專利名稱：新型微納結(jié)構(gòu)的光纖消逝場傳感光纖的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于光纖生化傳感器技術(shù)領(lǐng)域，涉及用于醫(yī)療檢測、環(huán)境監(jiān)控和生化反恐等領(lǐng)域的光纖生化傳感器的制作，具體涉及一種保留包層和包層替換的新型微納結(jié)構(gòu)的光纖消逝場傳感光纖。
背景技術(shù)：
光纖消逝場傳感器是上世紀(jì)80年代提出來的一種新型功能型的光纖傳感器，它利用傳感光纖激發(fā)的消逝場能量與處于能量作用范圍內(nèi)的被測物質(zhì)相互作用，引起光纖內(nèi)傳輸能量的吸收來實現(xiàn)傳感效應(yīng)。參與反應(yīng)的消逝場能量越多，相應(yīng)光纖傳感器的靈敏度就越高。它的核心部件是光纖消逝場傳感光纖。傳統(tǒng)的傳感光纖中，通常將光纖的包層除掉，使被測物質(zhì)與光纖的消逝場能量發(fā)生相互作用完成傳感過程。傳感光纖激發(fā)的消逝場能量的多少對傳感器靈敏度的高低起到?jīng)Q定的作用，對傳感器性能的優(yōu)劣有著至關(guān)重要的影響。通過激發(fā)高階模式的光波導(dǎo)，促使更多的消逝場能量參與與被測物質(zhì)的相互作用，可有效提高傳感器的靈敏度。為獲得高階模式的光波導(dǎo)，許多學(xué)者通過將傳感光纖制作成錐形、組合錐形、U形等結(jié)構(gòu)或通過對入射光的角度調(diào)制等措施對傳感器進(jìn)行改良。 如文獻(xiàn)[B. D. Gupta, H. Dodeja, A. K. Tomar, Fibre-optic evanescent field absorption sensor based on a U-shaped probe (基于能量吸收的U形光纖消逝場傳感器)，1996， Optical and Quantum Electronics 28 :1629-1639 禾口 Anna Grazia Mignani, Riccardo Falciai, Leonardo Ciaccheri, Evanescent wave absorption spectroscopy by means of bi-tapered multimode optical fibers (基于能量吸收的多模雙錐形光纖消逝場探測儀)，1998,52 ) :546-551 和 Yihui ffu, Xiaohong Deng, Feng Li, Xuye Zhuang, Less-mode optic fiber evanescent wave absorbing sensor Parameter design for high sensitivity liquiddetection (基于能量吸收的高靈敏度溶液檢測少模光纖消逝場傳感器的參數(shù)設(shè)計)，2007，Sensors and Actuators B 122:127-133]等所述。雖然通過將傳感光纖制成錐形、組合錐形、U形等形狀可以較好的激勵傳感光纖中的高階模式的光波導(dǎo)，但是因為光在傳感光纖中傳播時存在著模式損耗，降低了傳感器的信噪比，它們激發(fā)的高階光波導(dǎo)中的消逝場能量最多也只有光纖中傳輸總能量的30%，同樣存在著傳感能量低的問題，對傳感器靈敏度的提高能力有限。通過調(diào)制入射光的角度進(jìn)行高階模式光波導(dǎo)激勵的方法增加了傳感器系統(tǒng)的復(fù)雜性，不利于傳感器的小型化、集成化發(fā)展。光子晶體光纖由于其特異的物理特性，尤其是空心光子晶體光纖(hollow-core photonic bandgap fiber)的空心區(qū)內(nèi)存在著大量的光能，為高靈敏度光纖消逝場傳感器的研制提供了載體。通過將被測物質(zhì)填充到光子晶體光纖的空心內(nèi)，可以得到新型的光纖消逝場傳感器，但是工藝過程非常復(fù)雜，傳感器的設(shè)計、分析工作量大，探測時間長，且難以把與被測物質(zhì)反應(yīng)的敏感膜或特征修飾在光纖的空心壁上，限制了傳感器的靈敏度，制約了該類傳感器的應(yīng)用和發(fā)展。如文獻(xiàn) Jian Sun，Chi-Chiu Chan, Yi-Fan Zhang, Analysis
