專利名稱：：電路組件孔鏈接構(gòu)及其布局方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種集成電路制程及集成電路測(cè)試結(jié)構(gòu)，尤指作為測(cè)試電路的電路組件孔鏈接構(gòu)及其布局方法。
背景技術(shù)：
：由于通訊、網(wǎng)絡(luò)、及計(jì)算機(jī)等各式可攜式(Portable)電子產(chǎn)品及其周邊產(chǎn)品輕薄短小的趨勢(shì)的日益重要，且該等電子產(chǎn)品是朝多功能及高性能的方向發(fā)展，半導(dǎo)體制程上則不斷朝向積體化更高的制程演進(jìn)，且高密度的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)為業(yè)者追求的目標(biāo)。如此一來(lái)，所制造具有更高密度的半導(dǎo)體芯片的可靠度測(cè)試也越顯重要。為了達(dá)到測(cè)試半導(dǎo)體芯片可靠度的目的，通常必須于芯片上設(shè)置測(cè)試電路，以判斷可能導(dǎo)致半導(dǎo)體電路發(fā)生缺陷的制程參數(shù)或變量?；跍y(cè)試半導(dǎo)體芯片可靠度所設(shè)置的測(cè)試電路，可稱為制程監(jiān)控(PCM)，典型上，可借由于晶片周?chē)蚪锹湓O(shè)置孔鏈(viachain)作為用于制程監(jiān)控的測(cè)試電路。于現(xiàn)有技術(shù)中，孔鏈?zhǔn)墙?jīng)設(shè)計(jì)成如圖I所示的矩形外觀，主要用于在直流測(cè)試(DCtesting)中檢查電阻值變異。但是對(duì)于先進(jìn)的半導(dǎo)體制造技術(shù)而言，此類(lèi)孔鏈將明顯受到射頻耦合及串音效應(yīng)的影響。舉例而言，圖I所示的矩形孔鏈具有節(jié)省尺寸面積的優(yōu)點(diǎn)，但對(duì)于饋入交流信號(hào)(ACsignal)或射頻信號(hào)(RFsignal)的測(cè)試情況而言,此類(lèi)外觀卻存在有相當(dāng)程度的邊緣寄生電容(fringingparasiticcapacitance)Cp。具體而言，對(duì)于此類(lèi)孔鏈而言，當(dāng)進(jìn)行上述交流或射頻測(cè)試時(shí)，信號(hào)將通過(guò)該等邊緣寄生電容Cp,進(jìn)而使得對(duì)通孔電阻值(viaresistance)的評(píng)估發(fā)生錯(cuò)誤。因此，如何提出一種可應(yīng)用于直流測(cè)試中，同時(shí)能夠于交流或射頻測(cè)試中達(dá)到降低射頻耦合及串音效應(yīng)所造成的影響，以避免上述種種缺失的電路組件孔鏈接構(gòu)，實(shí)為目前各界亟欲解決的技術(shù)問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的主要目的在于提供一種電路組件孔鏈接構(gòu)及其布局方法，能夠于交流或射頻測(cè)試中有效地降低射頻耦合及串音效應(yīng)所造成的影響。本發(fā)明所提供的電路組件孔鏈接構(gòu)包括包括多個(gè)彼此間隔排列為環(huán)狀的第一金屬片的第一金屬層；形成于各該第一金屬片上的多個(gè)通孔；以及形成于該多個(gè)通孔上的第二金屬層，該第二金屬層包括多個(gè)彼此間隔排列為環(huán)狀的第二金屬片，其中，各該第一金屬片與第二金屬片彼此錯(cuò)位，并通過(guò)各該通孔電性連接該第一金屬片與第二金屬片，以構(gòu)成串聯(lián)結(jié)構(gòu)。此外，本發(fā)明還提供一種電路組件孔鏈接構(gòu)布局方法，包括形成包括多個(gè)彼此間隔排列為環(huán)狀的第一金屬片的第一金屬層；于各該第一金屬片上形成至少二個(gè)通孔；以及于該通孔上形成第二金屬層，包括多個(gè)彼此間隔排列為環(huán)狀的第二金屬片，其中，各該第一金屬片與第二金屬片彼此錯(cuò)位，并藉由各該通孔電性連接該第一金屬片與第二金屬片，以構(gòu)成串聯(lián)結(jié)構(gòu)。