專利名稱：發(fā)光二極管封裝接口的檢測(cè)裝置及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管(LED)封裝接口的檢測(cè)裝置及方法。
背景技術(shù)：
LED封裝制程包括固晶、打線、封膠與檢測(cè)，其中固晶制程是使用固晶材料(如銀膠、共晶合金或?qū)崮z等)將LED芯片粘貼固定在封裝載體或基板上。固晶過程中假如固晶材料發(fā)生厚度不均勻、孔洞、特性劣化等現(xiàn)象，將導(dǎo)致固晶接口品質(zhì)有好壞參差不齊的問題。目前在LED元件封裝完成出廠前的快速光電特性檢測(cè)機(jī)上并無進(jìn)行固晶品質(zhì)優(yōu)劣篩選的檢測(cè)步驟。固晶品質(zhì)不良會(huì)使LED元件熱阻值偏高，導(dǎo)熱不良，在后續(xù)客戶應(yīng)用時(shí)，將導(dǎo)致LED過熱，提早光衰或損壞等問題。目前評(píng)估LED元件導(dǎo)熱特性的方法例如根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)JEDEC-51、MIL-STD-883、 CNS15248采用熱阻測(cè)量機(jī)臺(tái)進(jìn)行熱阻測(cè)量，但因熱阻測(cè)量步驟復(fù)雜又耗時(shí)，無法作為L(zhǎng)ED 元件出廠前的即時(shí)品管檢測(cè)項(xiàng)目。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出一種快速的LED封裝接口檢測(cè)方法及裝置，不必耗時(shí)地測(cè)量LED元件的熱阻值，每個(gè)LED元件只需不到幾秒的時(shí)間即能分辨出各個(gè)LED元件之間封裝接口(例如固晶)品質(zhì)的差異。將此檢測(cè)方法及裝置與一般LED快速光電特性檢測(cè)機(jī)結(jié)合使用，即能在LED元件出廠前快速的進(jìn)行固晶不良品的篩檢。本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管(LED)封裝接口的檢測(cè)裝置，對(duì)于具有一封裝接口的一 LED元件進(jìn)行檢測(cè)。LED封裝接口的檢測(cè)裝置包含電流源、電壓檢測(cè)裝置及測(cè)試控制單元。測(cè)試控制單元提供至少一控制信號(hào)命令該電流源輸出至少一電流至該LED元件，且提供至少二信號(hào)，分別命令該電壓檢測(cè)裝置于一第一時(shí)間測(cè)量LED元件的一第一正向電壓 (forward voltage)，并于一第二時(shí)間測(cè)量LED元件的一第二正向電壓。其中該測(cè)試控制單元計(jì)算該第一及該第二正向電壓的電壓差值，并判斷當(dāng)該電壓差值大于一預(yù)設(shè)失效判定值時(shí)，則該LED元件判定為失效。本發(fā)明一實(shí)施例的LED封裝接口的檢測(cè)方法，對(duì)于具有一封裝接口的一 LED元件進(jìn)行檢測(cè)，其包含以下步驟提供至少一電流至該LED元件；利用該至少一電流于一第一時(shí)間測(cè)量該LED元件的一第一正向電壓，并于一第二時(shí)間測(cè)量該LED元件的一第二正向電壓； 計(jì)算該第一及該第二正向電壓的一電壓差值；以及判斷當(dāng)該電壓差值大于一預(yù)設(shè)失效判定值時(shí)，則該LED元件判定為失效。本發(fā)明另一實(shí)施例的LED封裝接口的檢測(cè)方法，對(duì)于具有封裝接口的多個(gè)LED元件進(jìn)行檢測(cè)，其包含以下步驟提供至少一電流；利用該至少一電流于一第一時(shí)間測(cè)量每一個(gè)LED元件的一第一正向電壓，并于一第二時(shí)間測(cè)量每一個(gè)LED元件的一第二正向電壓； 計(jì)算每一個(gè)LED元件的該第一及該第二正向電壓的一電壓差值；以及根據(jù)每一個(gè)LED元件的該電壓差值分類該多個(gè)LED元件。其中測(cè)量每一 LED元件的第一時(shí)間均相同，且測(cè)量每一 LED元件的第二時(shí)間均相同。藉此采用相同檢測(cè)條件，以進(jìn)行多個(gè)LED元件的分類。本發(fā)明另一實(shí)施例包含一種用于檢測(cè)一 LED元件的封裝接口的計(jì)算機(jī)程序，其包含一含有一計(jì)算機(jī)可讀取程序指令的計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)，該計(jì)算機(jī)可讀取程序指令包含以下指令一第一指令提供至少一電流至該LED元件；一第二指令利用該至少一電流于一第一時(shí)間測(cè)量該LED元件的一第一正向電壓并于一第二時(shí)間測(cè)量該LED元件的一第二正向電壓；一第三指令計(jì)算該第一及該第二正向電壓的一電壓差值；以及一第四指令判斷當(dāng)該電壓差值大于一預(yù)設(shè)失效判定值時(shí)，則該LED元件判定為失效。


圖1顯示組裝于電路板的LED元件的封裝接口示意圖。圖2顯示LED元件的兩正向電壓差值隨通入電流時(shí)間增加的關(guān)系圖。圖3顯示本發(fā)明一實(shí)施例的LED封裝接口檢測(cè)裝置的方塊示意圖。圖4為本發(fā)明LED封裝接口的檢測(cè)方法的步驟流程圖。圖5為本發(fā)明第一實(shí)施例的測(cè)試用電流及正向電壓與時(shí)間的對(duì)應(yīng)關(guān)系圖。圖6為本發(fā)明第二實(shí)施例的測(cè)試用電流及正向電壓與時(shí)間的對(duì)應(yīng)關(guān)系圖。圖7顯示LED元件的正向電壓差值隨通入電流時(shí)間增加而增加的實(shí)驗(yàn)測(cè)量圖。圖8為本發(fā)明第三實(shí)施例的測(cè)試用電流與加熱用電流及正向電壓與時(shí)間的對(duì)應(yīng)關(guān)系圖。