專利名稱：防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域?qū)Ρ榷鹊臋z測(cè)方法與裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及防偽技術(shù)，尤其是一種防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域?qū)Ρ榷鹊臋z測(cè)方法
與裝置。
背景技術(shù)：
目前，在防偽技術(shù)領(lǐng)域，采用液晶技術(shù)制作的帶有隱藏正負(fù)片信息的液晶光變防偽元件，由于具有隱藏精細(xì)圖文、可實(shí)現(xiàn)正負(fù)片轉(zhuǎn)換等二線防偽特征而備受青睞。將該防偽元件放置在偏振片下時(shí)，可以觀察到其隱藏的正負(fù)片圖像，也即精細(xì)圖文。調(diào)整偏振片與該防偽元件的角度，在防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像呈現(xiàn)最亮區(qū)域與最暗區(qū)域時(shí)，其呈現(xiàn)的所有黑暗區(qū)域組成了圖像，呈現(xiàn)的所有明亮區(qū)域組成了背景，從而形成正片。若采用的偏振片為線偏振片，將線偏振片水平轉(zhuǎn)動(dòng)一定角度時(shí)，防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像的明亮區(qū)域與黑暗區(qū)域互換，從而形成負(fù)片。若采用的偏振片為圓偏振片，改變圓偏振片的旋向時(shí)，防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像的明亮區(qū)域與黑暗區(qū)域互換，從而形成負(fù)片。防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像呈現(xiàn)的明亮區(qū)域與黑暗區(qū)域的對(duì)比度，以下簡(jiǎn)稱為 明暗區(qū)域的對(duì)比度，直接影響著該正負(fù)片圖像的清晰程度，從而決定了防偽元件的質(zhì)量。對(duì)比度越大，正負(fù)片圖像就越清晰，表示防偽元件質(zhì)量越好；反之，對(duì)比度越小，正負(fù)片圖像就越不清晰，表示防偽元件的質(zhì)量越差。因此，對(duì)隱藏的正負(fù)片圖像呈現(xiàn)的明暗區(qū)域的對(duì)比度的檢測(cè)、控制尤為重要。然而，在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題目前，只能通過人工對(duì)防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度進(jìn)行定性檢測(cè)，檢測(cè)時(shí)，觀察者采用偏振片觀察防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像，并通過將偏振片轉(zhuǎn)動(dòng)90 度來實(shí)現(xiàn)正負(fù)片之間的切換，通過比較正片與負(fù)片時(shí)圖像的清晰程度，來判斷防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度，由于不同的觀察者對(duì)顏色與明暗的感知度各不相同， 受人工視覺的主觀性影響，無法對(duì)防偽元件的質(zhì)量進(jìn)行定量判斷，因此，無法實(shí)現(xiàn)對(duì)防偽元件質(zhì)量的精確、準(zhǔn)確控制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例所要解決的技術(shù)問題是提供一種防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域?qū)Ρ榷鹊臋z測(cè)方法與裝置，實(shí)現(xiàn)防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度的定量檢測(cè)，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)防偽元件質(zhì)量的精確、準(zhǔn)確控制。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域?qū)Ρ榷鹊臋z測(cè)方法，包括入射光通過偏振片入射防偽元件上的測(cè)量區(qū)域；調(diào)整偏振片，使防偽元件的隱藏圖像分別形成正片與負(fù)片，并測(cè)量正片與負(fù)片時(shí)測(cè)量區(qū)域的反射光譜，所述反射光譜表示入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)的反射率；根據(jù)正片與負(fù)片的反射光譜，獲取正片與負(fù)片反射率的差值或比值，以便由所述差值或比值確定所述防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度。本發(fā)明實(shí)施例提供的一種防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域?qū)Ρ榷鹊臋z測(cè)裝置，包括斬光器，用于將光源發(fā)射的光束分為波段相同的參考光與入射光；偏振片，用于將入射的所述入射光轉(zhuǎn)變?yōu)槠窆?，通過調(diào)整所述偏振片，可使防偽元件的隱藏圖像分別形成正片與負(fù)片；物光檢測(cè)器，用于接收所述偏振光經(jīng)所述測(cè)量區(qū)域反射后的反射光，檢測(cè)入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)的反射光強(qiáng)度，并將所述反射光強(qiáng)度轉(zhuǎn)換為第二電信號(hào)；參考光檢測(cè)器，用于接收所述參考光，檢測(cè)所述入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)的參考光強(qiáng)度，并將該參考光強(qiáng)度轉(zhuǎn)換為第一電信號(hào)；計(jì)算器，用于在防偽元件的隱藏圖像形成正片或負(fù)片時(shí)，分別針對(duì)所述入射光波段內(nèi)的各波長(zhǎng)，計(jì)算第二電信號(hào)與第一電信號(hào)的比值，得到正片或負(fù)片時(shí)的反射光譜，以便根據(jù)正片與負(fù)片時(shí)的反射光譜，獲取正片與負(fù)片的差值或比值，從而由所述差值或比值確定所述防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度，所述反射光譜表示所述入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)的反射率。本發(fā)明上述實(shí)施例提供的防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域?qū)Ρ榷鹊臋z測(cè)方法與裝置， 使入射光通過偏振片入射至防偽元件上的測(cè)量區(qū)域，通過調(diào)整偏振片使防偽元件的隱藏圖像分別形成正片或負(fù)片，并測(cè)量正片或負(fù)片時(shí)測(cè)量區(qū)域的反射光譜，獲取入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)在正片與負(fù)片時(shí)反射率的差值，從而根據(jù)該差值來確定防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度，實(shí)現(xiàn)了對(duì)防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度的定量檢測(cè)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，使得對(duì)防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)更加客觀、一致，從而實(shí)現(xiàn)了對(duì)防偽元件質(zhì)量的精確、準(zhǔn)確控制。