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      對(duì)電表中的計(jì)量芯片和錳銅片進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)姆椒?

      文檔序號(hào):6017377閱讀:1084來(lái)源:國(guó)知局
      專利名稱:對(duì)電表中的計(jì)量芯片和錳銅片進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)姆椒?br> 技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)中的電能計(jì)量技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種對(duì)電表中的計(jì)量芯片和錳銅片進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)姆椒ā?br> 背景技術(shù)
      隨著國(guó)家智能電網(wǎng)的不斷推進(jìn),智能電表逐漸普及,對(duì)電表的計(jì)量精度提出了更高的要求。錳銅片在電表中完成電流采樣,而錳銅片的阻值受溫度影響比較嚴(yán)重,使溫升過(guò)程中電表精度難以控制。目前對(duì)錳銅發(fā)熱還沒(méi)有完善的處理方法,一般都靠錳銅片自身的精度來(lái)保證電表的精度。

      發(fā)明內(nèi)容
      為了解決現(xiàn)有技術(shù)的缺陷,本發(fā)明實(shí)施例提供一種對(duì)電表中的計(jì)量芯片和錳銅片進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)姆椒?,綜合考慮了錳銅片和計(jì)量芯片的溫升效應(yīng),并對(duì)由于溫度上升所造成的誤差進(jìn)行補(bǔ)償。為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明實(shí)施例提供一種對(duì)電表中的計(jì)量芯片和錳銅片進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)姆椒?,所述方法包括根?jù)計(jì)量芯片的當(dāng)前溫度值確定計(jì)量芯片的溫升誤差Δ ; 根據(jù)錳銅片的電流有效值以及錳銅片的溫升誤差曲線確定錳銅片的溫升誤差α ;將所述芯片的溫升誤差Δ以及所述錳銅片的溫升誤差α轉(zhuǎn)換為所述電表的溫度補(bǔ)償值err ;采用所述電表的溫度補(bǔ)償值err對(duì)所述電表的輸出功率進(jìn)行溫度補(bǔ)償。所述根據(jù)計(jì)量芯片的當(dāng)前溫度值確定計(jì)量芯片的溫升誤差Δ包括測(cè)量計(jì)量芯片的當(dāng)前溫度t ;如果t不高于常溫、,則不對(duì)計(jì)量芯片進(jìn)行溫度補(bǔ)償,所述計(jì)量芯片的溫升誤差Δ =0;當(dāng)1>、時(shí),根據(jù)當(dāng)前溫度t與常溫、之間的溫度差、以及芯片溫度每升高一度所導(dǎo)致的芯片誤差偏移量A,生成計(jì)量芯片的溫升誤差Δ。根據(jù)錳銅片的電流有效值以及錳銅片的溫升誤差曲線確定錳銅片的溫升誤差α 包括測(cè)量所述錳銅片的電流有效值I ;如果所述電流有效值I不高于預(yù)設(shè)下限值Itl,則不對(duì)錳銅片進(jìn)行補(bǔ)償,所述錳銅片的溫升誤差α = O ;當(dāng)I > Itl,根據(jù)所述錳銅片的溫升誤差曲線確定錳銅片的溫升誤差α。將所述芯片的溫升誤差Δ以及所述錳銅片的溫升誤差α轉(zhuǎn)換為所述電表的溫度補(bǔ)償值err包括獲取所述電表的功率增益調(diào)整寄存器GPQ中預(yù)先存儲(chǔ)的常溫時(shí)的固有增益補(bǔ)償值ErrPgain ;根據(jù)所述常溫時(shí)的固有增益補(bǔ)償值ErrPgairu溫度升高以后獲得的計(jì)量芯片的溫升誤差Δ、以及錳銅片的溫升誤差α,生成所述電表的溫度補(bǔ)償值err。