3of hollow-core photonic bandgap fibers for evanescent wave biosensing(應(yīng)用于消逝場生物傳感的空心光子晶體帶隙光纖分析)，Journal of Biomedical Optics, 2008,13(5) :054048 禾口 Y.Y.Huang， Y. Xu, and A. Yariv, Fabrication of functional microstructured optical fibers through a selective-filling technique (禾用選擇性填充制作微納結(jié)構(gòu)功能光纖的工藝方法)，Appl. Phys. Lett.，2004，85 :5182-5184所述。

發(fā)明內(nèi)容
為解決技術(shù)背景中傳感光纖激發(fā)的消逝場能量低、制作工藝復(fù)雜的問題，本發(fā)明的目的是提供一種新型微納結(jié)構(gòu)光纖消逝場傳感光纖。為實現(xiàn)所述目的，本發(fā)明提供新型微納結(jié)構(gòu)的光纖消逝場傳感光纖的技術(shù)方案是保留光纖包層的微納結(jié)構(gòu)的光纖消逝場傳感光纖和包層替換的微納結(jié)構(gòu)的光纖消逝場傳感光纖；所述的保留光纖包層的新型微納結(jié)構(gòu)的光纖消逝場傳感光纖包括在光纖上保留待處理光纖段的光纖包層，在光纖包層上設(shè)置有徑向的微納孔，微納孔沿待處理光纖段的軸向設(shè)定有孔距，每個微納孔的孔底距光纖纖芯的界面設(shè)定有一段距離，微納孔內(nèi)填充被測物質(zhì)進(jìn)行折射率調(diào)制；所述的包層替換的新型微納結(jié)構(gòu)的光纖消逝場傳感光纖的特征包括去除光纖的待處理光纖段的光纖包層的一部分形成殘留包層，殘留包層與光纖纖芯界面之間有一段距離，在殘留包層上覆蓋一層替換介質(zhì)層，在替換介質(zhì)層上設(shè)置有徑向的微納孔微納孔沿待處理光纖段的軸向設(shè)定有孔距；微納孔內(nèi)填充被測物質(zhì)進(jìn)行折射率調(diào)制。優(yōu)選實施例，所述距離在-10 λ 10 λ之間，λ是光源最長波長，負(fù)號表示微納孔深入光纖纖芯內(nèi)。優(yōu)選實施例，所述軸向孔距在0. 001 λ 1000 λ之間。優(yōu)選實施例，所述微納孔的尺寸在0. 001 λ 1000 λ。優(yōu)選實施例，被測物質(zhì)的折射率控制在0. 5η2 2ηι之間，Ii1為光纖纖芯的折射率， 為光纖包層的折射率。優(yōu)選實施例，所述殘留包層的厚度在-0. 4d d之間，d為光纖外徑根據(jù)選用光纖型號的不同而變化，負(fù)號表示光纖纖芯也被去除部分。優(yōu)選實施例，所述替換介質(zhì)層的折射率在1. 3 2. 0之間，替換介質(zhì)層的厚度在 Inm 2d之間，d為光纖外徑根據(jù)所用光纖型號確定。本發(fā)明的有益效果本發(fā)明的新型微納結(jié)構(gòu)的光纖消逝場傳感光纖中，通過在保留光纖包層的傳感光纖和包層替換的傳感光纖上加工徑向微納孔結(jié)構(gòu)，不需要除掉光纖包層，光纖強(qiáng)度高，則使傳感器的抗沖擊能力強(qiáng)，更適合在復(fù)雜苛刻的物理環(huán)境下使用。通過控制微納孔的尺寸、周向布局、軸向布局以及孔底與光纖纖芯界面的距離，并在微納孔內(nèi)填充被測物質(zhì)進(jìn)行折射率的匹配調(diào)制，將傳感光纖內(nèi)的高階模式光波導(dǎo)的能量誘導(dǎo)至光纖表面的微納孔內(nèi)形成消逝場，更有效的參與傳感，提高傳感器的靈敏度。該傳感光纖制作工藝簡單，成本低，為光纖消逝場傳感器的進(jìn)一步發(fā)展提供了一條嶄新的途徑。


