專利名稱：用來檢查半導體或平板顯示元件的探針的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種用來檢查半導體或平板顯示元件的探針及其制造方法，本發(fā)明使用涂敷有絕緣物質的探針尖頭以防止鄰接的探針尖頭因接觸而引起的短路或清除噪波，避免頻率信號測試時可能發(fā)生的鄰接信號干涉，從而提高探針電特性。
背景技術：
一般來說，半導體及液晶顯示元件(LCD :Liquid Crystal Display)、等離子體顯示面板(PDP =Plasma Display Panel)、場致發(fā)射顯示元件(FED =Field Emission Display) 平板顯示元件具備有引入信號的墊電極(pad Electrode) 0前述半導體及平板顯示元件的測試利用探針(probe)執(zhí)行，該探針向墊電極引入電信號后判別是否不良。平板顯示元件測試用探針包括純粹地利用手工作業(yè)制作的針式(needle type)； 引進新技術后與手工作業(yè)方式一起制作的葉片式(blade type)；膜式(film type)；以及利用 MEMS (MEMS ;Micro Electro Mechanical System)技術的 MEMS 式(MEMS type)等。針式探針通過下列步驟所構成的過程制成直線鎢梁(beam)的彎曲；在增強板使用粘結劑粘貼；為了對齊接觸待檢查的墊電極的接觸面和接觸信號移送裝置的接觸面的坐標位置而采取物理方法補正位置；清洗補正了位置的檢查用探針。然而，上述一系列過程全部需要通過手工作業(yè)實現，因此制作時間很長，不良率提高，工序復雜而降低了生產性。葉片式探針通過下列步驟所構成的過程制成制作供葉片插入的框架；制作葉片；插入葉片；在插入了葉片的框架上面蓋上蓋子。然而，上述一系列過程中的一部分依然需要通過手工作業(yè)實現，而且其生產單價特高。MEMS式探針通過下列步驟所構成的過程制成在絕緣體上制造作為導電性物質的檢查用探針梁及探針尖頭；清除絕緣體；在檢查用探針蓋上保護蓋；補正檢查用探針位置。前述MEMS式探針制造方法被韓國專利申請第10-2004-0004540號“平板元件檢查用探針制造方法及其探針”揭示。上述專利申請第10-2004-0004540號的平板顯示元件檢查用探針的制造方法包括下列步驟在硅基板上形成限定探針形狀的第一保護膜樣式(Pattern)；以上述第一保護膜樣式作為掩模(mask)執(zhí)行蝕刻工序而形成溝槽(trench)；清除上述第一保護膜樣式； 在上述硅基板上形成絕緣膜；在形成有上述絕緣膜的硅基板的上述溝槽內部埋入導電性物質而形成探針；執(zhí)行平坦化而使得形成有上述探針的上述硅基板的上面暴露；把限定上述探針的中央部而使得上述探針的一端及另一端開放的增強板附著到上述硅基板的上面；在附著有上述增強板的硅基板的相反側形成限定地開放上述探針的一端及另一端的第二保護膜樣式；清除被上述第二保護膜樣式開放的上述硅基板而使得上述探針的一端及另一端完全暴露于外；以及清除上述第二保護膜樣式。前述現有探針的中心部雖然由絕緣體構成，但為了進行檢查而暴露于外的探針尖頭則直接暴露了導電體，因此會出現和鄰接探針尖頭接觸導致短路或發(fā)生噪波的問題。而且，針對性能越來越高的半導體或平板元件所處理的數十Hz到數百Hz的頻率信號進行測試時，現有探針由于探針尖頭的導電體被直接暴露而使得形成于探針尖頭之間的電容導致鄰接信號干涉并降低電特性，從而無法準確地執(zhí)行檢查。

發(fā)明內容
