專利名稱：一種共陰、共陽封裝二極管對的測試方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種電子元器件，尤其涉及一種共陰或者共陽封裝的二極管對的測試方法。
背景技術：
開關電源中使用的高頻整流二極管主要有肖特基勢壘二極管和快恢復二極管兩類，前者用于低電壓，后者用于高電壓，它們都是成對共陰或共陽封裝成三端器件，成為橋式整流電源的兩臂。所謂共陰、共陽，就是兩個陰極共用一端或兩個陽極共用一端。對于這類產品的檢測，普遍使用分立器件直流參數測試儀，利用二極管或三極管測試模塊編程，對這個三端器件內的兩個二極管部分分別測試，一般認為，只要兩個二極管部分都各自合格， 這個三端器件就算合格。測試的主要指標就是評價單個二極管的指標擊穿電壓、反向漏電流、正向導通電壓和其他參數。由于所述的共陰、共陽封裝二極管對這種三端器件是開關電源整流電橋的兩臂， 只要有一臂性能較差，這個開關電源性能就較差，嚴重時危及開關電源的使用壽命，影響電子設備的安全。所以，單純的以內部單個二極管的指標來評價整個三端產品，出錯的可能性比較大，以這種粗放的測試方法通過檢測的產品質量等級較低，最終都會影響開關電源的品質。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是為了解決背景技術所述的現有共陰、共陽封裝二極管對的單獨測試方法的不足，發(fā)明一種更加合理的、針對性強、檢測結果可靠的測試方法。本發(fā)明的方法，測試以下內容
分別測試共陰、共陽封裝二極管對的兩臂兩個二極管各自的擊穿電壓、反向漏電流和正向導通電壓，并比較兩組數據中每種參數的差別，差別范圍設定為士5%;測試和比較兩個二極管的瞬態(tài)熱阻通電時間為0. 38^2ms的冷態(tài)導通電壓值Vonl與通電時間為 KTlOOms的熱態(tài)導通電壓值Vonr的差值，每個二極管的這個差值不能大于100-300 mV，兩臂兩個二極管之間的這個插值之差不能大于15-30 mV ；滿足上述條件的為良品。所述測試的正向導通電壓，包括不同電流條件下的正向導通電壓。包括產品規(guī)范值、規(guī)范值的二分之一、比規(guī)范值大1. 2-2倍之值，或者1/2規(guī)范值至2倍規(guī)范值之間的任意值，或者其他測試者認為對判斷產品特性比較有意義的電流值。所述的共陰、共陽封裝二極管對是肖特基勢壘二極管、快恢復二極管或發(fā)光二極管(LED)中的一種。本發(fā)明方法是站在實踐角度，針對應用而設計的全新測試方法?？梢钥朔屑夹g的缺點，將兩個二極管的參數加以比較，保證這個三端器件不僅是兩臂參數合格，而且兩臂對稱，不存在一臂好、另一臂差的現象，可以確保應用時提高開關電源的壽命。而且，含有測試二極管的瞬態(tài)熱阻的內容，進一步確保電子設備中開關電源橋式整流兩臂的熱性能平衡。所以利用本發(fā)明方法通過檢測的共陰、共陽封裝二極管對，品質更高，應用更可靠。


圖1，本發(fā)明方法中，測試瞬態(tài)熱阻的時序圖。
具體實施例方式列舉利用本發(fā)明方法測試具體產品的實施例。兩臂的正向導通電壓為VFBC和 VFEC，擊穿電壓為BVCBO和BVCE0，反向漏電流為ICBO和ICEO0圖1顯示的是瞬態(tài)熱阻測試的時序圖，由圖可知，二極管正向導通電壓是一個與溫度緊密關聯(lián)的參數，當測試時間很短時，其內部結溫還是冷態(tài)，這時測到的導通電壓代表冷態(tài)值Vonl ；當測試時間延長以后，二級管內部結溫升高，這時測到的導通電壓表示了結溫升高以后的熱態(tài)值Vonr，冷熱態(tài)導通電壓之差與二極管工藝結構的熱阻有關。本發(fā)明將此差值用來衡量產品的瞬態(tài)熱阻，差值越小表示產品的瞬態(tài)熱阻越小，也表示了產品的工藝結構優(yōu)良。本發(fā)明正是利用這個特性更好地對產品進行性能進行檢測。實施例一，型號為HBR20100的肖特基勢壘二極管產品，有共陰結構的產品，也有共陽結構的產品，主要的技術規(guī)格為最大電流20A，最大耐壓100V。測試內容1) 一般二極管指標并進行兩臂對比100 μ A、200 μ A和ImA電流條件下的擊穿電壓，不能低于105V;105V下的反向漏電流不能大于5μΑ;比較兩臂二極管之間的擊穿電壓差值不超過士4. 5V;兩臂的反向漏電流差值不超過士1μΑ;20Α測試兩個二極管的導通電壓不大于1. 2V，兩臂之差不大于20mV。上述指標必須同時滿足，有一項不足就判斷為不良品。2)瞬態(tài)熱阻的測試和比較20A電流環(huán)境下，分別測試0. 5ms時的正向導通電壓和 40ms的正向導通電壓，比較其差值，差值不小于30 mV，不大于300 mV，并比較兩臂的差值， 不大于30 mV。滿足以上所有要求的為良品，否則為不良品。實施例二，型號為M1660，規(guī)格為16A、600V的快恢復二極管產品，共陰結構。測試內容1) 一般二極管指標并進行兩臂對比100 μ A、200 μ A和ImA電流條件下的擊穿電壓，不能低于605V ；605V下的反向漏電流不能大于5μ A ；比較兩臂的擊穿電壓差值不超過士 10 ；兩臂的反向漏電流差值不超過士1 μ A ;8. 