專(zhuān)利名稱(chēng)：探針卡及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種測(cè)試元件及其制作方法，且特別是涉及一種能維持探針相對(duì)定位與平面度的探針卡及其制作方法。
背景技術(shù)：
集成電路芯片(integrated circuit chip, IC chip)的電性測(cè)試在制作過(guò)程中是相當(dāng)重要的。每一個(gè)IC芯片在晶片(wafer)與封裝(package)型態(tài)都必須接受測(cè)試以確保其電性功能(electrical function) 0集成電路進(jìn)行測(cè)試時(shí)，測(cè)試機(jī)通過(guò)一探針卡(probe card)接觸待測(cè)物(device under test)，并通過(guò)驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳輸電性信號(hào)，之后分析所接收的電性信號(hào)以獲得待測(cè)集成電路為良品或廢品的結(jié)果。當(dāng)個(gè)別芯片為晶片型態(tài)時(shí)所進(jìn)行的測(cè)試，其過(guò)程稱(chēng)為晶片探測(cè)(wafer test)。晶片探測(cè)的方式是使測(cè)試機(jī)臺(tái)與探針卡構(gòu)成測(cè)試回路，將探針卡上的探針(Probing pin)直接與芯片上的焊墊(pad)或凸塊(bump)接觸，以利用探針探測(cè)晶片上的各個(gè)芯片，從而引出芯片信號(hào)，并將此芯片信號(hào)數(shù)據(jù)送往測(cè)試機(jī)臺(tái)作分析與判斷。探針卡包含多個(gè)精密的探針，即每一探針的針尖為微間距(實(shí)質(zhì)上低于100微米)，因?yàn)橹谱鬟^(guò)程參數(shù)變異的影響，該些探針在未受力或受力的情況下，相對(duì)定位與平面度會(huì)有過(guò)大的偏移，如此將會(huì)對(duì)待測(cè)物的焊墊產(chǎn)生接觸不良或?qū)笁|產(chǎn)生過(guò)大的壓痕，進(jìn)而影響測(cè)試的可靠性與精確度。另外，現(xiàn)有的各種探針卡的這些探針之間的間距無(wú)法降低，以致于無(wú)法進(jìn)行微間距接點(diǎn)的電性測(cè)試，而使得可測(cè)試的芯片種類(lèi)有限。因此，如何解決上述問(wèn)題已為現(xiàn)今業(yè)界積極努力發(fā)展的目標(biāo)之一。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種探針卡，其可進(jìn)行微間距接點(diǎn)的電性測(cè)試，并維持測(cè)試的可靠性與精準(zhǔn)度。本發(fā)明的另一目的在于提供一種探針卡的制作方法，用以制作上述的探針卡，且具有較低的制造成本。為達(dá)上述目的，本發(fā)明提出一種探針卡，其包括一載體以及多個(gè)探針。載體具有一上表面。這些探針配置于載體上，且排列于上表面，其中每一探針具有至少兩個(gè)依序相連的第一桿體部與第二桿體部，而第一桿體部設(shè)置于上表面且與上表面之間具有一傾斜角，且第一桿體部與第二桿體部的延伸方向之間具有一夾角。本發(fā)明還提出一種探針卡的制作方法，其包含下述步驟。提供一載體，其中載體的一上表面上涂布有一第一光致抗蝕劑層。以一第一曝光方向斜向曝光第一光致抗蝕劑層， 而形成一第一圖案化光致抗蝕劑層，其中第一曝光方向相對(duì)載體的上表面傾斜。以第一圖案化光致抗蝕劑層為一第一電鍍掩模，電鍍一第一圖案化導(dǎo)電層于第一圖案化光致抗蝕劑層所暴露出的載體的部分上表面上。形成一第二光致抗蝕劑層于第一圖案化光致抗蝕劑
