專利名稱：對(duì)半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的焊墊進(jìn)行俄歇分析的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別涉及對(duì)半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的焊墊進(jìn)行俄歇分析的方法。
背景技術(shù)：
眾所周知，半導(dǎo)體芯片必須先組裝成封裝體再耦接至外部裝置作各種應(yīng)用?；诖四康模诎雽?dǎo)體芯片上便形成有焊墊，圖1示出了現(xiàn)有的一種半導(dǎo)體芯片上的焊墊布局俯視示意圖。參照?qǐng)D1，焊墊101沿著半導(dǎo)體芯片100的周邊設(shè)置且不形成于包含有有源或無源元件的區(qū)域102上。通過在焊墊上埋焊線等導(dǎo)電連接物而使封裝體與外部電路連接。 焊墊的成分通常為鋁等金屬，但是在半導(dǎo)體工藝的制作過程中，經(jīng)常因?yàn)楣に嚟h(huán)境的原因而使得半導(dǎo)體器件產(chǎn)生缺陷，比如焊墊內(nèi)還摻雜有其他元素的雜質(zhì)。由此使得焊線等導(dǎo)電連接物與焊墊的連接不牢固，導(dǎo)致半導(dǎo)體芯片的電路故障，因此當(dāng)半導(dǎo)體芯片制作完成后， 需要對(duì)焊墊的組成成分進(jìn)行分析。俄歇電子能譜(Auger Electron Spectroscopy AES)分析是一種測(cè)定固體表面化學(xué)成分的技術(shù)，簡(jiǎn)稱俄歇分析。由于AES具有很高的空間分辨率和表面靈敏度，且束斑較小，因此被廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體制造行業(yè)。具體應(yīng)用主要有利用AES進(jìn)行焊墊(pad)表面粘污、分析缺陷等。AES的作用原理是通過電子束激發(fā)樣品表面的電子，然后對(duì)收集到的樣品表面的電子(即俄歇電子)進(jìn)行俄歇分析，根據(jù)得到的俄歇電子能譜的峰值位置來判斷固體表面所包含元素的種類。當(dāng)利用AES對(duì)半導(dǎo)體芯片樣品上的焊墊進(jìn)行元素組分分析時(shí)，由于半導(dǎo)體芯片中形成有較多的介電層，例如層間介電層(Inter Layer Dielectric ILD)、金屬間介電層 (Inter-Metal Dielectric IMD)和鈍化層(Passivation)等，這類材料如果分布在分析位置的周圍，將降低分析位置周圍的導(dǎo)電性，使得分析位置的一次電子不能及時(shí)導(dǎo)走，在分析位置周圍產(chǎn)生一定的負(fù)電荷積累，嚴(yán)重的會(huì)引起俄歇電子能譜的峰值的漂移，有時(shí)候甚至不能得到正常的俄歇電子能譜，這就是俄歇電子能譜中的荷電效應(yīng)。現(xiàn)有的消除俄歇分析過程中產(chǎn)生的荷電效應(yīng)的方法有用導(dǎo)電性較好的鋁箔或者銦箔包裹樣品，這種方法比較適合對(duì)較大分析區(qū)域進(jìn)行俄歇分析，而對(duì)于精確位置的分析， 這種方法是很難實(shí)施的。除此之外，還可以使用導(dǎo)電性較好的銀膠或者碳膠在分析區(qū)域建立導(dǎo)電通道，但是隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體器件的尺寸不斷減小，使得分析區(qū)域也呈現(xiàn)減小的趨勢(shì)，因此涂膠這種方法反而容易污染到分析區(qū)域。除了以上兩種方法之外，還可以對(duì)要分析的樣品表面鍍鉬或者碳等導(dǎo)電性薄膜，由于俄歇能譜分析儀是一種靈敏度極高的儀器，因此鍍膜會(huì)在分析中引入較多的雜質(zhì)信號(hào)，從而影響俄歇分析的結(jié)果。因此，需要一種方法可以消除對(duì)半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的焊墊進(jìn)行俄歇分析時(shí)所產(chǎn)生的荷電效應(yīng)，從而得到準(zhǔn)確的俄歇分析結(jié)果
發(fā)明內(nèi)容
在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念，這將在具體實(shí)施方式
部分中進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。對(duì)半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的焊墊進(jìn)行俄歇分析的方法，其特征在于包括 提供前端器件，所述前端器件包括半導(dǎo)體襯底、金屬互連層和焊墊； 確定所述焊墊上的分析區(qū)域的位置；
