專利名稱：一種示波器微波薄膜電路模擬前端技術(shù)的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明提出一種示波器微波薄膜電路模擬前端技術(shù)，實(shí)現(xiàn)高帶寬信號(hào)的放大、衰減、阻抗轉(zhuǎn)換、濾波等信號(hào)調(diào)理工作，屬于信號(hào)處理領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
常規(guī)的示波器模擬前端通常采用傳統(tǒng)的PCB工藝，其缺點(diǎn)在于相對(duì)介電常數(shù)高頻不穩(wěn)定，體積大，各個(gè)級(jí)之間的串?dāng)_大，高頻特性差；隨著科技不斷進(jìn)步，傳統(tǒng)的工藝已經(jīng)滿足不了現(xiàn)代化高要求測(cè)量的需求。本發(fā)明提出的一種示波器微波薄膜電路模擬前端技術(shù)， 很好的解決了這些問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是采用傳統(tǒng)PCB工藝的示波器模擬前端存在相對(duì)介電常數(shù)高頻不穩(wěn)定，體積大，各個(gè)級(jí)之間的串?dāng)_大，高頻特性差的缺點(diǎn)。為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明提出一種示波器微波薄膜電路模擬前端技術(shù)的裝置，其特征是采用半導(dǎo)體制作工藝在陶瓷基板上制作超細(xì)線條電路圖形，同時(shí)在該基板上集成電阻器、微波電容器完成示波器模擬前端功能。所述陶瓷基板為氧化鋁陶瓷基板或氮化鋁陶瓷基板或氧化鈹陶瓷基板。所述微波電容器采用多層陶瓷燒制技術(shù)。本發(fā)明相比于現(xiàn)有技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)在于使用陶瓷基底可有效的減小模擬前端的體積，減少模擬前端各個(gè)級(jí)之間的串?dāng)_，可以實(shí)現(xiàn)極好的加工精度，能夠?qū)崿F(xiàn)比PCB工藝高得多的高頻性能，解決高頻信號(hào)丟失、失真等問(wèn)題。


圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明提出一種示波器微波薄膜電路模擬前端技術(shù)的裝置，該技術(shù)采用半導(dǎo)體制作工藝，通過(guò)磁控濺射，圖形化光刻，干法濕法蝕刻，電鍍加厚等工藝，在陶瓷基板上(氧化鋁，氮化鋁，氧化鈹?shù)?制作超細(xì)線條電路圖形，同時(shí)在基板上集成電阻器，微波電容器完成示波器模擬前端功能。其中微波電容器基于多層陶瓷燒制技術(shù)。在生產(chǎn)過(guò)程中，多層高導(dǎo)電性的金屬合金電極層和低損耗的陶瓷絕緣層交錯(cuò)排列，從而得到所需要的電容值。然后，將合成的疊層進(jìn)行高溫?zé)?，將其燒結(jié)成單片結(jié)構(gòu)。這一工藝很好地滿足大容量射頻電容器以及大功率電容器的需要。
權(quán)利要求
1.一種示波器微波薄膜電路模擬前端技術(shù)的裝置，其特征是采用半導(dǎo)體制作工藝在陶瓷基板上制作超細(xì)線條電路圖形，同時(shí)在該基板上集成電阻器、微波電容器完成示波器模擬前端功能。
2.如權(quán)利要求1所述的示波器微波薄膜電路模擬前端技術(shù)的裝置，其特征在于，所述陶瓷基板為氧化鋁陶瓷基板。
3.如權(quán)利要求1所述的示波器微波薄膜電路模擬前端技術(shù)的裝置，其特征在于，所述陶瓷基板為氮化鋁陶瓷基板。
4.如權(quán)利要求1所述的示波器微波薄膜電路模擬前端技術(shù)的裝置，其特征在于，所述陶瓷基板為氧化鈹陶瓷基板。
5.如權(quán)利要求1所述的示波器微波薄膜電路模擬前端技術(shù)的裝置，其特征在于，所述微波電容器采用多層陶瓷燒制技術(shù)。
全文摘要
本發(fā)明提出一種示波器微波薄膜電路模擬前端技術(shù)，采用半導(dǎo)體制作工藝在陶瓷基板上制作超細(xì)線條電路圖形，同時(shí)在該基板上集成電阻器、微波電容器完成示波器模擬前端功能。該技術(shù)可有效的減小模擬前端的體積，減少模擬前端各個(gè)級(jí)之間的串?dāng)_，可以實(shí)現(xiàn)極好的加工精度，能夠?qū)崿F(xiàn)比PCB工藝高得多的高頻性能，解決高頻信號(hào)丟失、失真等問(wèn)題。
文檔編號(hào)G01R1/00GK102495239SQ20111041021
公開(kāi)日2012年6月13日 申請(qǐng)日期2011年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月12日
發(fā)明者劉利偉, 宋云衢 申請(qǐng)人:江蘇綠揚(yáng)電子儀器集團(tuán)有限公司