4層上，其中第二光致抗蝕劑層覆蓋第一圖案化光致抗蝕劑層與第一圖案化導(dǎo)電層。以一第二曝光方向斜向曝光第二光致抗蝕劑層，而形成一第二圖案化光致抗蝕劑層，其中第二曝光方向相對(duì)第一圖案化光致抗蝕劑層的一外表面傾斜，且第二圖案化光致抗蝕劑層暴露出第一圖案化導(dǎo)電層的一頂表面。以第二圖案化光致抗蝕劑層為一第二電鍍掩模，電鍍一第二圖案化導(dǎo)電層于第二圖案化光致抗蝕劑層所暴露出的第一圖案化導(dǎo)電層的頂表面上。移除第二圖案化光致抗蝕劑層以及第一圖案化光致抗蝕劑層，以使第一圖案化導(dǎo)電層與第二圖案化導(dǎo)電層構(gòu)成多個(gè)配置于載體上且排列于上表面的探針。每一探針具有至少兩個(gè)依序相連的第一桿體部與第二桿體部，第一桿體部設(shè)置于上表面且是由第一圖案化導(dǎo)電層所構(gòu)成，而第二桿體部是由第二圖案化導(dǎo)電層所構(gòu)成。第一桿體部與上表面之間具有一傾斜角， 且第一桿體部與第二桿體部的延伸方向之間具有一夾角?；谏鲜?，由于本發(fā)明是使用微機(jī)電制作技術(shù)，以通過(guò)斜向曝光的方式來(lái)定義出這些探針的位置與幾何尺寸，并通過(guò)電鍍的方式形成這些探針。因此，本發(fā)明的探針卡適于大量生產(chǎn)，且具有較低的制作成本。再者，本發(fā)明相鄰載體的探針的桿體部與載體的上表面之間具有傾斜角，且相鄰兩這些桿體部的延伸方向之間具有夾角。因此，這些探針的排列密度得以縮小，而有利于測(cè)試高芯片墊密度的芯片或者是其他高接點(diǎn)密度的電子元件。另外，本發(fā)明能夠維持探針頭其相對(duì)定位與平面度，不會(huì)因制作過(guò)程變異而變大，進(jìn)而影響測(cè)試的可靠性與精確度。簡(jiǎn)言之，本發(fā)明的探針卡適于進(jìn)行微間距接點(diǎn)的電性測(cè)試。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖作詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖IA至圖II為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種探針卡的制作方法的剖面示意圖；圖2為本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種探針卡的剖面示意圖；圖3為本發(fā)明的又一實(shí)施例的一種探針卡的剖面示意圖；圖4A為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種探針的立體示意圖；圖4B為圖4A的探針與軟性絕緣層的局部剖面立體示意圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明100a、100b、100c、IOOd 探針卡110:載體112:上表面120 第一光致抗蝕劑層120a 第一圖案化光致抗蝕劑層121 第一孔洞122 外表面130:第一圖案化導(dǎo)電層132 頂表面140 第二光致抗蝕劑層140a:第二圖案化光致抗蝕劑層
141 第一孔洞150:第二圖案化導(dǎo)電層160、160b、160c、160d 探針161、163、165、167、168、169 桿體部162 頂端164 底端170、170d 軟性絕緣層172 表面180 耐磨層Ll 第一曝光方向L2:第二曝光方向S:間隔距離T 傾斜角Ml 第一圖案化光掩模M2 第二圖案化光掩模θ 夾角