圖9為本發(fā)明第四實(shí)施例的測(cè)試用電流與加熱用電流及正向電壓與時(shí)間的對(duì)應(yīng)關(guān)系圖。圖10為本發(fā)明第五實(shí)施例的測(cè)試用電流及正向電壓與時(shí)間的對(duì)應(yīng)關(guān)系圖。圖11為本發(fā)明第六實(shí)施例的測(cè)試用電流及正向電壓與時(shí)間的對(duì)應(yīng)關(guān)系圖。圖12為本發(fā)明第七實(shí)施例的測(cè)試用電流與加熱用電流及正向電壓與時(shí)間的對(duì)應(yīng)關(guān)系圖。圖13為本發(fā)明第八實(shí)施例的測(cè)試用電流與加熱用電流及正向電壓與時(shí)間的對(duì)應(yīng)關(guān)系圖。圖14為本發(fā)明第九實(shí)施例的測(cè)試用電流與加熱用電流及正向電壓與時(shí)間的對(duì)應(yīng)關(guān)系圖。圖15為本發(fā)明第十實(shí)施例的測(cè)試用電流與加熱用電流及正向電壓與時(shí)間的對(duì)應(yīng)關(guān)系圖。圖16為本發(fā)明另一實(shí)施例LED封裝接口的檢測(cè)方法的步驟流程圖。主要元件符號(hào)說明10LED元件11-H-* LL 心片
12封裝載體13固晶接口
14組裝接口15電路板
16封裝接口
20LED封裝接口的檢測(cè)裝置
22電流源23電壓檢測(cè)裝置
24測(cè)試控制單元25LED元件
tl第一時(shí)間th加熱間隔時(shí)間Vl第一正向電壓Si, Sl' ,Si" , Si"
t2第二時(shí)間 td間隔時(shí)間
V2第二正向電壓控制信號(hào) S2，S3信號(hào)
具體實(shí)施例方式為充分了解本發(fā)明的特征及功效，茲通過下述具體的實(shí)施范例，并配合所附的圖式，對(duì)本發(fā)明做一詳細(xì)說明，說明如后LED固晶品質(zhì)不良時(shí)，通入相同額定電流下，固晶不良的LED元件其接面溫度會(huì)比固晶品質(zhì)正常的LED元件高。本發(fā)明即通過上述特性提出即時(shí)檢測(cè)LED封裝接口方法，以改善傳統(tǒng)以測(cè)量LED熱阻值篩檢LED固晶品質(zhì)復(fù)雜又耗時(shí)的問題。圖1顯示一組裝于電路板的LED元件10的封裝接口示意圖，其中LED芯片11固晶于封裝載體12上，其中芯片11及封裝載體12間形成固晶接口 13。固晶接口 13可包含如銀膠、共晶合金或?qū)崮z等。LED元件10包含芯片11、固晶接口 13與封裝載體12。封裝載體12組裝于電路板15上，其間形成組裝接口 14。按此，實(shí)際上與LED芯片11的散熱有關(guān)的封裝接口 16包含固晶接口 13及組裝接口 14。本發(fā)明的測(cè)量原理是利用LED的正向電壓值會(huì)隨LED接面溫度的上升而降低的特性。當(dāng)LED被通入該至少一電流時(shí)，LED的PN接面處除了發(fā)光之外也會(huì)發(fā)熱，LED接面溫度便開始上升，LED的正向電壓值便開始迅速降低導(dǎo)致第二正向電壓V2減去第一正向電壓Vl 的電壓差值dv(負(fù)值)持續(xù)增加，如圖2所示。在相同的LED芯片通入相等的電流下，LED 正向電壓值下降的速率與所發(fā)熱量向外傳導(dǎo)的能力有關(guān)。當(dāng)LED所產(chǎn)生的熱量向外傳導(dǎo)受到阻礙時(shí)，LED正向電壓值下降的速率會(huì)加快。亦即在相同的通電時(shí)間內(nèi)，測(cè)量LED通電瞬間及LED的熱傳導(dǎo)至封裝接口后的正向電壓差值，向外熱傳導(dǎo)能力較差的LED將呈現(xiàn)較大的電壓差值。在LED元件封裝制程中不良的固晶接口可以通過上述正向電壓差值的測(cè)量而篩檢出來。甚至在LED元件被組裝到電路板或?qū)峤饘侔鍟r(shí)，不良的組裝接口所形成的高熱阻接口也能利用上述正向電壓差值的測(cè)量進(jìn)行篩檢。為了解本發(fā)明的LED封裝接口的檢測(cè)方法，以下說明本發(fā)明的LED封裝接口的檢測(cè)裝置。參照?qǐng)D3，本發(fā)明的LED封裝接口檢測(cè)裝置20包括電流源22、電壓檢測(cè)裝置23及測(cè)試控制單元對(duì)。一實(shí)施例中，該LED元件25相當(dāng)于圖1所示的LED元件10。圖4顯示本發(fā)明LED封裝接口的檢測(cè)方法的步驟流程圖，本發(fā)明的檢測(cè)方法包含步驟SlO提供至少一電流至該LED元件；步驟S12利用該至少一電流于一第一時(shí)間測(cè)量該 LED元件的一第一正向電壓，并于一第二時(shí)間測(cè)量該LED元件的一第二正向電壓；步驟S14 計(jì)算該第一及第二正向電壓的電壓差值；以及步驟S16判斷當(dāng)該電壓差值大于一預(yù)設(shè)失效判定值時(shí)，則該LED元件判定為失效。以下的各實(shí)施例中，請(qǐng)共同參照?qǐng)D3及圖4以利了解本發(fā)明的LED封裝接口的檢測(cè)裝置及檢測(cè)方法。如圖5所示的本發(fā)明第一實(shí)施例中，測(cè)試控制單元M提供至少一控制信號(hào)Sl命令電流源22輸出至少一測(cè)試用至少一電流至該LED元件25，且提供至少兩次信號(hào)S2，S3命令電壓檢測(cè)裝置23測(cè)量該LED元件25的正向電壓，于是分別于第一時(shí)間取得第一正向電壓Vl ；于第二時(shí)間取得第二正向電壓V2。換句話說，電流源22依測(cè)試控制單元M的控制信號(hào)Sl要求提供至少一測(cè)試用電流至該LED元件，電壓檢測(cè)裝置23依測(cè)試控制單元M的信號(hào)S2，S3要求測(cè)量該LED元件25的該二個(gè)正向電壓。須注意，本發(fā)明的裝置的架構(gòu)并不限于以上所揭示的實(shí)施例架構(gòu)，而可依實(shí)際應(yīng)用所需而變化。