專利名稱：晶片傳送裝置以及具有其的位置感應系統(tǒng)和可視檢查系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種晶片傳送裝置以及具有其的位置感應系統(tǒng)和可視檢查系統(tǒng)，更具體地，涉及一種能夠在檢查晶片期間穩(wěn)定地傳送晶片以改善總厚度變化測量的可靠性的晶片傳送裝置，以及具有其的位置感應系統(tǒng)和可視檢查系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
太陽能電池是一種使用半導體特性將太陽能轉(zhuǎn)換成電能的器件。太陽能電池配置成具有PN結(jié)結(jié)構(gòu)，其中結(jié)合了正⑵型半導體和負(N)型半導體。當太陽光入射到太陽能電池上時，通過入射的太陽光能在半導體中產(chǎn)生空穴和電子。此時，通過在PN結(jié)處產(chǎn)生的電場，空穴(+)被移動到P型半導體側(cè)，而電子(_)被移動到N型半導體側(cè)，結(jié)果產(chǎn)生了電勢從而產(chǎn)生電功率。太陽能電池可分類為薄膜型太陽能電池或者晶片型太陽能電池。薄膜型太陽能電池是通過在諸如玻璃的基板上形成薄膜半導體而制造。晶片型太陽能電池是通過使用諸如硅的半導體材料作為晶片而制造。薄膜型太陽能電池或者晶片型太陽能電池是通過在玻璃、透明塑料或者硅晶片 (以下將‘玻璃、透明塑料或者硅晶片’統(tǒng)一稱作“晶片”)上形成用于PN結(jié)的半導體層并形成電連接到半導體層的正(+)電極和負(_)電極而制造。而且，在晶片型太陽能電池中，還執(zhí)行在其太陽光入射平面上形成抗反射層的工藝，以防止太陽光自PN結(jié)層反射，從而能通過PN結(jié)層傳輸太陽光。使用沉積設備或者濺射設備(以下統(tǒng)一稱作工藝設備)形成半導體層、電極層和抗反射層。在處理晶片的工藝之前或之后，可執(zhí)行檢查晶片上的殘留污染物或者晶片缺陷如裂縫的工藝。特別是，為了降低成本，用于制造太陽能電池的晶片厚度已經(jīng)越來越小。結(jié)果，在制造太陽能電池期間損壞晶片的可能性增加。盡管在太陽能電池制造期間損壞了晶片，但如果不檢查晶片缺陷而對晶片執(zhí)行一工藝，，在晶片上存在裂縫或者在晶片表面上留有污染物，要在需要更多成本的隨后工藝之后處置缺陷晶片。也就是說，對必須要被處置的晶片執(zhí)行了不必要的工藝。因此，浪費了材料且使得工藝復雜化，結(jié)果太陽能電池生產(chǎn)效率降低且浪費成本。而且，除了檢查晶片上殘留污染物的工藝或者檢查晶片裂縫的工藝之外，可能執(zhí)行檢查晶片總厚度變化(或扭擠)的工藝。因此，非常重要的是在制造太陽能電池期間檢查晶片質(zhì)量。如果在晶片表面上留有污染物，在晶片處存在裂縫，或者晶片的總厚度變化不均勻，那么即使對晶片執(zhí)行隨后工藝，產(chǎn)品也不會顯示出理想性能。因此，優(yōu)選的是在執(zhí)行隨后工藝之前檢查晶片并且只要確定晶片是有缺陷的就處置該晶片。檢查晶片總厚度變化的工藝是在被檢查的晶片保持平坦的條件下執(zhí)行的。但是，晶片厚度已經(jīng)越來越薄。在測量晶片厚度期間，由于重力或者由于傳送晶片的傳送帶彎曲而不能確保晶片的平坦狀態(tài)。如果不能確保被檢查的晶片的平坦狀態(tài)，則降低了總厚度變化測量的可靠性，這導致太陽能電池生產(chǎn)效率降低以及成本浪費。而且，晶片檢查工藝是在使用自動設備傳送晶片期間執(zhí)行的。如果由于晶片變得非常薄導致不能穩(wěn)定地支撐由自動傳送裝置高速傳送的晶片， 則會發(fā)生晶片滑移，結(jié)果可能損壞晶片。而且，在傳送晶片期間發(fā)生故障會降低檢查工藝的效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及一種晶片傳送裝置以及具有其的位置感應系統(tǒng)和可視檢查系統(tǒng)，其基本避免了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點導致的一個或多個問題。本發(fā)明的優(yōu)點、目的和特征將部分在下文的說明書中列出，而部分將在本領(lǐng)域技術(shù)人員查閱了下文后顯而易見，或者可通過實踐本發(fā)明而知曉。可通過說明書及其權(quán)利要求書以及所附附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)認識和獲知本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點。為了實現(xiàn)這些目的和其他優(yōu)點以及根據(jù)本發(fā)明的目的，如本文所體現(xiàn)以及廣泛描述的，晶片傳送裝置包括傳送帶，用于在晶片放在傳送帶上的狀態(tài)下傳送晶片；一對驅(qū)動傳送帶的帶輪，和設在傳送帶內(nèi)部空間中的抽吸組塊(suction block)，用于將吸力施加到傳送帶的內(nèi)表面。傳送帶可水平設置，并且抽吸組塊可將吸力施加到傳送帶內(nèi)表面的上部。而且，傳送帶可包括第一傳送帶和第二傳送帶，以及抽吸組塊可包括分別設在第一傳送帶內(nèi)部空間中和第二傳送帶內(nèi)部空間中的第一抽吸組塊和第二抽吸組塊。第一傳送帶和第二傳送帶可通過相同驅(qū)動電機驅(qū)動。這種情況下，晶片傳送裝置還可包括驅(qū)動軸以同時驅(qū)動第一傳送帶和第二傳送帶的帶輪(belt pulley)。第一傳送帶和第二傳送帶之間的距離可小于在垂直于晶片傳送方向的方向上的晶片寬度。而且，可將抽吸組塊配置成長桿形式且可在傳送帶長度方向上將其設置在傳送帶內(nèi)部空間中。抽吸組塊具有大于傳送帶寬度的上部寬度。這種情況下，抽吸組塊的長度可等于或者大于在晶片傳送方向上的晶片寬度的兩倍。而且，抽吸組塊可在其上表面的預定區(qū)域設有多個以預定間隔設置的抽吸孔。設在抽吸組塊上表面的抽吸孔中的至少一個可配置成截面為橢圓或者長孔形式。這種情況下，配置成截面為橢圓或長孔形式的至少一個抽吸孔設在垂直于傳送帶長度方向的方向上。