具體實(shí)施例方式圖IA至圖IH為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種探針卡的制作方法的剖面示意圖。依照本實(shí)施例的探針卡的制作方法，首先，請(qǐng)參考圖1Α，提供一載體110，其中載體110具有一上表面112，且上表面112上已涂布有一第一光致抗蝕劑層120。在本實(shí)施例中，載體110例如是一硅線路基板或一樹(shù)脂(如雙順丁烯二酸酰亞胺樹(shù)脂(bismaleimide-triazine resin, BT樹(shù)脂))線路基板。也就是說(shuō)，載體110是具有線路結(jié)構(gòu)(未繪示)的硅基板或BT基板。 載體110也可為一軟性基板。接著，請(qǐng)同時(shí)參考圖IA與圖1B，提供一第一圖案化光掩模M1，并以一第一曝光方向Ll斜向曝光第一光致抗蝕劑層120，而形成一第一圖案化光致抗蝕劑層120a，亦即形成至少一貫通第一光致抗蝕劑層120并延伸至載體110上表面112的第一孔洞121。第一曝光方向Ll相對(duì)載體110的上表面112傾斜，因此第一孔洞121相對(duì)載體110的上表面112 傾斜且暴露出載體110的部分上表面112。接著，請(qǐng)參考圖1C，以第一圖案化光致抗蝕劑層120a為一第一電鍍掩模，電鍍第一圖案化光致抗蝕劑層120a中的第一孔洞121 (標(biāo)示于圖1B)以及所暴露出的載體110的部分上表面112上以形成一第一圖案化導(dǎo)電層130。為了后續(xù)步驟的平整度，可接著進(jìn)行一研磨步驟，使第一圖案化導(dǎo)電層130的一頂表面132與第一圖案化光致抗蝕劑層120a的一外表面122實(shí)質(zhì)上切齊。當(dāng)然，此研磨步驟為一選擇性的步驟，而使用者可依據(jù)制作過(guò)程的差異來(lái)選擇是否進(jìn)行此研磨步驟，在此并不加以限制。接著，請(qǐng)參考圖1D，形成一第二光致抗蝕劑層140于第一圖案化光致抗蝕劑層 120a上，其中第二光致抗蝕劑層140覆蓋第一圖案化光致抗蝕劑層120a與第一圖案化導(dǎo)電層 130。接著，請(qǐng)同時(shí)參考圖ID與圖1E，提供一第二圖案化光掩模M2，并以一第二曝光方向L2斜向曝光第二光致抗蝕劑層140，而形成一第二圖案化光致抗蝕劑層140a，亦即形成至少一貫通第二光致抗蝕劑層140并延伸至第一圖案化光致抗蝕劑層120a的外表面122 的第二孔洞141。第二曝光方向L2相對(duì)第一圖案化光致抗蝕劑層120a的外表面122傾斜， 因此第二孔洞141相對(duì)第一圖案化光致抗蝕劑層120a的外表面122傾斜且暴露出第一圖案化導(dǎo)電層130的頂表面132，其中圖IA中的第一曝光方向Ll實(shí)質(zhì)上不同于圖ID中的第二曝光方向L2。接著，請(qǐng)參考圖1F，以第二圖案化光致抗蝕劑層140a為一第二電鍍掩模，電鍍第二圖案化光致抗蝕劑層140a中的第二孔洞141(標(biāo)示于圖1D)以及所暴露出的第一圖案化導(dǎo)電層130的頂表面132上以形成一第二圖案化導(dǎo)電層150。接著，請(qǐng)參考圖1G，移除第二圖案化光致抗蝕劑層140a以及第一圖案化光致抗蝕劑層120a，而使第一圖案化導(dǎo)電層130與第二圖案化導(dǎo)電層150構(gòu)成多個(gè)配置于載體110 上且排列于上表面112的探針160，其中這些探針160與載體110的線路結(jié)構(gòu)(未繪示)電連接。特別是，每一探針160具有多個(gè)依序相連的第一桿體部161與第二桿體部163，而相鄰載體110的第一桿體部161與上表面112之間具有一傾斜角T，且相鄰的第一桿體部161 與第二桿體部163的延伸方向E1、E2之間具有一夾角θ。