就是說(shuō)，根據(jù) 公式(2)，在溫度閾值點(diǎn)上的感應(yīng)電壓434和閾值電壓444可自動(dòng)被調(diào)節(jié)相同的數(shù)值，因此， 公式(3)仍然成立。由此，根據(jù)感應(yīng)電壓434和閾值電壓444產(chǎn)生的檢測(cè)信號(hào)TA的精確度 也得到提高。也就是說(shuō)，減輕或消除了由于電流413的波動(dòng)產(chǎn)生的感應(yīng)誤差對(duì)溫度檢測(cè)電 路402的影響。由此，提高了溫度檢測(cè)電路402的精度。當(dāng)PWM信號(hào)為低電平時(shí)，開(kāi)關(guān)622和開(kāi)關(guān)624斷開(kāi)以斷開(kāi)電流411和電流413的 電流通路。優(yōu)點(diǎn)在于，當(dāng)開(kāi)關(guān)622和開(kāi)關(guān)624斷開(kāi)時(shí)，熱敏電阻432和外部電阻440不會(huì)消 耗能量。因此，可根據(jù)需要感應(yīng)溫度，從而降低了溫度檢測(cè)電路402的功耗。圖7所示為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的圖5中的偏置電路550的另一示例。圖7將結(jié) 合圖4、圖5和圖6進(jìn)行描述。圖7中與圖4和圖6標(biāo)號(hào)相同的元件具有相同的功能。在圖7的實(shí)施例中，偏置電路550包括電流鏡710、參考電壓生成器712、開(kāi)關(guān)控制 器616和開(kāi)關(guān)電路620。參考電壓生成器712用于產(chǎn)生閾值電壓444，其進(jìn)一步包括帶隙電 路714和電壓跟隨器716。帶隙電路714產(chǎn)生在溫度變化情況下保持實(shí)質(zhì)恒定的帶隙參考 電壓。電壓跟隨器716進(jìn)一步包括運(yùn)算放大器，其跟隨帶隙參考電壓，并產(chǎn)生與帶隙參考電 壓大致相等的閾值電壓444?；蛘撸瑓⒖茧妷荷善?12可包括其他組件，且不局限于圖7 的示例。開(kāi)關(guān)電路620周期性地導(dǎo)通和斷開(kāi)電流411和電流413的電流通路。當(dāng)開(kāi)關(guān)622 和開(kāi)關(guān)624閉合時(shí)，外部電阻440接收來(lái)自參考電壓生成器712的閾值電壓444，并根據(jù)閾 值電壓444提供電流413。由于閾值電壓444是帶隙電壓，因此，不會(huì)因?yàn)闇囟茸兓l(fā)生 波動(dòng)。由此，流經(jīng)外部電阻440的電流413也與溫度無(wú)關(guān)。因此，減輕或預(yù)防了由電流413 的波動(dòng)產(chǎn)生的誤差。在一個(gè)實(shí)施例中，電流鏡710接收電流413，并通過(guò)鏡像電流413產(chǎn)生電流411，電 流411是電流413的K倍。熱敏電阻432接收電流411，并根據(jù)電流411產(chǎn)生感應(yīng)電壓434。 因此，比較器520比較感應(yīng)電壓434和閾值電壓444的大小，并根據(jù)比較的結(jié)果產(chǎn)生溫度檢 測(cè)信號(hào)TA。當(dāng)開(kāi)關(guān)622和開(kāi)關(guān)624斷開(kāi)時(shí)，熱敏電阻432和外部電阻440不會(huì)消耗能量。因此，可根據(jù)需要感應(yīng)溫度，從而降低了溫度檢測(cè)電路402的功耗。偏置電路550可由其他組 件組成，且不局限于圖6和圖7的示例。優(yōu)點(diǎn)在于，內(nèi)部電阻(例如圖1中的電阻112、電阻114、電阻116和電阻118)可 由圖6或圖7中的偏置電路550和外部電阻440代替，由此，減小了溫度檢測(cè)電路402的芯 片面積，并降低了成本。
圖8所示為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的溫度檢測(cè)電路402的另一結(jié)構(gòu)圖。圖8將結(jié)合 圖4、圖5和圖7進(jìn)行描述。圖8中與圖4至圖7標(biāo)號(hào)相同的元件具有相同的功能。在一個(gè)實(shí)施例中，IC芯片410包括比較器520和偏置電路550。偏置電路550采 用圖7中介紹的結(jié)構(gòu)。在圖8的實(shí)施例中，參考電壓生成器712產(chǎn)生參考電壓444。外部電 阻440采用參考電壓444來(lái)提供電流413。參考電壓生成器712以同樣的方式產(chǎn)生表示溫 度閾值的閾值電壓VTH。參考電壓444和閾值電壓VTH都可為帶隙電壓。電流鏡710通過(guò) 鏡像電流413產(chǎn)生與電流413成比例的電流411。