專利名稱：檢查裝置和布線電路基板的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種檢查裝置和布線電路基板的制造方法，詳細而言，涉及用于對布線電路基板的覆蓋絕緣層中有無異物進行檢查的檢查裝置、使用該檢查裝置的布線電路基板的制造方法。
背景技術：
以往，帶電路的懸掛基板等布線電路基板包括金屬支承層、基底絕緣層、導體圖案、覆蓋絕緣層，基底絕緣層、導體圖案、覆蓋絕緣層被依次層疊在金屬支承層之上。在這樣的布線電路基板中，在形成覆蓋絕緣層之后，利用對布線電路基板的全體外觀進行檢查的自動外觀檢查裝置(AVI Automatic Visual Inspection)對覆蓋絕緣層中有無異物進行檢查。作為這樣的AVI裝置，例如提出有如下所述的檢查裝置具有上部照射部件、水平照射部件、顯微鏡，上部照射部件、水平照射部件、顯微鏡被配置在長條狀的薄膜載帶 (film carrier tape)的上方并與該薄膜載帶相對，該薄膜載帶包括絕緣膜、布線圖案、覆蓋絕緣層，布線圖案被形成在絕緣薄膜之上，覆蓋絕緣層覆蓋布線圖案(例如參照日本特開2007-42956號公報)。在該檢查裝置中，上部照射部件被形成為以LED為光源的環(huán)形照明，上部照射部件以光相對于鉛垂方向的入射角是3 45度的方式向薄膜載帶照射光。另外，水平照射部件由1對熒光燈形成，該1對熒光燈呈直線狀延伸，并被相互隔著間隔地相對配置在上部照射部件的下側，水平照射部件以光相對于鉛垂方向的入射角是 45 90度的方式向薄膜載帶照射光。并且，來自上述的上部照射部件和水平照射部件的光在薄膜載帶上反射而形成反射光，利用顯微鏡來讀取該反射光來檢查薄膜載帶。然而，在上述的日本特開2007-4四56號公報所記載的檢查裝置中，向薄膜載帶照射近似水平的光的水平照射部件由1對直線狀的熒光燈形成。因此，沿著兩熒光燈的相對方向凸凹交替地連續(xù)，在較大的兩個凸部之間存在較小的凸部的情況下(具體而言，薄膜載帶的布線圖案并列配置有多個，在兩個布線圖案之間存在小的異物的情況下)，小的凸部進入大的兩個凸部的陰影中，從而存在難以檢測小的凸部的情況。S卩、存在不能對有無微細的異物進行高精度的檢查的問題。

發(fā)明內容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠對覆蓋絕緣層中有無異物進行高精度的檢查的檢查裝置和布線電路基板的制造方法。本發(fā)明的檢查裝置是用于對下述布線電路基板的覆蓋絕緣層中有無異物進行檢查的檢查裝置，上述布線電路基板包括基底絕緣層、形成在上述基底絕緣層之上的導體圖案、以覆蓋上述導體圖案的方式形成在上述基底絕緣層之上的覆蓋絕緣層，其特征在于，該檢查裝置包括用于發(fā)出能入射到上述覆蓋絕緣層的入射光的發(fā)光單元、用于對上述入射光被上述覆蓋絕緣層的表面反射而成的反射光進行接收的受光單元，上述發(fā)光單元包括第1 發(fā)光部、第2發(fā)光部，第1發(fā)光部呈環(huán)狀，以上述入射光與上述基底絕緣層的表面之間的角度是25度以下的方式發(fā)出上述入射光，第2發(fā)光部呈環(huán)狀，以上述入射光與上述基底絕緣層的表面之間的角度是35 65°的方式發(fā)出上述入射光。另外，采用本發(fā)明的檢查裝置，優(yōu)選上述發(fā)光單元還具有第3發(fā)光部，第3發(fā)光部呈環(huán)狀，并以上述入射光與上述基底絕緣層的表面之間的角度是15 45°的方式發(fā)出上述入射光。另外，采用本發(fā)明的檢查裝置，優(yōu)選上述入射光的波長是450 750nm。另外，采用本發(fā)明的檢查裝置，優(yōu)選上述入射光相對于上述覆蓋絕緣層的透射率是30%以下。