測(cè)試控制單元M讀取與記錄電壓檢測(cè)裝置23所測(cè)量的該LED元件25的該二個(gè)正向電壓VI，V2，計(jì)算兩者的電壓差值。之后，測(cè)試控制單元M根據(jù)預(yù)先設(shè)定的一個(gè)電壓差失效判定值，對(duì)所測(cè)試LED元件25的電壓差值大于一預(yù)設(shè)失效判定值時(shí)判定為失效。此外，將多個(gè)LED元件采取同樣的測(cè)試條件(相同的第一及第二時(shí)間)，即可判別 LED元件為失效(不良品)或有效(良品)，而得以進(jìn)行分類。亦即在其他實(shí)施例中，測(cè)試控制單元M讀取與記錄電壓檢測(cè)裝置23所測(cè)量的多個(gè)LED元件25的二個(gè)正向電壓VI， V2，計(jì)算兩者的電壓差值。之后，測(cè)試控制單元M根據(jù)預(yù)先設(shè)定的電壓差值分類表與所測(cè)量到的電壓差值，對(duì)所測(cè)試多個(gè)LED元件25進(jìn)行分類，即分為良品及不良品。請(qǐng)一并參考圖3及圖4，圖6為本發(fā)明第二實(shí)施例的測(cè)試用至少一電流及正向電壓與時(shí)間的對(duì)應(yīng)關(guān)系圖。測(cè)試控制單元M提供至少一控制信號(hào)Sl命令電流源22輸出至少一測(cè)試用電流至該LED元件25，且提供至少兩次信號(hào)S2，S3命令電壓檢測(cè)裝置23依序測(cè)量該LED元件25的多個(gè)正向電壓，以獲取多個(gè)正向電壓包含于第一時(shí)間tl取得的第一正向電壓VI，在第二時(shí)間t2取得的第二正向電壓V2。換句話說，電流源22依測(cè)試控制單元 24的控制信號(hào)Sl要求提供至少一測(cè)試用電流至該LED元件，電壓檢測(cè)裝置23依測(cè)試控制單元M的信號(hào)S2，S3要求測(cè)量該LED元件25的多個(gè)正向電壓。此外，測(cè)試控制單元M讀取與記錄電壓檢測(cè)裝置23所測(cè)量的該LED元件25的多個(gè)正向電壓，并讀取于預(yù)先設(shè)定的時(shí)間tl及t2所測(cè)量的二個(gè)正向電壓V1，V2，計(jì)算兩者的電壓差值。其中多個(gè)正向電壓隨著時(shí)間持續(xù)下降，因此Vl正向電壓值大于V2正向電壓值。 之后，測(cè)試控制單元24根據(jù)預(yù)先設(shè)定的一個(gè)電壓差失效判定值，對(duì)所測(cè)試該LED元件25的電壓差值大于失效判定值時(shí)判定為失效。預(yù)先設(shè)定的一個(gè)電壓差失效判定值是根據(jù)LED元件的芯片與封裝結(jié)構(gòu)及兩個(gè)測(cè)量時(shí)間的間隔td來決定。LED元件的封裝結(jié)構(gòu)如果導(dǎo)熱較差將測(cè)量到較大的電壓差值。同樣地，對(duì)于具有相同芯片結(jié)構(gòu)與封裝結(jié)構(gòu)的LED元件而言，兩個(gè)測(cè)量時(shí)間的間隔td越長(zhǎng)，電壓差值也會(huì)愈大。圖7顯示20個(gè)LED元件的正向電壓差值隨通入電流時(shí)間增加而增加的實(shí)驗(yàn)測(cè)量圖。依第二實(shí)施例所敘述，提供至少一電流350毫安培至一 LED元件，電壓檢測(cè)裝置依序測(cè)量LED元件的多個(gè)正向電壓。當(dāng)至少一電流輸出20微秒后，第一正向電壓Vl被測(cè)量到，全部的電壓差值由其他正向電壓(晚于第一正向電壓VI)減第一正向電壓Vl而獲得如圖7所示的曲線。在此實(shí)驗(yàn)中預(yù)先設(shè)定的時(shí)間tl為電流輸出20微秒，當(dāng)預(yù)先設(shè)定的時(shí)間t2為電流輸出0. 1秒時(shí)第二正向電壓V2被測(cè)量到，此時(shí)預(yù)先設(shè)定電壓差失效判定值則設(shè)定為200毫伏特，假使LED元件的電壓差值大于預(yù)先設(shè)定電壓差失效判定值時(shí)，LED元件則判斷為失效。再者，如果當(dāng)預(yù)先設(shè)定的時(shí)間t2為電流輸出5秒時(shí)第二正向電壓V2被測(cè)量到，此時(shí)預(yù)先設(shè)定電壓差失效判定值則設(shè)定為250毫伏特。因此，在應(yīng)用本發(fā)明于LED 封裝接口檢測(cè)與不良品篩檢前，可參考實(shí)施例二與本實(shí)驗(yàn)說明，設(shè)定適合的電壓差失效判定值。
在第一及第二實(shí)施例中，由電流源22所輸出的測(cè)試用電流可為脈沖電流或直流電流，且測(cè)試用電流值可根據(jù)LED元件25的結(jié)構(gòu)設(shè)定，通常采用LED元件25的額定電流作為測(cè)試用電流。具有1平方毫米的LED芯片面積的LED元件25的額定電流值可為250毫安培至350毫安培之間。此外，如果是具有0. 1平方毫米的LED芯片面積的LED元件25的額定電流值可為10毫安培至20毫安培之間。再者，電壓測(cè)量之間隔時(shí)間td根據(jù)測(cè)試用電流與LED元件25的結(jié)構(gòu)或樣式而決定，一般而言間隔時(shí)間td介于100微秒至1秒之間。然而本發(fā)明并不限于第一實(shí)施例及第二實(shí)施例中的各項(xiàng)數(shù)據(jù)。如圖8所示的本發(fā)明的第三實(shí)施例中，測(cè)試控制單元M提供一第一控制信號(hào)Sl 命令電流源22輸出一測(cè)試用電流至該LED元件25，且提供信號(hào)S2命令電壓檢測(cè)裝置23測(cè)量該LED元件25的正向電壓VI。接著測(cè)試控制單元M提供一第二控制信號(hào)Sl'命令電流源22輸出一加熱用電流至該LED元件25。在一加熱間隔時(shí)間th之后，測(cè)試控制單元M 提供一第三控制信號(hào)Si"命令電流源22停止加熱用電流并開始輸出測(cè)試用電流。同時(shí)測(cè)試控制單元M提供一信號(hào)S3命令電壓檢測(cè)裝置23于第二時(shí)間t2測(cè)量該LED元件25的正向電壓V2。