專利名稱:一種錐形閃爍晶體模塊及其加工方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及閃爍晶體模塊的設計方法和加工方法,主要應用于影像核醫(yī)學診斷、 工業(yè)在線無損檢測以及高能粒子探測等領(lǐng)域。
背景技術(shù):
閃爍晶體指一大類能夠?qū)射線、Y射線或其它高能粒子轉(zhuǎn)化成可見光的晶體材 料。作為Y相機、正電子發(fā)射斷層成像(Positron Emission Tomography,以下簡稱PET) 和計算機斷層成像(Computed Tomography,以下簡稱CT)等的關(guān)鍵部件,閃爍晶體能夠?qū)?高能粒子,如Y射線、X射線轉(zhuǎn)化為低能可見光光子并傳輸?shù)脚c其耦合的光電轉(zhuǎn)換器件上 轉(zhuǎn)換為電信號,電信號通過后端電路處理得到系統(tǒng)所需信息,最終重建得到圖像。因此,閃 爍晶體的類型、尺寸等參數(shù)以及閃爍晶體與光電轉(zhuǎn)換器件的耦合方式,直接決定了系統(tǒng)的 空間分辨率以及系統(tǒng)靈敏度等性能(C. Eijk, "Inorganic scintillators in medical imaging, ” Physics in Medicine and Biology, vol. 47, pp. R85-R106, 2002 ;R. Pani, MN Cinti, F. De Notaristefani, R. Pellegrini and P. Bennati, “Imaging performance of LaCl3:Ce scintillation crystals in SPECT, ” IEEE Nuclear Science Symposium & Medical Imaging Conference record, vol. 4, pp.2293-2287, 2004),如 高原子序數(shù)、高密度的閃爍晶體能夠更加有效的阻滯高能粒子,從而提高系統(tǒng)靈敏度;高光 輸出的閃爍晶體能夠提高電信號的信噪比,使得后端處理電路能夠獲取更加準確的能量信 息、時間信息和位置信息等。在實際應用中,通常希望采用大接收面積的閃爍晶體模塊來擴大閃爍晶體阻滯高 能粒子的范圍,以增加單位時間內(nèi)其接收的高能粒子數(shù)目,提高系統(tǒng)靈敏度,并減小數(shù)據(jù) 采集缺失角度,提高圖像重建質(zhì)量(Sara St James, Yongfeng Yang, Spencer L Bowen, Jinyi Qi and Simon R Cherry, "Simulation study of spatial resolution and sensitivity for the tapered depth of interaction PET detectors for small animal imaging,,,Physics in Medicine and Biology, vol. 55, pp. N63-N74, 2010)。然而,當 閃爍晶體模塊與光電轉(zhuǎn)換器件耦合面的面積大于光電轉(zhuǎn)換器件有效探測面積時,部分閃爍 晶體模塊由于與光電轉(zhuǎn)換器件的非有效探測面積耦合,使得其輸出的光信號不能有效地被 光電轉(zhuǎn)換器件接收,造成數(shù)據(jù)采集缺失,會降低系統(tǒng)靈敏度,并使得重建圖像的質(zhì)量下降。為了解決該問題,通常利用光導纖維或者光錐將閃爍晶體模塊與光電轉(zhuǎn)換器件耦 合,使得所有閃爍晶體模塊的輸出光信號能夠傳輸?shù)焦怆娹D(zhuǎn)換器件的有效探測面上。