另外，采用本發(fā)明的檢查裝置，優(yōu)選上述入射光相對于上述覆蓋絕緣層的反射率是10 30%。另外，采用本發(fā)明的布線電路基板的制造方法，其特征在于，該布線電路基板的制造方法包括形成基底絕緣層的工序、在上述基底絕緣層之上形成導體圖案的工序、在上述基底絕緣層之上以覆蓋上述導體圖案的方式形成覆蓋絕緣層的工序、使用上述檢查裝置對上述覆蓋絕緣層中有無異物進行檢查的檢查工序。采用本發(fā)明的檢查裝置，用于發(fā)出能入射到覆蓋絕緣層的入射光的發(fā)光單元包括第1發(fā)光部、第2發(fā)光部，第1發(fā)光部呈環(huán)狀，以入射光與基底絕緣層的表面之間的角度是 25度以下的方式發(fā)出入射光，第2發(fā)光部呈環(huán)狀，以入射光與基底絕緣層的表面之間的角度是35 65°的方式發(fā)出入射光。因此，來自第1發(fā)光部的以小角度(與基底絕緣層的表面之間的角度是25°以下)入射到覆蓋絕緣層的入射光、來自第2發(fā)光部的以大角度(與基底絕緣層的表面之間的角度是35 65° )入射到覆蓋絕緣層的入射光都呈環(huán)狀地入射。由此，可以使以小角度進行入射的入射光、以大角度進行入射的入射光從全方位入射到覆蓋絕緣層的微細的凸部，從而能夠高精度地檢測微細的凸部。結果，能夠對覆蓋絕緣層中有無異物進行高精度的檢查。另外，根據使用那樣的檢查裝置的布線電路基板的制造方法，可以高精度地檢測覆蓋絕緣層中所存在的異物，從而能夠謀求布線電路基板的微間距化。


圖1是表示本發(fā)明的檢查裝置的一實施方式的概略結構圖。圖2是圖1所示的檢查裝置的立體圖。圖3是用于說明本發(fā)明的布線電路基板的制造方法的工序圖，(a)是表示準備金屬支承基板的工序；(b)是表示形成基底絕緣層的工序；(c)是表示形成導體圖案的工序；(d)是表示形成覆蓋絕緣層的工序。
圖4是用于說明對覆蓋絕緣層中有無異物進行檢查的工序的說明圖。(a)是表示在2條布線之間存在異物的狀態(tài)的剖視圖；(b)是(a)的 A-A 剖視圖。圖5是實施例1的覆蓋絕緣層的檢查圖像，其表示空隙(void)(大)的圖像。圖6是實施例1的覆蓋絕緣層的檢查圖像，其表示空隙(中)的圖像。圖7是實施例1的覆蓋絕緣層的檢查圖像，其表示空隙(小)的圖像。圖8是實施例2的覆蓋絕緣層的檢查圖像，其表示空隙(大)的圖像。圖9是實施例2的覆蓋絕緣層的檢查圖像，其表示空隙(中)的圖像。圖10是實施例2的覆蓋絕緣層的檢查圖像，其表示空隙(小)的圖像。圖11是比較例1的覆蓋絕緣層的檢查圖像，其表示空隙(大)的圖像。圖12是比較例1的覆蓋絕緣層的檢查圖像，其表示空隙(中)的圖像。圖13是比較例1的覆蓋絕緣層的檢查圖像，其表示空隙(小)的圖像。圖14是比較例2的覆蓋絕緣層的檢查圖像，其表示空隙(大)的圖像。圖15是比較例2的覆蓋絕緣層的檢查圖像，其表示空隙(中)的圖像。圖16是比較例2的覆蓋絕緣層的檢查圖像，其表示空隙(小)的圖像。
具體實施例方式圖1是表示本發(fā)明的檢查裝置的一實施方式的概略結構圖。圖2是圖1所示的檢查裝置的立體圖。如圖1和圖2所示，檢查裝置1是用于對帶電路的懸掛基板21 (后述)的覆蓋絕緣層26 (后述)中有無異物進行檢查的AVI裝置，其采用依靠所謂的環(huán)形照明的檢測方式。檢查裝置1具有作為發(fā)光單元的光源單元2、作為受光單元的攝像機單元3。光源單元2是所謂的環(huán)形照明，其發(fā)出能入射到覆蓋絕緣層沈的入射光31。另外，光源單元2包括框架5、第1發(fā)光部6、第2發(fā)光部7以及第3發(fā)光部8?？蚣?被形成為具有圓頂狀的內表面的大致圓筒形狀。詳細而言，在框架5上形成有入射側開口 11、反射側開口 12，入射側開口 11用于使將要入射到帶電路的懸掛基板 21(后述)的入射光31通過，反射側開口 12用于使來自帶電路的懸掛基板21(后述)的反射光32通過。