下面通過附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域?qū)Ρ榷鹊臋z測(cè)方法一個(gè)實(shí)施例的流程圖；圖2為本發(fā)明防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域?qū)Ρ榷鹊臋z測(cè)方法另一個(gè)實(shí)施例的流程圖；圖3為本發(fā)明防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域?qū)Ρ榷鹊臋z測(cè)裝置一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域?qū)Ρ榷鹊臋z測(cè)裝置另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域?qū)Ρ榷鹊臋z測(cè)方法一個(gè)應(yīng)用實(shí)施例的流程圖；圖6為通過圖5所示實(shí)施例得到的一個(gè)反射光譜圖7為通過圖5所示實(shí)施例得到的另一個(gè)反射光譜圖；圖8為本發(fā)明防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域?qū)Ρ榷鹊臋z測(cè)方法另一個(gè)應(yīng)用實(shí)施例的流程圖；圖9為通過圖8所示實(shí)施例得到的一個(gè)反射光譜圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。圖1為本發(fā)明防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域?qū)Ρ榷鹊臋z測(cè)方法一個(gè)實(shí)施例的流程圖。如圖1所示，該實(shí)施例的檢測(cè)方法包括以下流程步驟101，入射光通過偏振片入射防偽元件上的測(cè)量區(qū)域。具體地，防偽元件上的測(cè)量區(qū)域可以預(yù)先選擇并在防偽元件上標(biāo)定。步驟102，調(diào)整偏振片，使防偽元件的隱藏圖像分別形成正片與負(fù)片，并測(cè)量正片與負(fù)片時(shí)測(cè)量區(qū)域的反射光譜。該反射光譜表示入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)的反射率。步驟103，根據(jù)正片與負(fù)片時(shí)的反射光譜，獲取正片與負(fù)片時(shí)反射率的差值或比值，以便由該差值或比值確定防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度。根據(jù)本發(fā)明上述實(shí)施例提供的防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域?qū)Ρ榷鹊臋z測(cè)方法，使入射光通過偏振片入射至防偽元件上的測(cè)量區(qū)域，通過調(diào)整偏振片使防偽元件的隱藏圖像分別形成正片與負(fù)片，并分別測(cè)量正片與負(fù)片時(shí)測(cè)量區(qū)域的反射光譜，獲取正片與負(fù)片時(shí)反射率的差值或比值，從而根據(jù)該差值或比值來確定防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度，實(shí)現(xiàn)了對(duì)防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度的定量檢測(cè)，使得對(duì)防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)更加客觀、一致，從而實(shí)現(xiàn)了對(duì)防偽元件質(zhì)量的精確、準(zhǔn)確控制。反射率是指反射光與入射光強(qiáng)度的比值。它反映了物體對(duì)某一波長(zhǎng)的光的反射程度。反射率越高，觀察到的物體越明亮，反射率越低，物體越黑暗。反射光譜直觀地體現(xiàn)了物體對(duì)不同波長(zhǎng)的光的反射率的大小。將物體或圖像明暗程度不同的區(qū)域的反射光譜中相同波長(zhǎng)的反射率進(jìn)行相減，得到的差值可以作為評(píng)價(jià)不同區(qū)域明暗對(duì)比度的手段。通過比較明暗程度不同區(qū)域的反射光譜中反射峰值高低，可以直觀地得知明暗區(qū)域?qū)Ρ榷鹊拇笮　Ｏ嗤ㄩL(zhǎng)下反射率的差別越大，明暗區(qū)域?qū)Ρ榷仍礁?，說明具有隱藏正負(fù)片圖像的防偽元件的質(zhì)量越好。本發(fā)明檢測(cè)方法實(shí)施例中，入射光通過偏振片時(shí)，由自然光轉(zhuǎn)變?yōu)槠窆猓捎诓煌瑓^(qū)域的液晶分子定向方向不同，作為入射光的偏振光經(jīng)過防偽元件測(cè)量區(qū)域的表面反射后得到的反射光的強(qiáng)度也就不同，光強(qiáng)的強(qiáng)弱不同便勾勒出隱藏圖像。當(dāng)隱藏圖像質(zhì)量最佳時(shí)，明亮區(qū)域反射光最強(qiáng)，黑暗區(qū)域反射光最弱，幾乎呈黑色，從而使明暗對(duì)比度達(dá)到最大，圖案最清晰。當(dāng)圖案區(qū)與背景區(qū)的明暗程度對(duì)調(diào)時(shí)，也就實(shí)現(xiàn)了正負(fù)片之間的轉(zhuǎn)換。本發(fā)明實(shí)施例中，可以預(yù)先選取液晶分子沿某一方向均勻定向的區(qū)域作為測(cè)量區(qū)域。對(duì)于隱藏圖像需要使用線偏振片觀察的防偽元件，旋轉(zhuǎn)防偽元件以改變其測(cè)量區(qū)域液晶分子光軸方向與線偏振片的偏振方向之間的角度，可以實(shí)現(xiàn)測(cè)量區(qū)域的最亮狀態(tài)與最暗狀態(tài)；對(duì)于隱藏圖像需要使用左旋偏振片或右旋圓偏振片觀察的防偽元件，通過改變圓偏振片的旋向，可以實(shí)現(xiàn)測(cè)量區(qū)域的最亮狀態(tài)與最暗狀態(tài)。圖2為本發(fā)明防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域?qū)Ρ榷鹊臋z測(cè)方法另一個(gè)實(shí)施例的流程圖。如圖2所示，該實(shí)施例的檢測(cè)方法包括以下流程步驟201，通過斬光器將光源發(fā)射的光束分為波段相同的參考光與入射光。步驟202，通過參考光檢測(cè)器接收參考光，檢測(cè)入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)的參考光強(qiáng)度，并將該參考光強(qiáng)度轉(zhuǎn)換為第一電信號(hào)后發(fā)送給計(jì)算器。步驟203，入射光通過偏振片入射防偽元件上的測(cè)量區(qū)域。通過偏振片后的入射光也稱為偏振光。步驟204，通過物光檢測(cè)器接收入射光經(jīng)測(cè)量區(qū)域反射后的反射光，檢測(cè)入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)的反射光強(qiáng)度，并將反射光強(qiáng)度轉(zhuǎn)換為第二電信號(hào)后發(fā)送給計(jì)算器。其中，步驟203-204與步驟202同時(shí)執(zhí)行。