如圖Ia是本發(fā)明新型微納結(jié)構(gòu)的光纖消逝場傳感光纖的制作示意圖。
圖Ib是本發(fā)明所用實驗用光纖示意圖。圖加至圖2b是修飾處理段光纖的截面示意圖。圖3a至圖3c是微納孔在光纖軸向排布的示意圖。圖4是保留光纖包層的新型微納結(jié)構(gòu)的光纖消逝場傳感光纖的剖面示意圖。圖fe至圖5c是包層替換的光纖消逝場傳感光纖的加工示意圖。圖6a至圖6b是光纖包層保留的新型微納結(jié)構(gòu)的光纖消逝場傳感光纖的模式電場云圖。圖7a至圖7b是包層替換的新型微納結(jié)構(gòu)的光纖消逝場傳感光纖的模式電場云圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合具體實施例，并參照附圖，對本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。如圖Ia示出本發(fā)明新型微納結(jié)構(gòu)的光纖消逝場傳感光纖的制作示意圖，圖Ib示出本發(fā)明所用一根實驗用光纖1包括待處理光纖段2和不需要處理的光纖段3 ；本發(fā)明新型微納結(jié)構(gòu)的光纖消逝場傳感光纖包括兩種微納結(jié)構(gòu)的光纖消逝場傳感光纖為保留光纖包層的微納結(jié)構(gòu)的光纖消逝場傳感光纖16和包層替換的微納結(jié)構(gòu)的光纖消逝場傳感光纖 23 ；是在一根實驗用光纖1的待處理光纖段2上進(jìn)行保留包層并在其上設(shè)置微納孔結(jié)構(gòu)的處理；包層替換的新型微納結(jié)構(gòu)的光纖消逝場傳感光纖23是在一根實驗用光纖1的待處理光纖段2上進(jìn)行介質(zhì)層替換包層并在其上設(shè)置微納孔結(jié)構(gòu)的處理。1.所述的保留光纖包層的新型微納結(jié)構(gòu)的光纖消逝場傳感光纖16包括在光纖1 上保留待處理光纖段2的光纖包層7，在光纖包層7上設(shè)置有徑向的微納孔8，微納孔8沿待處理光纖段2的軸向設(shè)定有孔距15，每個微納孔8的孔底10距光纖纖芯6的界面設(shè)定有一段距離11，微納孔8內(nèi)填充被測物質(zhì)9進(jìn)行折射率調(diào)制；保留光纖包層7的新型微納結(jié)構(gòu)的光纖消逝場傳感光纖16的技術(shù)方案如下所示 圖加示出多個微納孔8在光纖1周向均勻排布4，圖2b示出多個微納孔8在光纖1周向非均勻排布5，其中還示出光纖纖芯6、包層7、微納孔8、被測物質(zhì)9和孔底10。取一段長度在0. 2 IOOm的實驗用光纖1，其種類可以是通訊用的單模光纖、多模光纖也可以是塑料光纖或其他特殊光纖，將實驗用光纖1分為待處理光纖段2和不需要處理的光纖段3。首先對一根實驗用光纖1的待處理光纖段2進(jìn)行處理，所述處理是在實驗用光纖1上的待處理光纖段2上進(jìn)行打微納孔8的修飾處理，待處理光纖段2的長度在 5cm IOOcm之間。首先對待處理的光纖段2進(jìn)行打微納孔8，孔底10距光纖纖芯6的距離11控制在-10 λ 10 λ之間，λ是入射光源的最長波長，負(fù)號表示微納孔8可深至光纖纖芯6內(nèi)，實驗用光纖1的種類確定，且孔底10的具體數(shù)值確定后微納孔8的深度即可確定。微納孔8的形狀可以是圓柱形、方形或其他規(guī)則多邊形或不規(guī)則形狀都可。如圖3a示出微納孔8在光纖1的軸向均勻分布12的示意圖，如圖北示出微納孔 8在光纖1的軸向交錯分布13的示意圖，如圖3c示出微納孔8在光纖1的軸向雜亂分布 14的示意圖，下面以圖4示出保留光纖包層7的新型微納結(jié)構(gòu)的光纖消逝場傳感光纖16的剖面圖，及以圓柱形的微納孔8為例對本發(fā)明內(nèi)容進(jìn)行闡述，在光纖1的待處理光纖段2上設(shè)置有多個圓周，在每個圓周上打圓柱形的微納孔8的數(shù)量控制在2 50個，按照周向均勻分布4或非均勻分布5在光纖1的待處理光纖段2的每個圓周上。