專利名稱：晶片或晶圓檢測(cè)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種晶片或晶圓檢測(cè)裝置，使得圖像擷取單元可同時(shí)對(duì)待測(cè)晶片或晶圓的表面及側(cè)面進(jìn)行圖像擷取。
背景技術(shù)：
在晶片或晶圓制造的過程中，往往會(huì)伴隨有缺陷或污點(diǎn)的產(chǎn)生，且晶片或晶圓上的缺陷或污點(diǎn)往往會(huì)對(duì)后續(xù)產(chǎn)品的成品率造成影響。因此在完成晶片或晶圓的制作后，通常會(huì)進(jìn)一步對(duì)晶片或晶圓進(jìn)行檢測(cè)，以確定晶片或晶圓符合相關(guān)的要求。請(qǐng)參閱圖1，為常用晶片檢測(cè)裝置的構(gòu)造示意圖。如圖所示，常用的晶片檢測(cè)裝置10主要包括一承載座11及一圖像擷取單元13，其中承載座11可用以承載一待測(cè)的晶片12，并以圖像擷取單元13對(duì)承載座11上的待測(cè)晶片12的上表面121進(jìn)行圖像擷取。圖像擷取單元13可為感光耦合元件(CXD)，可將晶片12的圖像儲(chǔ)存成為一數(shù)字圖像資料，并可進(jìn)一步對(duì)圖像擷取單元13所擷取的數(shù)字圖像資料進(jìn)行分析及比對(duì)。在實(shí)際應(yīng)用時(shí)可將擷取晶片12的數(shù)字圖像資料與目標(biāo)晶片圖像資料進(jìn)行比對(duì)，并得知待測(cè)晶片12與目標(biāo)晶片之間的尺寸差異，借以得知待測(cè)晶片12是否符合產(chǎn)品要求。除此之外，也可進(jìn)一步對(duì)擷取晶片12的數(shù)字圖像資料進(jìn)行其他的檢測(cè)，例如可由晶片12的數(shù)字圖像資料得知待測(cè)晶片12上是否有污點(diǎn)的存在，借以判斷待測(cè)晶片12的品質(zhì)。然而以上述晶片檢測(cè)裝置10對(duì)晶片12進(jìn)行檢測(cè)還是存在部分的缺失，使得晶片12檢測(cè)的結(jié)果無法符合使用者的要求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的，在于提供一種晶片或晶圓檢測(cè)裝置，主要在待測(cè)區(qū)的周圍設(shè)置有至少一反射單元，使得圖像擷取單元在擷取晶片或晶圓的表面圖像的同時(shí)，也可透過反射單元擷取晶片或晶圓的側(cè)面的圖像，借此將有利于提高晶片或晶圓檢測(cè)的準(zhǔn)確性。本發(fā)明的又一目的，在于提供一種晶片或晶圓檢測(cè)裝置，透過至少一反射單元的設(shè)置，將可在不增加額外的檢測(cè)步驟的前提之下，對(duì)晶片或晶圓的表面及側(cè)面進(jìn)行檢測(cè)，借以提高晶片或晶圓的檢測(cè)效率。本發(fā)明的又一目的，在于提供一種晶片或晶圓檢測(cè)裝置，主要于待測(cè)區(qū)的周圍設(shè)置有至少一發(fā)光單元，可用以將光源投射在待測(cè)區(qū)內(nèi)的晶片或晶圓的側(cè)面，借此將更有利于以圖像擷取單元擷取晶片或晶圓的側(cè)面的圖像。本發(fā)明的又一目的，在于提供一種晶片或晶圓檢測(cè)裝置，主要將至少一反射單元設(shè)置于輸送單元的周圍，借此將可在輸送晶片或晶圓的過程當(dāng)中，對(duì)晶片或晶圓的表面及側(cè)面進(jìn)行檢測(cè)。為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種晶片或晶圓檢測(cè)裝置，包括一輸送單元，用以進(jìn)行至少一晶片或至少一晶圓的輸送，且輸送單元包括一檢測(cè)區(qū)；一圖像擷取單元，位于輸送單元的上方，并用以對(duì)位于檢測(cè)區(qū)內(nèi)的晶片或晶圓的表面進(jìn)行圖像擷取；及至少一反射單元，位于輸送單元的周圍，其中圖像擷取單元透過反射單元擷取晶片或晶圓的側(cè)面的圖像。