接著，該測(cè)試控制單元M讀取與記錄電壓檢測(cè)裝置23所測(cè)量的該LED元件25的該二個(gè)電壓VI，V2，并計(jì)算兩者的電壓差值。之后，測(cè)試控制單元M根據(jù)預(yù)先設(shè)定的一個(gè)電壓差失效判定值，對(duì)所測(cè)試該LED元件25的電壓差值大于失效判定值時(shí)判定為失效。在第三實(shí)施例中，由電流源22所輸出的測(cè)試用電流可為脈沖寬度20微秒至100 微秒的脈沖電流，且測(cè)試用電流值根據(jù)LED元件25的結(jié)構(gòu)設(shè)定。在此實(shí)施例中采用的測(cè)試用電流值可為0. 1毫安培至5毫安培之間。由電流源22所輸出的加熱用電流可為脈沖電流或直流電流，且加熱用電流值根據(jù)LED元件25的結(jié)構(gòu)設(shè)定。通常采用LED元件25的額定電流值作為加熱用電流。加熱間隔時(shí)間th根據(jù)測(cè)試用電流值與LED元件25的結(jié)構(gòu)或樣式而決定，一般而言加熱間隔時(shí)間th介于100微秒至1秒之間。相較于第一實(shí)施例，第三實(shí)施例中的測(cè)試用電流值較小，因此可避免由大電流所產(chǎn)生的額外熱量所造成的測(cè)量誤差。相同地，第四實(shí)施例中為了于不同時(shí)間獲得多個(gè)正向電壓包含電壓Vl及V2，如圖 9所示，電流源22交互地提供測(cè)試用電流及加熱用電流至LED元件25。測(cè)試控制單元M 提供至少兩信號(hào)S2，S3命令電壓檢測(cè)裝置23以該測(cè)試用電流依序地測(cè)量該LED元件25的多個(gè)正向電壓。測(cè)試控制單元M讀取與記錄電壓檢測(cè)裝置23所測(cè)量的LED元件25的多個(gè)正向電壓并讀取于預(yù)先設(shè)定的時(shí)間tl及t2所測(cè)量的二個(gè)正向電壓VI，V2，并計(jì)算兩者的電壓差值。其中這些正向電壓隨著時(shí)間持續(xù)下降，且正向電壓值Vl大于正向電壓值V2。接著測(cè)試控制單元M根據(jù)預(yù)先設(shè)定的一個(gè)電壓差失效判定值，對(duì)所測(cè)試LED元件25的電壓差值大于失效判定值時(shí)判定為失效。如圖10所示的本發(fā)明的第五實(shí)施例中，測(cè)試控制單元M提供一第一控制信號(hào)Sl 命令電流源22輸出一第一測(cè)試用電流至該LED元件25，且提供信號(hào)S2命令電壓檢測(cè)裝置 23測(cè)量該LED元件25的正向電壓VI。接著測(cè)試控制單元M提供第二控制信號(hào)Sl ‘命令電流源22輸出一第二測(cè)試用電流至該LED元件25，并提供一信號(hào)S3命令電壓檢測(cè)裝置23 測(cè)量該LED元件25的正向電壓V2。在此實(shí)施例中，第一測(cè)試用電流及第二測(cè)試用電流可為脈沖電流，且第一測(cè)試用電流值及第二測(cè)試用電流值與該LED元件25的額定電流值相等。如圖10所示，第一測(cè)試用電流的脈沖寬度介于20微秒至100微秒之間，且第二測(cè)試用電流的脈沖寬度比第一測(cè)試用電流的脈沖寬度大。第二測(cè)試用電流的脈沖寬度介于100微秒至 1秒之間，可造成該LED元件25的接面溫度上升，正向電壓下降。測(cè)試控制單元M讀取與記錄電壓檢測(cè)裝置23所測(cè)量的LED元件25的正向電壓 (VI及V2)，并計(jì)算兩者的電壓差值。接著測(cè)試控制單元M根據(jù)預(yù)先設(shè)定的一個(gè)電壓差失效判定值，對(duì)所測(cè)試LED元件25的電壓差值大于失效判定值時(shí)判定為失效。相同地，第六實(shí)施例中為了于不同時(shí)間獲得多個(gè)正向電壓，如圖11所示，測(cè)試控制單元M提供多個(gè)控制信號(hào)命令電流源22輸出具有脈沖寬度逐漸變寬特性的脈沖式測(cè)試用電流至LED元件25并提供多個(gè)信號(hào)命令電壓檢測(cè)裝置23依序地測(cè)量該LED元件25的多個(gè)正向電壓。該LED元件25的接面溫度將由于脈沖寬度的增加而隨時(shí)間上升，亦即該LED 元件25的正向電壓隨時(shí)間下降。測(cè)試控制單元M讀取與記錄電壓檢測(cè)裝置23所測(cè)量的LED元件25的多個(gè)正向電壓并讀取于預(yù)先設(shè)定的時(shí)間tl及t2所測(cè)量的二個(gè)正向電壓VI，V2，并計(jì)算兩者的電壓差值。其中這些正向電壓隨著時(shí)間持續(xù)下降，且正向電壓值Vl大于正向電壓值V2。接著測(cè)試控制單元M根據(jù)預(yù)先設(shè)定的一個(gè)電壓差失效判定值，對(duì)所測(cè)試LED元件25的電壓差值大于失效判定值時(shí)判定為失效。此外，LED接面溫度的下降將導(dǎo)致LED正向電壓的上升。對(duì)該LED元件輸入一段時(shí)間的加熱用電流之后，停止加熱用電流，改用至少一測(cè)試用電流(例如具有短脈沖寬度的脈沖電流)依序地測(cè)量LED元件的多個(gè)正向電壓。在此情況下，LED元件的正向電壓快速上升以致于正向電壓差值dv (正值)會(huì)隨時(shí)間增加。特別是，具有不良封裝接口的該LED 元件將比有良好封裝接口品質(zhì)的LED元件顯示出較大的正向電壓差值。如圖12所示的本發(fā)明的第七實(shí)施例中，測(cè)試控制單元M提供一第一控制信號(hào)Sl 命令電流源22輸出一加熱用電流至該LED元件25。在加熱電流輸出一加熱間隔時(shí)間th之后，測(cè)試控制單元M提供一信號(hào)S2命令電壓檢測(cè)裝置23測(cè)量該LED元件25的正向電壓 VI，并提供一第二控制信號(hào)Sl'命令電流源22停止輸出加熱用電流。接著測(cè)試控制單元 M提供第三控制信號(hào)Si"命令電流源22于一間隔時(shí)間td后輸出一具有短脈沖寬度的測(cè)試用電流至該LED元件25，并提供一信號(hào)S3命令電壓檢測(cè)裝置23測(cè)量該LED元件25的正向電壓V2。