圓柱形的微納孔8的軸向間距15的尺寸控制在0.01 λ 1000 λ之間，圓柱形的微納孔8的排布形式可以規(guī)則排列12、交錯排列13或雜亂排列14。圓柱形的微納孔8的尺寸控制在0. 001 λ 1000 λ 范圍之間，具體大小可在此范圍內(nèi)自由變動，圓柱形的微納孔8的直徑控制在0. 001 λ 1000 λ范圍之間。待處理光纖段2的長度控制在Icm IOOcm之間，光纖1的總長度控制在0. Im IOOm之間。不需要處理光纖段3是不打微納孔8且保留光纖包層7，不需要處理光纖段3在本發(fā)明中起到傳輸光的作用，制作完成的如圖4所示的保留光纖包層7的新型微納結(jié)構(gòu)的光纖消逝場傳感光纖16。光纖纖芯6的折射率為Ii1，光纖包層7的折射率為η2。檢測時，調(diào)配填充在微納孔 8內(nèi)的被測物質(zhì)9的折射率η9，使η9控制在0. 5η2 之間。特殊的光纖結(jié)構(gòu)，結(jié)合對微納孔8內(nèi)填充的被測物質(zhì)9折射率的精確調(diào)控，就形成了保留光纖包層7的新型微納結(jié)構(gòu)的光纖消逝場傳感光纖16。2.替換光纖包層7的新型微納結(jié)構(gòu)的光纖消逝場傳感光纖23的技術(shù)方案如下所示所述的包層替換的新型微納結(jié)構(gòu)的光纖消逝場傳感光纖23的特征包括去除光纖1的待處理光纖段2的光纖包層7的一部分形成殘留包層20，殘留包層20與光纖纖芯6界面之間有一段距離19，在殘留包層20上覆蓋一層替換介質(zhì)層21，在替換介質(zhì)層21上設(shè)置有徑向的微納孔8，微納孔8沿待處理光纖段2的軸向設(shè)定有孔距15 ；微納孔8內(nèi)填充被測物質(zhì) 9進(jìn)行折射率調(diào)制。如圖fe是光纖1除掉待處理光纖段2的光纖包層7示意圖，圖恥是光纖1除掉待處理光纖段2的光纖包層7后填充替換介質(zhì)層21后的示意圖，圖5c是光纖包層7替換后的新型微納結(jié)構(gòu)的光纖消逝場傳感光纖23的示意圖。圖中示錐形過渡層17、除包層區(qū)域 18、距離19、殘留包層20、替換介質(zhì)層21及替換介質(zhì)層厚度22 ；將光纖1中待處理光纖段2的光纖包層7除掉。如果選用光纖包層7的材料是摻雜二氧化硅，則多用氫氟酸(HF)濕法腐蝕的方法除掉光纖包層7，HF在徑向腐蝕二氧化硅時，在軸向上對二氧化硅也有腐蝕作用，所以除掉光纖包層7處會有一錐形過渡層17存在。當(dāng)選用的光纖包層7是其他材料，例如塑料時，一般用切割的方法除掉光纖包層7，則不會有錐形過渡層17。殘留包層20的距光纖纖芯6的界面距離19控制范圍在-0. 4d- d， d光纖外徑根據(jù)選用光纖型號的不同而變化，負(fù)號表示光纖芯層6也被除掉一部分，然后在待處理光纖段2的去除了光纖包層7的部分上覆蓋替換介質(zhì)層21，替換介質(zhì)層的厚度22控制在Inm 2d之間，d為光纖外徑根據(jù)所用光纖型號確定。替換介質(zhì)層21的折射率η的大小控制在1.3 2.0之間。然后在替換介質(zhì)層21上打微納孔8，待處理光纖段2的圓周上微納孔的個數(shù)，以及微納孔8在待處理光纖段2的圓周和軸向的分布形式，軸向孔距15、孔底10距光纖纖芯6 界面的距離11以及微納孔8的形狀等和保留光纖包層7的新型微納結(jié)構(gòu)光纖消逝場傳感光纖16的要求相同。光纖1的長度，待處理的待處理光纖段2的長度要求也和保留光纖包層7的新型微納結(jié)構(gòu)的光纖消逝場傳感光纖16的要求相同。調(diào)配被測物質(zhì)9的折射率，并將其填充到微納孔8內(nèi)。被測物質(zhì)9的折射率控制在1. 1 2. 0之間。