該預定區(qū)域的長度可等于或大于在晶片傳送方向上晶片寬度的兩倍。而且，晶片傳送裝置還可包括限定在抽吸組塊中的至少一個主要流道，至少一個抽吸口和多個支路流道，通過該抽吸口將吸力施加到該至少一個主要流道的，和通過該支路流道使至少一個主要流道與抽吸孔連通。這種情況下，至少一個主要流道可設置在水平方向上，和在支路流道與至少一個主要流道連通的狀態(tài)下，支路流道可設置在垂直方向上。支路流道的數(shù)目可等于抽吸孔的數(shù)目。至少一個主要流道可包括多個主要流道，和主要流道可在抽吸組塊的長度方向上排列成行。這種情況下，抽吸組塊可具有與每個帶輪的上部端高度相應的上部高度。在本發(fā)明的另一方面中，位置感應系統(tǒng)包括傳送帶，用于在晶片放在傳送帶上的狀態(tài)下傳送晶片；一對驅(qū)動每條傳送帶的帶輪；抽吸組塊，設在每條傳送帶的內(nèi)部空間中以將吸力施加到每條傳送帶內(nèi)表面；和激光傳感器，設在位于傳送帶之間或內(nèi)部的至少一個檢查點上方和/或下方，用于照射激光至由傳送帶傳送的晶片上表面和下表面并感應自晶片上表面或下表面反射的激光，以測量晶片上表面或下表面的相對位置。這種情況下，傳送帶可包括第一傳送帶和第二傳送帶，而抽吸組塊可包括分別設在第一傳送帶內(nèi)部空間中和第二傳送帶內(nèi)部空間中的第一抽吸組塊和第二抽吸組塊。而且，至少一個檢查點可包括設在第一傳送帶和第二傳送帶之間、第一傳送帶外部和第二傳送帶外部的第一至第三檢查點，第一至第三檢查點設置在第一傳送帶和第二傳送帶長度方向的等分線上。激光傳感器可包括分別設在第一至第三檢查點上方和下方的上部激光傳感器和下部激光傳感器。這種情況下，第一傳送帶和第二傳送帶可通過相同的驅(qū)動電機驅(qū)動，而位置感應系統(tǒng)可進一步包括用于同時驅(qū)動第一傳送帶的帶輪和第二傳送帶的帶輪的驅(qū)動軸和用于同時驅(qū)動該驅(qū)動軸的驅(qū)動電機。而且，抽吸組塊配置成長桿形式且可在相應的傳送帶的長度方向上設置該相應的傳送帶的內(nèi)部空間中，并且形成抽吸孔的抽吸組塊的預定區(qū)域的長度可等于或大于晶片傳送方向上晶片寬度的兩倍。而且，至少一個檢查點可設置在第一抽吸組塊的預定區(qū)域和第二抽吸組塊的預定區(qū)域的等分線上。這種情況下，傳送帶的數(shù)目可為N并且至少一個檢查點可包括至少N+1個檢查點。而且，抽吸組塊在其上部表面的預定區(qū)域設有以預定間隔設置的多個抽吸孔。在本發(fā)明的另一方面中，可視檢查系統(tǒng)包括傳送帶，用于在晶片放在傳送帶上的狀態(tài)下傳送晶片；一對驅(qū)動傳送帶的帶輪；抽吸組塊，設在傳送帶的內(nèi)部空間中以將吸力施加到傳送帶的內(nèi)表面；光源，設在傳送帶的上方或下方以將光照射到由傳送帶傳送的晶片的上表面或下表面；和捕獲裝置，設在傳送帶的上方或下方，以捕獲從光源照射的以及自晶片反射的光?？梢岳斫?，前面的一般描述和以下本發(fā)明的詳細說明都是示意性和說明性的，且旨在提供對要求保護的本發(fā)明的進一步解釋。


包括附圖以提供本發(fā)明的進一步理解，并將其結(jié)合到本申請中且其構(gòu)成本申請的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實施例且與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。圖中圖1是晶片檢查工藝的總視圖；圖2(a)至2(c)是示出根據(jù)本發(fā)明的位置感應系統(tǒng)的幾個實施例的平面圖；圖3是示出將被檢查的晶片傳送至根據(jù)本發(fā)明的位置感應系統(tǒng)中檢查點的前面和后面的工藝的平面圖；圖4(a)和4(b)是根據(jù)本發(fā)明的位置感應系統(tǒng)的側(cè)視圖；圖5(a)至5(c)是示出根據(jù)本發(fā)明的位置感應系統(tǒng)實施例的側(cè)視圖；和圖6(a)和6(b)是示出根據(jù)本發(fā)明的可視檢查系統(tǒng)實例的側(cè)視圖。
具體實施例方式現(xiàn)在將詳細參考本發(fā)明的優(yōu)選實施例，附圖中示出了其實例。以下對實施例的詳細描述包括具體細節(jié)，以提供對本發(fā)明的全面理解，和向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分提供本發(fā)明的觀點。盡可能地，貫穿附圖使用相同附圖標記表示相同或相似部件。圖1是太陽能電池晶片檢查工藝的總視圖。該太陽能電池晶片檢查工藝可包括通過至少一個可視檢查單元執(zhí)行的可視檢查工藝，用于檢查太陽能電池晶片表面上的殘留污染物或者晶片表面處的裂縫。參考圖1，可視檢查單元500可包括三個可視檢查單元。提供第一可視檢查單元 100以檢查晶片上表面上的殘留污染物。提供第二可視檢查單元200以檢查晶片下表面上的殘留污染物。提供第三可視檢查單元300以檢查晶片表面處的裂縫。各可視檢查單元可包括傳送晶片的傳送帶110、210和310 ；光源130、230和330， 照射用來檢查晶片的光；和掃描照相機120、220和320，用于捕獲自光源130、230和330照射的光的被反射的光分量或者被傳輸?shù)墓夥至?。