如圖12所示，測(cè)試用電流值及加熱用電流值與LED元件25的額定電流值相等。測(cè)試用電流的脈沖寬度介于20微秒至100微秒之間。測(cè)試控制單元M讀取與記錄電壓檢測(cè)裝置23所測(cè)量的LED元件25的正向電壓 (如Vl及怕，并計(jì)算兩者的電壓差值。接著測(cè)試控制單元M根據(jù)預(yù)先設(shè)定的一個(gè)電壓差失效判定值，對(duì)所測(cè)試LED元件25的電壓差值大于失效判定值時(shí)判定為失效。因?yàn)長(zhǎng)ED 元件25由加熱用電流于加熱間隔時(shí)間th加熱并通過具有短脈沖寬度的測(cè)試用電流進(jìn)行測(cè)量，LED元件25的接面溫度將于加熱間隔時(shí)間th之后下降且其測(cè)量到的電壓差值將為正值。相同地，第八實(shí)施例中為了于不同時(shí)間獲得多個(gè)正向電壓，如圖13所示，在加熱用電流停止后，測(cè)試控制單元M提供多個(gè)控制信號(hào)命令電流源22依序地輸出短脈沖寬度的測(cè)試用電流至LED元件25并提供多個(gè)信號(hào)命令電壓檢測(cè)裝置23依序地測(cè)量LED元件25 的正向電壓。電流源22于加熱間隔時(shí)間th期間輸出加熱用電流至LED元件25。LED元件25的接面溫度于加熱間隔時(shí)間th之后開始下降，正向電壓開始上升。如圖13所示，測(cè)試用電流的脈沖寬度介于20微秒至100微秒之間。測(cè)試用電流值及加熱用電流值與LED元件 25的額定電流值相等。測(cè)試控制單元M讀取與記錄電壓檢測(cè)裝置23所測(cè)量的LED元件25的多個(gè)正向電壓并讀取于預(yù)先設(shè)定的時(shí)間tl及t2所測(cè)量的二個(gè)正向電壓VI，V2，并計(jì)算兩者的電壓差值。其中這些正向電壓隨著時(shí)間持續(xù)上升，且正向電壓值Vl小于正向電壓值V2。接著測(cè)試控制單元M根據(jù)預(yù)先設(shè)定的一個(gè)電壓差失效判定值，對(duì)所測(cè)試LED元件25的電壓差值大于失效判定值時(shí)判定為失效。如圖14所示的本發(fā)明的第九實(shí)施例中，測(cè)試控制單元M提供一第一控制信號(hào)Sl 命令電流源22輸出一加熱用電流至該LED元件25。在加熱間隔時(shí)間th之后，測(cè)試控制單元M提供一第二控制信號(hào)Sl ‘命令電流源22停止輸出加熱用電流，并提供第三控制信號(hào) Si"命令電流源22輸出測(cè)試用電流至該LED元件25。接著測(cè)試控制單元M提供信號(hào)S2 命令電壓檢測(cè)裝置23測(cè)量該LED元件25的正向電壓VI。測(cè)試控制單元M提供第四控制信號(hào)Si" ’命令電流源22于間隔時(shí)間td之后輸出測(cè)試用電流，并提供信號(hào)S3命令電壓檢測(cè)裝置23測(cè)量該LED元件25的正向電壓V2。測(cè)試控制單元M讀取與記錄電壓檢測(cè)裝置23所測(cè)量的LED元件25的二個(gè)正向電壓(如Vl及V2)，并計(jì)算兩者的電壓差值。接著測(cè)試控制單元M根據(jù)預(yù)先設(shè)定的一個(gè)電壓差失效判定值，對(duì)所測(cè)試LED元件25的電壓差值大于失效判定值時(shí)判定為失效。因?yàn)?LED元件25由加熱用電流于加熱間隔時(shí)間th期間加熱并通過具有短脈沖寬度的測(cè)試用電流進(jìn)行測(cè)量，LED元件25的接面溫度將于加熱間隔時(shí)間th之后下降且其測(cè)量到的電壓差值將為正值。在此實(shí)施例中，加熱用電流值與LED元件25的額定電流值相等。測(cè)試用電流值介于0. 1毫安培至5毫安培之間，以減少大電流所可能產(chǎn)生的熱效應(yīng)。測(cè)試用電流的脈沖寬度介于20微秒至100微秒之間。然而本發(fā)明并不限于此實(shí)施例所述的條件。相同地，第十實(shí)施例中為了于不同時(shí)間獲得多個(gè)正向電壓，如圖15所示，當(dāng)加熱用電流已經(jīng)停止輸出后，測(cè)試控制單元M提供多個(gè)控制信號(hào)命令電流源22依序地輸出短脈沖電流至LED元件25并提供多個(gè)信號(hào)命令電壓檢測(cè)裝置23依序地測(cè)量該LED元件25 的多個(gè)正向電壓。電流源22于加熱間隔時(shí)間th內(nèi)輸出加熱用電流至該LED元件25。在加熱間隔時(shí)間th之后，該LED元件25的接面溫度下降，正向電壓開始上升。測(cè)試控制單元M讀取與記錄電壓檢測(cè)裝置23于加熱間隔時(shí)間th之后所測(cè)量的 LED元件25的多個(gè)正向電壓并讀取于預(yù)先設(shè)定的時(shí)間tl及t2所測(cè)量的二個(gè)正向電壓VI， V2，并計(jì)算兩者的電壓差值。其中這些正向電壓隨著時(shí)間持續(xù)上升，且正向電壓值Vl小于正向電壓值V2。接著測(cè)試控制單元M根據(jù)預(yù)先設(shè)定的一個(gè)電壓差失效判定值，對(duì)所測(cè)試 LED元件25的電壓差值大于失效判定值時(shí)判定為失效。在前述各個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)測(cè)試控制單元M提供控制信號(hào)命令電流源22輸出測(cè)試用電流至該LED元件25，且提供信號(hào)命令電壓檢測(cè)裝置23測(cè)量LED元件25的正向電壓時(shí)， 可以于電壓測(cè)量前設(shè)定一延遲時(shí)間以減少電壓測(cè)量誤差。延遲時(shí)間介于5微秒至50微秒。 電壓測(cè)量之間隔時(shí)間td及加熱間隔時(shí)間th根據(jù)測(cè)試用電流值與LED元件25的結(jié)構(gòu)或樣式而決定。一般而言，間隔時(shí)間td及加熱間隔時(shí)間th介于100微秒及1秒之間。