步驟205，通過計(jì)算器，分別針對(duì)入射光波段內(nèi)的各波長(zhǎng)，計(jì)算第二電信號(hào)與第一電信號(hào)的比值，得到反射光譜，該反射光譜表示入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)的反射率。步驟206，調(diào)整偏振片，使防偽元件的隱藏圖像分別形成正片與負(fù)片，此時(shí)，計(jì)算器分別針對(duì)入射光波段內(nèi)的各波長(zhǎng)，計(jì)算第二電信號(hào)與第一電信號(hào)的比值，得到正片與負(fù)片時(shí)測(cè)量區(qū)域的反射光譜。步驟207，通過顯示器顯示計(jì)算器得到的反射光譜。步驟208，通過分析處理器，根據(jù)正片與負(fù)片時(shí)的反射光譜，獲取正片與負(fù)片時(shí)反射率的差值，以便由該差值確定防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度，反射率的差別越大， 具有隱藏正負(fù)片圖像的防偽元件的質(zhì)量越好。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例，該步驟208晚于步驟207執(zhí)行；另外，根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)具體實(shí)施例，該步驟208也可以先于步驟207執(zhí)行，或者與步驟207同時(shí)執(zhí)行。在本發(fā)明上述各實(shí)施例的檢測(cè)方法中，使用的偏振片可以是線偏振片，也可以是圓偏振片。在使用的偏振片為線偏振片時(shí)，步驟102與步驟206中，具體可以通過以下方式調(diào)整偏振片改變線偏振片的偏振方向與測(cè)量區(qū)域內(nèi)的液晶分子光軸方向之間的角度，例如改變防偽元件與入射光入射方向之間的角度，使線偏振片的偏振方向與測(cè)量區(qū)域內(nèi)的液晶分子光軸方向之間的角度分別為+45度與-45度，此時(shí)，可觀察到質(zhì)量最佳的隱藏圖像，亮區(qū)反射光最強(qiáng)，暗區(qū)反射光最弱，幾乎呈黑色，從而使明暗對(duì)比度達(dá)到最大，圖案最清晰，防偽元件的隱藏圖像分別形成正片與負(fù)片。其中，測(cè)量區(qū)域內(nèi)的液晶分子光軸方向可以預(yù)先標(biāo)定。為了保證入射光偏振態(tài)及強(qiáng)度的一致性，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體方式，當(dāng)使用的偏振片為線偏振片時(shí)，通過線偏振片入射防偽元件上的測(cè)量區(qū)域。 在使用的偏振片為圓振片時(shí)，步驟102與步驟206中，具體可以通過以下方式調(diào)整偏振片分別采用左旋圓偏振片與右旋圓偏振片，具體的，若采用的是左旋圓偏振片，防偽元件的隱藏圖像形成正片或負(fù)片，此時(shí)形成的是正片或負(fù)片，具體由防偽元件采用的晶體的分子結(jié)構(gòu)為左旋或右旋決定。測(cè)量得到正片或負(fù)片時(shí)測(cè)量區(qū)域的反射光譜后，將左旋圓偏振片換為右旋偏振片，此時(shí)，防偽元件的隱藏圖像相應(yīng)形成負(fù)片或正片，便可以測(cè)量負(fù)片或正片時(shí)測(cè)量區(qū)域的反射光譜。若采用的是右旋圓偏振片，防偽元件的隱藏圖像形成正片或負(fù)片，則測(cè)量得到正片或負(fù)片時(shí)測(cè)量區(qū)域的反射光譜后，將右旋圓偏振片換為左旋偏振片，此時(shí)，防偽元件的隱藏圖像相應(yīng)形成負(fù)片或正片，便可以測(cè)量負(fù)片或正片時(shí)測(cè)量區(qū)域的反射光譜。另外，根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)具體實(shí)施例，在本發(fā)明上述各實(shí)施例的檢測(cè)方法中，入射光波段具體可以包括400nm 700nm的可見光。根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)具體實(shí)施例，為了保證入射光有效照射到防偽元件的測(cè)量區(qū)域，在本發(fā)明上述各實(shí)施例的檢測(cè)方法中，可以使選定的防偽元件的測(cè)量區(qū)域大于或等于入射光的光斑面積，即入射光的光斑小于或等于測(cè)量區(qū)域，保證入射光有效照射到測(cè)量區(qū)域內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的再一個(gè)具體實(shí)施例，為了使防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像觀察的更加清晰，對(duì)防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度的判斷更加準(zhǔn)確，在本發(fā)明上述各實(shí)施例的檢測(cè)方法的步驟101與步驟203中，可以使入射光通過偏振片后，垂直入射防偽元件上的測(cè)量區(qū)域。在實(shí)際應(yīng)用中，可以保持偏振片的偏振方向水平，并使入射光垂直于偏振片的偏振方向，來使入射光通過偏振片后，垂直入射防偽元件上的測(cè)量區(qū)域。根據(jù)本發(fā)明的進(jìn)一步具體實(shí)施例，在本發(fā)明上述各實(shí)施例的檢測(cè)方法中，可以根據(jù)預(yù)先設(shè)定的規(guī)則，通過但不限于以下方式，確定防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度獲取正片與負(fù)片時(shí)入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)反射率的差值，并確定各差值中的最大差值，由該最大差值確定防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度。該最大差值越大，說明防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像的明暗對(duì)比度越高，防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像的質(zhì)量越好，防偽元件的質(zhì)量也越高；或者獲取正片與負(fù)片時(shí)入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)反射率的差值的平均值，由該平均值確定防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度。該平均差值越大，說明防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像的明暗對(duì)比度整體越高，防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像的整體質(zhì)量越好，防偽元件的質(zhì)量也越高；或者獲取正片與負(fù)片時(shí)入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)反射率的差值中的最小差值，由該最小差值確定防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度。