電流411和電流413之間的比值可為實(shí) 質(zhì)恒定的參數(shù)K。熱敏電阻432接收電流411，并據(jù)此產(chǎn)生感應(yīng)電壓434。因此，根據(jù)公式(2)，當(dāng)溫度達(dá)到預(yù)設(shè)溫度閾值時(shí)，感應(yīng)電壓434等于閾值電壓 VTH0由于I_external等于參考電壓444(例如V_ref)的電壓值除以外部電阻440的阻 值，例如I_external = V_ref/[external，公式(2)可以重新寫(xiě)為公式(4)R_thermistor_T = V_threshold*R_external/(V_ref*K)。 (4)如公式⑷所示，R_thermistor_T等于參考電壓444、外部電阻440、閾值電壓VTH 和實(shí)質(zhì)恒定的參數(shù)K的一個(gè)函數(shù)。由于V_threSh0lc^nV_ref都是帶隙電壓，例如當(dāng)溫度變化時(shí)，帶隙電壓保持實(shí) 質(zhì)恒定，V_ref和V_threshold之間的比值(例如V_ref/V_threshold)，可由實(shí)質(zhì)恒定的 數(shù)值M代替。因此，公式(4)可重新寫(xiě)為公式(5)。R_thermistor_T = R_external/(M*K)。 (5)如公式(5)所示，R_thermistor_T等于外部電阻440和實(shí)質(zhì)恒定的參數(shù)M*K的一 個(gè)函數(shù)。優(yōu)點(diǎn)在于，根據(jù)公式(5)，溫度狀態(tài)(例如電源404的溫度狀態(tài))由熱敏電阻432 和外部電阻440之間的電阻關(guān)系決定。例如，溫度檢測(cè)信號(hào)TA是通過(guò)比較外部電阻440和 實(shí)質(zhì)恒定的參數(shù)M*K的函數(shù)與熱敏電阻432之間的大小來(lái)決定的。由于[external和M*K 均相對(duì)精確，則提高了上述比較的結(jié)果的精確度。由此，提供了溫度檢測(cè)電路402的整體精度。圖9所示為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的溫度檢測(cè)電路402的另一結(jié)構(gòu)圖。圖9將結(jié)合 圖4至圖8進(jìn)行描述。圖9中與圖4和圖5標(biāo)號(hào)相同的元件具有相同的功能。在圖9的實(shí) 施例中，溫度檢測(cè)電路402可根據(jù)多個(gè)溫度閾值來(lái)判定溫度的狀態(tài)。在一個(gè)實(shí)施例中，溫度檢測(cè)電路402包括IC芯片910、熱敏電阻432和外部電阻 440。IC芯片 910包括偏置電路550、模數(shù)轉(zhuǎn)換器(analog todigital converter，ADC) 930和 多個(gè)比較器920_1-920_N。為了簡(jiǎn)潔明了的表達(dá)，圖9中沒(méi)有畫(huà)出所有的比較器920_1-920_ N。偏置電路550可采用圖7或圖8中所示的結(jié)構(gòu)，并用于產(chǎn)生與電流413成比例的電流 411。電流411和電流413的比值為實(shí)質(zhì)恒定的參數(shù)K。偏置電路550還產(chǎn)生帶隙電壓，以 提供參考電壓444。熱敏電阻432接收電流411，并根據(jù)電流411產(chǎn)生感應(yīng)電壓434。在一個(gè)實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)參考電壓生成器產(chǎn)生多個(gè)閾值電壓VTH1-VTHN。例如，VTH1-VTHN 都為帶隙電壓，并由參考電壓生成器712產(chǎn)生。在一個(gè)實(shí)施例中，每個(gè)比較器920_1_920_N接收感應(yīng)電壓434和對(duì)應(yīng)的一個(gè)閾值 電壓VTH1-VTHN。例如，比較器920_1接收感應(yīng)電壓434和閾值電壓VTH1，比較器920_2接 收感應(yīng)電壓434和閾值電壓VTH2，且比較器920_N接收感應(yīng)電壓434和閾值電壓VTHN。優(yōu) 點(diǎn)在于，比較器920_1-920_N可產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于不同溫度閾值的多個(gè)溫度檢測(cè)信號(hào)TA1-TAN。因 此，溫度檢測(cè)電路402可同時(shí)完成對(duì)應(yīng)不同溫度閾值的溫度檢測(cè)。