然而, 當閃爍晶體模塊輸出的光信號通過光導纖維或光錐后,光信號的能量信息會由于傳輸過程 中的衰減而損失,同時造成時間信息惡化,進而影響系統(tǒng)成像質(zhì)量(Chatziioarmou. Α., Shao. Y. , Doshi. N. , Meadors. K. , Silverman. R. , Cherry. S. , "Evaluation of optical fiber bundles for coupling a small LSO crystal array to a multi-channel PMT, ” IEEE Nuclear Science Symposium & Medical Imaging Conference record, vol. 3, pp. 1483-1487, 1999)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種錐形閃爍晶體模塊及其加工方法,該錐形閃爍晶體模 塊能夠有效解決無光導纖維或光錐傳導時大尺寸閃爍晶體模塊與光電轉(zhuǎn)換器件直接耦合 所存在的數(shù)據(jù)采集缺失問題,從而提高系統(tǒng)靈敏度和圖像重建質(zhì)量,同時該模塊有潛力通 過一定的計算方法得到高能粒子在閃爍晶體模塊中發(fā)生能量沉積產(chǎn)生可見光的深度位置 信息,能夠進一步提高系統(tǒng)的圖像重建質(zhì)量;該加工方法能夠?qū)﹂W爍晶體實現(xiàn)高精度切割 和加工,克服現(xiàn)有不規(guī)則形狀閃爍晶體模塊的加工難問題,獲得高精度的錐形閃爍晶體模 塊。為達到上述目的,本發(fā)明采用的第一種技術(shù)方案是一種錐形閃爍晶體模塊,所述 閃爍晶體模塊外觀立體形狀為錐形臺,錐形臺的頂面與底面相互平行,頂面為矩形,頂面面 積大于底面面積;在平行于頂面的橫截面上,所述閃爍晶體模塊由陣列的mXn個晶體條拼 接粘合構(gòu)成,其中,m為頂面長度方向的晶體條個數(shù),m大于或等于1,m為整數(shù),η為頂面寬 度方向的晶體條個數(shù),η大于或等于1,η為整數(shù),m和η不同時為1,每個晶體條的頂面與構(gòu) 成閃爍晶體模塊的錐形臺的頂面在同一平面上。為達到上述目的,本發(fā)明采用的第二種技術(shù)方案是一種錐形閃爍晶體模塊的加 工方法,該加工方法可以分三大步驟實現(xiàn)
(1)根據(jù)所需錐形閃爍晶體模塊的具體尺寸,計算得到錐形閃爍晶體模塊的非平行相 對側(cè)面的夾角,并根據(jù)錐形閃爍晶體模塊所含晶體條的數(shù)目,計算出每個晶體條的非平行 相對側(cè)面的夾角和每個晶體條的各面尺寸;
(2)對各個晶體條胚進行加工,得到晶體條或晶體條列;
(3)對加工得到的晶體條或晶體條列進行組裝并加工得到所需錐形閃爍晶體模塊。為達到上述目的,本發(fā)明采用的第三種技術(shù)方案是一種錐形閃爍晶體模塊的加 工方法,先根據(jù)本發(fā)明中第二種技術(shù)方案加工得到底面為矩形的錐形閃爍晶體模塊,然后 通過后期打磨錐形閃爍晶體模塊的側(cè)面獲得底面為圓形,或橢圓形,或其它不規(guī)則形狀的 錐形閃爍晶體模塊。上述技術(shù)方案中的有關(guān)內(nèi)容解釋如下
1、上述方案中,所述錐形臺的底面為矩形;在構(gòu)成錐形閃爍晶體模塊的mXn個晶體條 中,每個晶體條的頂面和底面均為矩形,每個晶體條的底面與構(gòu)成閃爍晶體模塊的錐形臺 的底面在同一平面上。2、上述方案中,所述晶體條之間的頂面長度相等,頂面寬度相等,晶體條之間的底 面長度相等,底面寬度相等。3、上述方案中,所述晶體條之間的頂面長度相等,頂面寬度相等,中間的sXt個 晶體條的底面長度等于頂面長度,底面寬度等于頂面寬度,s為頂面長度方向的晶體條個 數(shù),s大于或等于1,同時小于或等于m,s為整數(shù),t為頂面寬度方向的晶體條個數(shù),t大于 或等于1,同時小于或等于n,t為整數(shù),且s和t不同時等于各自方向上晶體條個數(shù)的最大值。4、上述方案中,在構(gòu)成錐形閃爍晶體模塊的頂面長度或/和頂面寬度方向上,晶 體條至少存在一對非平行相對側(cè)面,每一對非平行相對側(cè)面在空間形成夾角,晶體條之間在同一方向上的夾角相等。5、上述方案中,所述錐形臺的底面為圓形,或橢圓形,或除矩形外的其它多邊形。6、上述方案中,“每個晶體條的頂面和底面均為矩形”的意思是指晶體條的立體形 狀為棱臺或棱柱。