8Α和16Α下測試兩臂的導通電壓，分別不能大于1. 8V和2. 2V，兩臂之差不能大于0. 12V。2)瞬態(tài)熱阻的測試和比較16Α電流環(huán)境下，分別測試0. 5ms時的正向導通電壓和 20A電流下40ms時的正向導通電壓，比較前后差值，差值不小于30 mV，不大于300 mV，并比較兩臂的差值，不大于20 mV。滿足以上所有要求的為良品，否則為不良品。實施例三，型號為MBR2045CT型肖特基勢壘二極管，產品主要規(guī)格為20A，45V，共陰結構。測試內容1) 一般二極管指標并進行兩臂對比100 μ A、200 μ A和ImA電流條件下的擊穿電壓，不能低于45. 5V ；45V下的反向漏電流不能大于5μ A ；比較兩臂的擊穿電壓差值不超過士2V ；兩臂的反向漏電流差值不超過士 1 μ A ;10Α和20Α下測試兩臂的導通電壓，分別不能大于0. 84V和0. 94V，兩臂之差不能大于0. 05V。
2)瞬態(tài)熱阻的測試和比較20A電流環(huán)境下，分別測試0. 5ms時的正向導通電壓和上電40ms的正向導通電壓，比較兩者差值，差值不小于30 mV，不大于300 mV，并比較兩臂的差值，不大于20 mV。滿足以上所有要求的為良品，否則為不良品。實施例四，MUR1620型快恢復二極管，產品主要規(guī)格為16A，200V，共陰結構。測試內容1) 一般二極管指標并進行兩臂對比100 μ A、200 μ A和ImA電流條件下的擊穿電壓，不能低于200V ；200V下的反向漏電流不能大于5μ A ；比較兩臂的擊穿電壓差值不超過士 8V;兩臂的反向漏電流差值不超過士 1μΑ;8Α和16Α下測試兩臂的導通電壓，分別不能大于0. 95V和1. 15V,兩臂之差不能大于0. 05V。2)瞬態(tài)熱阻的測試和比較16Α電流環(huán)境下，分別測試上電0. 5ms時的正向導通電壓和20A電流下40ms時的正向導通電壓，比較兩者差值，差值不小于30 mV，不大于300 mV，并比較兩臂的差值，不大于20 mV。滿足以上所有要求的為良品，否則為不良品。以上是利用本發(fā)明方法測試四種常見共陰、共陽封裝二極管對的具體參數，這個操作過程，可以使用現有設備，通過計算機編程，利用分立器件測試軟件，將上述數值設定入測試儀，實現自動化檢測以提高效率。雖然本發(fā)明方法不硬性要求測試順序，不過從可靠角度來講，實施例中測試各參數的先后的順序是優(yōu)選的。并且，對于各項檢測數據包括兩臂兩個二極管的擊穿電壓、反向漏電流和正向導通電壓，冷態(tài)導通電壓值(Vonl)與熱態(tài)導通電壓值(Vonr)，都可以在一般的測試方法的電流電壓的范圍之內，以符合本發(fā)明要求的方法多次取值，保證數據的可靠性。最后，在測試結束的時候，加入一項兩臂擊穿電壓或反向漏電流的驗證性測試確保之前的測試過程中沒有損壞器件。需要注意的是，在測試瞬態(tài)熱阻時，測試時間的長短要考慮器件內部結溫不能超過最高結溫175°C (對于硅器件)。
權利要求
1.一種共陰、共陽封裝二極管對的測試方法，分別測試兩臂兩個二極管各自的擊穿電壓、反向漏電流和正向導通電壓，并且比較每組數據的差別，差別范圍設定為士5%;測試和比較兩臂兩個二極管的瞬態(tài)熱阻通電時間為0. 38^2ms的冷態(tài)導通電壓值(Vonl)與通電時間為l(Tl00mS的熱態(tài)導通電壓值(Vonr)的差值；每個二極管各自的冷熱態(tài)導通電壓之差不大于100-300mV，兩臂兩個二極管的這個差值之差不能大于15-30 mV ；滿足上述條件的為良品。
2.根據權利要求1所述的共陰、共陽封裝二極管對的測試方法，其特征是所述測試的正向導通電壓，包括不同電流條件下的正向導通電壓。
3.根據權利要求2所述的共陰、共陽封裝二極管對的測試方法，其特征是不同電流條件，是指1/2產品規(guī)范值至2倍產品規(guī)范值之間的值。
4.根據權利要求1所述的共陰、共陽封裝二極管對的測試方法，其特征是所述的共陰、共陽封裝二極管對是肖特基勢壘二極管、快恢復二極管或發(fā)光二極管(LED)中的一種。
全文摘要
一種共陰、共陽封裝二極管對的測試方法，屬于電子產品領域，方案是分別測試兩臂兩個二極管各自的擊穿電壓、反向漏電流和正向導通電壓，并且比較每組數據的差別，差別范圍設定為±5%；測試和比較兩臂兩個二極管的瞬態(tài)熱阻通電時間為0.38~2ms的冷態(tài)導通電壓值(Vonl)與通電時間為10~100ms的熱態(tài)導通電壓值(Vonr)的差值；每個二極管各自的冷熱態(tài)導通電壓之差不大于100-300mV，兩臂兩個二極管的這個差值之差不能大于15-30mV；滿足上述條件的為良品。本發(fā)明的方法更貼近實踐使用，得到的結果能可靠反映產品實踐性能，通過測試的產品質量等級高，使用壽命更長。
文檔編號G01R31/26GK102393500SQ201110298889
公開日2012年3月28日 申請日期2011年10月8日 優(yōu)先權日2011年10月8日
發(fā)明者趙振華 申請人:無錫羅姆半導體科技有限公司, 趙振華