該最小差值越大，說明防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像的明暗對(duì)比度整體越高，防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像的整體質(zhì)量越好，防偽元件的質(zhì)量也越高；或者獲取正片與負(fù)片時(shí)入射光波段內(nèi)各相應(yīng)波長(zhǎng)反射率的比值，并確定其中的最大比值，由該最大比值確定防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度。該最大比值越大，說明防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像的明暗對(duì)比度越高，防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像的質(zhì)量越好，防偽元件的質(zhì)量也越高；或者獲取正片與負(fù)片時(shí)入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)反射率的比值的平均值，由該平均值確定防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度。該平均比值越大，說明防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像的明暗對(duì)比度整體越高，防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像的整體質(zhì)量越好，防偽元件的質(zhì)量也越高；或者獲取正片與負(fù)片時(shí)入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)反射率的比值中的最小比值，由該最小比值確定防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度。該最小比值越大，說明防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像的明暗對(duì)比度整體越高，防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像的整體質(zhì)量越好，防偽元件的
質(zhì)量也越高。。圖3為本發(fā)明防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域?qū)Ρ榷鹊臋z測(cè)裝置一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。該實(shí)施例的檢測(cè)裝置可用于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明上述實(shí)施例的檢測(cè)方法流程。如圖3所示， 該實(shí)施例防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域?qū)Ρ榷鹊臋z測(cè)裝置包括斬光器301、偏振片302、物光檢測(cè)器303、參考光檢測(cè)器304與計(jì)算器305。其中，斬光器301用于將光源發(fā)射的光束分為波段相同的參考光與入射光。偏振片302用于將入射的入射光轉(zhuǎn)變?yōu)槠窆?，通過調(diào)整該偏振片302，可使防偽元件的隱藏圖像分別形成正片與負(fù)片。具體地，該偏振片302可以是線偏振片，也可以是圓偏振片。在使用的偏振片為線偏振片時(shí)，具體可以通過以下方式調(diào)整偏振片改變線偏振片的偏振方向與測(cè)量區(qū)域內(nèi)的液晶分子光軸方向之間的角度，例如改變防偽元件與入射光入射方向之間的角度，使線偏振片的偏振方向與測(cè)量區(qū)域內(nèi)的液晶分子光軸方向之間的角度分別為+45度與-45度，此時(shí)，防偽元件的隱藏圖像分別形成正片與負(fù)片。在使用的偏振片為圓振片時(shí)，具體可以通過以下方式調(diào)整偏振片分別采用左旋圓偏振片與右旋圓偏振片，具體的，若采用的是左旋圓偏振片，防偽元件的隱藏圖像形成正片或負(fù)片，則測(cè)量得到正片或負(fù)片時(shí)測(cè)量區(qū)域的反射光譜后，將左旋圓偏振片換為右旋偏振片，此時(shí)，防偽元件的隱藏圖像相應(yīng)形成負(fù)片或正片，便可以測(cè)量負(fù)片或正片時(shí)測(cè)量區(qū)域的反射光譜。若采用的是右旋圓偏振片，防偽元件的隱藏圖像形成正片或負(fù)片，則測(cè)量得到正片或負(fù)片時(shí)測(cè)量區(qū)域的反射光譜后，將右旋圓偏振片換為左旋偏振片，此時(shí)，防偽元件的隱藏圖像相應(yīng)形成負(fù)片或正片，便可以測(cè)量負(fù)片或正片時(shí)測(cè)量區(qū)域的反射光譜。物光檢測(cè)器303用于接收偏振光經(jīng)測(cè)量區(qū)域反射后的反射光，檢測(cè)入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)的反射光強(qiáng)度，并將反射光強(qiáng)度轉(zhuǎn)換為第二電信號(hào)發(fā)送給計(jì)算器305。參考光檢測(cè)器304用于接收參考光，檢測(cè)入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)的參考光強(qiáng)度，并將該參考光強(qiáng)度轉(zhuǎn)換為第一電信號(hào)發(fā)送給計(jì)算器305。計(jì)算器305用于在防偽元件的隱藏圖像形成正片與負(fù)片時(shí)，分別針對(duì)入射光波段內(nèi)的各波長(zhǎng)，計(jì)算第二電信號(hào)與第一電信號(hào)的比值，得到反射光譜，以便根據(jù)正片與負(fù)片時(shí)的反射光譜，分別針對(duì)反射光譜中的各相應(yīng)波長(zhǎng)，獲取正片與負(fù)片時(shí)反射率的差值或比值， 從而由差值或比值確定防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度，其中的反射光譜表示入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)的反射率。本發(fā)明上述實(shí)施例提供的防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域?qū)Ρ榷鹊臋z測(cè)裝置，使入射光通過偏振片入射至防偽元件上的測(cè)量區(qū)域，通過調(diào)整防偽元件內(nèi)液晶分子光軸方向與偏振片偏振方向的角度或調(diào)整偏振片，使隱藏圖像分別形成正片與負(fù)片，并測(cè)量正片與負(fù)片時(shí)測(cè)量區(qū)域的反射光譜，以及分別針對(duì)反射光譜中的各相應(yīng)波長(zhǎng)，獲取正片與負(fù)片時(shí)反射率的差值或比值，從而根據(jù)該差值或比值來確定防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度，實(shí)現(xiàn)了對(duì)防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度的定量檢測(cè)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，使得對(duì)防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)更加客觀、一致，從而實(shí)現(xiàn)了對(duì)防偽元件質(zhì)量的精確、準(zhǔn)確控制。具體地，在圖3所示的實(shí)施例中，計(jì)算器305可以根據(jù)預(yù)先設(shè)定的規(guī)則，通過但不限于以下方式，由差值確定防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度獲取正片與負(fù)片時(shí)入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)反射率的差值，并確定各差值中的最大差值，由該最大差值確定防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度。