掃描照相機120、220和320可以是線掃描照相機，用于掃描晶片表面處形成的預定線。第一可視檢查單元100可基于自第一光源130照射的、自晶片上表面反射的并且通過第一掃描照相機120捕獲的光的信息，檢查被檢查晶片上表面處的污染物或缺陷。以相同方式，第二可視檢查單元200可基于自第二光源230照射的、自晶片下表面反射的并且通過第二掃瞄照像機220捕獲的光的信息，檢查被檢查晶片下表面處的污染物或缺陷。第一可視檢查單元100的光源130和第二可視檢查單元200的光源230可使用可見光作為檢查光。因此，在第一可視檢查單元100和第二可視檢查單元200中，需要將光源130和 230以及掃描照相機120和220裝配成使得自光源130和230入射到晶片上的光的入射角近似等于自晶片反射的光的反射角。可改變第一可視檢查單元100和第二可視檢查單元 200的排列順序。第一可視檢查單元100和第二可視檢查單元200可連續(xù)排列且可具有獨立的傳送
7帶。此外，如圖1中所示，可在第一可視檢查單元100和第二可視檢查單元200的后面提供第三可視檢查單元300。與第一可視檢查單元100和第二可視檢查單元200不同，第三可視檢查單元300 可提供用來檢查晶片處的裂縫。因此，在將被檢查的晶片設置在第三光源330和第三掃描照相機320之間的狀態(tài)下，組裝構(gòu)成第三可視檢查單元300的第三光源330和第三掃描照相機320，以使自第三光源330照射的光穿透晶片且被第三掃描照相機320捕獲以檢查晶片處的裂縫。也就是說，光通過存在裂縫的晶片區(qū)域所捕獲的圖像不同于光通過不存在裂縫的晶片區(qū)域所捕獲的圖像。用于檢查裂縫的第三可視檢查單元300的光源330可使用具有足以穿透由硅制成的晶片的長波光作為檢查光。例如，第三可視檢查單元300的光源330可使用具有近紅外光波長的光作為檢查光。當完成裂縫檢查時，根據(jù)本發(fā)明的位置感應系統(tǒng)1000感應晶片上表面或下表面的相對位置。此處，晶片上表面或下表面的相對位置指晶片上表面或下表面的垂直位置而非晶片上表面或下表面的水平位置。也就是說，可感應被檢查的晶片上表面或下表面的相對位置(高度)以測量晶片的總厚度變化(TTV)。可通過包括激光傳感器的位置感應系統(tǒng)感應晶片上表面或下表面的高度。圖2(a)至2(c)是示出根據(jù)本發(fā)明的晶片傳送裝置以及具有根據(jù)本發(fā)明的晶片傳送裝置的位置感應系統(tǒng)1000的幾個實施例的平面圖。根據(jù)本發(fā)明的位置感應系統(tǒng)1000可包括傳送帶1100，用于在將晶片放在傳送帶1100上的狀態(tài)下傳送晶片；一對驅(qū)動各傳送帶1100的帶輪1400 ；抽吸組塊1500，設在每條傳送帶1100的內(nèi)部空間中以將吸力施加到每條傳送帶1100的內(nèi)表面；設在傳送帶 1100之間或外部的至少一個檢查點1600 ；和設在檢查點1600上方和/或下方的激光傳感器1700 (見圖1和4)，用于照射激光至由傳送帶1100傳送的晶片W的上表面或下表面，并感應自晶片上表面或下表面反射的激光，以測量晶片上表面或下表面的相對位置。此處，傳送帶1100、帶輪1400和抽吸組塊1500，不包括激光傳感器，可構(gòu)成一晶片傳送裝置，其能夠在暴露晶片上表面或下表面的(指定的)部分的狀態(tài)下傳送晶片以除了總厚度變化檢測工藝以外還在其他檢查工藝中檢查晶片。很明顯，晶片傳送裝置可用于在可視檢查單元中傳送晶片以檢查污染物或裂縫。 因此，應當理解，下文將詳細描述的位置感應系統(tǒng)包括根據(jù)本發(fā)明的晶片傳送裝置，其包括在傳送帶1100彼此間隔開的狀態(tài)下并行裝配的多個傳送帶1100，用于在將晶片放在傳送帶1100上的狀態(tài)下傳送晶片；一對驅(qū)動每條傳送帶1100的帶輪1400 ；和至少一個抽吸組塊1500，設在每條傳送帶1100的內(nèi)部空間中以作為核心部件將吸力施加到每條傳送帶 1100的內(nèi)表面。而且，晶片傳送裝置可應用到圖1中所示的可視檢查單元500和圖6中所示的可視檢查系統(tǒng)，下文將描述。下文將參考圖6詳細描述圖6中示出的可視檢查系統(tǒng)。在圖2(a)中示出的實施例中，傳送帶1100包括第一傳送帶IlOOa和第二傳送帶 IlOOb0可在傳送帶1100彼此間隔開的狀態(tài)下并行設置該第一傳送帶IlOOa和第二傳送帶 IlOOb0
當然，對于特定可視檢查，可僅提供一個傳送帶以檢查晶片上表面處的污染物。第一傳送帶IlOOa和第二傳送帶IlOOb可設置在相同高度。而且，第一傳送帶 IlOOa和第二傳送帶IlOOb可具有相同長度。第一傳送帶IlOOa和第二傳送帶IlOOb之間的距離必須小于與晶片傳送方向垂直的方向上的晶片寬度。第一傳送帶IlOOa和第二傳送帶IlOOb可各包括一對帶輪1400(1)和1400(2)。 帶輪1400(1)和1400( 可包括驅(qū)動滑輪1400(1)和從動滑輪1400 )，驅(qū)動滑輪1400(1) 配置成被通過使用驅(qū)動電機所轉(zhuǎn)動的驅(qū)動軸驅(qū)動，而從動滑輪1400( 配置成在從動滑輪 1400(2)轉(zhuǎn)動的狀態(tài)下支撐由驅(qū)動滑輪1400(1)移動的傳送帶1100。當驅(qū)動滑輪和從動滑輪轉(zhuǎn)動時，傳送帶被移動，從而傳送放在傳送帶上的晶片W。而且，可通過相同驅(qū)動軸1300a驅(qū)動該驅(qū)動滑輪1400a (1)和1400b (1)來轉(zhuǎn)動第一傳送帶IlOOa和第二傳送帶1100b。