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明不但能夠有效地避免或降低孔鏈接構(gòu)之間產(chǎn)生邊緣寄生電容Cp，并能降低射頻耦合及串音效應(yīng)，通過(guò)對(duì)通孔電阻值的正確評(píng)估，顯著改善對(duì)于半導(dǎo)體制程測(cè)試的可靠度。圖I為示意地描繪現(xiàn)有半導(dǎo)體制程中作為測(cè)試電路的矩形孔鏈的上視圖；圖2A及圖2B分別顯示本發(fā)明第一實(shí)施例的電路組件孔鏈接構(gòu)的上視圖及局部立體圖；圖3A至圖3C為本發(fā)明的電路組件孔鏈接構(gòu)布局方法示意圖；以及圖4為本發(fā)明第二實(shí)施例的電路組件孔鏈接構(gòu)的上視圖。主要組件符號(hào)說(shuō)明2、4電路組件孔鏈接構(gòu)20第一金屬層202,402第一金屬片202a第一端點(diǎn)202b第二端點(diǎn)210接地環(huán)211第一接地墊片212第一信號(hào)墊片213第二接地墊片214第二信號(hào)墊片215第三接地墊片22第二金屬層224,424第二金屬片224a第三端點(diǎn)224b第四端點(diǎn)24、44通孔25硅基材26介電層261開(kāi)口。具體實(shí)施例方式以下通過(guò)特定的具體實(shí)施方式說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員可由本說(shuō)明書(shū)所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明也可通過(guò)其它不同的具體實(shí)施方式加以施行或應(yīng)用，本說(shuō)明書(shū)中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在未悖離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾與變更。須知，本說(shuō)明書(shū)所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說(shuō)明書(shū)所揭示的內(nèi)容，以供熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員進(jìn)行了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的限定條件，故不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時(shí)，本說(shuō)明書(shū)中所引用的如“第一”、“第二”、“第三”、“第四”、“上方”及“一”等用語(yǔ)，也僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的范圍，其相對(duì)關(guān)系的改變或調(diào)整，在無(wú)實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，也當(dāng)視為本發(fā)明可實(shí)施的范疇。第一實(shí)施例請(qǐng)參照?qǐng)D2A及圖2B，其為本發(fā)明第一實(shí)施例的電路組件孔鏈接構(gòu)2的上視圖和局部立體圖。如圖所示，該電路組件孔鏈接構(gòu)2是呈現(xiàn)環(huán)狀的結(jié)構(gòu)，且具有第一金屬層20、第二金屬層22及多個(gè)形成于該第一金屬層20上的通孔24,該第二金屬層22位于該第一金屬層20的上方,其中，該第一金屬層20具有多個(gè)第一金屬片202,該第二金屬層22具有多個(gè)第二金屬片224。該多個(gè)第一金屬片202彼此之間是以適當(dāng)?shù)拈g隔排列為環(huán)狀，且以兩個(gè)相鄰的第一金屬片202是以頭尾相鄰的形式形成環(huán)狀的結(jié)構(gòu)。舉例而言，如圖所示，該多個(gè)第一金屬片202皆分別具有第一端點(diǎn)202a及第二端點(diǎn)202b,其中，一該第一金屬片202的第一端點(diǎn)202a與相鄰的另一第一金屬片202的第二端點(diǎn)202b相鄰，據(jù)此形成環(huán)狀的結(jié)構(gòu)，且各該通孔24分別形成于該第一金屬片202的第一端點(diǎn)202a和第二端點(diǎn)202b上。