在一個(gè)實(shí)施例中，ADC 930可將感應(yīng)電壓434轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)954。數(shù)字信號(hào)954 可適用于其他不同的應(yīng)用。例如，數(shù)字信號(hào)954可存儲(chǔ)于計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)介質(zhì)(例如存儲(chǔ) 器)中，并用于在計(jì)算機(jī)屏幕上顯示溫度值。圖10所示為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的溫度檢測(cè)電路402的另一結(jié)構(gòu)圖。圖10將結(jié) 合圖4至圖7進(jìn)行描述。圖10中與圖4至圖7標(biāo)號(hào)相同的元件具有相同的功能。在圖10的實(shí)施例中，IC芯片410包括比較器520和偏置電路1050。偏置電路1050 包括參考電壓生成器712。與圖7中的偏置電路550是在引腳RST上產(chǎn)生參考電壓V_ref 不同，在本實(shí)施例中，參考電壓生成器712在引腳NTC上產(chǎn)生V_ref。由于參考電壓V_ref 還加在熱敏電阻432上，參考電壓V_ref在圖10的實(shí)施例中也被稱作參考電壓434。在本 實(shí)施例中，參考電壓434也作為閾值電壓VTH，如公式(6)所示VTH = V_ref0(6)偏置電路1050還包括電流鏡710，用于鏡像電流411以產(chǎn)生電流413。電流411 和電流413的電流比值等于實(shí)質(zhì)恒定的參數(shù)K。外部電阻440根據(jù)電流413產(chǎn)生電壓444。由于電壓434是參考電壓生成器712提供的參考電壓，電流411會(huì)因?yàn)闊崦綦娮?432的阻值變化而隨溫度發(fā)生變化。由此，電壓444也隨之發(fā)生變化。因此，在圖10的實(shí)施 例中，電壓444也作為感應(yīng)電SV_sensing以表示感應(yīng)溫度。因此，在本實(shí)施例中，感應(yīng)電 Sv_sensing還可表示為感應(yīng)電壓444。當(dāng)溫度達(dá)到溫度閾值時(shí)，感應(yīng)電壓444由公式(7) 表不。V_sensing = (V_ref/R_thermistor_T)*K*R_external. (7)比較器520比較感應(yīng)電壓444和閾值電壓434之間的大小，并根據(jù)比較結(jié)果判定 溫度狀態(tài)。當(dāng)溫度達(dá)到溫度閾值時(shí)，感應(yīng)電壓444等于閾值電壓434。根據(jù)公式(6)和(7)， 在溫度閾值點(diǎn)上的熱敏電阻432的阻值表示為R_thermistor_T = R_external/K。(8)與圖5中的公式(3)類似，根據(jù)公式(8)，溫度狀態(tài)由熱敏電阻432和外部電阻440 的電阻關(guān)系來(lái)表示。也就是說(shuō)，通過(guò)比較實(shí)質(zhì)恒定的參數(shù)K和外部電阻440的阻值的函數(shù) 與熱敏電阻432的阻值的大小來(lái)判定溫度狀態(tài)。由于實(shí)質(zhì)恒定的參數(shù)K和外部電阻440的 阻值都相對(duì)精確，則提高了溫度檢測(cè)電路402的精度。圖11所示為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的溫度檢測(cè)電路402的方法流程圖1100。圖11 將結(jié)合圖4至圖10進(jìn)行描述。圖11所涵蓋的具體步驟僅僅作為示例。也就是說(shuō)，本發(fā)明 適用于其他合理的流程或?qū)D11進(jìn)行改進(jìn)的步驟。在步驟1102中，保持流經(jīng)傳感器(例如熱敏電阻432)的第一電流(例如電流 411)和流經(jīng)電阻(例如外部電阻440)的第二電流(例如電流413)之間的電流比值等于IC芯片的(例如IC芯片410)實(shí)質(zhì)恒定的參數(shù)(例如實(shí)質(zhì)恒定的參數(shù)K)。其中，該電 阻耦合于IC芯片的外部。在步驟1104中，比較表示溫度的感應(yīng)電壓和表示溫度閾值的閾值電壓。在步驟1106中，根據(jù)比較的結(jié)果產(chǎn)生表示溫度狀態(tài)的溫度檢測(cè)信號(hào)。在一個(gè)實(shí)施 例中，將電阻的電壓作為閾值電壓，且由傳感器提供感應(yīng)電壓。此時(shí)，溫度檢測(cè)信號(hào)是通過(guò) 比較實(shí)質(zhì)恒定的參數(shù)和電阻的阻值所組成的函數(shù)與傳感器的阻值之間的大小來(lái)判定的。