發(fā)明需要解決的技術課題因此，本發(fā)明的目的是提供一種用來檢查半導體或平板顯示元件的探針及其制造方法，在除了傳達電信號的下端部分以外的探針尖頭的整體面上用高分子絕緣物質真空沉積，從而防止鄰接的探針尖頭因接觸而引起的短路或清除噪波。而且，本發(fā)明的另一個目的是提供一種用來檢查半導體或平板顯示元件的探針及其制造方法，在除了傳達電信號的下端部分以外的探針尖頭的整體面上用高分子絕緣物質真空沉積，從而可以避免頻率信號測試時可能發(fā)生的鄰接信號干涉，提高探針電特性。解決課題的技術方案上述目的可以憑借本發(fā)明的用來檢查半導體或平板顯示元件的探針實現，本發(fā)明包括探針梁，使用為上述半導體及平板顯示元件引入電信號的導電性材料以等距間隔地形成多個；探針尖頭，形成于上述探針梁的側端下部，與上述半導體及平板顯示元件接觸； 絕緣體，在硅基板上形成有探針梁安置空間，由中心部配置有連接到探針梁的電氣配線的硅材料制成；板形增強板，附著到上述絕緣體的上部中央。在此，上述探針梁表面用絕緣物質真空沉積。在此，上述探針尖頭在除了傳達電信號的下端部分以外的整體面上用高分子絕緣物質真空沉積。較佳地，上述絕緣物質是聚對二甲苯基(Parylene)樹脂。而且，上述探針梁與探針尖頭使用鎳或鎳合金材質中的某一個制作。在此，上述探針梁為了限定中央部而附著有絕緣性粘結物質。而且，上述探針結構在探針梁背面下部附著有檢查墊，該檢查墊包括傳達電信號的膜及檢查驅動IC。較佳地，上述探針尖頭與探針梁形成為寬度、面積、長度及深度各不相同的結構。而且，上述探針緊固在機構部，該機構部是在半導體及平板顯示元件檢查設備上泛用地安裝的塊。上述探針梁構成上下復層結構地排列形成。另外，上述目的可以憑借本發(fā)明的用來檢查半導體或平板顯示元件的探針的制造方法實現，其包括下列步驟在硅基板上形成安置探針梁的絕緣體；在上述絕緣體下部構成間距地形成第一保護膜；在上述絕緣體下部中沒有形成第一保護膜的部分為了形成探針梁的暴露部而進行物理蝕刻；清除上述第一保護膜；在上述絕緣體的上部形成第二保護膜，該第二保護膜限定等距間隔排列的探針尖頭形狀；以上述第二保護膜作為掩模通過蝕刻工序形成對應于探針尖頭形狀的槽；清除上述第二保護膜；在上述絕緣體上涂敷構成氧化膜的絕緣物質；在涂敷有上述絕緣物質的絕緣體的上部形成限定探針梁下端的第三保護膜；以上述第三保護膜作為掩模進行物理蝕刻工序，以對應于探針尖頭下端部的形狀清除絕緣膜后形成溝槽；清除上述第三保護膜；在上述絕緣體的上部為了形成探針梁而形成進行電鍍工序的電鍍模；在上述電鍍模上涂敷導電性物質而形成電鍍種子層；清除上述電鍍模；有限地清除上述電鍍種子層而在探針梁上形成電氣配線；在除了傳達電信號的下端部分以外的探針尖頭的整體面上沉積高分子絕緣物質；形成限定探針梁的集團中央部分的第四保護膜，該探針梁形成有包括上述絕緣處理的探針尖頭的電信號傳達體系；以上述第四保護膜作為掩模在限定的探針梁的中央部附著增強板；清除上述第四保護膜；為了限定上述絕緣體的下側中央部分而形成第五保護膜；以上述第五保護膜作為掩模通過蝕刻工序把除了上述絕緣體的中央部分以外的其它部分暴露于外。在此，上述第一保護膜、第二保護膜、第三保護膜、第四保護膜、第五保護膜、電鍍模使用光刻(Photo Lithography)工序。而且，對應于上述探針尖頭形狀的槽使用干式蝕刻工序形成。