采用所述電表的溫度補(bǔ)償值err對(duì)所述電表的功率進(jìn)行溫度補(bǔ)償包括將所述溫度補(bǔ)償值err寫(xiě)入所述電表的功率增益調(diào)整寄存器GPQ中;采用所述寄存器GPQ中的err 值,對(duì)輸出電表的輸出功率值進(jìn)行微調(diào)。采用所述寄存器GPQ中的err值,對(duì)輸出電表的輸出功率值進(jìn)行微調(diào)包括將所述溫度補(bǔ)償值err作為增益系數(shù)與實(shí)際測(cè)量功率值相乘,得到輸出功率值的微調(diào)量;將實(shí)際測(cè)量功率值與所述輸出功率值的微調(diào)量相加,得到調(diào)整后的輸出功率值。本發(fā)明的有益效果在于,本發(fā)明實(shí)施例的方法綜合考慮了計(jì)量芯片的溫升誤差δ 與錳銅片的溫升誤差α,并能夠?qū)崿F(xiàn)在不同的溫度條件下對(duì)電表輸出功率進(jìn)行動(dòng)態(tài)調(diào)整, 克服了溫度對(duì)電表精度造成的影響,對(duì)溫升過(guò)程中電表精度進(jìn)行了有效控制。


      圖Ia為兩種錳銅選型的溫升誤差曲線圖;圖Ib為另外兩種錳銅選型的溫升誤差曲線圖;圖2為本發(fā)明實(shí)施例電流通道的差模接線電路圖;圖3為本發(fā)明實(shí)施例計(jì)量芯片的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)原理圖;圖4為本發(fā)明實(shí)施例的溫度補(bǔ)償整體流程圖;圖5為本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)具體的溫度補(bǔ)償方法流程圖。
      具體實(shí)施例方式本發(fā)明實(shí)施例提供一種對(duì)電表中的計(jì)量芯片和錳銅片進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)姆椒?。為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。通過(guò)對(duì)電表進(jìn)行發(fā)熱實(shí)驗(yàn)得出,電表中的繼電器接觸電阻偏高導(dǎo)致電表發(fā)熱量比較大,從而帶動(dòng)錳銅的溫度升高,導(dǎo)致其阻值發(fā)生變化。以200微歐的錳銅為例子,當(dāng)其發(fā)生正負(fù)0. 5微歐的變化誤差時(shí),會(huì)有0. 2%左右的電表偏差,可以推論電表計(jì)量誤差基本上來(lái)自于錳銅的阻值誤差。同時(shí),當(dāng)芯片溫度過(guò)高時(shí)(如高于30度)也會(huì)引入芯片誤差。本發(fā)明實(shí)施例綜合考慮了這兩種誤差對(duì)電表計(jì)量誤差帶來(lái)的影響,并根據(jù)這兩種誤差進(jìn)行電表的溫度補(bǔ)償。為了使錳銅誤差盡量小,在普通繼電器的錳銅選型時(shí)要保證錳銅批次的一致性和方向性,即溫度在40度到60度的范圍內(nèi)誤差波動(dòng)最小,或波動(dòng)趨勢(shì)一致。圖Ia是兩種錳銅選型的溫升誤差曲線,圖Ib為另外兩種錳銅選型的溫升誤差曲線??梢钥闯觯瑘DIa中編號(hào)為FVF7. 731. 678-41的錳銅以及圖Ib中編號(hào)為FVF7. 731. 678-12的錳銅,波動(dòng)小、趨勢(shì)
      比較一致。當(dāng)錳銅的溫升誤差曲線的波動(dòng)較大時(shí),如圖Ia所示,編號(hào)為FVF7. 731. 678-31的錳銅在30度到60度之間波動(dòng)較大,且趨勢(shì)也不一致,為了減輕誤差影響,需要對(duì)錳銅片進(jìn)行溫度補(bǔ)償。對(duì)編號(hào)為FVF7. 731. 678-31的錳銅,選取194. 5微歐作為參考值參與計(jì)算,實(shí)驗(yàn)證明自熱溫度不會(huì)超過(guò)70度,因此選取補(bǔ)償范圍在30度到60度之間,這個(gè)范圍進(jìn)行的恒定值補(bǔ)償是合理的,此時(shí)的錳銅溫升誤差α = (194. 5-195)/195 = -0. 00256。當(dāng)選用大阻值的錳銅時(shí),錳銅值隨溫度的波動(dòng)很小時(shí)α可以忽略不計(jì),電表誤差主要來(lái)至芯片。隨著溫度的升高,芯片發(fā)熱也會(huì)導(dǎo)致電表的誤差偏移。