入射側開口 11呈與框架5共有中心的大致圓形地形成在框架5的軸向一端部。反射側開口 12以與框架5共有中心的方式形成在框架5的軸向另一端部，該反射側開口 12呈直徑比入射側開口 11的直徑小的大致圓形。另外，框架5的內表面從入射側開口 11向反射側開口 12 —邊連續(xù)地彎曲一邊縮徑，被形成為圓頂狀。詳細而言，在框架5的內表面上形成有與入射側開口 11連續(xù)的第1面13、與反射側開口 12連續(xù)的第2面14、在第1面13與第2面14之間連續(xù)的第3面15。第1面13以相對于框架5的中心軸線形成大約10°的角度的方式傾斜并沿著框架5的周向形成。第2面14以相對于框架5的中心軸線形成大約50°的角度的方式傾斜并沿著框架5的周向形成。
第3面15以相對于框架5的中心軸線形成大約30°的角度的方式傾斜并沿著框架5的周向形成。S卩、框架5的內表面以第1面13、第3面15、第2面14從入射側開口 11向反射側開口 12依次并相連續(xù)的方式一邊彎曲一邊縮徑而形成為圓頂狀。第1發(fā)光部6被形成為與框架5共有中心軸線的大致圓環(huán)形狀，其被設在框架5 的第1面13上。另外，第1發(fā)光部6作為光源具有例如LED(發(fā)光二極管)、熒光燈、白熾燈、鹵素燈等，從入射光31的波長的觀點來考慮，優(yōu)選具有LED。第1發(fā)光部6更優(yōu)選具有排列配置的多個LED。第1發(fā)光部6以入射光31相對于與框架5的中心軸線正交的平面形成10士 α ° 的角度的方式發(fā)出入射光31。具體而言，第1發(fā)光部6以入射光31相對于與框架5的中心軸線正交的平面形成的角度是25°以下、優(yōu)選20°以下、更優(yōu)選15°以下的方式發(fā)出入射光31。第2發(fā)光部7被形成為與框架5共有中心軸線的大致圓環(huán)形狀，其被設在框架5 的第2面14上。另外，第2發(fā)光部7具有與第1發(fā)光部6相同的光源。第2發(fā)光部7以入射光31相對于與框架5的中心軸線正交的平面形成50士 α ° 的角度的方式發(fā)出入射光31。具體而言，第2發(fā)光部7以入射光31相對于與框架5的中心軸線正交的平面形成的角度是35 65°、優(yōu)選40 60°、更優(yōu)選45 55°的方式發(fā)出入射光31。第3發(fā)光部8被形成為與框架5共有中心軸線的大致圓環(huán)形狀，其被設在框架5 的第3面15上。另外，第3發(fā)光部8具有與第1發(fā)光部6相同的光源。第3發(fā)光部8以入射光31相對于與框架5的中心軸線正交的平面形成30士 α ° 的角度的方式發(fā)出入射光31。具體而言，第3發(fā)光部8以入射光31相對于與框架5的中心軸線正交的平面形成的角度是15 45°、優(yōu)選20 40°、更優(yōu)選25 35°的方式發(fā)出入射光31。另外，在下面的說明中，有時將與框架5的中心軸線正交的平面、由各發(fā)光部(第 1發(fā)光部6、第2發(fā)光部7、第3發(fā)光部8)發(fā)出的各入射光31所形成的角度的中間值(第1 發(fā)光部6是10°、第2發(fā)光部7是50°、第3發(fā)光部8是30° )記載為各發(fā)光部的光軸角度。由第1發(fā)光部6、第2發(fā)光部7、第3發(fā)光部8發(fā)出的入射光31的波長例如是450 750nm，優(yōu)選為 550 750nm。在入射光31的波長處于上述范圍內時，作為光源單元2的光源，能夠選擇發(fā)光量較多的光源，并且作為攝像機單元3的攝像機，能夠選擇受光量較多(高靈敏度的)攝像機。