上述晶片或晶圓檢測(cè)裝置的一實(shí)施例，包括至少一發(fā)光單元用以將光源投射在晶片或晶圓的側(cè)面。上述晶片或晶圓檢測(cè)裝置的一實(shí)施例，其中發(fā)光單元位于輸送單元的檢測(cè)區(qū)的周圍。上述晶片或晶圓檢測(cè)裝置的一實(shí)施例，其中發(fā)光單元的數(shù)量與反射單元的數(shù)量相同。上述晶片或晶圓檢測(cè)裝置的一實(shí)施例，其中晶片或晶圓的外觀為任意的幾何形狀，而反射單元?jiǎng)t形成與晶片或晶圓的形狀相似的環(huán)狀構(gòu)造。上述晶片或晶圓檢測(cè)裝置的一實(shí)施例，其中晶片或晶圓的外觀近似圓形，而反射單元?jiǎng)t為圓形的環(huán)狀構(gòu)造。上述晶片或晶圓檢測(cè)裝置的一實(shí)施例，其中晶片或晶圓包括多個(gè)側(cè)面，且反射單元的數(shù)量與晶片或晶圓的側(cè)面的數(shù)量相同。上述晶片或晶圓檢測(cè)裝置的一實(shí)施例，其中反射單元位于輸送單元的檢測(cè)區(qū)的周圍。為達(dá)上述目的，本發(fā)明還提供另一種晶片或晶圓檢測(cè)裝置，包括一承載座，用以承載至少一晶片或至少一晶圓；一圖像擷取單元，位于承載座的上方，并用以對(duì)晶片或晶圓的表面進(jìn)行圖像擷??；及至少一反射單元，位于承載座的周圍，其中圖像擷取單元透過反射單元擷取晶片或晶圓的側(cè)面的圖像。上述晶片或晶圓檢測(cè)裝置的一實(shí)施例，包括至少一發(fā)光單元用以將光源投射在晶片或晶圓的側(cè)面。上述晶片或晶圓檢測(cè)裝置的一實(shí)施例，其中發(fā)光單元位于輸送單元的檢測(cè)區(qū)的周圍。上述晶片或晶圓檢測(cè)裝置的一實(shí)施例，其中發(fā)光單元的數(shù)量與反射單元的數(shù)量相同。上述晶片或晶圓檢測(cè)裝置的一實(shí)施例，其中晶片或晶圓的外觀為任意的幾何形狀，而反射單元?jiǎng)t形成與晶片或晶圓的形狀相似的環(huán)狀構(gòu)造。上述晶片或晶圓檢測(cè)裝置的一實(shí)施例，其中晶片或晶圓的外觀近似圓形，而反射單元?jiǎng)t為圓形的環(huán)狀構(gòu)造。上述晶片或晶圓檢測(cè)裝置的一實(shí)施例，其中晶片或晶圓包括多個(gè)側(cè)面，且反射單元的數(shù)量與晶片或晶圓的側(cè)面的數(shù)量相同。上述晶片或晶圓檢測(cè)裝置的一實(shí)施例，其中反射單元位于輸送單元的檢測(cè)區(qū)的周圍。本發(fā)明的晶片或晶圓檢測(cè)裝置可提高晶片或晶圓檢測(cè)的準(zhǔn)確性、檢測(cè)效率，并可在輸送晶片或晶圓的過程當(dāng)中，對(duì)晶片或晶圓的表面及側(cè)面進(jìn)行檢測(cè)。


圖1 為常用晶片檢測(cè)裝置的構(gòu)造示意圖；圖2 為本發(fā)明晶片或晶圓檢測(cè)裝置一實(shí)施例的構(gòu)造示意圖3 為本發(fā)明晶片或晶圓檢測(cè)裝置一實(shí)施例的側(cè)面示意圖；圖4 為本發(fā)明晶片或晶圓檢測(cè)裝置又一實(shí)施例的構(gòu)造示意圖；圖5 為本發(fā)明晶片或晶圓檢測(cè)裝置又一實(shí)施例的構(gòu)造示意圖。其中，附圖標(biāo)記10 晶片檢測(cè)裝置 11 承載座12 晶片121 上表面13 圖像擷取単元20 晶片或晶圓檢測(cè)裝置21 承載座211 檢測(cè)區(qū)22 晶片或晶圓221 表面223 側(cè)面23 圖像擷取単元25 反射単元30 晶片或晶圓檢測(cè)裝置31 輸送單元311 檢測(cè)區(qū)40 晶片或晶圓檢測(cè)裝置47 發(fā)光單元