該第二金屬層22，是形成于該多個(gè)通孔24上，該第二金屬層22包括多個(gè)彼此間隔排列為環(huán)狀的第二金屬片224，其中，各該第一金屬片202與第二金屬片224彼此錯(cuò)位，并通過(guò)各該通孔24電性連接該第一金屬片202與第二金屬片224，以構(gòu)成串聯(lián)結(jié)構(gòu)。同樣地，該多個(gè)第二金屬片224彼此之間也是以適當(dāng)?shù)拈g隔排列為環(huán)狀，且兩個(gè)相鄰的第二金屬片224是頭尾相鄰形成環(huán)狀的結(jié)構(gòu)。舉例而言，如圖所示，該多個(gè)第二金屬片224皆分別具有第三端點(diǎn)224a及第四端點(diǎn)224b，其中，且該第三端點(diǎn)224a對(duì)應(yīng)位于該第一端點(diǎn)202a上的通孔24上，該第四端點(diǎn)224b對(duì)應(yīng)位于該第二端點(diǎn)202b上的通孔24上。此外，如圖所示，該多個(gè)第一金屬片202可排列為橢圓形，且該多個(gè)第二金屬片224也可排列為橢圓形，但也可排列為圓形或其它環(huán)狀外形。此外，于本發(fā)明的實(shí)施方式中，可進(jìn)一步包含接地環(huán)210及第一、第二、第三接地墊片211、213、215及第一、第二信號(hào)墊片212、214。須特別注意的是，該第一、第二、第三接地墊片211、213、215是電性連接至該接地環(huán)210，而該第一信號(hào)墊片212是電性連接至該第一金屬層20或該第二金屬層22;第二信號(hào)墊片214是電性連接至該第一金屬層20或該第二金屬層22，也就是說(shuō)，該等接地墊片與該等信號(hào)墊片兩者是互相電性絕緣的。舉例而言，該第一信號(hào)墊片212電性連接至上述的串聯(lián)結(jié)構(gòu)，以將交流或射頻測(cè)試信號(hào)饋入該電路組件孔鏈接構(gòu)2，且該第二信號(hào)墊片214也是電性連接至上述的串聯(lián)結(jié)構(gòu)，以接收來(lái)自該電路組件孔鏈接構(gòu)2的交流或射頻測(cè)試輸出信號(hào)。為得到本發(fā)明的孔鏈接構(gòu)，本發(fā)明還提供一種電路組件孔鏈接構(gòu)布局方法，該布局方法主要包括形成第一金屬層20,其包括多個(gè)彼此間隔排列為環(huán)狀的第一金屬片202；于各該第一金屬片202上形成至少二個(gè)通孔24;以及于該通孔上形成第二金屬層22，其包括多個(gè)彼此間隔排列為環(huán)狀的第二金屬片224，其中，各該第一金屬片202與第二金屬片224彼此錯(cuò)位，并通過(guò)各該通孔24電性連接該第一金屬片202與第二金屬片224，以構(gòu)成串聯(lián)結(jié)構(gòu)。請(qǐng)參閱圖3A至圖3C，其用于詳細(xì)說(shuō)明該電路組件孔鏈接構(gòu)的布局方法。首先，準(zhǔn)備一娃基材25,例如，于一晶片上形成第一金屬層20,其包括多個(gè)彼此間隔排列為環(huán)狀的第一金屬片202。接著，如圖3B所不，形成介電層26于該娃基材25和該第一金屬層20上,該介電層26具有多個(gè)外露部分該第一金屬層20的開(kāi)口261。如圖3C所示，于該開(kāi)口261中透過(guò)如電鍍的方式形成通孔24;以及于該介電層26上形成第二金屬層22。更具體而言，各該第一金屬片202具有第一端點(diǎn)202a和第二端點(diǎn)202b,且一該第一金屬片202的第一端點(diǎn)202a與相鄰的另一第一金屬片202的第二端點(diǎn)202b相鄰,且各該通孔24分別形成于該第一金屬片202的第一端點(diǎn)202a和第二端點(diǎn)202b上。各該第二金屬片224具有第三端點(diǎn)224a和第四端點(diǎn)224b，且該第三端點(diǎn)224a對(duì)應(yīng)位于該第一端點(diǎn)202a上的通孔24上，該第四端點(diǎn)224b對(duì)應(yīng)位于該第二端點(diǎn)202b上的通孔24上。