在此，夾角θ實(shí)質(zhì)上可大于傾斜角Τ，且?jiàn)A角θ實(shí)質(zhì)上可為傾斜角T的兩倍，傾斜角T例如是介于50度至70度之間，而夾角θ例如是介于100度至140度之間。此外，每一探針160更具有一頂端162以及一底端164，且頂端162于載體110上的正投影可與底端164于載體上的正投影至少部分重疊。需說(shuō)明的是，本實(shí)施例的每一探針160的第一桿體部161是由第一圖案化導(dǎo)電層 130所構(gòu)成，意即相鄰載體110的第一桿體部161是由第一圖案化導(dǎo)電層130所構(gòu)成。每一探針160的第二桿體部163是由第二圖案化導(dǎo)電層150所構(gòu)成，意即遠(yuǎn)離載體110的第二桿體部163是由第二圖案化導(dǎo)電層150所構(gòu)成。在此，第一圖案化導(dǎo)電層130的材質(zhì)與第二圖案化導(dǎo)電層150的材質(zhì)可相同或不同，材質(zhì)例如是鎳、鈷、金或銅等合金，在此并不加以限制。換言之，這些探針160的材質(zhì)例如是鎳、鈷、金或銅等合金。此外，相鄰兩探針160 之間具有一間隔距離S，且間隔距離S例如是小于50微米。在此，間隔距離S是指相鄰兩探針160的第一桿體部161的底端164的形狀中心的距離。請(qǐng)參考圖1Η，之后，可形成一軟性絕緣層170于載體110的上表面112上，其中軟性絕緣層170填充相鄰兩探針160之間的間隙。在此，軟性絕緣層170的材質(zhì)例如是聚二甲基硅氧烷(PolydimethylsiloxanhPDMS)或明膠(Gelatin)。為了后續(xù)步驟的平整度，可接著進(jìn)行一研磨步驟，來(lái)使軟性絕緣層170的表面172與這些探針160的多個(gè)頂端162實(shí)質(zhì)上切齊。當(dāng)然，此研磨步驟為一選擇性的步驟，而使用者可依據(jù)制作過(guò)程的差異來(lái)選擇是否進(jìn)行此研磨步驟，在此并不加以限制。值得一提的是，由于本實(shí)施例于這些探針160之間的間隙中可填充有軟性絕緣層170，因此可以避免相鄰兩探針160發(fā)生短路的現(xiàn)象，以及可有效固定這些探針160的位置。但，在其他實(shí)施例中，也可無(wú)軟性絕緣層170。請(qǐng)參考圖II，最后，可分別形成多個(gè)耐磨墊180于這些探針160的這些頂端162 上，其中這些耐磨墊180的材質(zhì)例如是鎳金(例如鎳金疊層)或其它能導(dǎo)電的耐磨材料。在此必須說(shuō)明的是，本發(fā)明并不限定形成軟性絕緣層170與這些耐磨墊180的順序，雖然在本實(shí)施例中是先形成軟絕緣層170之后，再形成這些耐磨墊180。但，在其他實(shí)施例中，也可無(wú)軟性絕緣層170，也就是說(shuō)，在移除第二圖案化光致抗蝕劑層140a以及第一圖案化光致抗蝕劑層120a之后，可直接于這些探針160的這些頂端162上形成這些耐磨墊180。至此，已完成探針卡IOOa的大部分制作。請(qǐng)?jiān)賲⒖紙DII，在結(jié)構(gòu)上，本實(shí)施例的探針卡IOOa包括載體110以及這些探針 160。載體110具有上表面112，其中載體110例如是硅線路基板、軟性基板或樹(shù)脂線路基板。這些探針160配置于載體110上，且排列于上表面112，其中這些探針160的材質(zhì)例如是鎳、鈷、金或銅等合金。每一探針160具有這些依序相連的第一桿體部161與第二桿體部 163，而相鄰載體110的第一桿體部161與上表面112之間具有傾斜角T，且相鄰的第一桿體部161與第二桿體部163的延伸方向E1、E2之間具有夾角θ。較佳地，傾斜角T例如是介于50度至70度之間，而夾角θ例如是介于100度至140度之間。