在 另一個(gè)實(shí)施例中，參考電壓生成器產(chǎn)生參考電壓，電阻采用參考電壓產(chǎn)生第二電流，根據(jù)實(shí) 質(zhì)恒定的參數(shù)鏡像第二電流以產(chǎn)生第一電流，且傳感器根據(jù)第一電流產(chǎn)生感應(yīng)電壓。此時(shí)， 溫度檢測(cè)信號(hào)是通過(guò)比較閾值電壓、參考電壓、實(shí)質(zhì)恒定的參數(shù)和電阻的阻值所組成的函 數(shù)與傳感器的阻值之間的大小來(lái)判定。在另一個(gè)實(shí)施例中，參考電壓生成器產(chǎn)生閾值電壓， 傳感器采用閾值電壓產(chǎn)生第一電流，根據(jù)實(shí)質(zhì)恒定的參數(shù)鏡像第一電流以產(chǎn)生第二電流， 以及將電阻上的電壓作為感應(yīng)電壓。此時(shí)，溫度檢測(cè)信號(hào)是通過(guò)比較實(shí)質(zhì)恒定的參數(shù)和電 阻的阻值所組成的函數(shù)與傳感器的阻值之間的大小來(lái)判定的。在步驟1108中，導(dǎo)通或斷開(kāi)第一電流和第二電流的電流通路。在步驟1110中，將感應(yīng)電壓轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)，例如數(shù)字信號(hào)954。上文具體實(shí)施方式
和附圖僅為本發(fā)明之常用實(shí)施例。顯然，在不脫離權(quán)利要求書(shū) 所界定的本發(fā)明精神和發(fā)明范圍的前提下可以有各種增補(bǔ)、修改和替換。本領(lǐng)域技術(shù)人員 應(yīng)該理解，本發(fā)明在實(shí)際應(yīng)用中可根據(jù)具體的環(huán)境和工作要求在不背離發(fā)明準(zhǔn)則的前提下 在形式、結(jié)構(gòu)、布局、比例、材料、元素、組件及其它方面有所變化。因此，在此披露之實(shí)施例 僅用于說(shuō)明而非限制，本發(fā)明之范圍由后附權(quán)利要求及其合法等同物界定，而不限于此前 之描述。
權(quán)利要求
一種溫度檢測(cè)電路，其特征在于，所述溫度檢測(cè)電路至少包括傳感器，用于感應(yīng)溫度；耦合于所述傳感器的集成電路芯片，用于比較表示所述溫度的感應(yīng)電壓和表示溫度閾值的閾值電壓之間的大小，以決定所述溫度的狀態(tài)，所述集成電路芯片具有實(shí)質(zhì)恒定的參數(shù)；及耦合于所述集成電路芯片外部的電阻；其中，所述集成電路芯片保持電流比值等于所述實(shí)質(zhì)恒定的參數(shù)，所述電流比值包括流經(jīng)所述傳感器的第一電流和流經(jīng)所述電阻的第二電流之間的電流比。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溫度檢測(cè)電路，其特征在于，所述集成電路芯片還包括 耦合于所述傳感器的第一電流源，用于提供所述第一電流；及耦合于所述電阻的第二電流源，用于提供所述第二電流； 其中，所述傳感器根據(jù)所述第一電流提供所述感應(yīng)電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的溫度檢測(cè)電路，其特征在于，所述集成電路芯片還包括耦合于所述第一電流源和所述第二電流源的開(kāi)關(guān)電路，用于導(dǎo)通或斷開(kāi)所述第一電流 和所述第二電流的電流通路。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溫度檢測(cè)電路，其特征在于，所述集成電路芯片還包括耦合于所述電阻的參考電壓生成器，用于產(chǎn)生參考電壓，所述電阻采用所述參考電壓 產(chǎn)生所述第二電流；及耦合于所述傳感器和所述電阻的電流鏡，用于根據(jù)所述實(shí)質(zhì)恒定的參數(shù)鏡像所述第二 電流，以產(chǎn)生所述第一電流；其中，所述傳感器根據(jù)所述第一電流提供所述感應(yīng)電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的溫度檢測(cè)電路，其特征在于，所述集成電路芯片還包括耦合于所述電流鏡的開(kāi)關(guān)電路，用于導(dǎo)通或斷開(kāi)所述第一電流和所述第二電流的電流 通路。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的溫度檢測(cè)電路，其特征在于，所述參考電壓生成器用于提供 表示多個(gè)溫度閾值的多個(gè)閾值電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的溫度檢測(cè)電路，其特征在于，所述集成電路芯片還包括 多個(gè)比較器，用于比較所述多個(gè)閾值電壓和所述感應(yīng)電壓之間的大小。