該最大差值越大，說明防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像的明暗對(duì)比度越高，防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像的質(zhì)量越好，防偽元件的質(zhì)量也越高；或者獲取正片與負(fù)片時(shí)入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)反射率的差值的平均值，由該平均值確定防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度。該平均差值越大，說明防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像的明暗對(duì)比度整體越高，防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像的整體質(zhì)量越好，防偽元件的質(zhì)量也越高；或者獲取正片與負(fù)片時(shí)入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)反射率的差值中的最小差值，由該最小差值確定防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度。該最小差值越大，說明防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像的明暗對(duì)比度整體越高，防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像的整體質(zhì)量越好，防偽元件的質(zhì)量也越高；或者獲取正片與負(fù)片時(shí)入射光波段內(nèi)各相應(yīng)波長(zhǎng)反射率的比值，并確定其中的最大比值，由該最大比值確定防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度。該最大比值越大，說明防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像的明暗對(duì)比度越高，防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像的質(zhì)量越好，防偽元件的質(zhì)量也越高；或者獲取正片與負(fù)片時(shí)入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)反射率的比值的平均值，由該平均值確定防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度。該平均比值越大，說明防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像的明暗對(duì)比度整體越高，防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像的整體質(zhì)量越好，防偽元件的質(zhì)量也越高；或者獲取正片與負(fù)片時(shí)入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)反射率的比值中的最小比值，由該最小比值確定防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度。該最小比值越大，說明防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像的明暗對(duì)比度整體越高，防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像的整體質(zhì)量越好，防偽元件的質(zhì)量也越高。圖4為本發(fā)明防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域?qū)Ρ榷鹊臋z測(cè)裝置另一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖4所示，與圖3所示的實(shí)施例相比，該實(shí)施例的檢測(cè)裝置還包括分析處理器 306，用于根據(jù)計(jì)算器305得到的正片與負(fù)片時(shí)的反射光譜，分別針對(duì)反射光譜中的各相應(yīng)波長(zhǎng)，獲取正片與負(fù)片時(shí)反射率的差值或比值，以便由該差值或比值確定防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度。再參見圖4，作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，檢測(cè)裝置還可以包括顯示器307，用于顯示由計(jì)算器305得到的反射光譜?？蛇x地，顯示器307還可以進(jìn)一步顯示分析處理器306 獲取到的反射率的差值或比值。另外，再參見圖4，作為本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，檢測(cè)裝置也可以包括光源308，用于向斬光器301發(fā)射光束。圖5為本發(fā)明防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域?qū)Ρ榷鹊臋z測(cè)方法一個(gè)應(yīng)用實(shí)施例的流程圖。該應(yīng)用實(shí)施例采用圖4所示實(shí)施例的檢測(cè)裝置檢測(cè)防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域?qū)Ρ榷?，其中采用的偏振?02為線偏振片，防偽元件測(cè)量區(qū)域的面積為5mm女5mm的正方形，測(cè)量區(qū)域的液晶分子光軸方向一致，保持線偏振片302的偏振方向水平并使入射光垂直于偏振片的偏振方向。在開始檢測(cè)前，將防偽元件放置于線偏振片302后方的一個(gè)樣品臺(tái)上，使防偽元件的測(cè)量區(qū)域外表面與通過線偏振片302后的偏振光垂直。設(shè)定分析處理的入射光波段范圍為400-700nm，之后，執(zhí)行如下流程步驟401，斬光器301將光源被分為一束參考光與一束入射光，二者的波長(zhǎng)范圍相同，均為400-700nm，為方便起見，以下稱為入射光波段，其中的參考光被參考光檢測(cè)器304 接收，入射光被發(fā)送給線偏振片302。步驟402，入射光經(jīng)過線偏振片302后，轉(zhuǎn)變?yōu)槠窆獯怪闭丈涞椒纻卧臏y(cè)量區(qū)域，并經(jīng)防偽元件的表面反射后的反射光被物光檢測(cè)器303接收。步驟403，物光檢測(cè)器303接收到反射光后，檢測(cè)入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)的反射光強(qiáng)度，并將反射光強(qiáng)度轉(zhuǎn)換為第二電信號(hào)發(fā)送給計(jì)算器305。步驟404，參考光檢測(cè)器304接收到參考光后，檢測(cè)入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)的參考光強(qiáng)度，并將該參考光強(qiáng)度轉(zhuǎn)換為第一電信號(hào)發(fā)送給計(jì)算器305。具體地，步驟404可以與步驟402-403同時(shí)執(zhí)行。