然而，本發(fā)明并不以此為限。本發(fā)明檢測(cè)裝置20所使用的電壓檢測(cè)裝置23為一快速且高解析度電壓檢測(cè)裝置，其電壓解析度應(yīng)小于5mV，最佳為小于0. 2mV，但本發(fā)明并不以此為限；采樣率每秒應(yīng)高于20萬次，最佳為每秒可采樣100萬次，但本發(fā)明并不以此為限。本發(fā)明進(jìn)一步提供一檢測(cè)LED元件的計(jì)算機(jī)程序，其包含一含有一計(jì)算機(jī)可讀取程序指令的計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)，該計(jì)算機(jī)可讀取程序指令包含以下指令第一指令提供至少一電流至該LED元件；第二指令利用該電流于一第一時(shí)間測(cè)量該LED元件的一第一正向電壓并于一第二時(shí)間測(cè)量該LED元件的一第二正向電壓；第三指令計(jì)算該第一及該第二正向電壓的一電壓差值；以及第四指令判斷當(dāng)該電壓差值大于一預(yù)設(shè)失效判定值時(shí)，則該LED元件判定為失效。當(dāng)多個(gè)LED元件的封裝接口進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，測(cè)試控制單元M可根據(jù)多個(gè)LED的電壓差值進(jìn)行LED元件25的高低分類。圖16顯示本發(fā)明另一實(shí)施例LED封裝接口的檢測(cè)方法的步驟流程圖。此LED封裝接口的檢測(cè)方法包含步驟S20提供至少一電流；步驟S22利用該電流于一第一時(shí)間測(cè)量該多個(gè)LED元件的第一正向電壓，并于一第二時(shí)間測(cè)量該多個(gè) LED元件的第二正向電壓；步驟SM計(jì)算該第一及第二正向電壓的電壓差值；以及步驟S^ 根據(jù)該多個(gè)電壓差值對(duì)多個(gè)LED元件進(jìn)行分類。其中測(cè)量每一該LED元件的該第一時(shí)間相等，且測(cè)量每一該LED元件的該第二時(shí)間相等。本發(fā)明提出一種快速的LED封裝接口檢測(cè)方法及裝置。對(duì)LED通入一小段時(shí)間的脈沖電流或直流電流，同時(shí)在一第一時(shí)間測(cè)量該LED元件的一第一正向電壓，并于一第二時(shí)間測(cè)量該LED元件的一第二正向電壓，計(jì)算第一正向電壓與第二正向電壓的電壓差值， 通過比較各顆LED正向電壓差值的差異即可分辨LED固晶品質(zhì)的好壞。因本發(fā)明的檢測(cè)所需的時(shí)間僅需幾個(gè)微秒，故與一般LED快速光電特性檢測(cè)機(jī)結(jié)合使用，即能在LED元件出廠前進(jìn)行線上快速固晶不良品的篩檢。以上已將本發(fā)明做一詳細(xì)說明，然而以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施范例而已， 當(dāng)不能限定本發(fā)明實(shí)施的范圍。即凡依本發(fā)明權(quán)利要求書要求保護(hù)的范圍所作的均等變化與修飾等，皆應(yīng)仍屬本發(fā)明權(quán)利要求書的要求保護(hù)的范圍內(nèi)。
1權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管LED封裝接口的檢測(cè)裝置，對(duì)于具有一封裝接口的一 LED元件進(jìn)行檢測(cè)，包含一電流源；一電壓檢測(cè)裝置；以及一測(cè)試控制單元，提供至少一控制信號(hào)命令該電流源輸出至少一電流至該LED元件， 且提供至少二信號(hào)，分別命令該電壓檢測(cè)裝置于一第一時(shí)間測(cè)量該LED元件的一第一正向電壓，并于一第二時(shí)間測(cè)量該LED元件的一第二正向電壓；其中該測(cè)試控制單元計(jì)算該第一及該第二正向電壓的電壓差值，并判斷當(dāng)該電壓差值大于一預(yù)設(shè)失效判定值時(shí)，則該LED元件判定為失效。
2.如權(quán)利要求1所述的LED封裝接口的檢測(cè)裝置，其中該電流為一測(cè)試用電流，該電流源依序提供該測(cè)試用電流至該LED元件且該電壓檢測(cè)裝置依序地測(cè)量該LED元件的多個(gè)正向電壓，其中包括于該第一時(shí)間測(cè)量該LED元件的該第一正向電壓，在該第二時(shí)間測(cè)量該 LED元件的該第二正向電壓。
3.如權(quán)利要求2所述的LED封裝接口的檢測(cè)裝置，其中該電流源輸出該LED元件的該測(cè)試用電流值是該LED元件的一額定電流。
4.如權(quán)利要求1所述的LED封裝接口的檢測(cè)裝置，其中該第一時(shí)間與該第二時(shí)間的間隔時(shí)間介于100微秒(μ sec)至1秒(sec)之間。
5.如權(quán)利要求1所述的LED封裝接口的檢測(cè)裝置，其中該至少一電流包含一測(cè)試用電流及一加熱用電流，該測(cè)試用電流值介于0. 1毫安培(mA)至5毫安培之間，該加熱用電流值與該LED元件的一額定電流值相等，該電流源分別于該第一時(shí)間與該第二時(shí)間輸出該測(cè)試用電流至該LED元件，在該第二時(shí)間前的一加熱間隔時(shí)間，該電流源輸出該加熱用電流至該LED元件，該加熱間隔時(shí)間介于100微秒至1秒之間。
6.如權(quán)利要求1所述的LED封裝接口的檢測(cè)裝置，其中該電流源交互地輸出一測(cè)試用電流及一加熱用電流至該LED元件，該電壓檢測(cè)裝置以該測(cè)試用電流依序地測(cè)量該LED 元件的多個(gè)正向電壓，其中包括于該第一時(shí)間，當(dāng)該測(cè)試用電流輸出至該LED元件時(shí)，測(cè)量該第一正向電壓，在該第二時(shí)間，當(dāng)該測(cè)試用電流輸出至該LED元件時(shí)，測(cè)量該第二正向電壓。