如圖2中所示，由驅(qū)動電機1200驅(qū)動的驅(qū)動軸1300a同時驅(qū)動用于驅(qū)動第一傳送帶IlOOa的第一驅(qū)動滑輪1400a(l)和用于驅(qū)動第二傳送帶IlOOb的第二驅(qū)動滑輪1400b (1)，在驅(qū)動軸1300a轉(zhuǎn)動期間可使該第一驅(qū)動滑輪1400a (1)和第二驅(qū)動滑輪 1400b (1)同時轉(zhuǎn)動。由于在將晶片W放在第一傳送帶IlOOa和第二傳送帶IlOOb上面的狀態(tài)下傳送晶片W，因此第一傳送帶IlOOa和第二傳送帶IlOOb必須具有相同轉(zhuǎn)動速度。因此，第一驅(qū)動滑輪1400a(l)和第二驅(qū)動滑輪1400b (1)的直徑相同。此外，可由相同驅(qū)動軸來驅(qū)動第一驅(qū)動滑輪1400a (1)和第二驅(qū)動滑輪1400b (1)。用于支撐第一傳送帶IlOOa的第一從動滑輪HOOaO)和用于支撐第二傳送帶 IlOOb的第二從動滑輪1400bO)的直徑也是相同的。此外，可通過相同支撐軸1300b可轉(zhuǎn)動地支撐第一從動滑輪1400a ( 和第二從動滑輪1400b (2)。每條傳送帶1100都具有由構(gòu)成帶輪1400的驅(qū)動滑輪1400(1)和從動滑輪 1400(2)所限定的內(nèi)部空間S(見圖4)。在該內(nèi)部空間中，可進一步提供抽吸組塊1500，將吸力施加到每條傳送帶1100的內(nèi)表面?？稍诘谝缓偷诙魉蛶lOOa和IlOOb中每一個處提供將抽吸組塊1500。也就是說，可在第一傳送帶IlOOa的內(nèi)部空間S中提供第一抽吸組塊1500a，而可在第二傳送帶 IlOOb的內(nèi)部空間中提供第二抽吸組塊1500b。因此，可基于構(gòu)成根據(jù)本發(fā)明的晶片傳送裝置的傳送帶以及具有其的位置感應系統(tǒng)的數(shù)目確定抽吸組塊的數(shù)目。而且，如圖2中所示，抽吸組塊1500上表面的寬度優(yōu)選大于每條傳送帶的寬度，從而可穩(wěn)定地抽吸和支撐傳送帶。將吸力施加到第一傳送帶IlOOa和第二傳送帶IlOOb的內(nèi)部，特別是施加到水平裝配的每條傳送帶1100的內(nèi)表面的上部，以使由第一傳送帶IlOOa和第二傳送帶IlOOb傳送的晶片W的厚度測量誤差最小。將抽吸組塊1500配置成長桿形式?？稍诿織l傳送帶1100的長度方向上將抽吸組塊1500設置在每條傳送帶1100的內(nèi)部空間S中。將多個抽吸孔1510以抽吸孔1510彼此間隔開的狀態(tài)設在抽吸組塊1500上表面的預定區(qū)域中，以將吸力施加到被轉(zhuǎn)動的每條傳送帶1100的底部。如圖2(a)中所示，可在抽吸組塊1500上表面的預定區(qū)域提供多個抽吸孔1510。每個抽吸孔1510都可為圓形。替代地，每個抽吸孔1510都可配置成長孔、橢圓或者狹縫形式。也就是說，設在抽吸組塊1500上表面的至少一個抽吸孔1510可配置成截面為橢圓或長孔形式。圖2(b)中示出的抽吸孔1510a’和1510b’配置成在垂直于每條傳送帶1100長度方向的方向上長長地延伸的長孔形式。由于抽吸孔1510a’和1510b’配置成在垂直于每條傳送帶1100長度方向的方向上長長地延伸的長孔形式，因此即使每條傳送帶1100的寬度增加，也可以穩(wěn)定地抽吸每條傳送帶1100，從而改善在測量晶片總厚度變化時的可靠性。在抽吸組塊1500上表面形成的每個抽吸孔1510的長度可與每個抽吸孔1510的面積成比例。隨著每個抽吸孔1510的面積增加，施加到每條傳送帶的單位面積的吸力會減少。因此，根據(jù)系統(tǒng)類型變化地采用抽吸孔的尺寸、形狀和數(shù)量以及抽吸孔之間的間隔。而且，如圖2(c)中所示，可通過交替排列長孔和圓形來配置設在抽吸組塊1500上表面的抽吸孔1510和1510，。根據(jù)本發(fā)明的晶片傳送裝置和具有其的位置感應系統(tǒng)可經(jīng)由多個并行的傳送帶傳送將被檢查的晶片。提供傳送帶1100的原因在于，必須設置提供在各傳送帶1100之間或者傳送帶 1100外部的激光傳感器，以將激光照射到經(jīng)由傳送帶1100傳送的晶片W的上表面或下表面，并感應晶片上表面或下表面的相對位置而不影響傳送帶。在根據(jù)本發(fā)明的晶片傳送裝置和具有其的位置感應系統(tǒng)中，可在傳送帶1100之間或者傳送帶1100外部提供至少一個檢查點，并且可在檢查點1600上方和/或下方提供激光傳感器1700 (見圖4)，用于將激光照射到經(jīng)由傳送帶1100傳送的晶片W的上表面或下表面，并感應自晶片上表面或下表面反射的激光以測量晶片上表面或下表面的相對位置。激光傳感器將激光照射到被檢查的晶片W的上表面和下表面并接收自晶片W的上表面和下表面反射的激光，以測量晶片上表面的位置(高度)和下表面的位置(高度)，以及基于偏差(高度偏差)測量被檢查晶片W的總厚度變化或厚度。可提供多個檢查點1600以測量晶片W的上表面或下表面的相對位置(高度等)。也就是說，在檢查點1600的上方和下方提供將激光照射到晶片W的上表面和下表面的激光傳感器，以便當傳送晶片W時測量晶片W的厚度和晶片W的上表面或下表面的相位位置。因此，可以基于檢查點1600的數(shù)目，關(guān)于晶片W的整體面積精確測量晶片W的厚度或者上表面或下表面的相位位置。如圖2(a)中所示，檢查點1600可包括設在第一傳送帶IlOOa和第二傳送帶IlOOb 外部的第一點1600a和1600c以及設在第一傳送帶IlOOa和第二傳送帶IlOOb之間的第一點1600b。而且，可在每個檢查點1600處提供一對激光傳感器。此處，一對激光傳感器可包括設在晶片上表面上方和晶片下表面下方的激光傳感器。因此，可將總計6個激光傳感器設置在三個檢查點1600a、1600b和1600c的上方