在所述焊墊上除了所述分析區(qū)域以外的位置形成深至所述半導(dǎo)體襯底的上表面或者所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)部的電子導(dǎo)通通道； 對(duì)所述焊墊進(jìn)行俄歇分析。所述分析區(qū)域位于所述焊墊上的中心位置。所述分析區(qū)域的面積為所述焊墊面積的0. 02%1%。采用聚焦離子束來形成所述電子導(dǎo)通通道。所述采用聚焦離子束來形成所述電子導(dǎo)通通道包括 將所述聚焦離子束的電子束與離子束進(jìn)行對(duì)中；
確定出所述電子導(dǎo)通通道的位置，所述電子導(dǎo)通通道的位置位于所述焊墊上除了所述分析區(qū)域以外的位置；
調(diào)整所述離子束為切割模式，所述離子束切割所述電子導(dǎo)通通道的位置，以形成深至所述半導(dǎo)體襯底上表面或者所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)部的所述電子導(dǎo)通通道。所述確定出所述電子導(dǎo)通通道的位置的方法為將所述聚焦離子束切換到所述離子束的成像模式，利用所述離子束掃描當(dāng)前位置，根據(jù)掃描得到的圖像確定所述電子導(dǎo)通通道的位置。所述離子束的成像模式的束流大小為3(Γ50皮安。所述離子束的切割模式的束流大小為300(Γ7000皮安。所述電子導(dǎo)通通道的橫截面為正方形或者圓形。所述電子導(dǎo)通通道的橫截面是邊長(zhǎng)為廣10微米的正方形。本發(fā)明采用在焊墊上的分析區(qū)域之外的位置形成電子導(dǎo)通通道的方法，然后進(jìn)行俄歇分析，使俄歇分析過程中積聚的負(fù)電荷通過電子導(dǎo)通通道被導(dǎo)入半導(dǎo)體襯底，從而流入大地，即克服了俄歇分析過程中產(chǎn)生的荷電效應(yīng)。而且本發(fā)明形成電子導(dǎo)通通道的工藝簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明可以廣泛應(yīng)用于消除對(duì)焊墊進(jìn)行俄歇分析時(shí)所產(chǎn)生的荷電效應(yīng)，從而得到焊墊的俄歇電子能譜。


本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的原理。在附圖中，
圖1是現(xiàn)有的一種半導(dǎo)體芯片上的焊墊布局俯視示意圖； 圖2Α是帶有焊墊的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的截面示意圖； 圖2Β是圖2Α的俯視示意圖2C是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的方法得到的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的截面示意圖； 圖3Α至圖;3Β是利用聚焦離子束形成電子導(dǎo)通通道的方法示意圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的對(duì)半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的焊墊進(jìn)行俄歇分析的方法流程示意
圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的利用聚焦離子束形成電子導(dǎo)通通道的方法流程示意圖； 圖6A是未利用根據(jù)本發(fā)明的方法對(duì)焊墊進(jìn)行俄歇分析從而得到的俄歇電子能譜； 圖6B是圖6A的微分形式的俄歇電子能譜；
圖7A是利用根據(jù)本發(fā)明的方法對(duì)焊墊進(jìn)行俄歇分析從而得到的俄歇電子能譜； 圖7B是圖7A的微分形式的俄歇電子能譜。
具體實(shí)施例方式在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。為了徹底了解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟，以便說明本發(fā)明的對(duì)半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的焊墊進(jìn)行俄歇分析的方法。顯然，本發(fā)明的施行并不限定于半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟習(xí)的特殊細(xì)節(jié)。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。圖2A 圖2C示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的對(duì)半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的焊墊進(jìn)行俄歇分析的方法。如圖2A所示，提供前端器件200，所述前端器件200包括半導(dǎo)體襯底201和焊墊 202。半導(dǎo)體襯底201上還形成有若干膜層，其中包含金屬互聯(lián)層，其它膜層不再一一描述； 焊墊202嵌入在前端器件200的若干膜層的頂層中，焊墊202的數(shù)量為至少一個(gè)，圖2A中只表示出一個(gè)焊墊202，其它省略。如圖2B所示，確定對(duì)焊墊202進(jìn)行俄歇分析的分析區(qū)域203的位置。所述分析區(qū)域203可以位于焊墊202上的任意位置，優(yōu)選地，分析區(qū)域203位于焊墊202的中心。另夕卜，本發(fā)明對(duì)分析區(qū)域203大小不作限定，優(yōu)選地，分析區(qū)域203的面積為焊墊202面積的