因溫升過(guò)程中芯片參考電壓與電壓通道共地,所以電壓通道信號(hào)采樣不會(huì)發(fā)生變化。而電流通道為差模接線方法,所以當(dāng)參考電壓發(fā)生溫漂時(shí)即會(huì)帶來(lái)芯片誤差。圖2為本發(fā)明實(shí)施例電流通道的差模接線電路圖,如圖2所示,其中VINMnCuPl以及VINMnCum接錳銅片,而VlP和VlN接計(jì)量芯片。芯片溫度每升高一度所導(dǎo)致的芯片誤差偏移量A可以從手冊(cè)中查到。以ATT7053 為例,該偏移量A可以取值30ppm/°C,芯片溫升誤差Δ = (t-t0) X30ppm/°C ;t為當(dāng)前溫度,這個(gè)溫度可以通過(guò)溫度傳感器讀取出來(lái),、為常溫的溫度值,可以取25°C-30°C,得到的芯片誤差是一個(gè)無(wú)量綱的相對(duì)量,單位為ppm(百萬(wàn)分之一),本實(shí)施例以、=30°C為例進(jìn)行說(shuō)明。圖3為本發(fā)明實(shí)施例計(jì)量芯片的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)原理圖。下面結(jié)合圖3詳細(xì)描述本發(fā)明實(shí)施例如何根據(jù)錳銅溫升誤差α和芯片溫升誤差△對(duì)電表進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)倪^(guò)程。(1)首先說(shuō)明常溫時(shí)圖3所示的電路如何進(jìn)行固有的誤差補(bǔ)償,該補(bǔ)償?shù)脑鲆嬷?ErrPgain可以是在出廠時(shí)就調(diào)好的并已寫(xiě)入寄存器GPQ中。首先,電流通道的相位在模數(shù)轉(zhuǎn)換過(guò)程中以及在線路上的電子電容等元器件的影響下會(huì)導(dǎo)致電流相位發(fā)生偏移,先通過(guò)相位校正單元對(duì)電流相位進(jìn)行校正1 = Im*C0S(on+cj5),Φ就是電流的偏移。Phs是電流偏移調(diào)整寄存器,在功率因數(shù)為0. 5L的時(shí)候可以把這個(gè)值Φ求出來(lái)填入到這個(gè)寄存器Phs中。然后,通過(guò)高通濾波(主要是數(shù)字濾波)消除低頻噪聲和干擾后得到電流的數(shù)字采樣值I。同理,在電壓通道對(duì)電壓采樣值進(jìn)行高通濾波后得到電壓的數(shù)字采樣值U。實(shí)際測(cè)量功率Wl = U*I。當(dāng)輸入端的電流為零時(shí),圖3所示電路中的元器件雖然未工作,但是會(huì)由于外界噪音干擾產(chǎn)生一個(gè)偏移誤差,使得電表在零輸入的時(shí)候其指示的位置也不在零點(diǎn),因此需要進(jìn)行過(guò)零調(diào)整。此時(shí)通過(guò)輸出端讀出這個(gè)偏移值,寫(xiě)入到功率偏移調(diào)整部件(P0Q中。這個(gè)偏差很小,只是在零輸入的時(shí)候保證輸出為零而設(shè)置的。當(dāng)輸入電流和電壓不為零時(shí),電路中的元器件在工作時(shí)也會(huì)產(chǎn)生誤差,該誤差一般比過(guò)零調(diào)整的誤差要大很多,導(dǎo)致輸出值與標(biāo)準(zhǔn)值之間一定會(huì)存在一個(gè)偏差,即實(shí)際測(cè)量功率Wl的值與輸入的源端真實(shí)功率W2也會(huì)存在偏差。這個(gè)偏差經(jīng)過(guò)反運(yùn)算填入到功率增益調(diào)整寄存器GPQ中,通過(guò)寄存器GPQ中的增益值ErrPgain來(lái)調(diào)整功率值,經(jīng)調(diào)整后的輸出端得到的值可以認(rèn)為是等于源端真實(shí)功率W2。圖3中,經(jīng)調(diào)整后的功率值用P表示,經(jīng)過(guò)功率計(jì)算(包括有功、無(wú)功功率的分別計(jì)算)后,PowerP寄存器中保存的是計(jì)算后的有功功率值,而PowerP管腳輸出的是內(nèi)部經(jīng)過(guò)調(diào)整后的有功功率脈沖。整個(gè)過(guò)程可以理解為Y = KX為標(biāo)準(zhǔn)值參數(shù)方程(其中X = U*I);這里的K為1, 但實(shí)際上這個(gè)1由于誤差不能被保證,所以要進(jìn)行微調(diào)。