專利名稱：電容dc模型中寄生電容的測量方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體元件的測試領(lǐng)域，尤其涉及一種電容DC模型中寄生電容的測
量方法。
背景技術(shù)：
形成于半導(dǎo)體基板上的集成電路包括多個有源和無源元件，例如電阻器、電感器、 電容器、晶體管、放大器等。上述元件是依照設(shè)計規(guī)格(design specification)而制造，其中設(shè)計規(guī)格定義上述元件所表現(xiàn)的電學(xué)特性(如電阻值、電感值、電容值、增益等)和結(jié)構(gòu)特征。一般而言，希望能夠確認(rèn)每一個制造的元件是否符合其特定的設(shè)計規(guī)格，然而，在元件整合進(jìn)集成電路后，個別的元件通常無法很容易地被測試。因此，集成電路個別元件的獨立復(fù)制元件(stand-alone copies)被制造于晶片(wafer)之上，其中，復(fù)制元件由與集成電路元件相同的工藝所制造，并具有與集成電路元件相同的電學(xué)特性和結(jié)構(gòu)特征，從而代替測試集成電路元件的電學(xué)特性。在測試期間，復(fù)制元件由桿狀線(bar line)和導(dǎo)引線(feed line)連接至測試墊 (test pads)，測試墊進(jìn)一步電性連接至外部的測試裝置。然而，雖然復(fù)制元件能夠準(zhǔn)確的代替集成電路元件的結(jié)構(gòu)特征和電學(xué)特性，但是由于桿狀線、導(dǎo)引線和測試墊的存在，采用復(fù)制元件測量的電學(xué)特性包括由所述桿狀線、導(dǎo)引線和測試墊(例如桿狀線、導(dǎo)引線和測試墊的電阻值、電容值和電感值)產(chǎn)生的寄生效應(yīng)(parasitics)?，F(xiàn)有技術(shù)通常采用稱為去嵌入(de-embedding)的方法，測量所述桿狀線、導(dǎo)引線和測試墊產(chǎn)生的寄生效應(yīng)?，F(xiàn)有技術(shù)中，建立電容DC模型通常需要測量各種不同長度和寬度的電容。不同尺寸的電容，用于測量的桿狀線和導(dǎo)引線的長度和寬度也不同，因此，為了對不同尺寸的電容去除寄生效應(yīng)，就需要對每種尺寸的電容制作對應(yīng)的去嵌入結(jié)構(gòu)(de-embedding structure)，從而導(dǎo)致需要制作較多的去嵌入結(jié)構(gòu)，這些去嵌入結(jié)構(gòu)會占用較大的晶圓面積。

發(fā)明內(nèi)容
為了減小去嵌入結(jié)構(gòu)占用的晶圓面積，本發(fā)明提供一種電容DC模型中寄生電容的測量方法。一種電容DC模型中寄生電容的測量方法，包括如下步驟選取電容，形成用于測量所述選取的電容的兩個測試墊，測量所述兩個測試墊之間的電容值；形成連接于所述測試墊的導(dǎo)引線，測量并計算所述導(dǎo)引線產(chǎn)生的電容值；形成連接于所述導(dǎo)引線的桿狀線，測量并計算所述桿狀線產(chǎn)生的電容值；利用待測電容的導(dǎo)引線與所述選取電容的導(dǎo)引線的尺寸比值，計算所述待測電容的導(dǎo)引線產(chǎn)生的電容值；利用待測電容的桿狀線與所述選取電容的桿狀線的尺寸比值，計算所述待測電容的桿狀線產(chǎn)生的電容值；根據(jù)所述測試墊之間的電容值，所述待測電容的導(dǎo)引線產(chǎn)生的電容值，所述待測電容的桿狀線產(chǎn)生的電容值計算所述待測電容的寄生電容。