在此須特別強(qiáng)調(diào)的是，該硅基材25也可以其它電路基板材料代替，如印刷電路板、III-V族基板、絕緣體基板等。第二實(shí)施例請(qǐng)參照?qǐng)D4，其為本發(fā)明第二實(shí)施例的電路組件孔鏈接構(gòu)4的上視圖。相較于第一實(shí)施例的電路組件孔鏈接構(gòu)，除了省略該接地環(huán)210及該等接地墊片211、213、215以外，該電路組件孔鏈接構(gòu)4不同之處在于第一金屬片402的形狀并非規(guī)則的矩形。該電路組件孔鏈接構(gòu)4同樣是由多個(gè)第一金屬片402、多個(gè)第二金屬片424及多個(gè)通孔44所構(gòu)成。本實(shí)施例所欲強(qiáng)調(diào)的是，該電路組件孔鏈接構(gòu)并不受限于該等第一金屬片402及第二金屬片424甚至該等通孔44的形狀，主要目的在于避免或降低邊緣寄生電容Cp于交流或射頻測(cè)試中降低射頻耦合及造成串音效應(yīng)。此外，應(yīng)留意到，本發(fā)明上述實(shí)施方式中僅僅以兩層金屬層作為說(shuō)明范例，然而，本發(fā)明并不限定于此，也就是說(shuō)，本發(fā)明上述各實(shí)施方式皆可類(lèi)推并應(yīng)用至具有多層金屬層的情況。綜上所述，本發(fā)明的電路組件孔鏈接構(gòu)及其布局方法，能夠利用類(lèi)似環(huán)狀的結(jié)構(gòu)避免或降低孔鏈之間的邊緣寄生電容Cp，借此提升射頻耦合，同時(shí)避免發(fā)生串音。另外，相較于現(xiàn)有的矩形孔鏈接構(gòu)，本發(fā)明的孔鏈接構(gòu)能夠使得于交流或射頻測(cè)試中對(duì)通孔電阻值的評(píng)估更加正確，以供使用者判斷可能導(dǎo)致半導(dǎo)體電路發(fā)生缺陷的制程參數(shù)或變量，同時(shí)提升半導(dǎo)體裝置及制程的可靠度。上述實(shí)施方式僅例示性說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施方式進(jìn)行修飾與改變。因此，本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍，應(yīng)如權(quán)利要求書(shū)所列。權(quán)利要求1.一種電路組件孔鏈接構(gòu)，包括第一金屬層，包括多個(gè)彼此間隔排列為環(huán)狀的第一金屬片；多個(gè)通孔，其形成于各該第一金屬片上；以及第二金屬層，其形成于該多個(gè)通孔上，該第二金屬層包括多個(gè)彼此間隔排列為環(huán)狀的第二金屬片，其中，各該第一金屬片與第二金屬片彼此錯(cuò)位，并通過(guò)各該通孔電性連接該第一金屬片與第二金屬片，以構(gòu)成串聯(lián)結(jié)構(gòu)。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電路組件孔鏈接構(gòu)，其特征在于，各該第一金屬片具有第一端點(diǎn)和第二端點(diǎn)，且一該第一金屬片的第一端點(diǎn)與相鄰的另一第一金屬片的第二端點(diǎn)相鄰，且各該通孔分別形成于該第一金屬片的第一端點(diǎn)和第二端點(diǎn)上。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路組件孔鏈接構(gòu)，其特征在于，各該第二金屬片具有第三端點(diǎn)和第四端點(diǎn)，且該第三端點(diǎn)對(duì)應(yīng)位于該第一端點(diǎn)上的通孔上，該第四端點(diǎn)對(duì)應(yīng)位于該第二端點(diǎn)上的通孔上。4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電路組件孔鏈接構(gòu)，其特征在于，還包括基材及介電層，其中，該第一金屬層形成于該基材上，該介電層形成于該基材和該第一金屬層上，且具有多個(gè)外露部分該第一金屬層的開(kāi)口，該通孔形成于該開(kāi)口中。5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電路組件孔鏈接構(gòu)，其特征在于，該多個(gè)第一金屬片排列為橢圓形或圓形。