0.02%"2%o如圖2B和2C所示，在焊墊202上除了分析區(qū)域203以外的任意位置形成電子導(dǎo)通通道204，所述電子導(dǎo)通通道204深至所述半導(dǎo)體襯底201的上表面或者深至所述半導(dǎo)體襯底201的內(nèi)部。所述電子導(dǎo)通通道204的橫截面可以為正方形、圓形或者其它圖形。當(dāng)橫截面為正方形時(shí)，其邊長(zhǎng)范圍為廣10微米。本發(fā)明對(duì)電子導(dǎo)通通道204的形成方法不作限制，優(yōu)選地，可以利用聚焦離子束(Focused Ion Beam FIB)在焊墊202的表面切割出電子導(dǎo)通通道204，具體方法參見本實(shí)施例后續(xù)部分對(duì)圖3A 圖;3B的闡釋。最后，對(duì)所述分析區(qū)域203進(jìn)行俄歇分析。所述俄歇分析為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知，即利用俄歇能譜分析儀對(duì)分析區(qū)域進(jìn)行俄歇分析，俄歇分析過程中在分析區(qū)域聚集的負(fù)電荷將通過電子導(dǎo)通通道204流入半導(dǎo)體襯底201，進(jìn)而流入大地。圖3A 圖;3B示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的利用FIB形成電子導(dǎo)通通道的方法示意圖。如圖3A所示，首先進(jìn)行FIB的電子束(Electron Beam E-beam)與離子束(Ion
5Beam I-beam)的對(duì)中。這是由于E_beam的方向是垂直的，E_beam與I-Beam之間有一夾角，一般這個(gè)夾角為52度，而前端器件300置于與E-beam互相垂直的位置，因此E-beam、 I-beam在前端器件300上的交點(diǎn)不同，對(duì)E-beam與I-Beam進(jìn)行對(duì)中的方法是利用E-Beam 監(jiān)控前端器件300，同時(shí)將前端器件300旋起一定角度，若發(fā)現(xiàn)成像位置出現(xiàn)漂移，則調(diào)整前端器件300向上或者向下平移一段距離，以克服成像位置的漂移。直到將前端器件300旋起52度角，且成像位置無漂移為止。此時(shí)前端器件300所在的高度恰好為E-Beam和I-Beam 的交點(diǎn)處。且前端器件300與I-beam垂直。如圖所示。將FIB切換到I-beam的成像模式，此時(shí)I-beam束流的大小為30 50皮安，利用 I-beam多次掃描當(dāng)前位置，根據(jù)掃描得到圖像確定電子導(dǎo)通通道的位置，所述電子導(dǎo)通通道的位置位于焊墊上除了分析區(qū)域以外的任意位置。利用I-beam形成電子導(dǎo)通通道調(diào)整I-beam為切割模式，即調(diào)整I-beam的束流大小為300(Γ7000皮安，I-beam切割所述電子導(dǎo)通通道的位置，以形成深至半導(dǎo)體襯底302 的上表面或者深至半導(dǎo)體襯底302內(nèi)部的電子導(dǎo)通通道。電子導(dǎo)通通道的橫截面可以是正方形、圓形或者其它圖形。切割的同時(shí)，需利用FIB機(jī)臺(tái)上的終點(diǎn)探測(cè)器(End Point Detector EPD)來判斷電子導(dǎo)通通道是否深至半導(dǎo)體襯底302的上表面，EPD在半導(dǎo)體工藝中一般用作電路修補(bǔ)， 其作用原理是EPD可以測(cè)出樣品表面的電流，當(dāng)切割到導(dǎo)體樣品時(shí)，則測(cè)得的電流將增大，當(dāng)切割到介質(zhì)樣品時(shí)，測(cè)得的電流將減小。由于半導(dǎo)體襯底302的材料為摻雜的Si，因此半導(dǎo)體襯底302是導(dǎo)電的，而且半導(dǎo)體襯底302以上各膜層的材料的導(dǎo)電性是已知的，因此可以通過觀察EPD測(cè)得的電流的變化趨勢(shì)，來判斷是否切割到半導(dǎo)體襯底302的上表面。 又因?yàn)镮-beam的切割深度的單位為納米，而半導(dǎo)體襯底的厚度為微米級(jí)別，因此I-beam切割時(shí)一般不會(huì)穿透半導(dǎo)體襯底302。除了采用EPD對(duì)切割樣品表面的電流實(shí)施監(jiān)測(cè)外，還可以根據(jù)聚焦離子束機(jī)臺(tái)上的監(jiān)測(cè)終端顯示出的光斑的明暗程度來確定FIB是否切割到半導(dǎo)體襯底302的上表面FIB 作用樣品表面時(shí)，激發(fā)出較多的二次電子、特征X射線和連續(xù)譜X射線等，這些物質(zhì)在監(jiān)測(cè)終端上以光斑形式顯示出來。