7、上述方案中,對各個晶體條胚進行加工,得到晶體條或晶體條列是指以晶體條 胚一個側(cè)面為基面,對其相對側(cè)面進行切割,使得該基面與其相對側(cè)面的夾角等于計算出 的對應夾角值;然后對晶體條基面相鄰的兩側(cè)面進行加工,使得該相對側(cè)面的夾角等于計 算出的對應夾角值,或者是將加工得到的晶體條按次序排成一列,使得相鄰晶體條基面所 對應側(cè)面相互耦合,然后對晶體條列中各個晶體條基面相鄰的兩個側(cè)面進行加工,使得該 相對側(cè)面的夾角等于計算出的對應夾角值。8、上述方案中,對加工得到的晶體條或晶體條列進行組裝并加工得到所需錐形閃 爍晶體模塊是指將加工得到的各晶體條或者晶體條列按次序組裝成晶體條陣列,并根據(jù)錐 形閃爍晶體模塊的尺寸,對晶體條陣列頂面和底面進行打磨,使其變成頂面與底面平行的 平面,從而獲得所需的錐形閃爍晶體模塊。由于上述技術(shù)方案運用,本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點和效果
本發(fā)明通過設計一種與光電轉(zhuǎn)換器件直接耦合的錐形閃爍晶體模塊,能夠在不影響系 統(tǒng)的能量分辨率和時間分辨率的情況下,提高醫(yī)學成像系統(tǒng)的靈敏度,減小數(shù)據(jù)采集缺失 問題,提高系統(tǒng)的成像質(zhì)量;該錐形閃爍晶體模塊加工方法操作簡單、易實現(xiàn),能夠高精度、 準確地切割、加工獲得錐形閃爍晶體模塊。
附圖1為本發(fā)明錐形閃爍晶體模塊形狀示意圖。附圖2為本發(fā)明錐形閃爍晶體模塊設計定義圖示。附圖3為本發(fā)明錐形閃爍晶體模塊的加工方法流程圖。附圖4為本發(fā)明錐形閃爍晶體模塊示意圖一。附圖5為本發(fā)明錐形閃爍晶體模塊示意圖二。附圖6為本發(fā)明錐形閃爍晶體模塊的加工方法示意圖。以上附圖中,l、Top_A;2、Top_B ;3、Top_C ;4、Top_D ;5、Top_length ;6、Top_width ; 7、Bottom_A ;8、Bottom_B ;9、Bottom_C ;10、Bottom_D ;11、Bottom_length ;12、Bottom_ width ;13、height。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明作進一步描述 實施例一一種錐形閃爍晶體模塊
如附圖1 (a)所示,一種錐形閃爍晶體模塊,所述錐形閃爍晶體模塊外觀立體形狀為 錐形臺,錐形臺的頂面與底面相互平行,頂面和底面均為矩形,頂面面積大于底面面積。如 圖2所示,定義錐形閃爍晶體模塊頂面長度為Top_length5、寬度為Top_width6,底面長度 為 Bottom_lengthl 1 > ^] Bottom_widthl2,heightl3, Top_length>
Top_width, Bottom_length、Bottom_width 以及 height 均大于零。如附圖 4 所示,錐形閃爍晶體模塊由4X3個晶體條組成的陣列構(gòu)成,其中,4為在長度方向的晶體條個數(shù),3為在 寬度方向的晶體條個數(shù)。晶體條之間拼接粘合構(gòu)成一個整體,每個晶體條的頂面和底面 與構(gòu)成錐形閃爍晶體模塊的錐形臺的頂面在同一平面上。每個晶體條的頂面和底面均為 矩形,且晶體條之間的頂面長度相等,頂面寬度相等,晶體條之間的底面長度相等,底面寬 度相等。這樣,每個晶體條頂面長度為C_T_lu=Top_length/m,頂面寬度為C_T_wu=Top_ width/n,底面長度為 C_B_1 U=BottomJength/m,底面寬度為〇_Β_ ^·=Βο1:1:οπι_ (11:1ι/η,高 度為height,其中,i、j為晶體條在長度和寬度方向上的序號,i=l,…,4,j=l,…,3。實施例二 一種錐形閃爍晶體模塊
如附圖1 (b)所示,一種錐形閃爍晶體模塊,所述錐形閃爍晶體模塊外觀立體形狀為 錐形臺,錐形臺的頂面與底面相互平行,頂面和底面均為矩形,頂面面積大于底面面積。如 圖2所示,定義錐形閃爍晶體模塊頂面長度為Top_length5、寬度為Top_width6,底面長度 為 Bottom_lengthl 1 > ^] Bottom_widthl2,heightl3, Top_length>