7.如權(quán)利要求1所述的LED封裝接口的檢測(cè)裝置，其中該至少一電流包含一第一測(cè)試用電流及一第二測(cè)試用電流，該電流源分別于該第一時(shí)間及該第二時(shí)間輸出該第一測(cè)試用電流及該第二測(cè)試用電流至該LED元件，該第一測(cè)試用電流及該第二測(cè)試用電流為脈沖電流，該第二測(cè)試用電流的脈沖寬度較該第一測(cè)試用電流的脈沖寬度大，該第一測(cè)試用電流值及該第二測(cè)試用電流值與該LED元件的一額定電流值相等。
8.如權(quán)利要求7所述的LED封裝接口的檢測(cè)裝置，其中該第二測(cè)試用電流逐漸地增加脈沖寬度，該電流源依序地提供該第二測(cè)試用電流至該LED元件且該電壓檢測(cè)裝置以該測(cè)試用電流依序地測(cè)量該LED元件的多個(gè)正向電壓，其中包括于該第一時(shí)間測(cè)量該LED元件的該第一正向電壓，在該第二時(shí)間測(cè)量該LED元件的該第二正向電壓。
9.如權(quán)利要求1所述的LED封裝接口的檢測(cè)裝置，其中該至少一電流包含一加熱用電流及一測(cè)試用電流，該電流源一直到該第一時(shí)間之前的一加熱間隔時(shí)間內(nèi)輸出該加熱用電流至該LED元件并于該第二時(shí)間輸出該測(cè)試用電流至該LED元件，其中該加熱用電流及該測(cè)試用電流為脈沖電流，該加熱用電流的脈沖寬度較該測(cè)試用電流的脈沖寬度大，該加熱用電流值及該測(cè)試用電流值與該LED元件的一額定電流值相等，且該第一時(shí)間與該第二時(shí)間的間隔時(shí)間介于100微秒至1秒之間。
10.如權(quán)利要求9所述的LED封裝接口的檢測(cè)裝置，其中該電流源依序地提供該測(cè)試用電流至該LED元件，該電壓檢測(cè)裝置以該測(cè)試用電流依序地測(cè)量該LED元件的多個(gè)正向電壓，在該第一時(shí)間測(cè)量該LED元件的該第一正向電壓，在該第二時(shí)間測(cè)量該LED元件的該第二正向電壓。
11.如權(quán)利要求1所述的LED封裝接口的檢測(cè)裝置，其中該至少一電流包含一加熱用電流及一測(cè)試用電流，該測(cè)試用電流值小于該加熱用電流值，該電流源于該第一時(shí)間之前于一加熱間隔時(shí)間輸出該加熱用電流至該LED元件并分別地于該第一時(shí)間與該第二時(shí)間輸出該測(cè)試用電流至該LED元件，其中該加熱用電流值與該LED元件的一額定電流值相等，該測(cè)試用電流值介于0. 1毫安培至5毫安培之間，且該第一時(shí)間與該第二時(shí)間的間隔時(shí)間介于100微秒至1秒之間。
12.如權(quán)利要求11所述的LED封裝接口的檢測(cè)裝置，其中該電流源依序地提供該測(cè)試用電流至該LED元件，該電壓檢測(cè)裝置以該測(cè)試用電流依序地測(cè)量該LED元件的多個(gè)正向電壓，在該第一時(shí)間測(cè)量該LED元件的該第一正向電壓，在該第二時(shí)間測(cè)量該LED元件的該第二正向電壓。
13.如權(quán)利要求1所述的LED封裝接口的檢測(cè)裝置，其中該LED元件包含一LED芯片及一封裝載體，該封裝接口包含形成于該LED芯片與該封裝載體間的一固晶接口。
14.如權(quán)利要求13所述的LED封裝接口的檢測(cè)裝置，其中該LED元件還包含一電路板， 該封裝接口還包含形成于該封裝載體與該電路板間的一組裝接口。
15.如權(quán)利要求1所述的LED封裝接口的檢測(cè)裝置，其中該電壓檢測(cè)裝置的解析度小于 5毫伏特(mV)，采樣率每秒高于20萬次。
16.一種LED封裝接口的檢測(cè)方法，該方法包含以下步驟提供至少一電流至該LED元件；利用該電流于一第一時(shí)間測(cè)量該LED元件的一第一正向電壓，并于一第二時(shí)間測(cè)量該 LED元件的一第二正向電壓；計(jì)算該第一及該第二正向電壓的一電壓差值；以及判斷當(dāng)該電壓差值大于一預(yù)設(shè)失效判定值時(shí)，則該LED元件判定為失效。
17.如權(quán)利要求16所述的LED封裝接口的檢測(cè)方法，其中該電流為一測(cè)試用電流，利用該電流依序地測(cè)量該LED元件的多個(gè)正向電壓，該LED元件的該多個(gè)正向電壓包含該第一正向電壓及該第二正向電壓。
18.如權(quán)利要求17所述的LED封裝接口的檢測(cè)方法，其中該電流值與該LED元件的一額定電流值相等。
19.如權(quán)利要求16所述的LED封裝接口的檢測(cè)方法，其中該第一時(shí)間及該第二時(shí)間的間隔時(shí)間介于100微秒至1秒之間。
20.如權(quán)利要求16所述的LED封裝接口的檢測(cè)方法，其中該至少一電流包含一測(cè)試用電流及一加熱用電流，該測(cè)試用電流值介于0. 1毫安培(mA)至5毫安培之間，該加熱用電流值與該LED元件的一額定電流值相等，在該第一時(shí)間與該第二時(shí)間提供該測(cè)試用電流至該LED元件，在該第二時(shí)間前的一加熱間隔時(shí)間提供該加熱用電流至該LED元件，該加熱間隔時(shí)間介于100微秒至1秒之間。
21.如權(quán)利要求20所述的LED封裝接口的檢測(cè)方法，其中該測(cè)試用電流及該加熱用電流交互地提供至該LED元件，利用該測(cè)試用電流依序地測(cè)量該LED元件的多個(gè)正向電壓，該 LED元件的該多個(gè)正向電壓包含該第一正向電壓及該第二正向電壓。
22.如權(quán)利要求16所述的LED封裝接口的檢測(cè)方法，其中該至少一電流包含一第一測(cè)試用電流及一第二測(cè)試用電流，該第一測(cè)試用電流為一脈沖電流并于該第一時(shí)間提供至該 LED元件，該第二測(cè)試用電流為一脈沖電流并于該第二時(shí)間提供至該LED元件，該第二測(cè)試用電流的脈沖寬度較該第一測(cè)試用電流的脈沖寬度大，該第一測(cè)試用電流值及該第二測(cè)試用電流值與該LED元件的一額定電流值相等。