由此，能夠一邊利用明亮的光源單元2照射覆蓋絕緣層沈，一邊能夠利用高靈敏度的攝像機單元3對來自覆蓋絕緣層沈的反射光高效地進行接收，即使在覆蓋絕緣層沈的反射率較低的情況下，也能夠高精度地檢測覆蓋絕緣層26的凹凸。另外，光源單元2以框架5的中心軸線沿著帶電路的懸掛基板21 (后述)的厚度方向(后述)的形式與帶電路的懸掛基板集合片20(后述)隔開間隔地設在帶電路的懸掛基板集合片20 (后述)的上側。攝像機單元3以與光源單元2的反射側開口 12相對的方式配置在框架5的軸向另一側。攝像機單元3具有例如近紅外線攝像機、CCD攝像機等攝像機，從通用性的觀點來考慮，優(yōu)選具有CCD攝像機。另外，檢查裝置1構成為能夠以使入射光31照射到作為檢查對象的帶電路的懸掛基板21 (后述)上的方式輸送帶電路的懸掛基板集合片20 (后述)。圖3是用于說明本發(fā)明的布線電路基板的制造方法的工序圖。圖4是用于說明對覆蓋絕緣層中有無異物進行檢查的工序的說明圖，(a)是表示在2條布線之間存在異物的狀態(tài)的剖視圖，(b)是(a)的A-A剖視圖。另外，在圖3中，將紙面左右方向作為帶電路的懸掛基板21的寬度方向、將紙面上下方向作為帶電路的懸掛基板21的厚度方向、將紙厚方向作為帶電路的懸掛基板21的長度方向。接下來，參照圖3來說明本發(fā)明的作為布線電路基板的帶電路的懸掛基板21的制造方法。另外，圖3顯示1個帶電路的懸掛基板21，但在本實施方式中，帶電路的懸掛基板 21不是被單獨地制造，而是多個帶電路的懸掛基板21被同時地制造。詳細而言，在長條的金屬支承層22 (后述)上，以相互隔開間隔地并列配置的方式布圖形成多個帶電路的懸掛基板21，從而制造一體地具有多個帶電路的懸掛基板21的帶電路的懸掛基板集合片20。然后，例如，在將帶電路的懸掛基板21實裝到硬盤驅動器中時， 從帶電路的懸掛基板集合片20上單個地取下帶電路的懸掛基板21而進行安裝。在制造帶電路的懸掛基板21時，如圖3的(a)所示，首先，準備片狀的金屬支承層 22。作為形成金屬支承層22的材料，列舉出例如不銹鋼、42合金、鋁、銅-鈹合金、磷青銅等金屬材料，優(yōu)選列舉出不銹鋼。金屬支承層22的厚度例如是10 50 μ m,優(yōu)選為15 35 μ m。然后，在制造帶電路的懸掛基板21時，如圖3的(b)所示，在形成有導體圖案4的部分的金屬支承層22之上形成基底絕緣層23。作為形成基底絕緣層23的材料，例舉例如聚酰亞胺、聚酰胺-酰亞胺、丙烯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚鄰苯二酸二烯丙酯、聚氯乙烯等合成樹脂，從熱尺寸穩(wěn)定性的觀點來考慮，優(yōu)選例舉聚酰亞胺。另外，基底絕緣層23由例如利用未硬化樹脂的硬化得到的合成樹脂形成。S卩、首先，例如，將感光性聚酰氨酸樹脂等具有感光性的未硬化樹脂的溶液涂覆在金屬支承層22之上，使其干燥，從而形成感光層。接下來，隔著光掩模來對感光層進行曝光、顯影，并使其干燥，從而用上述的圖案形成由未硬化樹脂構成的未硬化樹脂層(未圖示)°然后，使未硬化樹脂層硬化而形成由合成樹脂構成的基底絕緣層23。對于未硬化樹脂的硬化，可使用例如利用電子線、紫外線等的光硬化、例如加熱硬化等，優(yōu)選使用加熱硬化。加熱硬化的加熱溫度例如是300 500°C，優(yōu)選為360 440°C。另外，基底絕緣層23也可以通過下述方法形成，例如，在上述的圖案的薄膜上預先形成合成樹脂，借助公知的粘接劑層將該薄膜粘接在金屬支承層22的表面上。 基底絕緣層23的厚度例如是3 20 μ m，優(yōu)選為3 10 μ m。 然后，在制造帶電路的懸掛基板21時，如圖3的(c)所示，用規(guī)定的圖案在基底絕
緣層23之上形成導體圖案對。