上述方法優(yōu)選的一種技術(shù)方案，形成所述導(dǎo)引線后，測量所述兩個測試墊之間的電容值C2，則所述導(dǎo)引線產(chǎn)生的電容值C3 = C2-C1，其中，Cl為所述導(dǎo)引線形成前，所述兩個測試墊之間的電容值。上述方法優(yōu)選的一種技術(shù)方案，形成連接于所述導(dǎo)引線的桿狀線后，測量所述兩個測試墊之間的電容值C4，則所述桿狀線產(chǎn)生的電容值C5 = C4-C2。上述方法優(yōu)選的一種技術(shù)方案，所述待測電容的寄生電容值C6 = C1+C3*X+C5*Y， 其中，X為所述待測電容的導(dǎo)引線與所述選取電容的導(dǎo)引線的尺寸比值，Y為所述待測電容的桿狀線與所述選取電容的桿狀線的尺寸比值。上述方法優(yōu)選的一種技術(shù)方案，比值X等于比值Y。上述方法優(yōu)選的一種技術(shù)方案，X為所述待測電容的導(dǎo)引線與所述選取電容的導(dǎo)引線的長度比值。上述方法優(yōu)選的一種技術(shù)方案，Y為所述待測電容的桿狀線與所述選取電容的桿狀線的長度比值。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的測試方法利用不同電容的桿狀線、導(dǎo)引線產(chǎn)生的電容值與桿狀線、導(dǎo)引線的尺寸之間的比例關(guān)系，通過制作一種電容的去嵌入結(jié)構(gòu)，即可計算出不同電容的寄生電容，從而減小了占用晶圓的面積。


圖1是本發(fā)明的電容DC模型中寄生電容的測量方法的流程圖。圖2到圖5是本發(fā)明的電容DC模型中寄生電容的測量方法的各步驟示意圖。
具體實施例方式本發(fā)明的方法用于測量的寄生電容為由桿狀線、導(dǎo)引線和測試墊產(chǎn)生的寄生電容。本發(fā)明利用不同電容的桿狀線、導(dǎo)引線產(chǎn)生的電容值與桿狀線、導(dǎo)引線的尺寸之間的比例關(guān)系，通過制作一種電容的去嵌入結(jié)構(gòu)，即可計算出不同電容的寄生電容。為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。請參閱圖1，圖1是本發(fā)明的電容DC模型中寄生電容的測量方法的流程圖。本發(fā)明的電容DC模型中寄生電容的測量方法包括如下步驟選取電容，形成用于測量所述選取的電容的兩個測試墊11，如圖2所示，測量所述兩個測試墊11之間的電容值Cl。形成連接于所述測試墊11的導(dǎo)引線12，如圖3所示，測量并計算所述導(dǎo)引線12產(chǎn)生的電容值C3。優(yōu)選的，在形成所述導(dǎo)引線12后，測量所述兩個測試墊12之間的電容值 C2，則兩個測試墊11之間的導(dǎo)引線12產(chǎn)生的電容值C3 = C2-C1。形成連接于所述導(dǎo)引線12的桿狀線13，如圖4所示，測量并計算所述桿狀線13產(chǎn)生的電容值C5。優(yōu)選的，在形成所述桿狀線13后，測量所述兩個測試墊11之間的電容值 C4，則所述桿狀線13產(chǎn)生的電容值C5 = C4-C2。選取待測電容，如圖5所示，利用待測電容的導(dǎo)引線14與所述選取電容的導(dǎo)引線 12的尺寸比值，計算所述待測電容的導(dǎo)引線14產(chǎn)生的電容值C3*X，其中，X為所述待測電容的導(dǎo)引線14與所述選取電容的導(dǎo)引線12的尺寸比值，優(yōu)選的，所述比值為長度比 值。
利用待測電容的桿狀線15與所述選取電容的桿狀線13的尺寸比值，計算所述待測電容的桿狀線15產(chǎn)生的電容值C5*Y，其中，Y為所述待測電容的桿狀線15與所述選取電容的桿狀線13的尺寸比值，優(yōu)選的，所述比值為長度比值，所述比值X也可以與Y相等。根據(jù)所述測試墊11之間的電容值Cl，所述待測電容的導(dǎo)引線14產(chǎn)生的電容值 C3*X，所述待測電容的桿狀線15產(chǎn)生的電容值C5*Y，計算所述待測電容的寄生電容C6 = C1+C3*X+C5*Y。優(yōu)選的，當(dāng)X = Y時，所述待測電容的寄生電容C6 = C1+C3*X+C5*X。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的測試方法利用不同電容的桿狀線、導(dǎo)引線產(chǎn)生的電容值與桿狀線、導(dǎo)引線的尺寸之間的比例關(guān)系，通過制作一種電容的去嵌入結(jié)構(gòu)，即可計算出不同電容的寄生電容，從而減小了占用晶圓的面積。在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下還可以構(gòu)成許多有很大差別的實施例。應(yīng)當(dāng)理解，除了如所附的權(quán)利要求所限定的，本發(fā)明并不限于在說明書中所述的具體實施例。