本發(fā)明特殊的光纖結(jié)構(gòu)結(jié)合對被測物質(zhì)9的折射率的精確調(diào)控，就形成了替換光纖包層7的新型微納結(jié)構(gòu)光纖消逝場傳感光纖23。新型微納結(jié)構(gòu)的光纖消逝場傳感光纖本身是一個器件與檢測方法的結(jié)合體，本發(fā)明要求對填充在微納孔8內(nèi)的被測物質(zhì)的折射率進(jìn)行控制。在傳感光纖上加工出滿足要求的特殊微納結(jié)構(gòu)后，調(diào)制光纖芯層6、光纖包層7、替換介質(zhì)層21以及被測物質(zhì)9的折射率使之相互匹配，就可以將所述傳感光纖內(nèi)高階光波導(dǎo)的能量誘導(dǎo)至光纖1表面的微納孔8 內(nèi)進(jìn)行傳感，達(dá)到發(fā)明要求。1、包層保留的新型微納結(jié)構(gòu)光纖消逝場傳感光纖取一段長度35cm的光纖1，光纖纖芯6直徑18 μ m,光纖包層7直徑80 μ m,待處理光纖段2的長度為10cm，入射光波長1. 554 μ m。孔底10距纖芯界面距離為1 μ m,光纖包層7的折射率1. 4378，光纖芯層6的折射率為1. 4459，微納孔8內(nèi)被測物質(zhì)9的折射率為 1. 4475，微納孔8的孔徑為5 μ m，4個微納孔8均勻分布在待處理光纖段2的圓周上。取打微納孔8光纖的某界面，分析其中光傳播模式的特性，可得有效模數(shù)小于1. 4443的高階模式光波導(dǎo)的能量主要在微納孔8內(nèi)分布參與傳感，而有效模數(shù)大于1. 4443的低階模式光波導(dǎo)的能量主要在光纖纖芯6內(nèi)傳播，起到信息傳輸?shù)淖饔?。圖6a是有效模數(shù)為1. 444297 的高階模式光波導(dǎo)的電場分量云圖，約86. 2%的能量在微納孔內(nèi)參與傳感。圖6b是有效模數(shù)為1. 444887的低階模式光波導(dǎo)的電場分量云圖，約97. 5%的能量約束在纖芯內(nèi)傳播。2、包層替換的新型微納結(jié)構(gòu)光纖消逝場傳感光纖取另一段長度35cm的實驗用光纖1，光纖纖芯6直徑18 μ m,光纖纖芯6的折射率為1. 445，光纖包層7的直徑為80 μ m,光纖包層7的折射率為1. 4378，待處理光纖段2長度 IOcm,除掉光纖包層7后殘留包層的厚度為1 μ m,填充替換介質(zhì)層的折射率為1. 4358，填充厚度30 μ m,入射光波長1. 554 μ m0 4個微納孔8均勻分布在光纖1的圓周上，孔徑5 μ m，孔底10距光纖纖芯5的界面的距離為1 μ m，微納孔8內(nèi)被測物質(zhì)9的折射率為1.447。取打微納孔的待處理光纖段2的某界面，分析其中傳播模式的特性，可得有效模數(shù)小于1. 44362 的高階模式光波導(dǎo)的能量主要在微納孔內(nèi)分布參與傳感，而有效模數(shù)大于1. 44362的低階模式光波導(dǎo)的能量主要在光纖纖芯內(nèi)6傳播，起到信息傳輸?shù)淖饔?。圖7a是有效模數(shù)為 1.443615的高階模式光波導(dǎo)的電場分量云圖，約88. 1 %的能量在微納孔內(nèi)參與傳感。圖7b 是有效模數(shù)為1. 44401的低階模式光波導(dǎo)的電場分量云圖，約96. 4%的能量約束在光纖纖芯6內(nèi)傳播。以上所述，僅為本發(fā)明中的具體實施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉該技術(shù)的人在本發(fā)明所揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可理解想到的變換或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的包含范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種新型微納結(jié)構(gòu)的光纖消逝場傳感光纖，其特征在于包括保留光纖包層的微納結(jié)構(gòu)的光纖消逝場傳感光纖(16)和包層替換的微納結(jié)構(gòu)的光纖消逝場傳感光纖03)；所述的保留光纖包層的新型微納結(jié)構(gòu)的光纖消逝場傳感光纖(16)包括在光纖(1)上保留待處理光纖段O)的光纖包層(7)，在光纖包層(7)上設(shè)置有徑向的微納孔(8)，微納孔⑶沿待處理光纖段⑵的軸向設(shè)定有孔距(15)，每個微納孔⑶的孔底(10)距光纖纖芯(6)的界面設(shè)定有一段距離(11)，微納孔(8)內(nèi)填充被測物質(zhì)(9)進(jìn)行折射率調(diào)制； 