具體而言，用如下圖案來形成導體圖案M，該圖案包括沿寬度方向互相隔開間隔地并列配置的多條0條)布線25、在各布線25的長度方向一端部各自設置的各頭側端子 (未圖示)、在各布線25的長度方向另一端部各自設置的各外部側端子(未圖示)。作為形成導體圖案M的材料，列舉出例如銅、鎳、金、軟釬料、或者它們的合金等導體材料，優(yōu)選列舉出銅。在形成導體圖案M時，例如，利用加成法、減成法等公知的圖案形成法，優(yōu)選利用加成法。在減成法中，具體而言，首先，在包含基底絕緣層23的金屬支承層22的表面上利用濺射法等形成導體種膜。接下來，在該導體種膜的表面上用導體圖案M的翻轉圖案形成抗鍍層。然后，在露出于抗鍍層的基底絕緣層23的導體種膜的表面上，利用電解電鍍來形成導體圖案對。然后，除去抗鍍層和層疊有該抗鍍層的部分的導體種膜。導體圖案M的厚度例如是3 30 μ m，優(yōu)選5 20 μ m。在導體圖案M的厚度不滿足上述的范圍時，有時布線側隆起部分34(后述)的隆起不充分。另外，各布線25的寬度可以相同也可以不同，例如為5 500μπι，優(yōu)選為10 200 μ m，各布線25之間的間隔可以相同也可以不同，例如為5 200 μ m，優(yōu)選為5 100 μ m0接下來，在制造帶電路的懸掛基板21時，如圖3的(d)所示，在基底絕緣層23之上，以覆蓋各布線25且使各頭側端子(未圖示)和各外部側端子(未圖示)露出的方式形成絕緣層26。作為形成覆蓋絕緣層沈的材料，列舉出與上述的形成基底絕緣層23的材料相同的材料，優(yōu)選列舉出聚酰亞胺。另外，覆蓋絕緣層沈形成為在與布線25相對應的部分覆蓋布線25的上表面和寬度方向兩側面。由此，在覆蓋絕緣層26中形成有與布線25的剖面形狀相對應地隆起的布線側隆起部分34。另外，覆蓋絕緣層沈的與各布線25之間相對應的部分形成為相對于布線側隆起部分34凹陷。另外，布線側隆起部分34包括第1平坦部36，其覆蓋布線25的寬度方向兩端面； 肩部37，其與第1平坦部36連續(xù)，以覆蓋布線25的寬度方向兩端部的上側角部的方式向上側彎曲；第2平坦部38，其與肩部37連續(xù)，覆蓋布線25的上表面。另外，入射光31對于覆蓋絕緣層沈的透射率T (對于厚度是17 μ m的覆蓋絕緣層沈的透射率)例如是30%以下，優(yōu)選為15%以下，通常是0%以上。另外，利用分光光度計來測量透射率T。在入射光31對于覆蓋絕緣層沈的透射率T是上述范圍內時，能夠抑制入射光31 透過覆蓋絕緣層26。由此，一邊能夠降低透過了覆蓋絕緣層沈的入射光31的影響(在導體圖案M的表面被反射而被攝像機單元3接收等)，一邊能夠使攝像機單元3高效地對被覆蓋絕緣層沈的表面反射而成的反射光32進行接收。另外，入射光31對于覆蓋絕緣層沈的反射率(入射角0度)R例如是10 30%， 優(yōu)選為10 15%。覆蓋絕緣層沈的厚度(即、在覆蓋布線25的部分中，從布線25的表面(上表面和側面)到覆蓋絕緣層26的表面(上表面和側面)的長度；在對基底絕緣層23的從布線25露出的部分加以覆蓋的部分中，從基底絕緣層23的表面(上表面)到覆蓋絕緣層沈的表面(上表面)的長度)例如是50 μ m以下，優(yōu)選為20 μ m以下，通常是1 μ m以上，優(yōu)選為 3 μ m以上。在覆蓋絕緣層沈的厚度超過上述的范圍時，有時難以對布線側隆起部分34進行高精度的檢測。隨后，在制造帶電路的懸掛基板21時，使用上述的檢查裝置1來檢查覆蓋絕緣層 26中有無異物。如圖1所示，一邊使用檢查裝置1輸送帶電路的懸掛基板集合片20并使得入射光 31照射到帶電路的懸掛基板21，一邊實施覆蓋絕緣層沈的檢查。由第1發(fā)光部6發(fā)出的入射光31以使入射光31與基底絕緣層23的表面之間的角度是10士 α °的方式入射到覆蓋絕緣層沈。