權(quán)利要求
1.一種電容DC模型中寄生電容的測量方法，其特征在于，包括如下步驟選取電容，形成用于測量所述選取的電容的兩個測試墊，測量所述兩個測試墊之間的電容值；形成連接于所述測試墊的導(dǎo)引線，測量并計算所述導(dǎo)引線產(chǎn)生的電容值；形成連接于所述導(dǎo)引線的桿狀線，測量并計算所述桿狀線產(chǎn)生的電容值；利用待測電容的導(dǎo)引線與所述選取電容的導(dǎo)引線的尺寸比值，計算所述待測電容的導(dǎo)引線產(chǎn)生的電容值；利用待測電容的桿狀線與所述選取電容的桿狀線的尺寸比值，計算所述待測電容的桿狀線產(chǎn)生的電容值；根據(jù)所述測試墊之間的電容值，所述待測電容的導(dǎo)引線產(chǎn)生的電容值，所述待測電容的桿狀線產(chǎn)生的電容值計算所述待測電容的寄生電容。
2.如權(quán)利要求1所述的電容DC模型中寄生電容的測量方法，其特征在于，形成所述導(dǎo)引線后，測量所述兩個測試墊之間的電容值C2，則所述導(dǎo)引線產(chǎn)生的電容值C3 = C2-C1，其中，Cl為所述導(dǎo)引線形成前，所述兩個測試墊之間的電容值。
3.如權(quán)利要求2所述的電容DC模型中寄生電容的測量方法，其特征在于，形成連接于所述導(dǎo)引線的桿狀線后，測量所述兩個測試墊之間的電容值C4，則所述桿狀線產(chǎn)生的電容值 C5 = C4-C2。
4.如權(quán)利要求3所述的電容DC模型中寄生電容的測量方法，其特征在于，所述待測電容的寄生電容值C6 = C1+C3*X+C5*Y，其中，X為所述待測電容的導(dǎo)引線與所述選取電容的導(dǎo)引線的尺寸比值，Y為所述待測電容的桿狀線與所述選取電容的桿狀線的尺寸比值。
5.如權(quán)利要求4所述的電容DC模型中寄生電容的測量方法，其特征在于，X= Y。
6.如權(quán)利要求4所述的電容DC模型中寄生電容的測量方法，其特征在于，X為所述待測電容的導(dǎo)引線與所述選取電容的導(dǎo)引線的長度比值。
7.如權(quán)利要求4所述的電容DC模型中寄生電容的測量方法，其特征在于，Y為所述待測電容的桿狀線與所述選取電容的桿狀線的長度比值。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種電容DC模型中寄生電容的測量方法，包括選取電容，測量兩個測試墊之間的電容值；形成連接于所述測試墊的導(dǎo)引線，測量并計算所述導(dǎo)引線產(chǎn)生的電容值；形成連接于所述導(dǎo)引線的桿狀線，測量并計算所述桿狀線產(chǎn)生的電容值；利用待測電容的導(dǎo)引線、桿狀線與所述選取電容的導(dǎo)引線、桿狀線的尺寸比值，計算所述待測電容的導(dǎo)引線、桿狀線產(chǎn)生的電容值；根據(jù)所述測試墊之間的電容值，所述待測電容的導(dǎo)引線產(chǎn)生的電容值，所述待測電容的桿狀線產(chǎn)生的電容值計算所述待測電容的寄生電容。本發(fā)明的方法能夠減小去嵌入結(jié)構(gòu)占用的晶圓面積。
文檔編號G01R27/26GK102243275SQ20111010332
公開日2011年11月16日 申請日期2011年4月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月25日
發(fā)明者王兵冰 申請人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司