當(dāng)FIB作用在導(dǎo)體表面時(shí)，所述光斑較亮，當(dāng)切割到介質(zhì)表面時(shí)，所述光斑較暗。由于I-beam的切割模式的束流很大(300(Γ7000皮安)，利用它切割金屬材質(zhì)的焊墊301表面時(shí)會(huì)產(chǎn)生金屬碎屑，這些金屬碎屑?xì)埩粼陔娮訉?dǎo)通通道內(nèi)；同時(shí)由于I-beam的離子源是鎵(Ga)離子，部分( 離子在切割過程中將植入到電子導(dǎo)通通道的側(cè)壁中，由于金屬碎屑與( 離子均可以導(dǎo)電，因此形成的電子導(dǎo)通通道具有導(dǎo)電功能。圖4示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的對(duì)半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的焊墊進(jìn)行俄歇分析的方法流程示意圖。如圖4所示，本發(fā)明的方法包括以下步驟
步驟401，提供前端器件，所述前端器件包括半導(dǎo)體襯底和焊墊； 步驟402，確定焊墊上進(jìn)行俄歇分析的分析區(qū)域；
步驟403，在所述焊墊上的所述分析區(qū)域以外的任意位置形成深至所述半導(dǎo)體襯底的上表面或者深至所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)部的電子導(dǎo)通通道； 步驟404，對(duì)所述焊墊上的分析區(qū)域進(jìn)行俄歇分析。優(yōu)選地，步驟403中所述形成電子導(dǎo)通通道的方法為利用FIB進(jìn)行切割，如圖5所示，具體實(shí)施方法包括如下步驟
步驟501，將FIB的電子束(Electron Beam E-beam)與離子束(Ion I-beam)進(jìn)行對(duì)
中；
步驟502，確定所述電子導(dǎo)通通道的位置，所述電子導(dǎo)通通道的位置是焊墊上除了所述分析區(qū)域以外的任意位置；
步驟503，調(diào)整I-beam為切割模式，利用I-beam切割所述電子導(dǎo)通通道的位置，以形成深至半導(dǎo)體襯底上表面或者深至半導(dǎo)體襯底內(nèi)部的電子導(dǎo)通通道。其中，步驟502中所述確定電子導(dǎo)通通道的方法為將FIB切換到I-beam的成像模式，利用I-beam掃描當(dāng)前位置，根據(jù)掃描得到圖像確定電子導(dǎo)通通道的位置。本發(fā)明對(duì)電子導(dǎo)通通道在焊墊上的具體位置不作限定，所述電子導(dǎo)通通道的位置是所述分析區(qū)域以外的任意位置。此外，本發(fā)明對(duì)電子導(dǎo)通通道的深度也不作限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，所述深度可以及至半導(dǎo)體襯底的上表面或者深入半導(dǎo)體襯底的內(nèi)部均可，但不能穿透半導(dǎo)體襯底，這樣即可以使俄歇分析時(shí)積聚在焊墊上的負(fù)電荷通過電子導(dǎo)通通道流入半導(dǎo)體襯底，進(jìn)而導(dǎo)入大地，即消除荷電效應(yīng)，進(jìn)而使俄歇分析得到的俄歇電子能譜更加精確。下面通過對(duì)比實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證利用本發(fā)明的對(duì)半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的焊墊進(jìn)行俄歇分析的方法的效果。圖6A、圖6B示出了未利用根據(jù)本發(fā)明的方法對(duì)焊墊進(jìn)行俄歇分析而得到的俄歇電子能譜，圖6B是圖6A的微分俄歇電子能譜。參照?qǐng)D6A、圖6B，因?yàn)槎硇治鲈斐傻姆治鰠^(qū)域周圍聚集大量的負(fù)電荷，對(duì)比各已知元素的俄歇電子能譜可知，此時(shí)俄歇電子能譜的電子峰的位置出現(xiàn)了漂移，荷電效應(yīng)嚴(yán)重影響了俄歇分析結(jié)果。圖7A、圖7B示出了利用根據(jù)本發(fā)明的方法對(duì)焊墊進(jìn)行俄歇分析從而得到的俄歇電子能譜，圖7B是圖7A的微分俄歇電子能譜。參照?qǐng)D7A、圖7B，通過利用FIB在分析區(qū)域切割出電子導(dǎo)通通道后，再進(jìn)行俄歇分析，此時(shí)各電子峰的位置與各已知元素的電子峰位置一一對(duì)應(yīng)，說明此時(shí)已經(jīng)消除了荷電效應(yīng)，從而得到精確的俄歇電子能譜。
權(quán)利要求
1.對(duì)半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的焊墊進(jìn)行俄歇分析的方法，其特征在于包括提供前端器件，所述前端器件包括半導(dǎo)體襯底和焊墊；確定所述焊墊上的分析區(qū)域的位置；在所述焊墊上除了所述分析區(qū)域以外的位置形成深至所述半導(dǎo)體襯底的上表面或者所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)部的電子導(dǎo)通通道；對(duì)所述焊墊進(jìn)行俄歇分析。