在此，上述探針梁表面及探針尖頭用高分子絕緣物質真空沉積。較佳地，上述高分子絕緣物質是聚對二甲苯基(Parylene)樹脂。較佳地，上述電鍍模使用光阻劑photoresist)形成。而且，上述探針梁與探針尖頭使用鎳或鎳合金材質中的某一個制作。在此，上述絕緣體以上述第五保護膜作為掩模通過干式蝕刻把除了上述中央部以外的部分清除。而且，上述探針梁為了限定中央部而附著有絕緣物質。而且，上述溝槽通過干式蝕刻工序形成后在整體面涂敷絕緣物質。上述探針梁構成上下復層結構地排列形成。有益效果因此，本發(fā)明用來檢查半導體或平板顯示元件的探針及其制造方法，在除了傳達電信號的下端部分以外的探針尖頭的整體面上用高分子絕緣物質真空沉積，從而可以防止鄰接的探針尖頭因接觸而引起的短路或清除噪波。而且，可以避免頻率信號測試時可能發(fā)生的鄰接信號干涉，從而提高探針電特性。


圖1是本發(fā)明實施例的用來檢查半導體或平板顯示元件的探針立體圖，圖2是安裝有本發(fā)明實施例的用來檢查半導體或平板顯示元件的探針的機構部立體圖，圖3是安裝有本發(fā)明實施例的用來檢查半導體或平板顯示元件的探針的檢查設備立體圖，圖4是本發(fā)明實施例的用來檢查半導體或平板顯示元件的探針的檢查過程圖，圖5到圖19是說明本發(fā)明實施例的用來檢查半導體或平板顯示元件的探針的制造方法的工序立體圖。圖形主要符號的說明100絕緣體
110第一保護膜
120第二保護膜
250絕緣膜
300第三保護膜
310溝槽(trench)
320電鍍模
350探針梁(probebeam)
360探針尖頭(probe tip)
400種子層
450第四保護膜
500第五保護膜
600增強板
700檢查墊
750機構部
800檢查設備
具體實施例方式下面結合附圖詳細說明本發(fā)明的具體實施例。圖1是本發(fā)明實施例的用來檢查半導體或平板顯示元件的探針立體圖，圖2是安裝有本發(fā)明實施例的用來檢查半導體或平板顯示元件的探針的機構部立體圖，圖3是安裝有本發(fā)明實施例的用來檢查半導體或平板顯示元件的探針的檢查設備立體圖，圖4是本發(fā)明實施例的用來檢查半導體或平板顯示元件的探針的檢查過程圖。請參閱圖1，本發(fā)明用來檢查半導體或平板顯示元件的探針包括探針梁(350)， 使用為半導體及平板顯示元件引入電信號的導電性材料以等距間隔地形成多個；探針尖頭 (360)，形成于上述探針梁(350)的側端下部，與上述半導體及平板顯示元件接觸；絕緣體 (100)，在硅基板上形成有探針梁(350)安置空間，由中心部配置有連接到探針梁(350)的電氣配線的硅材料制成；板形增強板(600)，附著到上述絕緣體(100)的上部中央。在此，為了防止上述隔離地形成的探針梁(350)的狹窄隔離間隔而相互接觸所引起的噪波及鄰接信號干涉所造成的電特性下降，在各探針梁(350)表面及除了傳達電信號的下端部分以外的探針尖頭(360)的整體面上沉積高分子絕緣物質。在此，上述探針梁(350)及探針尖頭(360)通過利用容易進行真空沉積的聚對二甲苯基(Parylene)樹脂的真空沉積方法在表面形成絕緣物質。上述探針梁(350)與探針尖頭(360)在考慮到導電性及彈性等因素的情形下使用鎳(Ni)及鎳鐵(Ni-Fe)等多樣化的鎳合金材質。在此，上述探針梁(350)為了比現有技術排列更多的探針梁以提高檢察效率而可以形成上下復層結構。在此，上述探針尖頭(360)與探針梁(350)形成為寬度、面積、長度及深度各不相同的結構。上述探針尖頭(360)在除了傳達電信號的下端部分以外的整體面上沉積高分子絕緣物質，上述探針梁(350)為了限定中央部而附著有絕緣物質并提高絕緣特性，進而完全消除噪波，即使探針梁(350)互相接觸也不會發(fā)生短路現象。而且，請參閱圖2及圖3，上述探針結構在探針梁(350)背面下部附著有檢查墊 (750)，該檢查墊(750)包括傳達電信號的膜及檢查驅動IC。