具體而言，由第1發(fā)光部6所發(fā)出的入射光 31以使入射光31與基底絕緣層23的表面之間的角度是25°以下、優(yōu)選20°以下、更優(yōu)選 15°以下的方式入射到覆蓋絕緣層沈。由第2發(fā)光部7所發(fā)出的入射光31以使入射光31與基底絕緣層23的表面之間的角度是50士 α °的方式入射到覆蓋絕緣層沈。具體而言，由第2發(fā)光部7所發(fā)出的入射光31以使入射光31與基底絕緣層23的表面的角度是35 65°、優(yōu)選為40 60°、更優(yōu)選為35 55°的方式入射到覆蓋絕緣層沈。由第3發(fā)光部8所發(fā)出的入射光31以使入射光31與基底絕緣層23的表面之間的角度是30士 α °的方式入射到覆蓋絕緣層沈。具體而言，由第3發(fā)光部8所發(fā)出的入射光31以使入射光31與基底絕緣層23的表面之間的角度是15 45°、優(yōu)選為20 40°、 更優(yōu)選為25 35°的方式入射到覆蓋絕緣層沈。另外，入射光31在覆蓋絕緣層沈的表面被反射，在該反射光32中的主要是在布線側隆起部分34的肩部37被反射的反射光32被攝像機單元3檢測到。詳細而言，如在圖4的(a)中放大所示，來自第1發(fā)光部6的入射光31中的向肩部37的入射到下端部附近的入射光31被朝著攝像機單元3向上側反射，該反射光32被攝像機單元3檢測到。另外，來自第2發(fā)光部7的入射光31中的入射到肩部37的上端部附近的入射光 31被朝著攝像機單元3向上側反射，該反射光32被攝像機單元3檢測到。另外，來自第3發(fā)光部8的入射光31中的入射到肩部37的上下方向中央附近的入射光31被朝著攝像機單元3向上側反射，該反射光32被攝像機單元3檢測到。另一方面，入射光31中的入射到覆蓋絕緣層沈的平坦的部分(肩部37以外的部分)的入射光31不向攝像機單元3反射，而向與該入射方向相反的方向反射，該反射光32 不被攝像機單元3檢測到。由此，在利用攝像機單元3對帶電路的懸掛基板21的覆蓋絕緣層沈進行拍攝時， 布線側隆起部分34的肩部37被明亮地拍攝，而肩部37以外的部分被較暗地拍攝。在此，在覆蓋絕緣層沈中混入有金屬粉末、樹脂粉末、空氣等異物33的情況下，覆蓋絕緣層26在混入有異物33的部分也隆起而形成與異物33相對應的異物側隆起部分35。于是，入射光31在異物側隆起部分35的位置也與上述的布線側隆起部分34同樣地被朝著攝像機單元3向上側反射，該反射光32被攝像機單元3檢測到。由此，利用攝像機單元3，異物側隆起部分35也被明亮地拍攝，從而能夠檢測到異物33。具體而言，在2條布線25之間存在異物33，且異物33具有比布線25的厚度短的厚度方向的長度，在此情況下，如圖4的(b)所示，可以利用從布線25的延伸方向(在本實施方式中，與帶電路的懸掛基板21的長度方向相同的方向)入射到異物側隆起部分35的入射光31來檢測異物33。然后，將被檢測異物33的帶電路的懸掛基板21判斷為不合格品而排除，同時，將未被檢測異物33的帶電路的懸掛基板21判斷為合格品而作為制品。這樣一來，得到帶電路的懸掛基板21。采用該檢查裝置1，如圖1和圖4所示，發(fā)出能入射到覆蓋絕緣層沈的入射光31 的光源單元2包括第1發(fā)光部6，其呈環(huán)狀，用于以使入射光31與基底絕緣層23的表面之間的角度是25°以下的方式發(fā)出入射光31 ；第2發(fā)光部7，其呈環(huán)狀，用于以使入射光31 與基底絕緣層23的表面之間的角度是35 65°的方式發(fā)出入射光31。因此，來自第1發(fā)光部6的以小角度(與基底絕緣層23的表面之間的角度是25° 以下)入射到覆蓋絕緣層26的入射光31與來自第2發(fā)光部7的以大角度(與基底絕緣層 23的表面之間的角度是35 65° )入射到覆蓋絕緣層沈的入射光31都呈環(huán)狀地入射。