專利名稱：一種層疊半導(dǎo)體芯片的測試探針的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體行業(yè)，特別涉及一種層疊半導(dǎo)體芯片的測試工具。
背景技術(shù)：
層疊半導(dǎo)體芯片的特點(diǎn)是高頻特性好，但其厚度較小容易變形。在測試過程中一 旦出現(xiàn)異常情況時(shí)，較難判斷是測試回路的導(dǎo)通問題，還是由于芯片本身變形造成接觸不 良。用普通彈簧測試探針進(jìn)行測試，移去外力后，彈簧會(huì)使探針恢復(fù)到自由狀態(tài)，無法達(dá)到 測試目的。在本實(shí)用新型作出以前，據(jù)檢索，還沒有與本實(shí)用新型相同的技術(shù)方案出現(xiàn)。在 現(xiàn)有技術(shù)中的普遍做法是將芯片取出，在顯微鏡下觀察普通探針在錫球上留下的痕跡，作 為測試的依據(jù)。但是，由于普通測試探針測試力的限制，一次扎痕不是很明顯，通常要嘗試 幾次，才能判斷出芯片在測試過程中是否形變，所以現(xiàn)有技術(shù)中這種做法的最大弊病是效 率較低。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是，提供一種效率較高，在測試過程中，探針能停留在工作行程 內(nèi)任何位置，從而可以記錄探針的工作狀態(tài)，監(jiān)測系統(tǒng)中所有部件的綜合誤差，以便作為測 試系統(tǒng)設(shè)計(jì)和改進(jìn)的層疊半導(dǎo)體芯片測試的記憶式探針。本實(shí)用新型的目的是通過下述技術(shù)方案來達(dá)到的。本實(shí)用新型包括管狀針體、上動(dòng)針和下動(dòng)針三部分，下定針通過擠壓的方法固定 在針體的一端；而上動(dòng)針則套裝在針體另一端管壁內(nèi)。重要的是本實(shí)用新型在上動(dòng)針上， 依次設(shè)定了導(dǎo)向部分、過渡部分和彈性連接部分。針體為磷青銅制成，與動(dòng)針之間為過盈配 合，由于針體壁厚較小，僅為0. 03 0. 07毫米，容易產(chǎn)生微量變形，且在允許的彈性變形范 圍內(nèi)，對動(dòng)針產(chǎn)生一定的反作用力，從而使動(dòng)針在沒有外力作用時(shí)，能克服重力和輕微振動(dòng) 的影響，停留在任何位置。上動(dòng)針的彈性連接部分有一 V形開口，這一結(jié)構(gòu)的引入，使其變 形和針體的薄壁變形同時(shí)作用，降低了對零件尺寸選配的要求。上動(dòng)針如果僅僅使用彈性 部分連接，由于需要控測其在較小的長度，上動(dòng)針可能發(fā)生傾針現(xiàn)象，所以本實(shí)用新型在上 動(dòng)針部分引入導(dǎo)向部分，并通過過渡部分平滑過渡與彈性部分連接，有效地保證了上動(dòng)針 與針體的同軸度。本實(shí)用新型解決了現(xiàn)有技術(shù)中對層疊半導(dǎo)體芯片測試?yán)щy或效率低下的弊病，是 操作者提高工作效率的一種測試記憶探針。

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型中上動(dòng)針的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
本實(shí)施例，給出了本實(shí)用新型所述的一種可以對超薄層疊芯片測試的記憶探針的 優(yōu)化方案。這種記憶探針包括有針體2、上動(dòng)針3和下定針1，下定針1通過擠壓的方法固 定在針體2的一端，而上動(dòng)針3在針體2的另一端與其過盈配合，可上下運(yùn)動(dòng)。針體2為磷 青銅制造，其壁厚為0. 05毫米。上動(dòng)針3為鈹銅制造，設(shè)有導(dǎo)向部分3-1，過渡部分3-2，彈 性連接部分3-3。彈性連接部分3-3開口約40°，長約0.1毫米，上動(dòng)針3的外徑和針體2 內(nèi)徑的開口處過盈量約0. 005毫米，上動(dòng)針3的外徑和針體2內(nèi)徑的導(dǎo)向部分設(shè)定的間隙 約0. 01毫米，長度約0. 3毫米。實(shí)驗(yàn)證明150克力的彈性力，既能保證上動(dòng)針3運(yùn)動(dòng)，又 能保證上動(dòng)針3在移除外力時(shí)即時(shí)停止，而且可以抵抗測試過程中沖擊的影響。下定針1固定在針體2上，而上動(dòng)針3在針體2中保持懸空。此狀態(tài)下，上動(dòng)針3 在針體2保持150克左右的彈性力，從而避免了上動(dòng)針3的偏移和跳動(dòng)。在外力作用下，芯 片壓縮上動(dòng)針3向下推至測試狀態(tài)位置。當(dāng)移去外力時(shí)，由于針體2和上動(dòng)針3間彈性力 的作用，上動(dòng)針3可以停留在測試狀態(tài)位置。同樣的，約150克彈性力的作用，可以使上動(dòng) 針3不會(huì)在針體2內(nèi)滑動(dòng)，也可以克服受機(jī)器調(diào)試過程中沖擊的影響。測量記憶探針壓縮 狀態(tài)下的高度，就可以分析出測試狀態(tài)下系統(tǒng)的綜合誤差。測量結(jié)束，移動(dòng)上動(dòng)針3至原始 位置后，可重新使用記憶探針。
權(quán)利要求一種層疊半導(dǎo)體芯片的測試探針，包括針體(2)，上動(dòng)針(3)和下定針(1)，下定針(1)通過擠壓的方法固定在針體(2)的一端；而上動(dòng)針(3)套裝在針體(2)的另一端管壁內(nèi)，其特征在于所述的上動(dòng)針(3)依次設(shè)定了導(dǎo)向部分(3 1)，過渡部分(3 2)和彈性連接部分(3 3)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種層疊半導(dǎo)體芯片的測試探針，其特征在于針體(2)為 磷青銅制成；針體(2)與上動(dòng)針(3)為過盈配合。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種層疊半導(dǎo)體芯片的測試探針，其特征在于針體(2)的 壁厚為0. 03 0. 07毫米。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種層疊半導(dǎo)體芯片的測試探針，其特征在于上動(dòng)針(3) 的彈性連接部分(3-3)為一 V形開口。
專利摘要一種層疊半導(dǎo)體芯片的測試探針，由針體(2)、上動(dòng)針(3)和下定針(1)所組成。而上動(dòng)針(3)設(shè)有彈性連接部分(3-3)，通過過渡部分(3-2)與導(dǎo)向部分(3-1)平滑過渡連接。針體(2)為磷青銅，與上動(dòng)針(3)過盈配合、彈性連接，依靠針體(2)具有一定彈性力對上動(dòng)針(3)所產(chǎn)生的反作用力，保證上動(dòng)針(3)在沒有外力作用時(shí)，克服重力和輕微振動(dòng)的影響，停留在針體(2)的任何位置，從而獲得正確和理想的測試結(jié)果，并大大提高了探針對半導(dǎo)體芯片的測試效率。
文檔編號G01R31/26GK201773122SQ20102029989
公開日2011年3月23日 申請日期2010年8月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月23日
發(fā)明者吉迎冬, 周家春, 施元軍 申請人:安拓銳高新測試技術(shù)(蘇州)有限公司