具體實(shí)施例方式請(qǐng)參閱圖2，為本發(fā)明晶片或晶圓檢測(cè)裝置一實(shí)施例的構(gòu)造示意圖。如圖所示，晶 片或晶圓檢測(cè)裝置20主要包括一承載座21、一圖像擷取単元23及至少一反射単元25，其 中承載座21可用以承載至少一晶片或至少一晶圓22，并以圖像擷取單元23對(duì)待測(cè)的晶片 或晶圓22進(jìn)行擷取圖像。承載座21的部分區(qū)域可被定義成為ー檢測(cè)區(qū)211，而圖像擷取單元23則被設(shè)置 在承載座21的上方，以利于擷取待測(cè)晶片或晶圓22的圖像，其中本發(fā)明所述的圖像擷取單 元23可為電荷耦合元件(Charge-coupled Device, CCD)或者是互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體 (Complementary Metal-Oxide-Semiconauctor, CMOS)。在本發(fā)明ー較佳實(shí)施例中，圖像擷取単元23位于承載座21的檢測(cè)區(qū)211上方，并 用以對(duì)放置在承載座21的檢測(cè)區(qū)211內(nèi)的待測(cè)晶片或晶圓22進(jìn)行圖像擷取，例如對(duì)晶片 或晶圓22的表面(上表面或下表面)221進(jìn)行圖像的擷取，并形成一晶片或晶圓22的數(shù)字 圖像資料。此外，也可進(jìn)ー步對(duì)待測(cè)晶片或晶圓22的表面221的數(shù)字圖像資料進(jìn)行分析及比 對(duì)，以得知待測(cè)晶片或晶圓22的表面221的品質(zhì)。例如可將晶片或晶圓22的數(shù)字圖像資 料與目標(biāo)晶片或晶圓的圖像資料進(jìn)行比對(duì)，以得知待測(cè)晶片或晶圓22與目標(biāo)晶片或晶圓 之間的尺寸差異，借以得知待測(cè)晶片或晶圓22是否符合產(chǎn)品要求，當(dāng)然也可由數(shù)字圖像資 料，得知晶片或晶圓22表面是否有污點(diǎn)或結(jié)構(gòu)上的缺陷。承載座21的周圍設(shè)置有ー個(gè)或多個(gè)反射単元25，例如可將反射単元25設(shè)置在承 載座21的檢測(cè)區(qū)211的周圍。當(dāng)待測(cè)晶片或晶圓22位于檢測(cè)區(qū)211時(shí)，圖像擷取單元23 將可以透過反射単元25對(duì)晶片或晶圓22的側(cè)面(側(cè)表面)223進(jìn)行圖像的擷取，如圖3所 示。
透過圖像擷取單元23對(duì)晶片或晶圓22的側(cè)面223進(jìn)行圖像擷取，將可對(duì)晶片或 晶圓22的側(cè)面223進(jìn)行檢測(cè)，更可進(jìn)一步檢測(cè)出晶片或晶圓22的表面221與側(cè)面223的交界處是否有臟污或結(jié)構(gòu)上的缺陷，借此將可提高晶片或晶圓22的檢測(cè)的準(zhǔn)確度，并可依據(jù)檢測(cè)的結(jié)果對(duì)晶片或晶圓22進(jìn)行分類。在實(shí)際應(yīng)用反射單元25具有角度調(diào)整的功能，使用者可調(diào)整反射單元25的角度，以使得晶片或晶圓22的側(cè)面223散射的光源投射至反射單元25，并透過反射單元25將散射的光源投射到圖像擷取單元23，使得圖像擷取單元23可對(duì)晶片或晶圓22的側(cè)面223進(jìn)行圖像擷取。在不同實(shí)施例中，反射單元25與晶片或晶圓22及/或圖像擷取單元23之間的相對(duì)位置也為可調(diào)整。透過可調(diào)整角度及位置的反射單元25的設(shè)置，可使得晶片或晶圓檢測(cè)裝置20適用于各種不同尺寸的晶片或晶圓22。在本發(fā)明一較佳實(shí)施例中，晶片或晶圓22包括多個(gè)側(cè)面223，而反射單元25的數(shù)量則與晶片或晶圓22的側(cè)面223的數(shù)量相同。