再者，相鄰兩這些探針 160之間具有間隔距離S，其中間隔距離S例如是小于50微米。每一探針160更具有頂端 162以及底端164，且頂端162于載體110上的正投影可與底端164于載體110上的正投影至少部分重疊。此外，本實(shí)施例的探針卡IOOa更可包括軟性絕緣層170與這些耐磨墊180， 其中軟性絕緣層170配置于載體110的上表面112上，且填充相鄰兩探針160之間的間隙， 而這些耐磨墊180分別配置于這些探針160的這些頂端162上。在此，軟性絕緣層170的材質(zhì)例如是聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane，PDMS)或明膠(Gelatin)，這些耐磨墊180的材質(zhì)可為鎳金(例如鎳金疊層)或其它能導(dǎo)電的耐磨材料。由于本實(shí)施例是使用微機(jī)電制作技術(shù)，以通過(guò)斜向曝光的方式來(lái)定義出這些探針 160的位置與幾何尺寸，并通過(guò)電鍍的方式來(lái)形成這些探針160。因此，本實(shí)施例的探針卡 IOOa適于大量生產(chǎn)，且具有較低的制作成本。再者，由于本實(shí)施例的相鄰載體110的這些探針160的第一桿體部161與載體110的上表面112之間具有傾斜角T，且相鄰的第一桿體部 161與第二桿體部163的延伸方向El、E2之間具有夾角θ。因此，這些探針160的排列密度得以縮小，而有利于測(cè)試高芯片墊密度的芯片或者是其他高接點(diǎn)密度的電子元件。簡(jiǎn)言之，本實(shí)施例的探針卡IOOa適于進(jìn)行微間距接點(diǎn)的電性測(cè)試。請(qǐng)參考圖2，本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可參照前述實(shí)施例的說(shuō)明，依據(jù)實(shí)際需求，而于圖II的步驟之前，意即形成這些研磨墊180于這些探針160的這些頂端162上之前，可依序重復(fù)一次形成第二光致抗蝕劑層140 (請(qǐng)參考圖ID的步驟)、形成第二圖案化光致抗蝕劑層140a(請(qǐng)參考圖IE的步驟)以及電鍍第二圖案化導(dǎo)電層150 (請(qǐng)參考圖IF的步驟)的步驟，而形成圖2的探針卡100b，其中探針卡IOOb的這些探針160b是由這些依序相連的第一桿體部161、第二桿體部163、第三桿體部165所組成。請(qǐng)參考圖3，或者是依據(jù)實(shí)際需求，在圖II的步驟之前，意即形成這些研磨墊180 于這些探針160的這些頂端162上之前，依序重復(fù)兩次形成第二光致抗蝕劑層140 (請(qǐng)參考圖ID的步驟)、形成第二圖案化光致抗蝕劑層140a(請(qǐng)參考圖IE的步驟)以及電鍍第二圖案化導(dǎo)電層150 (請(qǐng)參考圖IF的步驟)的步驟，而形成圖3的探針卡100c，其中探針卡 IOOc的這些探針160c是由這些依序相連的第一桿體部161、第二桿體部163、第三桿體部 165、第四桿體部167所組成。簡(jiǎn)言之，圖IH所繪示的探針卡IOOa的結(jié)構(gòu)僅是作為舉例說(shuō)明之用，本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可依據(jù)實(shí)際狀況調(diào)整增加這些探針160的桿體部(例如第一桿體部161與第二桿體部163...等)的堆疊數(shù)量，以符合需求，此處不再逐一贅述。圖4A為本發(fā)明的一實(shí)施例的一種探針的立體示意圖。圖4B為圖4A的探針與軟性絕緣層的局部剖面立體示意圖。本實(shí)施例沿用前述實(shí)施例的元件標(biāo)號(hào)與部分內(nèi)容，其中