而且，在具備有尖頭的探針梁(350)后端形成突出銷，從而可輕易地與檢查墊 (750)進行裝卸。亦即，為了和包含有檢查驅動IC的上述檢查墊(750)輕易地分離而在探針背面下端形成有突出銷，在傳達電信號的探針被連接到檢查驅動IC的檢查墊(750)上形成有傳達電信號的探針導引膜，可以讓探針后端與檢查驅動IC安全地接觸。在此，上述探針緊固在機構部(700)，該機構部(700)是在半導體及平板顯示元件檢查設備(800)上泛用地安裝的塊(Block)。緊固有上述探針的上述機構部(700)被模塊化后安裝在探針檢查設備(800)。上述檢查設備(800)上具備有多個上述探針并且由探針群接觸作為檢查對象的面板后進行檢查，如圖4所示，各探針形成有探針梁(350)，該探針梁(350)形成有接觸半導體及平板顯示元件的上述探針尖頭(360)。圖5到圖19是說明本發(fā)明實施例的用來檢查半導體或平板顯示元件的探針的制造方法的工序立體圖。下面結合附圖詳細說明本發(fā)明實施例的半導體及平板顯示元件檢查用探針的制造方法。首先，如圖5所示，在沒有溫度及濕度之類的變形性的硅基板形成安置探針梁 (350)的絕緣體(100)。然后，如圖6所示，在上述絕緣體(100)下部構成間距地形成第一保護膜(110)。上述第一保護膜(110)通過光刻(Photo Lithography)工序形成，在上述絕緣體 (100)下部把聚酰胺(polyamide)材質的光阻劑(Wiotoresist)涂敷預定厚度后予以曝光及顯影，通過后續(xù)工序的執(zhí)行而構成在單一的單位探針上限定探針梁(350)暴露位置的間距。此時，上述光刻(Photo Lithography)工序通過依次執(zhí)行光阻劑涂層 (Photoresist coating)、光阻劑軟烘(Photoresist soft-baking)、曝光(Exposure)、光阻劑硬烘(Photoresist hard-baking)及洗滌(Rinse)工序后形成。然后，如圖7所示，在上述絕緣體(100)下部中沒有形成第一保護膜(110)的部分為了形成探針梁暴露部(11 而進行蝕刻。此時，上述探針梁暴露部(11 通過下列方式形成，在絕緣體(100)背面為了選擇性地清除絕緣體(100)而使用上述第一保護膜屏蔽除了待清除部分以外的其余領域，然后利用作為物理蝕刻工序之一的噴砂工序以僅僅留下數十微米厚絕緣體(100)地清除。然后，如圖8所示地清除上述第一保護膜(110)，在此，上述第一保護膜(110)可以通過利用丙酮(CH3C0CH3)之類化學制品的濕式蝕刻清除。然后，如圖9所示，在上述絕緣體(100)的上部形成第二保護膜(120)，該第二保護膜(120)可以限定等距間隔排列的探針尖頭(360)的形狀。在此，上述第二保護膜(120)利用和上述第一保護膜(110)形成工序相同的光刻工序形成。然后，如圖10所示，以上述第二保護膜(120)作為掩模通過蝕刻工序形成對應于探針尖頭(360)形狀的槽000)，前述蝕刻工序是由機械進行干式蝕刻工序形成。接著如圖11所示，利用化學制品的濕式蝕刻清除上述第二保護膜(120)。然后，如圖12所示，在上述絕緣體(100)上涂敷構成氧化膜的絕緣物質硅氧化膜 (Silicon dioxide layer)后形成絕緣膜(250)。上述絕緣膜Q50)的目的是維持形成于絕緣體(100)內部的探針梁(350)的電氣絕緣，前述絕緣膜(250)通過把設定的氧化性氣體投入爐(Furnace)內部后誘使上述氧化性氣體與絕緣體(100)的上部表面在預定高溫進行反應而形成。