即寄存增益ErrPgain是對(duì)1倍關(guān)系的微調(diào),W2 = (l+ErrPgain)*U*I ;當(dāng)ErrPgain = O時(shí),Wl = 1*U*I。即被調(diào)整后的功率值可以認(rèn)為等同于原功率值W2,而未被調(diào)整的功率值為實(shí)際測(cè)量功率Wl。所以常溫時(shí)的誤差Err= (Wl-ff2)/W2 = (1-(1+ErrPgain)) (1+ErrPgain)氺U氺I = (-ErrPgain)/ (1+ErrPgain)--------(1);gp, ErrPgain = (-Err)/(1+Err)--------(2);而ErrPgain是常溫時(shí)校表的增益,Errfgain可以是出廠時(shí)就已經(jīng)寫(xiě)入寄存器GPQ 中的值。(2)接著說(shuō)明溫度升高時(shí)圖3所示的電路如何進(jìn)行溫度補(bǔ)償。考慮到溫升過(guò)程額外的誤差因素,本實(shí)施例采用下述公式來(lái)獲得溫升過(guò)程的誤差,該誤差err將作為溫升過(guò)程的增益填入寄存器GPQ中。
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      err = - (Err+ δ ) / (1+Err+ δ )--------(3)其中,δ = Δ + α,Δ為芯片的溫升誤差,α為錳銅片的溫升誤差。綜合公式2和公式3可得err = ( δ -ErrPgain+ δ 氺ErrPgain) / (1+ δ 氺ErrPgain+ δ )--------(4)通過(guò)將err值重新寫(xiě)入GPQ中,并對(duì)得到的功率值進(jìn)行調(diào)整就可以得到最后輸出的功率。輸出段可以得到溫升過(guò)程中調(diào)整后的真實(shí)功率值W3。W3 = (l+err)*U*I--------(5)圖4為本發(fā)明實(shí)施例的溫度補(bǔ)償整體流程圖,如圖4所示該方法包括S401、根據(jù)計(jì)量芯片的當(dāng)前溫度值確定計(jì)量芯片的溫升誤差Δ ;S402、根據(jù)錳銅片的電流有效值以及錳銅片的溫升誤差曲線確定錳銅片的溫升誤差α ;S403、將所述芯片的溫升誤差Δ以及所述錳銅片的溫升誤差α轉(zhuǎn)換為所述電表的溫度補(bǔ)償值err ;S404、采用所述電表的溫度補(bǔ)償值err對(duì)所述電表的輸出功率進(jìn)行溫度補(bǔ)償。具體地,S401包括測(cè)量計(jì)量芯片的當(dāng)前溫度t ;如果t不高于常溫、,則不對(duì)計(jì)量芯片進(jìn)行溫度補(bǔ)償,所述計(jì)量芯片的溫升誤差Δ =0;當(dāng){>、時(shí),根據(jù)當(dāng)前溫度1與常溫、之間的溫度差、以及芯片溫度每升高一度所導(dǎo)致的芯片誤差偏移量Α,生成計(jì)量芯片的溫升誤差Δ。具體地,S402包括測(cè)量所述錳銅片的電流有效值I ;如果所述電流有效值I不高于預(yù)設(shè)下限值Itl,則不對(duì)錳銅片進(jìn)行補(bǔ)償,所述錳銅片的溫升誤差α = 0 ;當(dāng)I > Itl,根據(jù)所述錳銅片的溫升誤差曲線確定錳銅片的溫升誤差α。如何確定錳銅片的溫升誤差α。具體地,S403包括獲取所述電表的功率增益調(diào)整寄存器GPQ中預(yù)先存儲(chǔ)的常溫時(shí)的固有增益補(bǔ)償值ErrPgain ;根據(jù)所述常溫時(shí)的固有增益補(bǔ)償值ErrPgairu溫度升高以后獲得的計(jì)量芯片的溫升誤差△、以及錳銅片的溫升誤差α,生成所述電表的溫度補(bǔ)償值 err ο具體地,S404包括將所述溫度補(bǔ)償值err寫(xiě)入所述電表的功率增益調(diào)整寄存器 GPQ中;采用所述寄存器GPQ中的err值,對(duì)電表的輸出功率值進(jìn)行微調(diào)。其中,采用所述寄存器GPQ中的err值,對(duì)輸出電表的輸出功率值進(jìn)行微調(diào)包括 將所述溫度補(bǔ)償值err作為增益系數(shù)與實(shí)際測(cè)量功率值相乘,得到輸出功率值的微調(diào)量; 將實(shí)際測(cè)量功率值與所述輸出功率值的微調(diào)量相加,得到調(diào)整后的輸出功率值。