8采用相同的標(biāo)號(hào)來(lái)表示相同或近似的元件，并且省略了相同技術(shù)內(nèi)容的說(shuō)明。關(guān)于省略部分的說(shuō)明可參照前述實(shí)施例，本實(shí)施例不再重復(fù)贅述。請(qǐng)同時(shí)參考圖4A與圖4B，本實(shí)施例的探針160d與前述實(shí)施例的探針160相似，但二者主要差異之處在于本實(shí)施例的探針160d是由這些依序相連的第一桿體部161、第二桿體部163、第三桿體部165、第四桿體部167、第五桿體部168、第六桿體部169組成，且軟性絕緣層170d并未與探針160d的頂端162切齊。也就是說(shuō)，軟性絕緣層170d可暴露出桿體部169的一部分。綜上所述，由于本發(fā)明是使用微機(jī)電制作技術(shù)，以通過(guò)斜向曝光的方式來(lái)定義出這些探針的位置與幾何尺寸，并通過(guò)電鍍的方式來(lái)形成這些探針。因此，本發(fā)明的探針卡適于大量生產(chǎn)，且具有較低的制作成本。再者，本發(fā)明相鄰載體的探針的桿體部與載體的上表面之間具有傾斜角，且相鄰兩這些桿體部的延伸方向之間具有夾角。因此，這些探針的排列密度得以縮小，而有利于測(cè)試高芯片墊密度的芯片或者是其他高接點(diǎn)密度的電子元件。雖然結(jié)合以上實(shí)施例揭露了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中熟悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以附上的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種探針卡，包括 載體，具有上表面；以及多個(gè)探針，配置于該載體上，且排列于該上表面，其中每一探針具有多個(gè)依序相連的第一桿體部與第二桿體部，該第一桿體部設(shè)置于該上表面且與該上表面之間具有一傾斜角， 該第一桿體部與第二桿體部的延伸方向之間具有一夾角。
2.如權(quán)利要求1所述的探針卡，其中該傾斜角介于50度至70度之間。
3.如權(quán)利要求1所述的探針卡，其中該夾角介于100度至140度之間。
4.如權(quán)利要求1所述的探針卡，其中相鄰兩探針之間具有一間隔距離，且該間隔距離小于50微米。
5.如權(quán)利要求1所述的探針卡，還包括軟性絕緣層，配置于該載體的該上表面上，且填充相鄰兩探針之間的間隙。
6.如權(quán)利要求5所述的探針卡，其中該軟性絕緣層的材質(zhì)為聚二甲基硅氧烷或明膠。
7.如權(quán)利要求1所述的探針卡，還包括多個(gè)耐磨墊，分別配置于該些探針的多個(gè)頂端上。
8.如權(quán)利要求7所述的探針卡，其中該些耐磨墊的材質(zhì)為鎳金。
9.如權(quán)利要求1所述的探針卡，其中該些探針的材質(zhì)包括鎳、鈷、金或銅等合金。
10.如權(quán)利要求1所述的探針卡，其中每一探針還具有頂端以及底端，且該頂端于該載體上的正投影與該底端于該載體上的正投影至少部分重疊。
11.如權(quán)利要求1所述的探針卡，其中該載體包括硅線路基板、軟性基板或樹(shù)脂線路基板。