步驟405，改變線偏振片的偏振方向與測(cè)量區(qū)域內(nèi)的液晶分子光軸方向之間的角度，使線偏振片的偏振方向與測(cè)量區(qū)域內(nèi)的液晶分子光軸方向之間的角度分別呈+45度， 此時(shí)，所有黑暗區(qū)域組成了圖像，所有明亮區(qū)域組成了背景，防偽元件的隱藏圖像形成正片。步驟406，計(jì)算器305分別針對(duì)入射光波段內(nèi)的各波長(zhǎng)，計(jì)算第二電信號(hào)與第一電信號(hào)的比值，得到正片時(shí)測(cè)量區(qū)域的反射光譜并發(fā)送給顯示器307顯示，該反射光譜表示正片時(shí)入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)的反射率。如圖6所示，為顯示器307顯示的、通過本實(shí)施例得到的一個(gè)反射光譜圖，根據(jù)該反射光譜圖，正片時(shí)測(cè)量得到的反射光譜峰值處的反射率Rl為84%。峰值波長(zhǎng)為 622.80nm。步驟407，將防偽元件沿垂直于紙面的水平軸旋轉(zhuǎn)90度，使測(cè)量區(qū)域的液晶分子光軸方向與線偏振片302的偏振方向之間的角度呈-45度，此時(shí)，所有明亮區(qū)域組成了圖像，所有黑暗區(qū)域組成了背景測(cè)量區(qū)最黑暗，防偽元件的隱藏圖像形成負(fù)片。步驟408，計(jì)算器305分別針對(duì)入射光波段內(nèi)的各波長(zhǎng)，計(jì)算第二電信號(hào)與第一電信號(hào)的比值，得到負(fù)片時(shí)測(cè)量區(qū)域的反射光譜并發(fā)送給顯示器307顯示，該反射光譜表示負(fù)片時(shí)入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)的反射率。如圖6所示，負(fù)片時(shí)測(cè)量得到峰值波長(zhǎng)622. 80nm的反射率R2為5%。步驟409，分析處理器306根據(jù)正片與負(fù)片時(shí)的反射光譜，分別針對(duì)反射光譜中的各波長(zhǎng)，獲取正片與負(fù)片時(shí)反射率的差值ΔΙ ，以便由差值Δ R確定防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度?？蛇x地，正片與負(fù)片時(shí)反射率的差值也可以通過顯示器307顯示，本發(fā)明實(shí)施例中未示出。根據(jù)圖6，波長(zhǎng)622. SOnm對(duì)應(yīng)的正片與負(fù)片時(shí)反射率的差值A(chǔ)R最大，為79%。若預(yù)先設(shè)定反射率的最大差值大于50%時(shí)防偽元件的質(zhì)量合格，由于該實(shí)施例中測(cè)量的防偽元件正片與負(fù)片時(shí)反射率的最大差值A(chǔ)R為79%，遠(yuǎn)大于50%，該防偽元件隱藏正負(fù)片圖像的反射光譜峰值差別很大，說明防偽元件的質(zhì)量很好。采用圖5所示實(shí)施例對(duì)另一個(gè)防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度進(jìn)行檢測(cè)，得到另一個(gè)反射光譜圖如圖7所示。根據(jù)該反射光譜圖，正片時(shí)測(cè)量得到的反射光譜峰值處的反射率R3為63. 538%。峰值波長(zhǎng)為M8. OOnm,負(fù)片時(shí)測(cè)量得到峰值波長(zhǎng) 548. OOnm的反射率R4為9. 554%, 548. OOnm對(duì)應(yīng)的正片與負(fù)片時(shí)反射率的差值Δ R最大， 為53. 984%。若預(yù)先設(shè)定反射率的最大差值A(chǔ)R大于50%時(shí)防偽元件的質(zhì)量合格，由于該實(shí)施例中測(cè)量的防偽元件正片與負(fù)片時(shí)反射率的最大差值A(chǔ)R為53. 984%，大于50%，該防偽元件隱藏正負(fù)片圖像的反射光譜峰值差別較大，說明防偽元件的質(zhì)量較好。圖8為本發(fā)明防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域?qū)Ρ榷鹊臋z測(cè)方法另一個(gè)應(yīng)用實(shí)施例的流程圖。該應(yīng)用實(shí)施例采用圖4所示實(shí)施例的檢測(cè)裝置檢測(cè)防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域?qū)Ρ榷?，其中采用的防偽元件為具有左旋分子結(jié)構(gòu)的膽留液晶，偏振片302為圓偏振片，包括左旋偏振片與右旋圓偏振片，防偽元件測(cè)量區(qū)域的面積為5mm * 5mm的正方形，測(cè)量區(qū)域的液晶分子光軸方向一致，在開始檢測(cè)前，將防偽元件放置于圓偏振片302后方的一個(gè)樣品臺(tái)上。設(shè)定分析處理的入射光波段范圍為400-700nm，之后，執(zhí)行如下流程步驟501，斬光器301將光源被分為一束參考光與一束入射光，二者的波長(zhǎng)范圍相同，均為500-700nm，為方便起見，以下稱為入射光波段，其中的參考光被參考光檢測(cè)器304 接收，入射光被發(fā)送給左旋偏振片302。步驟502，入射光經(jīng)過左旋偏振片302后，轉(zhuǎn)變?yōu)槠窆庹丈涞椒纻卧臏y(cè)量區(qū)域，并經(jīng)防偽元件的表面反射后的反射光被物光檢測(cè)器303接收。此時(shí)測(cè)量區(qū)域最明亮，防偽元件的隱藏圖像形成正片。步驟503，物光檢測(cè)器303接收到反射光后，檢測(cè)入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)的反射光強(qiáng)度，并將反射光強(qiáng)度轉(zhuǎn)換為第二電信號(hào)發(fā)送給計(jì)算器305。步驟504，參考光檢測(cè)器304接收到參考光后，檢測(cè)入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)的參考光強(qiáng)度，并將該參考光強(qiáng)度轉(zhuǎn)換為第一電信號(hào)發(fā)送給計(jì)算器305。具體地，步驟504可以與步驟502-503同時(shí)執(zhí)行。步驟505，計(jì)算器305分別針對(duì)入射光波段內(nèi)的各波長(zhǎng)，計(jì)算第二電信號(hào)與第一電信號(hào)的比值，得到正片時(shí)測(cè)量區(qū)域的反射光譜并發(fā)送給顯示器307顯示，該反射光譜表示正片時(shí)入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)的反射率。如圖9所示，為顯示器307顯示的、通過本實(shí)施例得到的一個(gè)反射光譜圖，根據(jù)該反射光譜圖，正片時(shí)測(cè)量得到的反射光譜峰值處的反射率R5為77. 438%。峰值波長(zhǎng)為 464.OOnm。步驟506，將左旋偏振片302換為右旋偏振片302，此時(shí)，測(cè)量區(qū)最黑暗，防偽元件的隱藏圖像形成負(fù)片。步驟507，計(jì)算器305分別針對(duì)入射光波段內(nèi)的各波長(zhǎng)，計(jì)算第二電信號(hào)與第一電信號(hào)的比值，得到負(fù)片時(shí)測(cè)量區(qū)域的反射光譜并發(fā)送給顯示器307顯示，該反射光譜表示負(fù)片時(shí)入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)的反射率。如圖9所示，負(fù)片時(shí)測(cè)量得到峰值波長(zhǎng)464. OOnm的反射率R6為17. 808%。步驟508，分析處理器306根據(jù)正片與負(fù)片時(shí)的反射光譜，分別針對(duì)反射光譜中的各波長(zhǎng)，獲取正片與負(fù)片時(shí)反射率的差值ΔΙ ，以便由差值Δ R確定防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度?？蛇x地，正片與負(fù)片時(shí)反射率的差值也可以通過顯示器307顯示，本發(fā)明實(shí)施例中未示出。