和下方。由于以下將描述的激光傳感器(未示出)設在第一至第三檢查點1600a、1600b和 1600c中每一個的上方和下方，如圖2(c)中所示，因此第一至第三檢查點1600a、1600b和1600c不會干擾傳送帶IlOOa和1100b。因此，在圖2 (a)至2 (c)的平面圖中，可在各傳送帶外部和傳送帶之間提供第一至第三檢查點1600a、1600b和1600c。設在第一傳送帶IlOOa和第二傳送帶IlOOb之間、第一傳送帶IlOOa外部和第二傳送帶IlOOb外部的第一至第三檢查點1600a、1600b和1600c可設置在第一傳送帶IlOOa 和第二傳送帶IlOOb長度方向的等分線1上。抽吸組塊的中心也可設置在第一傳送帶IlOOa 和第二傳送帶IlOOb長度方向上等分線1上，從而當晶片W通過檢查點附近時能夠可靠地實現(xiàn)其上放有晶片W的傳送帶的抽吸。這是因為，由于通過帶輪或者帶輪之間的高度偏差引起的振動，在除了每條傳送帶中間之外的每條傳送帶的區(qū)域中可能在傳送帶之間發(fā)生高度偏差，結(jié)果，降低了總厚度變化測量的可靠性。為此，也可將抽吸組塊設置在能夠被第一傳送帶IlOOa和第二傳送帶IlOOb長度方向的等分線1分成兩部分的區(qū)域中。而且，當如圖2(a)至2 (c)中所示提供兩個傳送帶IlOOa和IlOOb時，可提供三個檢查點。當提供三條傳送帶時，可提供總共四個檢查點。也就是說，晶片的總厚度變化和厚度可在將被檢查的晶片寬度方向上變化，且因此，可增加檢查點的數(shù)目以改善總厚度變化測量的可靠性。當傳送帶數(shù)目增加時，在被限定在各傳送帶之間的空間中提供至少一個激光傳感器。也就是說，可以基于晶片尺寸靈活決定激光傳感器的數(shù)目，和在執(zhí)行總厚度變化測量的位置劃分晶片點。優(yōu)選地，當傳送帶數(shù)目是N時，可提供至少N+1個總厚度變化測量點以改善在垂直于晶片傳送方向的寬度方向上的總厚度變化測量的可靠性。圖3是示出將被檢查的晶片傳送至根據(jù)本發(fā)明的晶片傳送裝置和具有其的位置感應系統(tǒng)中的檢查點的前面和后面的工藝的平面圖。將省略與圖2重復的描述。位于彼此間隔開的多個傳送帶上部的被檢查的晶片通過檢查點。也就是說，<A1> 部分是傳送進入到檢查點的晶片W的部分，和<A2>部分是傳送通過檢查點的晶片W的部分。因此，當通過<A1>部分的晶片W右側(cè)進入到檢查點以便測量晶片W的總厚度變化或厚度時，優(yōu)選在整個部分上方，即<A>部分上方保持通過抽吸組塊1500實現(xiàn)的傳送帶 1100的抽吸狀態(tài)。也就是說，在進入到檢查點之后，優(yōu)選各傳送帶保持由位于整個<A>部分上方的抽吸組塊抽吸，直到晶片完全通過檢查點。換句話說，如果在晶片右側(cè)通過檢查點之后傳送帶1100開始通過各抽吸組塊抽吸，或者如果在晶片左側(cè)通過檢查點之前釋放通過各抽吸組塊實現(xiàn)的傳送帶1100的抽吸，則用于整體厚度變化測量的實驗條件變化，結(jié)果降低了檢查的可靠性。因此，在被檢查的晶片通過檢查點同時，需要保持抽吸組塊和傳送帶1100之間的抽吸。也就是說，優(yōu)選在被檢查的晶片右側(cè)進入檢查點之前，實現(xiàn)通過抽吸組塊1500的傳送帶1100的抽吸，并且直到被檢查的晶片左側(cè)通過檢查點才釋放傳送帶1100的被抽吸狀態(tài)。
因此，需要在被檢查的晶片通過檢查點同時，保持抽吸組塊1500和傳送帶1100之間的被抽吸狀態(tài)。優(yōu)選地，每個抽吸組塊1500都具有等于在傳送方向上晶片寬度d(W)兩倍上的長度d(B) ( > 2*d (W))，從而在被檢查晶片右側(cè)進入檢查點之前就開始通過抽吸組塊1500抽吸傳送帶1100，并且直到被檢查晶片的左側(cè)通過檢查點才釋放傳送帶1100的被抽吸狀態(tài)。提供上述需求，從而在測量被檢查晶片的總厚度變化之前，通過設置在傳送帶下方的抽吸組塊抽吸其上設有被檢查晶片的整個傳送帶。更具體地，由于在每個抽吸組塊1500上表面的預定區(qū)域形成了多個抽吸孔1510， 因此優(yōu)選在每個抽吸組塊1500上表面上形成抽吸孔的預定部分<A>( = <Α1>+<Α2 的長度d( = dl+d2)大于傳送方向上被檢查晶片的寬度d(W)的兩倍。這是由于即使當每個抽吸組塊1500都具有等于在傳送方向上的晶片寬度d(W)兩倍上的長度d(B) ( > 2*d(W))，抽吸孔也并非遍布每個抽吸組塊1500上表面形成。吸力通過形成在每個抽吸組塊上的抽吸孔同時施加。圖4(a)和4(b)是根據(jù)本發(fā)明的晶片傳送裝置和具有其的位置感應系統(tǒng)的側(cè)視圖。具體地，圖4(a)示出了被檢查晶片W進入檢查點的狀態(tài)，和圖4(b)示出了就在被檢查晶片W剛脫離檢查點之前的狀態(tài)。如前所述，可在由各傳送帶1500和帶輪1400限定的內(nèi)部空間S中提供抽吸組塊 1500，以便保證傳送晶片W的每條傳送帶1500的平坦狀態(tài)，測量晶片W的上表面或下表面的相位位置。每個抽吸組塊1500都配置成長桿形式。每個抽吸組塊1500都設置在每條傳送帶1100長度方向上的每條傳送帶1100的內(nèi)部空間S中。每個抽吸組塊1500都將吸力施加到水平排列的每條傳送帶1100的上部。施加到每條傳送帶1100的吸力改善了總厚度變化測量的精度并防止在傳送晶片 W期間可能發(fā)生的晶片滑移。每個抽吸組塊1500可具有限定在其中的至少一個主要流道1530。而且，每個抽吸組塊1500可具有至少一個抽吸口巧40，通過該抽吸口將吸力施加到主要流道1530。此外， 每個抽吸組塊1500可具有多個支路流道1520，以允許主要流道和抽吸孔1510(見圖3)彼此連通?？