Top_width, Bottom_length、Bottom_width 以及 height 均大于零。如附圖 5 所示,錐形閃 爍晶體模塊由12X6個晶體條組成的陣列構(gòu)成,其中,12為在長度方向的晶體條個數(shù),6為 在寬度方向的晶體條個數(shù)。晶體條之間拼接粘合構(gòu)成一個整體,每個晶體條的頂面和底面 與構(gòu)成閃爍晶體模塊的錐形臺的頂面在同一平面上。中間4X4個晶體條的底面長度與寬 度與其頂面的長度與寬度分別相等。左側(cè)4X6和右側(cè)4X6個晶體條均采用底面長度相等 的設計方式。實施例三一種錐形閃爍晶體模塊
如附圖1 (a)、(b)和附圖6所示,一種錐形閃爍晶體模塊,所述錐形閃爍晶體模塊外觀 立體形狀為錐形臺,錐形臺的頂面與底面相互平行,頂面和底面均為矩形,頂面面積大于底 面面積。如圖2所示,順時針定義錐形閃爍晶體模塊頂面四個頂點為Top_Al、T0p_B2、T0p_ C3、Top_D4,底面對應的四個頂點為 Bottom_A7、Bottom_B8、Bottom_C9、Bottom_D10,其中, 頂點iTop-X與Bottom_X構(gòu)成錐形閃爍晶體模塊的一條側(cè)棱,X=A, B、C、D,頂點I~0p_A、Top_ B所在直線方向為長度方向,頂點Top_B、Top_C所在直線方向為寬度方向,錐形閃爍晶體 模塊頂面長度為I^opJengthS、寬度為!"op—widthe,底面長度為Bottom_lengthll、寬度為 Bottom_widthl2,1! %/ !heightl3, Top_length> Top一width、Bottom一length、 Bottom_width, heigh均大于零。錐形閃爍晶體模塊由8X6個晶體條組成的陣列構(gòu)成,其 中,8為在長度方向的晶體條個數(shù),6為在寬度方向的晶體條個數(shù)。假定頂點T0p_A、B0tt0m_ A、Bottom_D、Top_D構(gòu)成的錐形閃爍晶體模塊側(cè)面與其相對的由頂點Top_B、Bottom_B> Bottom_C、1\) _(構(gòu)成的錐形閃爍晶體模塊側(cè)面不平行,兩個側(cè)面的夾角為40°,每個晶 體條寬度方向上的底面/頂面邊所在的相對側(cè)面間的夾角均為5°。頂點Top_A、Bottom, A、Bottom_B> Top_B構(gòu)成的錐形閃爍晶體模塊側(cè)面與其相對的由頂點Top_D、Bottom_D、 Bottom_C、Top_C構(gòu)成的錐形閃爍晶體模塊側(cè)面成夾角,兩個側(cè)面的夾角也為30°,每個晶 體條長度方向上的底面/頂面邊所在的相對側(cè)面間的夾角可以均為5°。實施例四一種錐形閃爍晶體模塊的加工方法
如附圖3和附圖6所示,一種錐形閃爍晶體模塊的加工方法,包含以下步驟
第一步,根據(jù)實施例三所述錐形閃爍晶體模塊的具體尺寸,計算得到錐形閃爍晶體模 塊的非平行相對側(cè)面的夾角;并根據(jù)錐形閃爍晶體模塊所含晶體條的陣列數(shù),計算出每個
7晶體條的非平行相對側(cè)面的夾角和每個晶體條的各面尺寸;
第二步,對一批晶體條胚進行加工得到所需的各個晶體條,具體方法如下
(1)以晶體條胚一個側(cè)面為基面,對其相對側(cè)面進行切割,使得該基面與其相對側(cè)面的 夾角等于第一步中計算出的對應夾角值;
(2)將加工得到的晶體條按次序排成一列,使得相鄰晶體條基面所在的側(cè)面相互耦合, 然后對晶體條列中各個晶體條基面相鄰的兩個側(cè)面進行加工,使得該相對側(cè)面的夾角等于 第一步中計算出的對應夾角值;;