在此，上述絕緣膜(250)使用硅氧化膜，但是在其它實施例也可以使用氮化層 (Nitride layer)形成絕緣膜(250)。然后，如圖13所示，在涂敷有上述絕緣物質的絕緣體(100)的上部形成限定探針梁(350)下端的第三保護膜(300)后，以第三保護膜(300)作為掩模進行物理蝕刻工序，以對應于探針尖頭(360)下端部的形狀清除絕緣膜(250)后形成溝槽(310)。在此，上述溝槽(310)以允許單位探針梁(350)按照預定間距隔離配置的方式形成，上述溝槽(310)通過物理干式蝕刻工序形成后在整體面涂敷絕緣物質后形成。在此，為了使上述探針梁(350)排列成上下復層結構而可以使上述溝槽(310)形成復層。接著，通過利用丙酮(CH3COCH;3)之類化學制品的濕式蝕刻清除上述第三保護膜 (300)。然后，如圖14所示，在上述絕緣體(100)的上部為了形成探針梁(350)而在利用上述絕緣膜(250)形成有硅氧化膜的絕緣體(100)的溝槽(310)內部形成憑借電鍍工序埋入導電性物質的電鍍模(330)。上述電鍍模(330)可以在上述溝槽(310)上按照預定厚度涂敷聚酰胺材質的光阻劑(Photoresist)后形成。然后，如圖15所示，在上述電鍍模(330)上涂敷導電性物質而形成電鍍種子層 (400)。此時，上述種子層(400)可以通過作為PVD(Physical Vapor Deposition)方法的濺射(Sputtering)工序以銅(Cu)層形成。接著，如圖16所示，在形成有上述種子層(400)的溝槽(310)內部埋入導電性物質鎳-鐵合金等物后，為了暴露上述絕緣體(100)而使其上面平坦化后清除上述電鍍模 (330)，形成單位探針按照預定間距隔離而構成探針群的探針梁(350)。在考慮到導電性及彈性等因素的情形下，上述探針梁(350)不必限定在本實施例的鎳-鈷合金材質，也可以使用鎳、鎳鐵合金(Ni-Fe)等多樣化的材質。而且，上述平坦化工序可以使用研磨(Grinding)及CMP(Chemical Mechanical Polishing)之類的技術。然后，如圖17所示，有限地清除上述電鍍種子層(400)而在探針梁(350)上形成電氣配線后，在探針梁(350)及探針尖頭表面利用真空沉積方法形成作為絕緣性高分子的絕緣物質。在此，上述探針尖頭(360)在除了傳達電信號的下端部分外的部分進行沉積，前述絕緣物質使用容易進行真空沉積的聚對二甲苯基(Parylene)樹脂。然后，如圖18所示地形成限定探針梁(350)的集團中央部分的第四保護膜(450)， 該探針梁(350)形成有具備上述絕緣處理的探針尖頭(360)的電信號傳達體系，以上述第四保護膜(450)作為掩模(mask)在限定的探針梁(350)的中央部附著增強板(600)。在此，上述增強板(600)采用陶瓷(Ceramic)材質并且僅限定地封閉探針梁(350) 集團的中央部分而使得探針的一端及另一端開放，利用環(huán)氧樹脂(Epoxy)之類的絕緣物質粘結劑附著并固定在上述絕緣體(100)的上部。接著，附著了上述增強板(600)后通過濕式蝕刻清除上述第四保護膜(450)。然后，如圖19所示地形成限定上述絕緣體(100)下側中央部分的第五保護膜 (500)，以上述第五保護膜(500)作為掩模通過蝕刻工序把除了上述絕緣體(100)的中央部分以外的其它部分暴露于外而制作探針。在此，上述第五保護膜(500)通過光刻工序按照預定厚度涂敷光阻劑后曝光及顯影，從而和上述增強板(600) —樣僅限定地封閉探針的中央部分，形成探針梁(350)的一端及另一端開放的樣式(Pattern)。