2.如權(quán)利要求1所述的對(duì)半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的焊墊進(jìn)行俄歇分析的方法，其特征在于 所述分析區(qū)域位于所述焊墊上的中心位置。
3.如權(quán)利要求1所述的對(duì)半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的焊墊進(jìn)行俄歇分析的方法，其特征在于 所述分析區(qū)域的面積為所述焊墊面積的0.02 H
4.如權(quán)利要求1所述的對(duì)半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的焊墊進(jìn)行俄歇分析的方法，其特征在于 采用聚焦離子束來形成所述電子導(dǎo)通通道。
5.如權(quán)利要求4所述的對(duì)半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的焊墊進(jìn)行俄歇分析的方法，其特征在于 所述采用聚焦離子束來形成所述電子導(dǎo)通通道包括將所述聚焦離子束的電子束與離子束進(jìn)行對(duì)中；確定出所述電子導(dǎo)通通道的位置，所述電子導(dǎo)通通道的位置位于所述焊墊上除了所述分析區(qū)域以外的位置；調(diào)整所述離子束為切割模式，所述離子束切割所述電子導(dǎo)通通道的位置，以形成深至所述半導(dǎo)體襯底上表面或者所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)部的所述電子導(dǎo)通通道。
6.如權(quán)利要求5所述的對(duì)半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的焊墊進(jìn)行俄歇分析的方法，其特征在于 所述確定出所述電子導(dǎo)通通道的位置的方法為將所述聚焦離子束切換到所述離子束的成像模式，利用所述離子束掃描當(dāng)前位置，根據(jù)掃描得到的圖像確定所述電子導(dǎo)通通道的位置。
7.如權(quán)利要求6所述的對(duì)半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的焊墊進(jìn)行俄歇分析的方法，其特征在于 所述離子束的成像模式的束流大小為3(Γ50皮安。
8.如權(quán)利要求5所述的對(duì)半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的焊墊進(jìn)行俄歇分析的方法，其特征在于 所述離子束的切割模式的束流大小為300(Γ7000皮安。
9.如權(quán)利要求1所述的對(duì)半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的焊墊進(jìn)行俄歇分析的方法，其特征在于 所述電子導(dǎo)通通道的橫截面為正方形或者圓形。
10.如權(quán)利要求9所述的對(duì)半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的焊墊進(jìn)行俄歇分析的方法，其特征在于 所述電子導(dǎo)通通道的橫截面是邊長(zhǎng)為廣10微米的正方形。
全文摘要
本發(fā)明涉及對(duì)半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的焊墊進(jìn)行俄歇分析的方法，具體步驟為提供前端器件，前端器件包括半導(dǎo)體襯底和焊墊；在焊墊上的分析區(qū)域周圍形成深至半導(dǎo)體襯底的上表面或者深至半導(dǎo)體襯底內(nèi)部的電子導(dǎo)通通道；最后對(duì)焊墊進(jìn)行俄歇分析。其中，形成電子導(dǎo)電通道的方法為利用聚焦離子束在焊墊上分析區(qū)域之外的位置切割。當(dāng)對(duì)焊墊進(jìn)行俄歇分析時(shí)，在分析區(qū)域聚集的負(fù)電荷可以通過電子導(dǎo)通通道流入大地，有效地解決了俄歇分析過程中產(chǎn)生的荷電效應(yīng)，得到精確的俄歇電子能譜，從而可以使俄歇進(jìn)行分析的結(jié)果更加精確。本發(fā)明可以廣泛應(yīng)用于對(duì)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的焊墊進(jìn)行俄歇分析時(shí)消除荷電效應(yīng)的方法中。
文檔編號(hào)G01N23/227GK102455306SQ201010524970
公開日2012年5月16日 申請(qǐng)日期2010年10月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月29日
發(fā)明者李明, 楊衛(wèi)明, 段淑卿, 芮志賢, 齊瑞娟 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司