第三步,將第二步加工得到的各晶體條列按次序組裝成晶體條陣列,并根據(jù)錐形閃爍 晶體模塊的尺寸,對晶體條陣列頂面和底面進行打磨,使其變成頂面與底面平行的光滑平 面,從而獲得所需的錐形閃爍晶體模塊。附圖6由a、b、C、d、e、f六個圖構(gòu)成,它是錐形閃爍晶體模塊加工步驟圖,該加工步 驟具體針對實施例三。錐形閃爍晶體模塊中由頂點Top_Al、Bottom_A7、Bottom_D10, Top_ D4構(gòu)成的錐形閃爍晶體模塊側(cè)面與其相對的由頂點Top_B2、Bottom_B8、Bottom_C9、Top_ C3構(gòu)成的錐形閃爍晶體模塊的夾角為40°,由頂點Top_Al、Bottom_A7、Bottom_B8、Top_ Β2構(gòu)成的錐形閃爍晶體模塊側(cè)面與其相對的由頂點Top_C3、Bottom_C9、Bottom_D10、Τορ_ D4構(gòu)成的錐形閃爍晶體模塊的夾角為30°,晶體條陣列數(shù)為8X6,則,每個晶體條在長度 方向平面上的夾角為40° /8=5°,在寬度方向平面上的夾角為30° /6=5°,如圖6(b)所 示,對一批晶體條胚按照此尺寸加工,得到足夠數(shù)量的晶體條;在長度方向上組裝8個已加 工的晶體條,組裝示意圖如圖6 (c)所示的扇形模塊;組裝6個如圖6 (c)所示的扇形模 塊,并將這6個扇形模塊在寬度方向進行組裝,組裝示意圖如圖6 (d)所示的晶體陣列;根 據(jù)錐形閃爍晶體模塊的尺寸,對組裝完成的晶體陣列頂面和底面進行打磨,得到如圖6 (e) 所示的錐形閃爍晶體模塊。實施例五一種錐形閃爍晶體模塊的加工方法
如附圖1和附圖3所示、一種錐形閃爍晶體模塊的加工方法,其特征在于先根據(jù)實施 例1至4之一的技術(shù)方案加工得到底面為矩形的錐形閃爍晶體模塊,然后通過后期打磨錐 形閃爍晶體模塊的側(cè)面獲得底面為圓形,或橢圓形,或除矩形外的其它多邊形的錐形閃爍 晶體模塊。上述實施例只為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點,其目的在于讓熟悉此項技術(shù)的人 士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實施,并不能以此限制本發(fā)明的保護范圍。凡根據(jù)本發(fā)明 精神實質(zhì)所作的等效變化或修飾,都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
8
權(quán)利要求
1.一種錐形閃爍晶體模塊,其特征在于所述錐形閃爍晶體模塊外觀立體形狀為錐形 臺,錐形臺的頂面與底面相互平行,頂面為矩形,頂面面積大于底面面積;在平行于頂面的 橫截面上,所述閃爍晶體模塊由陣列的mXn個晶體條拼接粘合構(gòu)成,其中,m為頂面長度方 向的晶體條個數(shù),m大于或等于l,m為整數(shù),η為頂面寬度方向的晶體條個數(shù),η大于或等于 1,η為整數(shù),m和η不同時為1,每個晶體條的頂面與構(gòu)成錐形閃爍晶體模塊的錐形臺的頂 面在同一平面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的錐形閃爍晶體模塊,其特征在于所述錐形臺的底面為矩形; 在構(gòu)成錐形閃爍晶體模塊的mXn個晶體條中,每個晶體條的頂面和底面均為矩形,且每個 晶體條的底面與構(gòu)成錐形閃爍晶體模塊的錐形臺的底面在同一平面上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的錐形閃爍晶體模塊,其特征在于所述晶體條之間的頂面長 度相等,頂面寬度相等,晶體條之間的底面長度相等,底面寬度相等。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的錐形閃爍晶體模塊,其特征在于所述晶體條之間的頂面長 度相等,頂面寬度相等,中間的sXt個晶體條的底面長度等于頂面長度,底面寬度等于頂 面寬度,s為頂面長度方向的晶體條個數(shù),s大于或等于1,同時小于或等于m,s為整數(shù),t 為頂面寬度方向的晶體條個數(shù),t大于或等于1,同時小于或等于n,t為整數(shù),且s和t不同 時等于各自方向上晶體條個數(shù)的最大值。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的錐形閃爍晶體模塊,其特征在于在構(gòu)成錐形閃爍晶體模塊 的頂面長度或/和頂面寬度方向上,晶體條至少存在一對非平行相對側(cè)面,每一對非平行 相對側(cè)面在空間形成夾角,晶體條之間在同一方向上的夾角相等。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的錐形閃爍晶體模塊,其特征在于所述錐形臺的底面為圓形、 橢圓形,或除矩形外的其它多邊形。