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的溫度檢測(cè)電路，其特征在于，所述溫度的狀態(tài)是通過(guò)比較所 述參考電壓、所述閾值電壓、所述實(shí)質(zhì)恒定的參數(shù)和所述電阻的阻值組成的函數(shù)與所述傳 感器的阻值之間的大小來(lái)決定。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溫度檢測(cè)電路，其特征在于，將所述電阻上的電壓用作所述 閾值電壓，將所述傳感器的電壓用作所述感應(yīng)電壓。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的溫度檢測(cè)電路，其特征在于，所述溫度的狀態(tài)是通過(guò)比較所 述實(shí)質(zhì)恒定的參數(shù)和所述電阻的阻值組成的函數(shù)與所述傳感器的阻值之間的大小來(lái)決定。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溫度檢測(cè)電路，其特征在于，所述集成電路芯片還包括耦合于所述傳感器的參考電壓生成器，用于產(chǎn)生所述閾值電壓，所述傳感器采用所述 閾值電壓產(chǎn)生所述第一電流；及耦合于所述傳感器和所述電阻的電流鏡，用于根據(jù)所述實(shí)質(zhì)恒定的參數(shù)鏡像所述第一電流，以產(chǎn)生所述第二電流，其中，所述傳感器根據(jù)所述第二電流提供所述感應(yīng)電壓。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的溫度檢測(cè)電路，其特征在于，所述溫度的狀態(tài)是通過(guò)比較 所述實(shí)質(zhì)恒定的參數(shù)和所述電阻的阻值所組成的函數(shù)與所述傳感器的阻值之間的大小來(lái)決定。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的溫度檢測(cè)電路，其特征在于，所述集成電路芯片還包括 耦合于所述電流鏡的開(kāi)關(guān)電路，用于導(dǎo)通或斷開(kāi)所述第一電流和所述第二電流的電流通路。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溫度檢測(cè)電路，其特征在于，所述集成電路芯片還包括 模數(shù)轉(zhuǎn)換器，用于將所述感應(yīng)電壓轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)。
15.一種溫度檢測(cè)方法，其特征在于，所述溫度檢測(cè)方法至少包括下列步驟 保持電流比值等于集成電路芯片的實(shí)質(zhì)恒定的參數(shù)，所述電流比值包括流經(jīng)傳感器的第一電流和流經(jīng)電阻的第二電流之間的電流比，所述電阻耦合于所述集成電路芯片的外 部；比較表示溫度的感應(yīng)電壓和表示溫度閾值的閾值電壓之間的大??；及 根據(jù)所述比較的結(jié)果產(chǎn)生表示所述溫度的狀態(tài)的溫度檢測(cè)信號(hào)。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的溫度檢測(cè)方法，其特征在于，所述溫度檢測(cè)方法還包括下 列步驟將所述電阻的電壓作為所述閾值電壓；及 由所述傳感器提供所述感應(yīng)電壓。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的溫度檢測(cè)方法，其特征在于，所述溫度檢測(cè)信號(hào)是通過(guò)比 較所述實(shí)質(zhì)恒定的參數(shù)和所述電阻的阻值所組成的函數(shù)與所述傳感器的阻值之間的大小 來(lái)決定。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的溫度檢測(cè)方法，其特征在于，所述溫度檢測(cè)方法還包括下 列步驟由參考電壓生成器產(chǎn)生參考電壓；所述電阻采用所述參考電壓，以產(chǎn)生所述第二電流；根據(jù)所述實(shí)質(zhì)恒定的參數(shù)鏡像所述第二電流，以產(chǎn)生所述第一電流；及所述傳感器根據(jù)所述第一電流產(chǎn)生所述感應(yīng)電壓。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的溫度檢測(cè)方法，其特征在于，所述溫度檢測(cè)信號(hào)是通過(guò)比 較所述閾值電壓、所述參考電壓、所述實(shí)質(zhì)恒定的參數(shù)和所述電阻的阻值所組成的函數(shù)與 所述傳感器的阻值之間的大小來(lái)決定。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的溫度檢測(cè)方法，其特征在于，所述溫度檢測(cè)方法還包括下 列步驟導(dǎo)通或斷開(kāi)所述第一電流和所述第二電流的電流通路。