赏ㄟ^形成在每個抽吸組塊1500上的抽吸孔獨立施加吸力。但是，在根據(jù)本發(fā)明的晶體傳送裝置以及具有其的位置感應系統(tǒng)中，在每個抽吸組塊1500中提供用于將吸力施加到抽吸孔的至少一個主要流道1530，并且抽吸孔通過支路流道1520與主要流道連通。在圖4(a)和4(b)中示出的實施例中，每個抽吸組塊1500都具有限定于其中的主要流道1500和兩個抽吸口 IMOa和1540b，通過該抽吸口 IMOa和IMOb將吸力(真空壓力或負壓)施加到主要流道1500?？筛鶕?jù)主要流道1530的長度決定抽吸口的數(shù)目。每個抽吸口 IMOa和IMOb可連接到真空泵，以將吸力施加到主要流道1530。如圖4(a)和4(b)中所示，在支路流道1520與主要流道1530連通的狀態(tài)下，可在水平方向上提供主要流道，以及在垂直方向上提供支路流道1520。由于每條傳送帶1100都水平設置，且抽吸孔形成在每個抽吸組塊1500中，以使抽吸孔在每條傳送帶1100的長度方向上彼此間隔，因此也可在與每條傳送帶1100的裝配方向相同的方向上、即水平地形成主要流道1530。 支路流道1520的數(shù)目可等于抽吸孔的數(shù)目。也就是說，支路流道1520可與抽吸孔一一對應，以便通過抽吸孔均勻地保持每條傳送帶1100的吸力。而且，每個抽吸組塊1500 上表面的高度hi優(yōu)選對應于每個帶輪1400頂部的高度h2。也就是說，如果每個抽吸組塊1500上表面的高度hi高于每個帶輪1400頂部的高度h2，則在抽吸組塊和傳送帶之間的摩擦力可能增加。另一方面，如果每個抽吸組塊1500 上表面的高度hi低于每個帶輪1400頂部的高度h2，則傳送帶彎曲增加。而且，根據(jù)本發(fā)明的位置感應系統(tǒng)可包括設在檢查點上方和/或下方的激光傳感器1700，用于將激光照射至由傳送帶1100傳送的晶片上表面或下表面并感應自晶片上表面或下表面反射的激光，以測量晶片上表面或下表面的相對位置。由于激光傳感器1700將激光照射到一目標并感應自該目標上表面和下表面反射的激光以測量反射點的高度、基于該目標上表面和下表面之間的高度偏差測量該目標厚度并測量該目標上表面和下表面的高度，因此除了該目標高度之外還可以測量該目標反射點的方向轉(zhuǎn)變或者該目標的上表面或下表面的相對位置。因此，在能夠正確證實該目標上表面或下表面的高度的情況下，將激光傳感器設在該目標的下表面下方或者該目標的上表面上方，以測量該目標厚度，從而測量該目標下表面或上表面的高度。因此，可不在該目標的上表面上方和該目標下表面下方提供激光傳感器以測量該目標厚度或者該目標上表面或下表面的相對位置。于圖4(a)和4(b)中示出的根據(jù)本發(fā)明的位置感應系統(tǒng)1000可包括設在檢查點 (見圖幻上方和下方的上部激光傳感器1700a和下部激光傳感器1700b，以測量通過傳送帶1100傳送的晶片W的上表面和下表面的高度，并由此測量晶片W的總厚度變化或者厚度。上部激光傳感器1700a和下部激光傳感器1700b可將激光照射到通過檢查點的晶片W的上表面和下表面，并感應自晶片W的上表面和下表面反射的激光以測量通過檢查點的晶片的上表面和下表面的高度。每個激光傳感器1700都可包括；將激光照射至晶片的上表面或下表面的激光二極管；感應反射的激光的光學元件(CMOS元件)；和將所反射的光會聚到光學元件的聚光透鏡。而且，可將用于感應具有固定反射角的激光的傳感器和用于感應具有變化反射角的激光的傳感器用作各激光傳感器。以下，將描述采用了用于感應具有變化反射角的激光的傳感器的實施例。因此，可以根據(jù)晶片厚度變化、基于其上聚焦了反射激光的光學元件的像素位置來測量表面高度。如圖4 (a)中所示，通過設在晶片W的上表面上方和晶片W的下表面下方的上部激光傳感器1700a和下部激光傳感器1700b檢測進入到檢查點的晶片W的總厚度變化或者厚度。上部激光傳感器1700a和下部激光傳感器1700b可感應通過傳送帶1100傳送的晶片在晶片傳送方向上的厚度變化。而且，如前文參考圖2和3描述的，可提供多個檢查點。這種情況下，可以證實晶片的總厚度分布或者整個晶片上表面或下表面的相對位置。當從上部激光傳感器1700a照射的光以角度θ 1(圖4(a))自晶片上表面在晶片右側(cè)附近反射同時自上部激光傳感器1700a照射的光以角度θ 1’(圖4(b))自晶片上表面在晶片左側(cè)附近反射、和自下部激光傳感器1700b照射的光以角度Θ2(圖4(a))自晶片下表面在晶片右側(cè)附近反射同時自下部激光傳感器1700b的光以角度Θ2’(圖4(b))自晶片下表面在晶片左側(cè)附近反射時，可看出晶片的厚度分布在晶片傳送方向是變化的。如果這種厚度變化超出容許誤差，則可識別并挑選出該晶片，從而防止對該晶片不必要的后處理。圖5(a)至5(c)是根據(jù)本發(fā)明的晶片傳送裝置以及具有其的位置感應系統(tǒng)的實施例的側(cè)視圖。將省略與圖1至4重復的描述。在圖5(a)中示出的實施例中，主要流道被限定在每個抽吸組塊1530中。但是，與上文描述不同，僅提供一個抽吸口巧40，通過其向主要流道1530施加吸力。也就是說，當主要流道長度較小時，可減少抽吸口 1540的數(shù)目。在圖5(b)中示出的實施例與圖5(a)中示出的實施例相同點在于提供了主要流道和抽吸口。但是，圖5(b)中示出的實施例與圖5(a)中示出的實施例不同點在于將主要流道分成第一主要流道1530(1)和第二主要流道1530(2)。也就是說，當根據(jù)晶片的位置和尺寸，不必將吸力施加到不必要的區(qū)域時，可以根據(jù)傳送晶片的位置通過分開的主要流道1530(1)和1530(2)選擇性地施加吸力。而且，當真空泵負載量較小結(jié)果難以遍及長的主要流道施加真空壓力時，可將主要流道分成多個流道，通過其選擇性地施加吸力。