所述的包層替換的新型微納結(jié)構(gòu)的光纖消逝場傳感光纖03)的特征包括去除光纖(I)的待處理光纖段O)的光纖包層(7)的一部分形成殘留包層(20)，殘留包層OO)與光纖纖芯(6)界面之間有一段距離(19)，在殘留包層OO)上覆蓋一層替換介質(zhì)層(21)，在替換介質(zhì)層上設(shè)置有徑向的微納孔(8)，微納孔(8)沿待處理光纖段O)的軸向設(shè)定有孔距(1 ；微納孔(8)內(nèi)填充被測物質(zhì)(9)進(jìn)行折射率調(diào)制。
2.如權(quán)利要求1所述的新型微納結(jié)構(gòu)的光纖消逝場傳感光纖，其特征在于，所述距離(II)在-10λ 10 λ之間，λ是光源最長波長，負(fù)號表示微納孔深入光纖纖芯(6)內(nèi)。
3.如權(quán)利要求1所述的新型微納結(jié)構(gòu)的光纖消逝場傳感光纖，其特征在于，所述軸向孔距(15)在0. 001 λ 1000 λ之間。
4.如權(quán)利要求1所述的新型微納結(jié)構(gòu)的光纖消逝場傳感光纖，其特征在于，所述微納孔(8)的尺寸在0. 001 λ 1000 λ。
5.如權(quán)利要求1所述的新型微納結(jié)構(gòu)的光纖消逝場傳感光纖，其特征在于，被測物質(zhì) (9)的折射率控制在0. 5η2 2ηι之間，H1為光纖纖芯(6)的折射率，n2為光纖包層(7)的折射率。
6.如權(quán)利要求1所述的新型微納結(jié)構(gòu)的光纖消逝場傳感光纖，其特征在于，所述殘留包層00)的厚度(19)在-0.4d d之間，d為光纖外徑根據(jù)選用光纖型號的不同而變化， 負(fù)號表示光纖纖芯(6)也被去除部分。
7.如權(quán)利要求1所述的新型微納結(jié)構(gòu)的光纖消逝場傳感光纖，其特征在于，所述替換介質(zhì)層的折射率在1. 3 2. 0之間，替換介質(zhì)層的厚度在Inm 2d之間，d為光纖外徑根據(jù)所用光纖型號確定。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種新型微納結(jié)構(gòu)的光纖消逝場傳感光纖，包括保留包層和包層替換的光纖消逝場傳感光纖，通過在光纖包層上打微納孔，控制微納孔的尺寸特征、分布方式及孔底與纖芯界面的距離，并在微納孔內(nèi)填充被測物質(zhì)進(jìn)行折射率調(diào)制。包層替換的新型微納結(jié)構(gòu)的光纖消逝場傳感光纖是將待處理光纖段的包層除掉，填充替換介質(zhì)層，控制其折射率，并在上面修飾微納孔，在微納孔內(nèi)填充被測物質(zhì)，調(diào)控被測物質(zhì)的折射率。本發(fā)明采用保留傳感光纖包層并在其上打微納孔和用介質(zhì)層替換包層并在其上打微納孔的方法制作了新型微納結(jié)構(gòu)的光纖消逝場傳感光纖，使高階模式的消逝場能量最大化的參與反應(yīng)，提高傳感器靈敏度，利于光纖消逝場傳感器小型化、集成化的發(fā)展。
文檔編號G01D5/26GK102279438SQ20111020924
公開日2011年12月14日 申請日期2011年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月25日
發(fā)明者姚軍, 莊須葉, 羅吉 申請人:中國科學(xué)院光電技術(shù)研究所