21.根據(jù)權(quán)利要求15所述的溫度檢測(cè)方法，其特征在于，所述溫度檢測(cè)方法還包括下 列步驟將所述感應(yīng)電壓轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)。
22.根據(jù)權(quán)利要求15所述的溫度檢測(cè)方法，其特征在于，所述溫度檢測(cè)方法還包括下列步驟由參考電壓生成器產(chǎn)生所述閾值電壓；所述傳感器采用所述閾值電壓產(chǎn)生所述第一電流；根據(jù)所述實(shí)質(zhì)恒定的參數(shù)鏡像所述第一電流，以產(chǎn)生所述第二電流；及將所述電阻上的電壓作為所述感應(yīng)電壓。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的溫度檢測(cè)方法，其特征在于，所述溫度檢測(cè)信號(hào)是通過(guò)比 較所述實(shí)質(zhì)恒定的參數(shù)和所述電阻的阻值所組成的函數(shù)與所述傳感器的阻值之間的大小 來(lái)決定。
24.一種電子系統(tǒng)，其特征在于，所述電子系統(tǒng)至少包括電源；耦合于所述電源的負(fù)載，用于接收來(lái)自所述電源的電能；及耦合于所述電源的溫度檢測(cè)電路，用于檢測(cè)所述電源的溫度，所述溫度檢測(cè)電路包括 集成電路芯片和所述集成電路芯片的外圍組件，所述外圍組件包括傳感器和電阻，所述集 成電路芯片保持流經(jīng)所述傳感器的電流和流經(jīng)所述電阻的電流之間的比值等于實(shí)質(zhì)恒定 的參數(shù)，其中，當(dāng)所述溫度達(dá)到溫度閾值時(shí)，所述傳感器的阻值等于由所述電阻的阻值和所 述實(shí)質(zhì)恒定的參數(shù)所決定的函數(shù)。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的電子系統(tǒng)，其特征在于，所述集成電路芯片包括參考電壓 生成器，用于產(chǎn)生所述電阻兩端的參考電壓和表示所述溫度閾值的閾值電壓，其中，所述函 數(shù)還決定于所述參考電壓和所述閾值電壓。
26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的電子系統(tǒng)，其特征在于，所述溫度檢測(cè)電路提供表示溫度 狀態(tài)的溫度檢測(cè)信號(hào)，所述溫度狀態(tài)包括正常狀態(tài)、過(guò)溫狀態(tài)或欠溫狀態(tài)。
27.根據(jù)權(quán)利要求24所述的電子系統(tǒng)，其特征在于，所述傳感器包括負(fù)溫度系數(shù)熱敏 電阻、正溫度系數(shù)熱敏電阻、熱電偶、電阻式溫度檢測(cè)器或集成溫度傳感器。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種溫度檢測(cè)電路、方法及電子系統(tǒng)。所述溫度檢測(cè)電路包括用于感應(yīng)溫度的傳感器、耦合于傳感器的集成電路芯片和耦合于集成電路芯片的外部的電阻，集成電路用于比較表示所述溫度的感應(yīng)電壓和表示溫度閾值的閾值電壓之間的大小，以決定所述溫度的狀態(tài)，集成電路芯片具有實(shí)質(zhì)恒定的參數(shù)，集成電路芯片還保持電流比值等于所述實(shí)質(zhì)恒定的參數(shù)，且所述電流比值包括流經(jīng)所述傳感器的第一電流和流經(jīng)所述電阻的第二電流之間的電流比。本發(fā)明的溫度檢測(cè)電路可通過(guò)比較傳感器的阻值與由外部電阻的阻值和實(shí)質(zhì)恒定參數(shù)決定的函數(shù)之間的大小來(lái)決定溫度狀態(tài)，由于外部電阻的阻值和實(shí)質(zhì)恒定的參數(shù)都相對(duì)精確，進(jìn)一步提高了溫度檢測(cè)電路的總體精度。
文檔編號(hào)G01K7/24GK101865733SQ20101015184
公開(kāi)日2010年10月20日 申請(qǐng)日期2010年4月14日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月14日
發(fā)明者栗國(guó)星, 湯小虎 申請(qǐng)人:凹凸電子(武漢)有限公司