關(guān)于如何生成計(jì)量芯片的溫升誤差Δ的方法、如何確定錳銅片的溫升誤差α的方法、如何生成電表溫度補(bǔ)償值err的方法,以及如何根據(jù)err的值對(duì)電表的輸出功率值進(jìn)行微調(diào)的方法已經(jīng)在前述實(shí)施例中舉例詳細(xì)說(shuō)明,此處不再展開(kāi)。需要聲明的是,前述實(shí)施例中對(duì)于圖4每個(gè)步驟的具體計(jì)算方法僅用于對(duì)本案進(jìn)行解釋說(shuō)明,而并非用于對(duì)本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍進(jìn)行限定,凡是同時(shí)考慮錳銅片的溫升誤差α以及計(jì)量芯片的溫升誤差Δ來(lái)共同確定電表的溫度補(bǔ)償值err,并采用該err 來(lái)動(dòng)態(tài)調(diào)整電表輸出功率的其他方法的合理變型均在本發(fā)明的權(quán)利要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。圖5為本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)具體的溫度補(bǔ)償方法流程圖。該具體的溫度補(bǔ)償過(guò)程中,假設(shè)、= 30°C,I0 = 40A,芯片溫度每升高一度所導(dǎo)致的芯片誤差偏移量A為30ppm,并且錳銅片選用的型號(hào)為FVF7. 731. 678-31,其溫升誤差α采用前述實(shí)施例的算法獲得。如圖5所示測(cè)量芯片的溫度值,判斷當(dāng)前溫度是否高于30°C,如果是則進(jìn)行芯片的溫度補(bǔ)償, 其溫升誤差Δ = (t-30) °C X30ppm/°C,如果溫度不高于30°C,則不對(duì)芯片進(jìn)行溫度補(bǔ)償, Δ = 0。讀取錳銅片的電流有效值,判斷電流有效值是否高于40Α,如果是則進(jìn)行錳銅片的溫度補(bǔ)償,其溫升誤差α = (194. 5-195)/195 = -0. 00256,如果電流有效值不高于40Α,則不對(duì)錳銅片進(jìn)行溫度補(bǔ)償,α = 0。將計(jì)量芯片的溫升誤差Δ與錳銅片的溫升誤差α相加,得到一個(gè)中間值δ,將 δ值轉(zhuǎn)換成寄存器中的電表溫度補(bǔ)償值err,并采用該err值對(duì)電表的輸出功率進(jìn)行微調(diào), 以使得溫度造成的誤差可以被抵消。本發(fā)明實(shí)施例的方法綜合考慮了計(jì)量芯片的溫升誤差Δ與錳銅片的溫升誤差 α,并能夠?qū)崿F(xiàn)在不同的溫度條件下對(duì)電表輸出功率進(jìn)行動(dòng)態(tài)調(diào)整,克服了溫度對(duì)電表精度造成的影響,對(duì)溫升過(guò)程中電表精度進(jìn)行了有效控制。以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案,而非對(duì)其限制;盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改,或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換;而這些修改或者替換,并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明實(shí)施例各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。
      權(quán)利要求
      1.一種對(duì)電表中的計(jì)量芯片和錳銅片進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)姆椒ǎ涮卣髟谟?,所述方法包括根?jù)計(jì)量芯片的當(dāng)前溫度值確定計(jì)量芯片的溫升誤差Δ ; 根據(jù)錳銅片的電流有效值以及錳銅片的溫升誤差曲線確定錳銅片的溫升誤差α ; 將所述芯片的溫升誤差△以及所述錳銅片的溫升誤差α轉(zhuǎn)換為所述電表的溫度補(bǔ)償值 err ;采用所述電表的溫度補(bǔ)償值err對(duì)所述電表的輸出功率進(jìn)行溫度補(bǔ)償。