此外，晶片或晶圓22的外觀可為任意的幾何形狀，而多個(gè)反射單元25則形成與晶片或晶圓22的形狀相似的環(huán)狀構(gòu)造，并設(shè)置于檢測(cè)區(qū)211周圍。如本發(fā)明圖2所示的晶片或晶圓22為四邊形并包括四個(gè)側(cè)面223，反射單元25的數(shù)量也為四個(gè)，并形成一近似四邊形的還狀構(gòu)造，且環(huán)設(shè)于檢測(cè)區(qū)211周圍。各個(gè)反射單元25可分別將晶片或晶圓22的各個(gè)側(cè)面223的圖像投射至圖像擷取單元23，借此圖像擷取單元23將可同時(shí)取得待測(cè)晶片或晶圓22的表面221及各個(gè)側(cè)面223的圖像。在不同實(shí)施例中，反射單元25的數(shù)量可隨著待測(cè)晶片或晶圓22的邊長(zhǎng)的數(shù)量進(jìn)行調(diào)整。此外，若晶片或晶圓22的形狀近似圓形，則可將一個(gè)或多個(gè)反射單元25制作成圓形的環(huán)狀構(gòu)造，并環(huán)設(shè)于晶片或晶圓22的周圍。請(qǐng)參閱圖4，為本發(fā)明晶片或晶圓檢測(cè)裝置又一實(shí)施例的構(gòu)造示意圖。如圖所示，本發(fā)明所述的晶片或晶圓檢測(cè)裝置30主要包括一輸送單元31、一圖像擷取單元23及至少一反射單元25，其中輸送單元31可用以進(jìn)行一個(gè)或多個(gè)晶片或晶圓22的輸送，而圖像擷取單元23則可用以對(duì)輸送單元31上的晶片或晶圓22進(jìn)行圖像擷取。輸送單元31的部分區(qū)域可被定義成為一檢測(cè)區(qū)311，而圖像擷取單元23則被設(shè)置在輸送單元31的上方，在本發(fā)明一較佳實(shí)施例中，圖像擷取單元23位于輸送單元31的檢測(cè)區(qū)311上方，并用以對(duì)檢測(cè)區(qū)311內(nèi)的待測(cè)晶片或晶圓22的表面211進(jìn)行圖像擷取。在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，輸送單元31主要用以進(jìn)行晶片或晶圓22的輸送，當(dāng)輸送單元31將晶片或晶圓22傳送至檢測(cè)區(qū)311時(shí)，便可進(jìn)一步以圖像擷取單元23進(jìn)行攝像。在本發(fā)明一較佳實(shí)施例中，當(dāng)晶片或晶圓22被傳送至檢測(cè)區(qū)311時(shí)，可使得輸送單元31暫時(shí)停止晶片或晶圓22的輸送，并有利于以圖像擷取單元23對(duì)靜置的晶片或晶圓22擷取圖像。輸送單元31的周圍設(shè)置有一個(gè)或多個(gè)反射單元25，例如可將反射單元25設(shè)置在輸送單元31的檢測(cè)區(qū)311的周圍。當(dāng)待測(cè)晶片或晶圓22進(jìn)入檢測(cè)區(qū)311時(shí)，圖像擷取單元23可透過反射單元25對(duì)晶片或晶圓22的側(cè)面223進(jìn)行圖像的擷取。請(qǐng)參閱圖5，為本發(fā)明晶片或晶圓檢測(cè)裝置又一實(shí)施例的構(gòu)造示意圖。如圖所示，本發(fā)明所述的晶片或晶圓檢測(cè)裝置40主要包括一輸送單元31、一圖像擷取單元23、至少一反射單元25及至少一發(fā)光單元47，其中輸送單元31可用以進(jìn)行一個(gè)或多個(gè)晶片或晶圓22的輸送，而圖像擷取單元23則可用以對(duì)輸送單元31上的晶片或晶圓22進(jìn)行圖像的擷取。輸送單元31的部分區(qū)域可被定義成為一檢測(cè)區(qū)311，其中圖像擷取單元23被設(shè)置在輸送單元31的檢測(cè)區(qū)311的上方，而反射單元25則被設(shè)置在檢測(cè)區(qū)311的周圍。