根據(jù)圖9，波長(zhǎng)464. OOnm對(duì)應(yīng)的正片與負(fù)片時(shí)反射率的差值A(chǔ)R最大，為 59. 63%。若預(yù)先設(shè)定反射率的最大差值Δ R大于50%時(shí)防偽元件的質(zhì)量合格，由于該實(shí)施例中測(cè)量的防偽元件正片與負(fù)片時(shí)反射率的最大差值Δ R為59. 63%，大于50%，該防偽元件隱藏正負(fù)片圖像的反射光譜峰值差別較大，說明防偽元件的質(zhì)量較好。本說明書中各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其它實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同或相似的部分相互參見即可。對(duì)于裝置實(shí)施例而言，由于其與方法實(shí)施例基本相似，所以描述的比較簡(jiǎn)單，相關(guān)之處參見方法實(shí)施例的部分說明即可。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述方法實(shí)施例的全部或部分步驟可以通過程序指令相關(guān)的硬件來完成，前述的程序可以存儲(chǔ)于一計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時(shí)，執(zhí)行包括上述方法實(shí)施例的步驟；而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括R0M、RAM、磁碟或者光盤等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。本發(fā)明實(shí)施例實(shí)現(xiàn)了對(duì)防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度的定量檢測(cè)，使得對(duì)防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)更加客觀、一致，從而實(shí)現(xiàn)了對(duì)防偽元件質(zhì)量的精確、準(zhǔn)確控制。本發(fā)明的描述是為了示例和描述起見而給出的，而并不是無遺漏的或者將本發(fā)明限于所公開的形式。很多修改和變化對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言是顯然的。選擇和描述實(shí)施例是為了更好說明本發(fā)明的原理和實(shí)際應(yīng)用，并且使本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能夠理解本發(fā)明從而設(shè)計(jì)適于特定用途的帶有各種修改的各種實(shí)施例。
權(quán)利要求
1.一種防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域?qū)Ρ榷鹊臋z測(cè)方法，其特征在于，包括入射光通過偏振片入射防偽元件上的測(cè)量區(qū)域；調(diào)整偏振片，使防偽元件的隱藏圖像分別形成正片與負(fù)片，并測(cè)量正片與負(fù)片時(shí)測(cè)量區(qū)域的反射光譜，所述反射光譜表示入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)的反射率；根據(jù)正片與負(fù)片時(shí)的反射光譜，分別針對(duì)反射光譜中的各波長(zhǎng)，獲取正片與負(fù)片時(shí)反射率的差值或比值，以便由所述差值或比值確定所述防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括通過斬光器將光源發(fā)射的光束分為波段相同的參考光與所述入射光；通過參考光檢測(cè)器接收所述參考光，檢測(cè)所述入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)的參考光強(qiáng)度，并將該參考光強(qiáng)度轉(zhuǎn)換為第一電信號(hào)；所述入射光通過偏振片入射防偽元件上的測(cè)量區(qū)域之后，還包括通過物光檢測(cè)器接收所述入射光經(jīng)所述測(cè)量區(qū)域反射后的反射光，檢測(cè)所述入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)的反射光強(qiáng)度，并將所述反射光強(qiáng)度轉(zhuǎn)換為第二電信號(hào)；通過計(jì)算器，分別針對(duì)所述入射光波段內(nèi)的各波長(zhǎng)，計(jì)算第二電信號(hào)與第一電信號(hào)的比值，得到反射光譜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述測(cè)量正片與負(fù)片時(shí)測(cè)量區(qū)域的反射光譜包括通過所述計(jì)算器，在正片與負(fù)片時(shí)，分別針對(duì)所述入射光波段內(nèi)的各波長(zhǎng)，計(jì)算第二電信號(hào)與第一電信號(hào)的比值，得到正片與負(fù)片時(shí)測(cè)量區(qū)域的反射光譜。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，得到反射光譜之后，還包括通過顯示器顯示所述反射光譜。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述偏振片為線偏振片；所述調(diào)整偏振片包括改變所述線偏振片的偏振方向與所述測(cè)量區(qū)域內(nèi)液晶分子光軸方向之間的角度，使所述線偏振片的偏振方向與所述測(cè)量區(qū)域內(nèi)液晶分子光軸方向之間的角度分別為+45度與-45度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述入射光沿垂直于所述線偏振片的偏振面的方向，通過所述線偏振片入射防偽元件上的測(cè)量區(qū)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述偏振片為圓偏振片；所述調(diào)整偏振片包括分別采用左旋圓偏振片與右旋圓偏振片。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述入射光波段包括 400nm 700nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至7任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述入射光的光斑小于或等于所述測(cè)量區(qū)域。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至7任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述入射光通過偏振片入射防偽元件上的測(cè)量區(qū)域包括所述入射光通過偏振片，垂直入射防偽元件上的測(cè)量區(qū)域。