圖5(c)中示出的實施例與圖5(b)中示出的實施例的相同點在于將主要流道分成了第一主要流道1530(1)和第二主要流道153(K2)。但是，圖5(c)中示出的實施例與圖5(b)中示出的實施例的不同點在于提供了兩個抽吸口以將吸力施加到每個主要流道 1530(1)和 1530(2)?？稍诿總€抽吸組塊的長度方向上將主要流道1530(1)和1530( 排列成行。當主要流道1530⑴和153(K2)中的一個較長或者當真空泵的功率不足時，分隔主要流道1530 (1)和1530 (2)，可在各自的主要流道1530 (1)和1530 (2)中形成多個抽吸口 1540a (1)、IMOb (1)、1540a (2)和1M0M2)，并且可將獨立的真空泵連接到各自的抽吸口以施加吸力。因此，在如上所述的根據(jù)本發(fā)明的晶片傳送裝置和具有其的位置感應系統(tǒng)中，可以在檢查晶片期間穩(wěn)定地傳送晶片，從而改善晶片總厚度變化的可靠性，降低半導體缺陷率并實現(xiàn)成本降低。圖6 (a)和6 (b)是示出根據(jù)本發(fā)明可視檢查系統(tǒng)實例的側(cè)視圖。更具體地，圖6 (a) 是示出檢查晶片上表面的可視檢查系統(tǒng)的側(cè)視圖，和圖6(b)是示出檢查晶片底部的可視檢察系統(tǒng)的側(cè)視圖。將省略與圖1至5重復的描述。圖6 (a)和6(b)中所示的可視檢查系統(tǒng)可包括傳送帶2100，用于在將晶片W放在傳送帶2100上的狀態(tài)下傳送晶片W ；—對驅(qū)動傳送帶2100的帶輪1400 ；設在傳送帶2100 的內(nèi)部空間S中的抽吸組塊2500，用于將吸力施加到傳送帶2100的內(nèi)表面；設在傳送帶 2100的上方或下方的光源觀00，照射由傳送帶2100傳送的晶片W的上表面或下表面；和捕獲裝置2700，用于捕獲自光源觀00照射以及自晶片反射的光。提供之前參考圖1描述的第一至第三可視檢查單元100、200和300，以通過線掃描主要檢查污染物和裂縫。但是，圖6中示出的可視檢查系統(tǒng)2000可通過捕獲晶片的預定區(qū)域的區(qū)域掃描而非線掃描來檢查晶片表面。而且，在圖6中示出的可視檢查系統(tǒng)2000中，用于捕獲自光源觀00照射的光的捕獲裝置2700設置在晶片W的上表面上方或者晶片W的下表面下方，以根據(jù)晶片被檢查表面是晶片的上表面還是下表面來捕獲晶片W的上表面或者晶片W的下表面。因此，在圖6(a)中示出的實施例中，在將晶片W放在傳送帶2100上的狀態(tài)下，在經(jīng)由傳送帶2100傳送的晶片W上表面上方提供上部捕獲裝置2700a。另一方面，在圖6(b) 中示出的實施例中，在將晶片W放在傳送帶2100上的狀態(tài)下，可在通過傳送帶2100傳送的晶片W的下表面下方提供下部捕獲裝置2700b。而且，可在上部捕獲裝置2700a和下部捕獲裝置2700b附近提供至少一個光源。 如圖6(a)和6(b)中所示，將一對光源^OOa提供在上部捕獲裝置2700a的前面和后面，和將一對光源2800b提供在下部捕獲裝置2700b的前面和后面。光源2800a和2800b排列成 “V”形以使所捕獲圖像的亮度偏差最小?？裳b配上部捕獲裝置2700a和下部捕獲裝置2700b以在垂直方向上捕獲晶片上表面和下表面。在圖6(b)中示出的實施例中，必須暴露出晶片下表面以捕獲晶片的下表面。因此，可提供多個傳送帶使得傳送帶彼此間隔，以暴露出晶片的下表面。換句話說，對于可視檢查系統(tǒng)，不必僅檢查晶片的上表面而包括多個傳送帶。在圖6(a)和6(b)中示出的可視檢查系統(tǒng)2000中，捕獲自各個光源照射和自晶片反射的光以檢查晶片表面上特定區(qū)域的缺陷。而且，圖6(a)和6(b)中示出的可視檢查系統(tǒng)2000包括構(gòu)成根據(jù)本發(fā)明的晶片傳送裝置的傳送帶2100、帶輪MOO和抽吸組塊2500，用于穩(wěn)定地傳送被檢查的晶片。如前所述，除了圖6(a)和6(b)中示出的可視檢查系統(tǒng)之外，包括抽吸組塊以在傳送晶片期間抽吸傳送帶的晶片傳送裝置也可用于圖1中示出的各可視檢查單元。在根據(jù)本發(fā)明的晶片傳送裝置和具有其的位置感應系統(tǒng)中，可以在檢查晶片期間穩(wěn)定地傳送晶片。而且，在根據(jù)本發(fā)明的晶片傳送裝置和具有其的位置感應系統(tǒng)中，可以改善總厚度變化檢測的可靠性。而且，在根據(jù)本發(fā)明的晶片傳送裝置和具有其的位置感應系統(tǒng)中，可以改善總厚度變化檢測的可靠性，從而降低半導體的缺陷率并實現(xiàn)成本降低。對本領(lǐng)域技術(shù)人員很明顯的是，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下可對本發(fā)明作出各種改進和變化。由此，只要落在所附的權(quán)利要求以及其等價物的范圍內(nèi)，本發(fā)明意在覆蓋本發(fā)明的這種修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種晶片傳送裝置，包括傳送帶，用于在晶片放在傳送帶上的狀態(tài)下傳送晶片；一對驅(qū)動傳送帶的帶輪；和抽吸組塊，設在傳送帶內(nèi)部空間中，用于將吸力施加到傳送帶內(nèi)表面。
2.如權(quán)利要求1所述的晶片傳送裝置，其中傳送帶水平設置，且抽吸組塊將吸力施加到傳送帶內(nèi)表面的上部。
3.如權(quán)利要求1所述的晶片傳送裝置，其中傳送帶包括第一傳送帶和第二傳送帶，且抽吸組塊包括分別設在第一傳送帶內(nèi)部空間中和第二傳送帶內(nèi)部空間中的第一抽吸組塊和第二抽吸組塊。
