專利名稱：一種用⁶⁰Coγ射線開展位移損傷試驗的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用6ciCOY射線開展位移損傷試驗的裝置，屬于空間應(yīng)用技術(shù)領(lǐng) 域。
背景技術(shù)：
電子器件和光電器件容易受到空間輻射環(huán)境的影響，因此在航天器設(shè)計中選擇器 件時必須考慮輻射效應(yīng)的影響，以保證其在空間輻射環(huán)境中完成預(yù)定的功能.新型光電器 件和電子器件在空間環(huán)境中應(yīng)用，位移損傷成為決定器件抗輻射能力的主要因素，位移損 傷效應(yīng)引起了國際航天機構(gòu)廣泛的重視，近年來多種新型器件空間應(yīng)用位移損傷成為考核
^^點ο6tlCo產(chǎn)生的γ射線在空間環(huán)境效應(yīng)研究及評價中可以用來開展位移損傷模擬試 驗，目前用6°Co產(chǎn)生的γ射線開展位移損傷模擬試驗研究采用樣品直接暴露在Y射線場 中，這種方法的缺陷是位移損傷劑量沉積隨距離入射表面距離增大而增加，位移損傷劑量 沉積不均勻，會造成模擬試驗誤差。

發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)中6tlCo產(chǎn)生的Y射線開展位移損傷模擬試驗研究采用樣品直接暴 露在Y射線場中，位移損傷劑量沉積隨距離入射表面距離增大而增加，位移損傷劑量沉積 不均勻，會造成模擬試驗誤差的缺陷，本發(fā)明的目的是提供一種用6tlCoY射線開展位移損 傷試驗的裝置，適用于空間器件地面模擬實驗中的位移損傷試驗。具體技術(shù)方案如下一種用6°C0Y射線開展位移損傷試驗的裝置，所述裝置為鋁屏蔽層，所述鋁屏蔽 層放置在6tlCo Y射線輻照源與輻照樣品之間，6tlCoY射線輻照源發(fā)射出的6tlCoY射線經(jīng)過 屏蔽層后到達輻照樣品，屏蔽層的厚度為15 120mm。優(yōu)選鋁屏蔽層將輻照樣品封閉包圍，其中正對6tlCo Y射線輻照源的鋁屏蔽層一面 的厚度為15 120mm。所述裝置的工作過程如下首先對輻射場進行劑量標(biāo)定，方法如下將劑量計放入所述裝置內(nèi)，將裝置放入 到6tlCo Y射線場中某一位置進行輻照，劑量計輻照到其劑量測試范圍后取出劑量計測試， 然后根據(jù)劑量除以輻照時間得到該位置劑量率，改變不同位置，得到輻射場中不同位置的 劑量率；當(dāng)對樣品進行某一特定輻照劑量(如lkMeV/g的劑量輻照)的特定劑量率(如 lkMeV/g · h的劑量輻照)的輻照實驗時，根據(jù)劑量標(biāo)定結(jié)果在輻射場中找到要測試的劑量 率(如lkMeV/g*h)的位置，將樣品放入所述裝置，輻照一定時間(時間等于輻照劑量除以 劑量率)后取出樣品，樣品即完成了規(guī)定的輻照。有益效果本發(fā)明所述鋁屏蔽層使6tlCo Y射線在受輻照樣品中產(chǎn)生均勻位移損傷劑量沉積，相比樣品直接暴露在6°Co γ射線輻照場，克服了由于位移損傷在材料表面隨入射深度急劇 變化造成的誤差。


圖1為6tlCo γ射線經(jīng)過不同厚度鋁屏蔽層后位移損傷沉積曲線。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施方式作進一步詳細(xì)說明。實施例1一種用6ciCoy射線開展位移損傷試驗的裝置，所述裝置為鋁盒，鋁盒各個面的鋁 層厚度為15mm，樣品硅放置在鋁盒中，6tlCo γ射線輻照源發(fā)射出的6tlCo Y射線為1個光子 /cm2，將上述條件通過MULASSIS輻射仿真軟件計算得到仿真結(jié)果如表1所示，由結(jié)果可知 平均值偏差小于19%，說明位移損傷劑量在樣品的深度方向沉積偏差小于19%，說明使用 所述裝置后使6°Co γ射線在受輻照樣品中產(chǎn)生的位移損傷劑量沉積均勻。表 權(quán)利要求
1.一種用6°Co Y射線開展位移損傷試驗的裝置，其特征在于所述裝置為鋁屏蔽層，所 述鋁屏蔽層放置在6°Co γ射線輻照源與輻照樣品之間，6tlCo Y射線輻照源發(fā)射出的6tlCo Y 射線經(jīng)過屏蔽層后到達輻照樣品，屏蔽層的厚度為15 120mm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用6tlCoY射線開展位移損傷試驗的裝置，其特征在于 優(yōu)選鋁屏蔽層將輻照樣品封閉包圍，其中正對6°Co γ射線輻照源的鋁屏蔽層一面的厚度為 15 120mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用6°CoY射線開展位移損傷試驗的裝置的試驗方法，其 特征在于首先對輻射場進行劑量標(biāo)定，方法如下將劑量計放入所述裝置內(nèi)，將裝置放入到 60Co γ射線場中某一位置進行輻照，劑量計輻照到其劑量測試范圍后取出劑量計測試，然后 根據(jù)劑量除以輻照時間得到該位置劑量率，改變不同位置，得到輻射場中不同位置的劑量 率；當(dāng)對樣品進行某一特定輻照劑量的特定劑量率的輻照實驗時，根據(jù)劑量標(biāo)定結(jié)果在輻 射場中找到要測定的劑量率的位置，將樣品放入所述裝置，輻照一定時間，所述時間等于輻 照劑量除以劑量率后取出樣品，樣品即完成了規(guī)定的輻照。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用60Coγ射線開展位移損傷試驗的裝置，屬于空間應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域。所述裝置為鋁屏蔽層，所述鋁屏蔽層放置在60Coγ射線輻照源與輻照樣品之間，60Coγ射線輻照源發(fā)射出的60Coγ射線經(jīng)過屏蔽層后到達輻照樣品，屏蔽層的厚度為15～120mm；優(yōu)選鋁屏蔽層將輻照樣品封閉包圍，其中正對60Coγ射線輻照源的鋁屏蔽層一面的厚度為15～120mm。本發(fā)明所述鋁屏蔽層使60Coγ射線在受輻照樣品中產(chǎn)生均勻位移損傷劑量沉積，相比樣品直接暴露在60Coγ射線輻照場，克服了由于位移損傷在材料表面隨入射深度急劇變化造成的誤差。
文檔編號G01R31/00GK102147437SQ20101061788
公開日2011年8月10日 申請日期2010年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月31日
發(fā)明者馮展祖, 曹家瑋, 李存惠, 王云飛, 田海, 高欣 申請人:中國航天科技集團公司第五研究院第五一○研究所