在本發(fā)明實(shí)施例中，晶片或晶圓檢測(cè)裝置40還包括多個(gè)發(fā)光單元47，其中發(fā)光單元47位于輸送單元31的檢測(cè)區(qū)311的周圍，并用以將光源投射在晶片或晶圓22的側(cè)面223。此外，發(fā)光單元47的數(shù)量可與反射單元25的數(shù)量相同，并可與反射單元25相鄰。透過發(fā)光單元47將光源投射在晶片或晶圓22的側(cè)面223，將更有利于以圖像擷取單元23對(duì)晶片或晶圓22的側(cè)面223進(jìn)行圖像的擷取。在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，發(fā)光單元47可為發(fā)散光源，且發(fā)光單元47可相對(duì)于晶片或晶圓22進(jìn)行距離及角度的調(diào)整，使得發(fā)光單元47所產(chǎn)生的光源可正確的投射在晶片或晶圓22的側(cè)面223。此外，在不同實(shí)施例中，也可選擇可產(chǎn)生不同色光的發(fā)光單元47，例如發(fā)光單元47可用以產(chǎn)生紅光、藍(lán)光或紫外光，借以提高晶片或晶圓22的檢測(cè)的精確度。本發(fā)明實(shí)施例所述的發(fā)光單元47也可被應(yīng)用在圖2所述的晶片或晶圓檢測(cè)裝置20上，發(fā)光單元47可設(shè)置于承載座21的檢測(cè)區(qū)211周圍，并用以將光源投射在晶片或晶圓22的側(cè)面223，以利于圖像擷取單元23對(duì)晶片或晶圓22的側(cè)面223進(jìn)行攝像。以上所述者，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用來限定本發(fā)明實(shí)施的范圍，即凡依本發(fā)明申請(qǐng)專利范圍所述的形狀、構(gòu)造、特征及精神所為的均等變化與修飾，均應(yīng)包括于本發(fā)明的申請(qǐng)專利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.ー種晶片或晶圓檢測(cè)裝置，其特征在干，包括一輸送單元，用以進(jìn)行至少一晶片或至少一晶圓的輸送，且該輸送単元包括ー檢測(cè)區(qū)；一圖像擷取単元，位于該輸送単元的上方，并用以對(duì)位于該檢測(cè)區(qū)內(nèi)的晶片或晶圓的表面進(jìn)行圖像擷??；及至少一反射単元，位于該輸送単元的周圍，其中該圖像擷取單元透過該反射單元擷取該晶片或晶圓的側(cè)面的圖像。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片或晶圓檢測(cè)裝置，其特征在干，包括至少ー發(fā)光単元用以將光源投射在該晶片或該晶圓的側(cè)面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片或晶圓檢測(cè)裝置，其特征在干，其中該發(fā)光単元位于該輸送單元的檢測(cè)區(qū)的周圍。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片或晶圓檢測(cè)裝置，其特征在干，其中該發(fā)光単元的數(shù)量與該反射単元的數(shù)量相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片或晶圓檢測(cè)裝置，其特征在干，其中該晶片或該晶圓的外觀為任意的幾何形狀，而該反射單元?jiǎng)t形成與該晶片或該晶圓的形狀相似的環(huán)狀構(gòu)造。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶片或晶圓檢測(cè)裝置，其特征在干，其中該晶片或晶圓的外觀近似圓形，而該反射単元?jiǎng)t為圓形的環(huán)狀構(gòu)造。