由此，能夠使以小角度入射的入射光31和以大角度入射的入射光31從全方位入射到覆蓋絕緣層26中的微細的異物側隆起部分35，從而能夠高精度地檢測微細的異物側隆起部分35。結果，能夠高精度地檢查到覆蓋絕緣層沈中有無異物33。另外，采用該檢查裝置1，如圖1和圖4所示，光源單元2還具有環(huán)狀的第3發(fā)光部 8，第3發(fā)光部8用于以使入射光31與基底絕緣層23的表面之間的角度是15 45°的方式發(fā)出入射光31。因此，能夠更高精度地檢測到微細的異物側隆起部分35，從而更高精度地檢查覆蓋絕緣層沈中有無異物33。于是，根據使用了那樣的檢查裝置1的帶電路的懸掛基板21的制造方法，能夠高精度地檢測到覆蓋絕緣層沈中存在的異物，從而能夠謀求布線電路基板21的微間距化 (fine pitch)。實施例下面展示實施例和比較例，更具體地說明本發(fā)明，但本發(fā)明不限定于任何實施例和比較例。實施例1首先，準備厚度是18μπι的由不銹鋼構成的金屬支承層(參照圖3的(a))，隨后， 在金屬支承層的表面上涂覆感光性聚酰胺酸樹脂的清漆，干燥之后，進行曝光和顯影，再進行加熱硬化，從而用上述的圖案來形成厚度是IOym的由聚酰亞胺構成的基底絕緣層(參照圖3的(b))。隨后，在包含金屬支承層的基底絕緣層的表面上利用鉻濺射和銅濺射依次地形成厚度是0. 3 μ m的鉻薄膜和厚度是0. 07 μ m的銅薄膜來作為導體膜。接下來，將導體圖案的翻轉圖案的抗鍍層形成在導體薄膜的表面上，然后，利用電解鍍銅在自抗鍍層露出的導體薄膜的表面上形成厚度是12 μ m的導體圖形。接下來，利用化學蝕刻來除去抗鍍層和形成有抗鍍層的部分的導體薄膜(參照圖3的(C))。隨后，在包含導體圖形的基底絕緣層的表面上涂覆感光性聚酰胺酸樹脂的清漆， 干燥之后，進行曝光和顯影，再進行加熱硬化，從而以覆蓋布線且露出頭側端子和外部側端子的圖案來形成厚度是17 μ m的由聚酰亞胺構成的覆蓋絕緣層(參照圖3的(d))。覆蓋絕緣層的覆蓋著布線的部分隆起，從而形成布線側隆起部分。波長是620nm的光對于覆蓋絕緣層的透射率T是12%，波長是620nm的光對于覆蓋絕緣層的反射率R(入射角是0° )是10%。另外，透射率T和反射率R是利用分光光度計(V-670，紫外可見紅外分光光度計，日本分光社制)來測量的。另外，在形成覆蓋絕緣層時，使空氣混入在2條布線之間的覆蓋絕緣層中，從而形成大中小3種不同尺寸的空隙。在覆蓋絕緣層中，形成有各空隙的部分隆起，從而形成異物側隆起部分。被形成的空隙(大)的尺寸如下所述厚度方向的長度為20 μ m、寬度方向的長度為15 μ m、長度方向的長度為100 μ m。被形成的空隙(中)的尺寸如下所述厚度方向的長度為10 μ m、寬度方向的長度為10 μ m、長度方向的長度為20 μ m。被形成的空隙(小)的尺寸如下所述厚度方向的長度為5μπκ寬度方向的長度為5μπκ長度方向的長度為10 μ m。接下來，利用上述的檢查裝置自光源單元的第1發(fā)光部和第2發(fā)光部將波長是 620nm的入射光照射到覆蓋絕緣層上，利用C⑶攝像機對其反射光進行接收而得到檢查圖像。通過解析所得到的檢查圖像來檢查覆蓋絕緣層的好壞?？障?大)的圖像表示在圖5 中、空隙(中)的圖像表示在圖6中，空隙(小)的圖像表示在圖7中。另外，檢查圖像的評價表示在下述的表1中。由此，得到帶電路的懸掛基板。實施例2自光源單元的第1發(fā)光部、第2發(fā)光部、第3發(fā)光部將波長是620nm的入射光照射到覆蓋絕緣層上，利用C CD攝像機對其反射光進行接收而得到檢查圖像，除此之外，與實施例1同樣地檢查覆蓋絕緣層的好壞。空隙(大)的圖像表示在圖8中、空隙(中)的圖像表示在圖9中，空隙(小)的圖像表示在圖10中。另外，檢查圖像的評價表示在下述表1 中。