而且，以上述第五保護膜(500)作為掩模通過噴砂工序之類的干式蝕刻工序完全清除上述絕緣體(100)中除了中央部分以外的暴露部。此時，隨著上述絕緣體(100)的蝕刻清除，使得探針梁(350)的一端及另一端完全開放而中央部則被絕緣體(100)固定的探針(20)制作完成。而且，這樣的上述探針梁(350)被埋入并固定在溝槽(310)內部，上述探針與絕緣體(100)憑借硅氧化膜所構成的絕緣膜(250)互相絕緣，各單位探針梁(350)也各自被聚酰胺之類的絕緣物質絕緣。之后，上述第五保護膜(500)按照和上述第一到第四保護膜(450)清除方法相同的方法清除。上述本說明書及申請專利范圍中所用術語或詞匯不能按照一般的詞典意義解釋， 由于發(fā)明人可以為了使用最佳方法闡釋其發(fā)明而適當地定義相關術語之概念，因此本說明書及申請專利范圍中所用術語應該按照符合本發(fā)明之技術思想的含義與概念來解釋。因此本說明書記載的實施例與附圖所示形狀與構成沒有概括本發(fā)明的所有技術思想，在本發(fā)明的專利申請時可以存在能替代的各種均等物與變形例。
權利要求
1.一種用來檢查半導體或平板顯示元件的探針，該檢查用探針適用于為半導體及平板顯示元件引入電信號后檢查電特性的檢查設備，其特征在于，包括探針梁，使用為上述半導體及平板顯示元件引入電信號的導電性材料以等距間隔地形成多個；探針尖頭，形成于上述探針梁的側端下部，與上述半導體及平板顯示元件接觸； 絕緣體，在硅基板上形成有探針梁安置空間，由中心部配置有連接到探針梁的電氣配線的硅材料制成；板形增強板，附著到上述絕緣體的上部中央。
2.根據權利要求1所述的用來檢查半導體或平板顯示元件的探針，其特征在于 上述探針梁表面用高分子絕緣物質真空沉積。
3.根據權利要求1所述的用來檢查半導體或平板顯示元件的探針，其特征在于 上述探針尖頭在除了傳達電信號的下端部分以外的整體面上用高分子絕緣物質真空沉積。
4.根據權利要求2或3所述的用來檢查半導體或平板顯示元件的探針，其特征在于 上述高分子絕緣物質是聚對二甲苯基(Parylene)樹脂。
5.根據權利要求1所述的用來檢查半導體或平板顯示元件的探針，其特征在于 上述探針梁與探針尖頭使用鎳或鎳合金材質中的某一個制作。
6.根據權利要求1所述的用來檢查半導體或平板顯示元件的探針，其特征在于 上述探針梁為了限定中央部而附著有絕緣性粘結物質。
7.根據權利要求1所述的用來檢查半導體或平板顯示元件的探針，其特征在于上述探針結構在探針梁背面下部附著有檢查墊，該檢查墊包括傳達電信號的膜及檢查驅動IC。
8.根據權利要求1所述的用來檢查半導體或平板顯示元件的探針，其特征在于 上述探針尖頭與探針梁形成為寬度、面積、長度及深度各不相同的結構。
9.根據權利要求1所述的用來檢查半導體或平板顯示元件的探針，其特征在于上述探針緊固在機構部，該機構部是在半導體及平板顯示元件檢查設備上泛用地安裝的塊。
10.根據權利要求1所述的用來檢查半導體或平板顯示元件的探針，其特征在于 上述探針梁構成上下復層結構地排列形成。