4.如權(quán)利要求3所述的晶片傳送裝置，其中第一傳送帶和第二傳送帶通過相同驅(qū)動電機驅(qū)動。
5.如權(quán)利要求4所述的晶片傳送裝置，還包括驅(qū)動軸，用于同時驅(qū)動第一傳送帶和第二傳送帶的帶輪。
6.如權(quán)利要求3所述的晶片傳送裝置，其中第一傳送帶和第二傳送帶之間的距離小于在垂直于晶片傳送方向的方向上的晶片寬度。
7.如權(quán)利要求1所述的晶片傳送裝置，其中抽吸組塊配置成長桿形式且在傳送帶的長度方向上設置在傳送帶的內(nèi)部空間中。
8.如權(quán)利要求7所述的晶片傳送裝置，其中抽吸組塊具有大于傳送帶寬度的上部寬度。
9.如權(quán)利要求1所述的晶片傳送裝置，其中抽吸組塊具有等于或者大于在晶片傳送方向上的晶片寬度兩倍的長度。
10.如權(quán)利要求1所述的晶片傳送裝置，其中抽吸組塊在其上表面的預定區(qū)域設有多個以預定間隔設置的抽吸孔。
11.如權(quán)利要求10所述的晶片傳送裝置，其中設在抽吸組塊上表面的至少一個抽吸孔配置成截面為橢圓或者長孔形式。
12.如權(quán)利要求11所述的晶片傳送裝置，其中配置成截面為橢圓或者長孔形式的至少一個抽吸孔設在垂直于傳送帶長度方向的方向上。
13.如權(quán)利要求10所述的晶片傳送裝置，其中預定區(qū)域具有等于或者大于在晶片傳送方向上的晶片寬度兩倍的長度。
14.如權(quán)利要求10所述的晶片傳送裝置，還包括限定在抽吸組塊中的至少一個主要流道、至少一個抽吸口以及多個支路流道，通過至少一個抽吸口將吸力施加到至少一個主要流道，以及通過多個支路流道使至少一個主要流道與抽吸孔連通。
15.如權(quán)利要求14所述的晶片傳送裝置，其中，在支路流道與至少一個主要流道連通的狀態(tài)下，該至少一個主要流道設置在水平方向上，而該支路流道設置在垂直方向上。
16.根據(jù)權(quán)利要求14的晶片傳送裝置，其中支路流道的數(shù)目等于抽吸孔的數(shù)目。
17.如權(quán)利要求14的晶片傳送裝置，其中至少一個主要流道包括多個主要流道，并且該主要流道在抽吸組塊的長度方向上排列成行。
18.如權(quán)利要求1所述的晶片傳送裝置，其中抽吸組塊具有對應于每個帶輪的上部端高度的上部高度。
19.一種位置感應系統(tǒng)，包括傳送帶，用于在晶片放在傳送帶上的狀態(tài)下傳送晶片；一對驅(qū)動傳送帶的帶輪；抽吸組塊，設在傳送帶內(nèi)部空間中，用于將吸力施加到傳送帶的內(nèi)表面；和激光傳感器，設在位于傳送帶外部的至少一個檢查點上方和/或下方，用于將激光照射到由傳送帶傳送的晶片的上表面和/或下表面，并感應自晶片上表面和/或下表面反射的激光，以測量晶片上表面和/或下表面的相對位置。
20.如權(quán)利要求19所述的位置感應系統(tǒng)，其中傳送帶包括第一傳送帶和第二傳送帶， 并且抽吸組塊包括分別設在第一傳送帶內(nèi)部空間中和第二傳送帶內(nèi)部空間中的第一抽吸組塊和第二抽吸組塊。
21.如權(quán)利要求20所述的位置感應系統(tǒng)，其中至少一個檢查點包括第一至第三檢查點，其設在第一傳送帶和第二傳送帶之間，在第一傳送帶外部和第二傳送帶外部，該第一至第三檢查點位于第一傳送帶和第二傳送帶長度方向上的等分線上。
22.如權(quán)利要求21所述的位置感應系統(tǒng)，其中激光傳感器包括分別設在第一至第三檢查點上方和下方的上部激光傳感器和下部激光傳感器。
23.如權(quán)利要求20所述的位置感應系統(tǒng)，其中第一傳送帶和第二傳送帶通過相同驅(qū)動電機驅(qū)動，并且位置感應系統(tǒng)還包括用于同時驅(qū)動第一傳送帶的帶輪和第二傳送帶的帶輪的驅(qū)動軸，和用于同時驅(qū)動該驅(qū)動軸的驅(qū)動電機。
24.如權(quán)利要求19所述的位置感應系統(tǒng)，其中抽吸組塊配置成長桿形式且在相應的傳送帶的長度方向上設置在該相應的傳送帶的內(nèi)部空間中，以及形成有抽吸孔的抽吸組塊的預定區(qū)域的長度等于或大于晶片傳送方向上的晶片寬度的兩倍。
25.如權(quán)利要求20所述的位置感應系統(tǒng)，其中至少一個檢查點位于第一抽吸組塊的預定區(qū)域和第二抽吸組塊的預定區(qū)域的等分線上。
26.如權(quán)利要求19所述的位置感應系統(tǒng)，其中傳送帶的數(shù)目是N，并且至少一個檢查點包括至少N+1個檢查點。
27.如權(quán)利要求19所述的位置感應系統(tǒng)，其中抽吸組塊在其上表面的預定區(qū)域設有多個以預定間隔設置的抽吸孔。
28.—種可視檢查系統(tǒng)，其包括傳送帶，用于在晶片設在傳送帶上的狀態(tài)下傳送晶片；一對驅(qū)動傳送帶的帶輪；抽吸組塊，設在傳送帶的內(nèi)部空間中，用于將吸力施加到傳送帶內(nèi)表面；設在傳送帶的上方或下方的光源，用于照射光至通過傳送帶傳送的晶片的上表面或下表面；和捕獲裝置，設在傳送帶的上方和下方，用于捕獲自光源照射和自晶片反射的光。
全文摘要
本發(fā)明涉及了一種晶片傳送裝置，其用于在檢查晶片期間穩(wěn)定傳送晶片，從而改善總厚度變化檢測的可靠性，以及一種具有其的位置感應系統(tǒng)和可視檢查系統(tǒng)。
文檔編號G01S17/06GK102263160SQ201110148080
公開日2011年11月30日 申請日期2011年5月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月25日
發(fā)明者李暻植, 林裁瑛, 金昌顯 申請人:韓美半導體株式會社