6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電路組件孔鏈接構(gòu)，其特征在于，該多個(gè)第二金屬片排列為橢圓形或圓形。7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電路組件孔鏈接構(gòu)，其特征在于，還包括接地環(huán)，其中，該接地環(huán)為導(dǎo)電性材料并形成于該第一金屬層及該第二金屬層的外圍，圍繞該第一金屬層及該第二金屬層。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電路組件孔鏈接構(gòu)，其特征在于，還包括第一、第二、第三接地墊片及第一、第二信號(hào)墊片，其中，該第一、第二、第三接地墊片電性連接至該接地環(huán)，而該第一信號(hào)墊片電性連接至該第一金屬層或該第二金屬層；第二信號(hào)墊片電性連接至該第一金屬層或該第二金屬層。9.一種電路組件孔鏈接構(gòu)布局方法，包括形成第一金屬層，其包括多個(gè)彼此間隔排列為環(huán)狀的第一金屬片；于各該第一金屬片上形成至少二個(gè)通孔；以及于該通孔上形成第二金屬層，其包括多個(gè)彼此間隔排列為環(huán)狀的第二金屬片，其中，各該第一金屬片與第二金屬片彼此錯(cuò)位，并通過(guò)各該通孔電性連接該第一金屬片與第二金屬片，以構(gòu)成串聯(lián)結(jié)構(gòu)。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電路組件孔鏈接構(gòu)布局方法，其特征在于，各該第一金屬片具有第一端點(diǎn)和第二端點(diǎn)，且一該第一金屬片的第一端點(diǎn)與相鄰的另一第一金屬片的第二端點(diǎn)相鄰，且各該通孔分別形成于該第一金屬片的第一端點(diǎn)和第二端點(diǎn)上。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電路組件孔鏈接構(gòu)布局方法，其特征在于，各該第二金屬片具有第三端點(diǎn)和第四端點(diǎn)，且該第三端點(diǎn)對(duì)應(yīng)位于該第一端點(diǎn)上的通孔上，該第四端點(diǎn)對(duì)應(yīng)位于該第二端點(diǎn)上的通孔上。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電路組件孔鏈接構(gòu)布局方法，其特征在于，該第一金屬層是形成于基材上，且該布局方法還包括于形成第一金屬層后，形成介電層于該基材和該第一金屬層上，該介電層具有多個(gè)外露部分該第一金屬層的開(kāi)口，以將該通孔形成于該開(kāi)口中；以及于該介電層上形成第二金屬層。13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電路組件孔鏈接構(gòu)布局方法，其特征在于，該多個(gè)第一金屬片排列為橢圓形或圓形。14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電路組件孔鏈接構(gòu)布局方法，其特征在于，該多個(gè)第二金屬片排列為橢圓形或圓形。全文摘要一種電路組件孔鏈接構(gòu)及其布局方法，應(yīng)用于先進(jìn)的集成電路制程及集成電路測(cè)試，相較于現(xiàn)有的孔鏈接構(gòu)，本發(fā)明的電路組件孔鏈接構(gòu)包括多個(gè)排列為環(huán)狀的金屬片，能夠顯著提升射頻耦合及降低串音效應(yīng)，對(duì)于饋入交流信號(hào)或射頻信號(hào)的測(cè)試情況而言，能夠避免存在相當(dāng)程度的邊緣寄生電容Cp，以避免對(duì)通孔電阻值的評(píng)估發(fā)生錯(cuò)誤，進(jìn)一步提升整體集成電路制程及測(cè)試的可靠度。文檔編號(hào)G01R1/02GK102810493SQ20111017645公開(kāi)日2012年12月5日申請(qǐng)日期2011年6月23日優(yōu)先權(quán)日2011年6月1日發(fā)明者陳冠宇,方柏翔,蔡明汎,李信宏申請(qǐng)人:矽品精密工業(yè)股份有限公司