比較例1準備光軸角度是20°的光源，自該光源將波長是620nm的入射光照射到覆蓋絕緣層上，利用CCD攝像機對其反射光進行接收而得到檢查圖像，除此之外，與實施例1同樣地檢查覆蓋絕緣層的好壞?？障?大)的圖像表示在圖11中、空隙(中)的圖像表示在圖12 中，空隙(小)的圖像表示在圖13中。另外，檢查圖像的評價表示在下述表1中。比較例2準備光軸角度是60°的光源，自該光源將波長是620nm的入射光照射到覆蓋絕緣層上，利用CCD攝像機對其反射光進行受光而得到檢查圖像，除此之外，與實施例1同樣地檢查覆蓋絕緣層的好壞。空隙(大)的圖像表示在圖14中、空隙(中)的圖像表示在圖15 中，空隙(小)的圖像表示在圖16中。另外，檢查圖像的評價表示在下述表1中。
表 權利要求
1.一種檢查裝置，其用于對布線電路基板的覆蓋絕緣層中有無異物進行檢查，該布線電路基板包括基底絕緣層、形成在上述基底絕緣層之上的導體圖案、以覆蓋上述導體圖案的方式形成在上述基底絕緣層之上的覆蓋絕緣層；其特征在于，該檢查裝置包括發(fā)光單元，其用于發(fā)出能入射到上述覆蓋絕緣層的入射光；受光單元，其用于對上述入射光被上述覆蓋絕緣層的表面反射而成的反射光進行接收；上述發(fā)光單元包括第1發(fā)光部，其呈環(huán)狀，以上述入射光與上述基底絕緣層的表面之間的角度是25°以下的方式發(fā)出上述入射光；第2發(fā)光部，其呈環(huán)狀，以上述入射光與上述基底絕緣層的表面之間的角度是35° 65°的方式發(fā)出上述入射光。
2.根據權利要求1所述的檢查裝置，其特征在于，上述發(fā)光單元還具有第3發(fā)光部，第3發(fā)光部呈環(huán)狀，并以上述入射光與上述基底絕緣層的表面之間的角度是15° 45°的方式發(fā)出上述入射光。
3.根據權利要求1所述的檢查裝置，其特征在于， 上述入射光的波長是450nm 750nm。
4.根據權利要求1所述的檢查裝置，其特征在于，上述入射光相對于上述覆蓋絕緣層的透射率是30%以下。
5.根據權利要求1所述的檢查裝置，其特征在于，上述入射光相對于上述覆蓋絕緣層的反射率是10% 30%。
6.一種布線電路基板的制造方法，其特征在于， 該布線電路基板的制造方法包括形成基底絕緣層的工序； 在上述基底絕緣層之上形成導體圖案的工序；在上述基底絕緣層之上以覆蓋上述導體圖案的方式形成覆蓋絕緣層的工序； 使用檢查裝置對上述覆蓋絕緣層中有無異物進行檢查的工序； 上述檢查裝置包括發(fā)光單元，其用于發(fā)出能入射到上述覆蓋絕緣層的入射光；受光單元，其用于對上述入射光被上述覆蓋絕緣層的表面反射而成的反射光進行接收；上述發(fā)光單元包括第1發(fā)光部，其呈環(huán)狀，以上述入射光與上述基底絕緣層的表面之間的角度是25°以下的方式發(fā)出上述入射光；第2發(fā)光部，其呈環(huán)狀，以上述入射光與上述基底絕緣層的表面之間的角度是35° 65°的方式發(fā)出上述入射光。
全文摘要
本發(fā)明提供一種檢查裝置和布線電路基板的制造方法。檢查裝置包括發(fā)光單元，其用于發(fā)出能入射到覆蓋絕緣層的入射光；受光單元，其用于對入射光被覆蓋絕緣層的表面反射而成的反射光進行接收。發(fā)光單元包括第1發(fā)光部，其呈環(huán)狀，以使入射光與基底絕緣層的表面之間的角度是25°以下的方式發(fā)出入射光；第2發(fā)光部，其呈環(huán)狀，以使入射光與基底絕緣層的表面之間的角度是35～65°的方式發(fā)出入射光。
文檔編號G01N21/88GK102435610SQ20111027218
公開日2012年5月2日 申請日期2011年9月9日 優(yōu)先權日2010年9月16日
發(fā)明者豐田佳弘 申請人:日東電工株式會社