11.一種用來檢查半導體或平板顯示元件的探針的制造方法，其特征在于，包括下列步驟在硅基板上形成安置探針梁的絕緣體； 在上述絕緣體下部構成間距地形成第一保護膜；在上述絕緣體下部中沒有形成第一保護膜的部分為了形成探針梁的暴露部而進行物理蝕刻；清除上述第一保護膜；在上述絕緣體的上部形成第二保護膜，該第二保護膜限定等距間隔排列的探針尖頭形狀；以上述第二保護膜作為掩模通過蝕刻工序形成對應于探針尖頭形狀的槽； 清除上述第二保護膜；在上述絕緣體上涂敷構成氧化膜的絕緣物質；在涂敷有上述絕緣物質的絕緣體的上部形成限定探針梁下端的第三保護膜； 以上述第三保護膜作為掩模進行物理蝕刻工序，以對應于探針尖頭下端部的形狀清除絕緣膜后形成溝槽；清除上述第三保護膜；在上述絕緣體的上部為了形成探針梁而形成進行電鍍工序的電鍍模； 在上述電鍍模上涂敷導電性物質而形成電鍍種子層； 清除上述電鍍模；有限地清除上述電鍍種子層而在探針梁上形成電氣配線； 在除了傳達電信號的下端部分以外的探針尖頭的整體面上沉積高分子絕緣物質； 形成限定探針梁的集團中央部分的第四保護膜，該探針梁形成有包括上述絕緣處理的探針尖頭的電信號傳達體系；以上述第四保護膜作為掩模在限定的探針梁的中央部附著增強板； 清除上述第四保護膜；為了限定上述絕緣體的下側中央部分而形成第五保護膜；以上述第五保護膜作為掩模通過蝕刻工序把除了上述絕緣體的中央部分以外的其它部分暴露于外。
12.根據權利要求11所述的用來檢查半導體或平板顯示元件的探針的制造方法，其特征在于上述第一保護膜、第二保護膜、第三保護膜、第四保護膜、第五保護膜、電鍍模使用光刻 (Photo Lithography)工序。
13.根據權利要求11所述的用來檢查半導體或平板顯示元件的探針的制造方法，其特征在于對應于上述探針尖頭形狀的槽使用干式蝕刻工序形成。
14.根據權利要求11所述的用來檢查半導體或平板顯示元件的探針的制造方法，其特征在于上述探針尖頭用高分子絕緣物質真空沉積。
15.根據權利要求14所述的用來檢查半導體或平板顯示元件的探針的制造方法，其特征在于上述高分子絕緣物質是聚對二甲苯基(Parylene)樹脂。
16.根據權利要求11所述的用來檢查半導體或平板顯示元件的探針的制造方法，其特征在于上述電鍍模使用光阻劑(Wiotoresist)形成。
17.根據權利要求11所述的用來檢查半導體或平板顯示元件的探針的制造方法，其特征在于上述探針梁與探針尖頭使用鎳或鎳合金材質中的某一個制作。
18.根據權利要求11所述的用來檢查半導體或平板顯示元件的探針的制造方法，其特征在于上述絕緣體以上述第五保護膜作為掩模通過干式蝕刻把除了上述中央部以外的部分清除。
19.根據權利要求11所述的用來檢查半導體或平板顯示元件的探針的制造方法，其特征在于上述探針梁為了限定中央部而附著有絕緣物質。
20.根據權利要求11所述的用來檢查半導體或平板顯示元件的探針的制造方法，其特征在于上述溝槽通過干式蝕刻工序形成后在整體面涂敷絕緣物質。
21.根據權利要求11所述的用來檢查半導體或平板顯示元件的探針的制造方法，其特征在于上述探針梁構成上下復層結構地排列形成。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用來檢查半導體或平板顯示元件的探針及其制造方法，本發(fā)明探針包括探針梁，使用為半導體及平板顯示元件引入電信號的導電性材料以等距間隔地形成多個；探針尖頭，形成于上述探針梁的側端下部，與上述半導體及平板顯示元件接觸；絕緣體，在硅基板上形成有探針梁安置空間，由中心部配置有連接到探針梁的電氣配線的硅材料制成；板形增強板，附著到上述絕緣體的上部中央。本發(fā)明可以防止鄰接的探針尖頭因接觸而引起的短路或清除噪波，避免頻率信號測試時可能發(fā)生的鄰接信號干涉，從而提高探針電特性。
文檔編號G01R1/073GK102597787SQ201080035699
公開日2012年7月18日 申請日期2010年8月5日 優(yōu)先權日2009年8月11日
發(fā)明者任永淳, 尹彩榮, 崔允淑, 方镕玗, 李將禧, 李解原 申請人:未來技術株式會司