23.如權(quán)利要求22所述的LED封裝接口的檢測(cè)方法，其中該第二測(cè)試用電流逐漸地增加脈沖寬度，利用該測(cè)試用電流依序地測(cè)量該LED元件的多個(gè)正向電壓，該LED元件的該多個(gè)正向電壓包含該第一正向電壓及該第二正向電壓。
24.如權(quán)利要求16所述的LED封裝接口的檢測(cè)方法，其中該至少一電流包含一加熱用電流及一測(cè)試用電流，在該第一時(shí)間之前的一加熱間隔時(shí)間內(nèi)提供該加熱用電流至該LED 元件并于該第二時(shí)間提供該測(cè)試用電流至該LED元件，其中該測(cè)試用電流及該加熱用電流為脈沖電流，該加熱用電流的脈沖寬度較該測(cè)試用電流的脈沖寬度大，該加熱用電流值及該測(cè)試用電流值與該LED元件的一額定電流值相等，且該第一時(shí)間與該第二時(shí)間的間隔時(shí)間介于100微秒至1秒之間。
25.如權(quán)利要求M所述的LED封裝接口的檢測(cè)方法，其中依序地提供該測(cè)試用電流至該LED元件，利用該測(cè)試用電流依序地測(cè)量該LED元件的多個(gè)正向電壓，該LED元件的該多個(gè)正向電壓包含該第一正向電壓及該第二正向電壓。
26.如權(quán)利要求16所述的LED封裝接口的檢測(cè)方法，其中該至少一電流包含一加熱用電流及一測(cè)試用電流，該測(cè)試用電流值小于該加熱用電流值，在該第一時(shí)間之前的一加熱間隔時(shí)間內(nèi)提供該加熱用電流至該LED元件，在該第一時(shí)間與該第二時(shí)間提供該測(cè)試用電流至該LED元件，其中該加熱用電流值與該LED元件的一額定電流值相等，該測(cè)試用電流值介于0. 1毫安培至5毫安培之間，且該第一時(shí)間與該第二時(shí)間的間隔時(shí)間介于100微秒至 1秒之間。
27.如權(quán)利要求沈所述的LED封裝接口的檢測(cè)方法，其中依序地提供該測(cè)試用電流至該LED元件，利用該測(cè)試用電流依序地測(cè)量該LED元件的多個(gè)正向電壓，該LED元件的該多個(gè)正向電壓包含該第一正向電壓及該第二正向電壓。
28.如權(quán)利要求16所述的LED封裝接口的檢測(cè)方法，其中該LED元件包含一LED芯片及一封裝載體，該封裝接口包含形成于該LED芯片與該封裝載體間的一固晶接口。
29.如權(quán)利要求28所述的LED封裝接口的檢測(cè)方法，其中該LED元件還包含一電路板， 該封裝接口還包含形成于該封裝載體與該電路板間的一組裝接口。
30.一種多個(gè)LED封裝接口的檢測(cè)方法，該方法包含以下步驟提供至少一電流；利用該電流于一第一時(shí)間測(cè)量每一個(gè)LED元件的一第一正向電壓，并于一第二時(shí)間測(cè)量每一個(gè)LED元件的一第二正向電壓；計(jì)算每一個(gè)LED元件的該第一及該第二正向電壓的一電壓差值；以及根據(jù)該多個(gè)的每一個(gè)LED元件的該電壓差值分類該多個(gè)LED元件。
31.如權(quán)利要求30所述的多個(gè)LED封裝接口的檢測(cè)方法，其中測(cè)量該多個(gè)的每一個(gè) LED元件的該第一時(shí)間相等，測(cè)量該每一個(gè)LED元件的該第二時(shí)間相等。
32.一種用于檢測(cè)一 LED元件的封裝接口的計(jì)算機(jī)程序，包含一含有一計(jì)算機(jī)可讀取程序指令的計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)，該計(jì)算機(jī)可讀取程序指令包含一第一指令，提供至少一電流至該LED元件；一第二指令，利用該至少一電流于一第一時(shí)間測(cè)量該LED元件的一第一正向電壓并于一第二時(shí)間測(cè)量該LED元件的一第二正向電壓；一第三指令，計(jì)算該第一及該第二正向電壓的一電壓差值；以及一第四指令，判斷當(dāng)該電壓差值大于一預(yù)設(shè)失效判定值時(shí)，則該LED元件判定為失效。
33.如權(quán)利要求32所述的計(jì)算機(jī)程序，其中該至少一電流為一寬脈沖電流，利用該至少一電流依序地測(cè)量該LED元件的多個(gè)正向電壓，該LED元件的該多個(gè)正向電壓包含該第一正向電壓及該第二正向電壓。
34.如權(quán)利要求33所述的計(jì)算機(jī)程序，其中該至少一電流值與該LED元件的一額定電流值相等。
35.如權(quán)利要求32所述的計(jì)算機(jī)程序，其中該第一時(shí)間及該第二時(shí)間的間隔時(shí)間介于 100微秒至1秒之間。
全文摘要
本發(fā)明涉及發(fā)光二極管封裝接口的檢測(cè)裝置及方法，本發(fā)明的發(fā)光二極管(LED)封裝接口的檢測(cè)裝置針對(duì)LED元件進(jìn)行檢測(cè)，其包含電流源、電壓檢測(cè)裝置以及測(cè)試控制單元。測(cè)試控制單元提供至少一控制信號(hào)命令該電流源輸出至少一電流至LED元件，且提供至少二信號(hào)，分別命令該電壓檢測(cè)裝置于一第一時(shí)間測(cè)量該LED元件的一第一正向電壓，并于一第二時(shí)間測(cè)量該LED元件的一第二正向電壓。該測(cè)試控制單元計(jì)算該第一及該第二正向電壓的電壓差值，并判斷當(dāng)該電壓差值大于一預(yù)設(shè)失效判定值時(shí)，則該LED元件判定為失效。
文檔編號(hào)G01N27/00GK102183546SQ201110007730
公開日2011年9月14日 申請(qǐng)日期2011年1月14日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月25日
發(fā)明者王建評(píng), 陳秋伶, 黃斐章, 黃勝邦 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院