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至7任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，由所述差值確定所述防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度包括獲取所述入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)反射率的差值中的最大差值，由該最大差值確定所述防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度；或者，獲取所述入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)反射率的差值的平均值，由該平均值確定所述防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度；或者，獲取所述入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)反射率的差值中的最小差值，由該最小差值確定所述防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度；或者，獲取正片和負(fù)片在入射光波段內(nèi)各相應(yīng)波長(zhǎng)反射率的比值，由該最大比值確定防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度；由所述比值確定所述防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度包括 獲取所述入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)反射率的比值中的最大比值，由該最大比值確定所述防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度；或者獲取所述入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)反射率的比值的平均值，由該平均值確定所述防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度；或者獲取所述入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)反射率的比值中的最小比值，由該最小比值確定所述防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度；或者獲取正片和負(fù)片在入射光波段內(nèi)各相應(yīng)波長(zhǎng)反射率的比值，由該最大比值確定防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度。
12.一種防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域?qū)Ρ榷鹊臋z測(cè)裝置，其特征在于，包括 斬光器，用于將光源發(fā)射的光束分為波段相同的參考光與入射光；偏振片，用于將入射的所述入射光轉(zhuǎn)變?yōu)槠窆猓ㄟ^調(diào)整所述偏振片，可使防偽元件的隱藏圖像分別形成正片與負(fù)片；物光檢測(cè)器，用于接收所述偏振光經(jīng)所述測(cè)量區(qū)域反射后的反射光，檢測(cè)入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)的反射光強(qiáng)度，并將所述反射光強(qiáng)度轉(zhuǎn)換為第二電信號(hào)；參考光檢測(cè)器，用于接收所述參考光，檢測(cè)所述入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)的參考光強(qiáng)度，并將該參考光強(qiáng)度轉(zhuǎn)換為第一電信號(hào)；計(jì)算器，用于在防偽元件的隱藏圖像形成正片或負(fù)片時(shí)，分別針對(duì)所述入射光波段內(nèi)的各波長(zhǎng)，計(jì)算第二電信號(hào)與第一電信號(hào)的比值，得到正片或負(fù)片時(shí)的反射光譜，以便根據(jù)正片與負(fù)片時(shí)的反射光譜，分別針對(duì)反射光譜中的各波長(zhǎng)，獲取正片與負(fù)片時(shí)反射率的差值或比值，從而由所述差值或比值確定所述防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度，所述反射光譜表示所述入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)的反射率。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其特征在于，所述偏振片具體為線偏振片； 調(diào)整所述偏振片包括改變所述線偏振片的偏振方向與所述測(cè)量區(qū)域內(nèi)的液晶分子光軸方向之間的角度，使所述線偏振片的偏振方向與所述測(cè)量區(qū)域內(nèi)的液晶分子光軸方向之間的角度分別為+45度與-45度。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其特征在于，所述偏振片具體為圓偏振片； 調(diào)整所述偏振片包括分別采用左旋圓偏振片與右旋圓偏振片。
15.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的裝置，其特征在于，還包括分析處理器，用于根據(jù)正片與負(fù)片時(shí)的反射光譜，分別針對(duì)反射光譜中的各波長(zhǎng)，獲取正片與負(fù)片時(shí)反射率的差值或比值，以便由所述差值或比值確定所述防偽元件隱藏圖像明日首區(qū)域的對(duì)比度。
16.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的裝置，其特征在于，還包括 顯示器，用于顯示所述計(jì)算器得到的所述反射光譜。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其特征在于，還包括 光源，用于向所述斬光器發(fā)射所述光束。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域?qū)Ρ榷鹊臋z測(cè)方法與裝置，其中，檢測(cè)方法包括入射光通過偏振片入射防偽元件上的測(cè)量區(qū)域；調(diào)整偏振片，使防偽元件的隱藏圖像分別形成正片與負(fù)片，并測(cè)量正片與負(fù)片時(shí)測(cè)量區(qū)域的反射光譜，所述反射光譜表示入射光波段內(nèi)各波長(zhǎng)的反射率；根據(jù)正片與負(fù)片時(shí)的反射光譜，分別針對(duì)反射光譜中的各波長(zhǎng)，獲取正片與負(fù)片時(shí)反射率的差值或比值，以便由所述差值或比值確定所述防偽元件隱藏圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度。本發(fā)明實(shí)施例實(shí)現(xiàn)了防偽元件隱藏的正負(fù)片圖像明暗區(qū)域的對(duì)比度的定量檢測(cè)，從而實(shí)現(xiàn)了對(duì)防偽元件質(zhì)量的精確、準(zhǔn)確控制。
文檔編號(hào)G01J3/42GK102183357SQ20101051453
公開日2011年9月14日 申請(qǐng)日期2010年10月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月21日
發(fā)明者劉衛(wèi)東, 周基煒, 柯光明, 王斌, 陳庚 申請(qǐng)人:中國(guó)人民銀行印制科學(xué)技術(shù)研究所, 中國(guó)印鈔造幣總公司