7.—種錐形閃爍晶體模塊的加工方法,其特征在于包含以下步驟第一步,根據(jù)權(quán)利要求5所述錐形閃爍晶體模塊的具體尺寸,計算得到錐形閃爍晶體 模塊的非平行相對側(cè)面的夾角;并根據(jù)閃爍晶體模塊所含晶體條的數(shù)目,計算出每個晶體 條的非平行相對側(cè)面的夾角和每個晶體條的各面尺寸;第二步,對各個晶體條胚進行加工得到所需的晶體條或晶體條列;第三步,將第二步加工得到的各晶體條或晶體條列按次序組裝成晶體條陣列,并根據(jù) 錐形閃爍晶體模塊的尺寸,對晶體條陣列頂面和底面進行打磨,使其變成頂面與底面平行 的光滑平面,從而獲得所需的錐形閃爍晶體模塊。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種錐形閃爍晶體模塊的加工方法,其特征在權(quán)利要求7 中第二步對各個晶體條胚進行加工得到所需的各個晶體條,具體方法如下(1)以晶體條胚一個側(cè)面為基面,對其相對側(cè)面進行切割,使得該基面與其相對側(cè)面的 夾角等于第一步中計算出的對應夾角值;(2)對晶體條基面相鄰的兩側(cè)面進行加工,使得該相對側(cè)面的夾角等于權(quán)利要求第一 步中計算出的對應夾角值。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種錐形閃爍晶體模塊的加工方法,其特征在權(quán)利要求7 中第二步對一批晶體條胚進行加工得到所需的各個晶體條列,具體方法如下(1)以晶體條胚一個側(cè)面為基面,對其相對側(cè)面進行切割,使得該基面與其相對側(cè)面的 夾角等于第一步計算出的對應夾角值;(2)將加工得到的晶體條按次序排成一列,使得相鄰晶體條基面所在的側(cè)面相互耦合, 然后對晶體條列中各個晶體條基面相鄰的兩個側(cè)面進行加工,使得該相對側(cè)面的夾角等于 權(quán)利要求第一步計算出的對應夾角值。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種錐形閃爍晶體模塊的加工方法,其特征在于所述第三 步加工得到的各晶體條或者晶體條列按次序組裝成晶體條陣列,并根據(jù)錐形閃爍晶體模塊 的尺寸,對晶體條陣列頂面和底面進行打磨,使其變成頂面與底面平行的平面,從而獲得所 需的錐形閃爍晶體模塊。
11.一種錐形閃爍晶體模塊的加工方法,其特征在于先根據(jù)權(quán)利要求3至5之一的技 術(shù)方案加工得到底面為矩形的錐形閃爍晶體模塊,然后通過后期打磨錐形閃爍晶體模塊的 側(cè)面獲得底面為圓形,或橢圓形,或除矩形外的其它多邊形的錐形閃爍晶體模塊。
全文摘要
一種錐形閃爍晶體模塊及其加工方法,所述閃爍晶體模塊外觀立體形狀為錐形臺,錐形臺的頂面與底面相互平行,頂面為矩形,頂面面積大于底面面積。所述閃爍晶體模塊m×n個晶體條拼接粘合構(gòu)成。該加工方法根據(jù)錐形閃爍晶體模塊的尺寸和所含晶體條的陣列數(shù),計算各個晶體條的尺寸,通過對一批晶體條胚體加工得到的晶體條組裝、打磨,并加工為所需的錐形閃爍晶體模塊。本發(fā)明通過設計一種與光電轉(zhuǎn)換器件直接耦合的錐形閃爍晶體模塊,能夠在不影響系統(tǒng)的能量分辨率和時間分辨率的情況下,提高醫(yī)學成像系統(tǒng)的靈敏度,減小數(shù)據(jù)采集缺失問題,提高系統(tǒng)的成像質(zhì)量。
文檔編號G01T1/202GK102129082SQ20101060174
公開日2011年7月20日 申請日期2010年12月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月23日
發(fā)明者劉晶晶, 吳永成, 朱俊, 謝慶國, 郭寧 申請人:蘇州瑞派寧科技有限公司