12.—種探針卡的制作方法，包括提供一載體，該載體的一上表面上涂布有一第一光致抗蝕劑層； 以一第一曝光方向斜向曝光該第一光致抗蝕劑層，而形成一第一圖案化光致抗蝕劑層，其中該第一曝光方向相對(duì)該載體的該上表面傾斜；以該第一圖案化光致抗蝕劑層為一第一電鍍掩模，電鍍一第一圖案化導(dǎo)電層于該第一圖案化光致抗蝕劑層所暴露出的該載體的部分該上表面上；形成一第二光致抗蝕劑層于該第一圖案化光致抗蝕劑層上，其中該第二光致抗蝕劑層覆蓋該第一圖案化光致抗蝕劑層與該第一圖案化導(dǎo)電層；以一第二曝光方向斜向曝光該第二光致抗蝕劑層，而形成一第二圖案化光致抗蝕劑層，其中該第二曝光方向相對(duì)該第一圖案化光致抗蝕劑層的一外表面傾斜，且該第二圖案化光致抗蝕劑層暴露出該第一圖案化導(dǎo)電層的一頂表面；以該第二圖案化光致抗蝕劑層為一第二電鍍掩模，電鍍一第二圖案化導(dǎo)電層于該第二圖案化光致抗蝕劑層所暴露出的該第一圖案化導(dǎo)電層的該頂表面上；以及移除該第二圖案化光致抗蝕劑層以及該第一圖案化光致抗蝕劑層，以使該第一圖案化導(dǎo)電層與該第二圖案化導(dǎo)電層構(gòu)成多個(gè)配置于該載體上且排列于該上表面的探針，其中每一探針具有至少兩個(gè)依序相連的第一桿體部與第二桿體部，該第一桿體部設(shè)置于該上表面且是由該第一圖案化導(dǎo)電層所構(gòu)成，而該第二桿體部是由該第二圖案化導(dǎo)電層所構(gòu)成，而第一桿體部與該上表面之間具有一傾斜角，且第一桿體部與第二桿體部的延伸方向之間具有一夾角。
13.如權(quán)利要求12所述的探針卡的制作方法，還包括在電鍍?cè)摰谝粓D案化導(dǎo)電層于該第一圖案化光致抗蝕劑層所暴露出的該載體的部分該上表面上之后，進(jìn)行一研磨步驟，以使該第一圖案化導(dǎo)電層的該頂表面與該第一圖案化光致抗蝕劑層的該外表面切齊。
14.如權(quán)利要求12所述的探針卡的制作方法，還包括在移除該第二圖案化光致抗蝕劑層以及該第一圖案化光致抗蝕劑層之后，形成一軟性絕緣層于該載體的該上表面上，其中該軟性絕緣層填充相鄰兩探針之間的間隙。
15.如權(quán)利要求14所述的探針卡的制作方法，還包括在形成該軟性絕緣層于該載體的該上表面上之后，進(jìn)行一研磨步驟，以使該軟性絕緣層的表面與該些探針的多個(gè)頂端切齊。
16.如權(quán)利要求12所述的探針卡的制作方法，還包括在移除該第二圖案化光致抗蝕劑層以及該第一圖案化光致抗蝕劑層之后，分別形成多個(gè)耐磨墊于該些探針的多個(gè)頂端上。
17.如權(quán)利要求12所述的探針卡的制作方法，還包括在移除該第二圖案化光致抗蝕劑層以及該第一圖案化光致抗蝕劑層之前，依序重復(fù)至少一次形成該第二光致抗蝕劑層、形成該第二圖案化光致抗蝕劑層以及電鍍?cè)摰诙D案化導(dǎo)電層的步驟。
18.如權(quán)利要求12所述的探針卡的制作方法，其中該傾斜角介于50度至70度之間。
19.如權(quán)利要求12所述的探針卡的制作方法，其中該夾角介于100度至140度之間。
20.如權(quán)利要求12所述的探針卡的制作方法，其中相鄰兩探針之間具有一間隔距離， 且該間隔距離小于50微米。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種探針卡及其制作方法，該探針卡包括一載體以及多個(gè)探針。載體具有一上表面。這些探針配置于載體上，且排列于上表面。每一探針具有至少兩依序相連的第一桿體部與第二桿體部。第一桿體部設(shè)置于上表面且與上表面之間具有一傾斜角。第一桿體部與第二桿體部的延伸方向之間具有一夾角。
文檔編號(hào)G01R1/073GK102384992SQ20111022950
公開(kāi)日2012年3月21日 申請(qǐng)日期2011年8月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月12日
發(fā)明者朱偉碩, 蔡昭源, 陳明坤 申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司