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述根據(jù)計(jì)量芯片的當(dāng)前溫度值確定計(jì)量芯片的溫升誤差Δ包括測(cè)量計(jì)量芯片的當(dāng)前溫度t;如果t不高于常溫、,則不對(duì)計(jì)量芯片進(jìn)行溫度補(bǔ)償,所述計(jì)量芯片的溫升誤差Δ =0 ;當(dāng)t >、時(shí),根據(jù)當(dāng)前溫度t與常溫、之間的溫度差、以及芯片溫度每升高一度所導(dǎo)致的芯片誤差偏移量A,生成計(jì)量芯片的溫升誤差Δ。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,根據(jù)錳銅片的電流有效值以及錳銅片的溫升誤差曲線確定錳銅片的溫升誤差α包括測(cè)量所述錳銅片的電流有效值I ;如果所述電流有效值I不高于預(yù)設(shè)下限值Itl,則不對(duì)錳銅片進(jìn)行補(bǔ)償,所述錳銅片的溫升誤差α = 0 ;當(dāng)I > Itl,根據(jù)所述錳銅片的溫升誤差曲線確定錳銅片的溫升誤差α。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,將所述芯片的溫升誤差△以及所述錳銅片的溫升誤差α轉(zhuǎn)換為所述電表的溫度補(bǔ)償值err包括獲取所述電表的功率增益調(diào)整寄存器GPQ中預(yù)先存儲(chǔ)的常溫時(shí)的固有增益補(bǔ)償值 ErrPgain ;根據(jù)所述常溫時(shí)的固有增益補(bǔ)償值ErrPgairu溫度升高以后獲得的計(jì)量芯片的溫升誤差Δ、以及錳銅片的溫升誤差α,生成所述電表的溫度補(bǔ)償值err。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,采用所述電表的溫度補(bǔ)償值err對(duì)所述電表的輸出功率進(jìn)行溫度補(bǔ)償包括將所述溫度補(bǔ)償值err寫(xiě)入所述電表的功率增益調(diào)整寄存器GPQ中; 采用所述寄存器GPQ中的err值,對(duì)輸出電表的輸出功率值進(jìn)行微調(diào)。
      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,采用所述寄存器GPQ中的err值,對(duì)輸出電表的輸出功率值進(jìn)行微調(diào)包括將所述溫度補(bǔ)償值err作為增益系數(shù)與實(shí)際測(cè)量功率值相乘,得到輸出功率值的微調(diào)量;將實(shí)際測(cè)量功率值與所述輸出功率值的微調(diào)量相加,得到調(diào)整后的輸出功率值。
      全文摘要
      本發(fā)明實(shí)施例提供一種對(duì)電表中的計(jì)量芯片和錳銅片進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)姆椒?,所述方法包括根?jù)計(jì)量芯片的當(dāng)前溫度值確定計(jì)量芯片的溫升誤差Δ;根據(jù)錳銅片的電流有效值以及錳銅片的溫升誤差曲線確定錳銅片的溫升誤差α;將所述芯片的溫升誤差Δ以及所述錳銅片的溫升誤差α轉(zhuǎn)換為所述電表的溫度補(bǔ)償值err;采用所述電表的溫度補(bǔ)償值err對(duì)所述電表的輸出功率進(jìn)行溫度補(bǔ)償。本發(fā)明實(shí)施例的方法綜合考慮了計(jì)量芯片的溫升誤差Δ與錳銅片的溫升誤差α,并能夠?qū)崿F(xiàn)在不同的溫度條件下對(duì)電表輸出功率進(jìn)行動(dòng)態(tài)調(diào)整,克服了溫度對(duì)電表精度造成的影響,對(duì)溫升過(guò)程中電表精度進(jìn)行了有效控制。
      文檔編號(hào)G01R11/185GK102445576SQ201110263080
      公開(kāi)日2012年5月9日 申請(qǐng)日期2011年9月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月8日
      發(fā)明者李鵬 申請(qǐng)人:北京煜邦電力技術(shù)有限公司
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