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片或晶圓檢測(cè)裝置，其特征在干，其中該晶片或該晶圓包括多個(gè)側(cè)面，且該反射単元的數(shù)量與該晶片或該晶圓的側(cè)面的數(shù)量相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片或晶圓檢測(cè)裝置，其特征在干，其中該反射単元位于該輸送單元的檢測(cè)區(qū)的周圍。
9.ー種晶片或晶圓檢測(cè)裝置，包括ー承載座，用以承載至少一晶片或至少一晶圓；一圖像擷取単元，位于該承載座的上方，并用以對(duì)該晶片或該晶圓的表面進(jìn)行圖像擷取；及至少一反射単元，位于該承載座的周圍，其中該圖像擷取單元透過該反射単元擷取該晶片或該晶圓的側(cè)面的圖像。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶片或晶圓檢測(cè)裝置，其特征在干，包括至少ー發(fā)光単元用以將光源投射在該晶片或該晶圓的側(cè)面。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶片或晶圓檢測(cè)裝置，其特征在干，其中該發(fā)光単元位于該輸送単元的檢測(cè)區(qū)的周圍。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶片或晶圓檢測(cè)裝置，其特征在干，其中該發(fā)光単元的數(shù)量與該反射単元的數(shù)量相同。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶片或晶圓檢測(cè)裝置，其特征在干，其中該晶片或該晶圓的外觀為任意的幾何形狀，而該反射單元?jiǎng)t形成與該晶片或該晶圓的形狀相似的環(huán)狀構(gòu)造。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的晶片或晶圓檢測(cè)裝置，其特征在干，其中該晶片或晶圓的外觀近似圓形，而該反射単元?jiǎng)t為圓形的環(huán)狀構(gòu)造。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶片或晶圓檢測(cè)裝置，其特征在干，其中該晶片或該晶圓包括多個(gè)側(cè)面，且該反射単元的數(shù)量與該晶片或該晶圓的側(cè)面的數(shù)量相同。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶片或晶圓檢測(cè)裝置，其特征在于，其中該反射單元位于該輸送單元的檢測(cè)區(qū)的周圍。
全文摘要
本發(fā)明有關(guān)于一種晶片或晶圓檢測(cè)裝置，主要包括一輸送單元、一圖像擷取單元及至少一反射單元，其中輸送單元包括一待測(cè)區(qū)，并可用以進(jìn)行晶片或晶圓的輸送。反射單元位于輸送單元的待測(cè)區(qū)的周圍，透過反射單元的設(shè)置，圖像擷取單元將可同時(shí)對(duì)待測(cè)區(qū)的晶片或晶圓的表面及側(cè)面進(jìn)行圖像擷取，并有利于提高晶片或晶圓檢測(cè)的效率。
文檔編號(hào)G01N21/88GK102569119SQ20111043877
公開日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2011年12月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月19日
發(fā)明者吳政君, 楊宗翰, 林亭宏, 洪肇佑, 陳義芳, 陳英誠 申請(qǐng)人:立曄科技股份有限公司