專利名稱：單粒子瞬態(tài)電流脈沖檢測系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及脈沖收集及檢測，尤其涉及ー種檢測單粒子瞬態(tài)脈沖電流波形的系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
具有一定能量的單個重離子或質(zhì)子射入半導(dǎo)體器件或集成電路，致使半導(dǎo)體器件或集成電路性能退化或功能失效的現(xiàn)象統(tǒng)稱為單粒子效應(yīng)(single event effect, SE^。SEE又可以細(xì)分為單粒子瞬變(single event transient，SET)效應(yīng)、單粒子翻轉(zhuǎn) (single event upset, SEU)效應(yīng)、單粒子閂鎖(single event latch-up, SEL)效應(yīng)、單粒子擾動(single event disturb, SED)效應(yīng)、單粒子功能中斷(single event functional interrupt, SEFI)效應(yīng)、單粒子?xùn)糯?single event gate rupture, SEGR)效應(yīng)和單粒子燒毀(single event burnout, SEB)效應(yīng)等。其中，單粒子瞬變(SET)效應(yīng)是指由于單粒子輻射引起電路的信號發(fā)生瞬間的變化。它對星載計算機(jī)的核心部件——窬態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)等多種微電子器件構(gòu)成了較大的影響和危害，而且在超深亞微米エ藝下，集成電路的SET效應(yīng)成為加固的薄弱環(huán)節(jié)。粒子入射產(chǎn)生的SET電流脈沖由設(shè)計、エ藝、以及入射粒子能量分布決定和影響。它具有上升時間快，上升頻率高達(dá)GHz量級，幅度在mA量級等特點。為適應(yīng)微電子エ業(yè)的發(fā)展方向和滿足航天應(yīng)用器件抗輻射加固技術(shù)的需要，開展SET機(jī)理研究具有重要的應(yīng)用價值，而SET 測試技術(shù)是開展SET實驗研究的前提和方法，通過實驗手段獲取SET測試數(shù)據(jù)對整個SET 測試技術(shù)具有重大意義。國內(nèi)外對此方面進(jìn)行了很多研究，提出了ー些SET脈沖模型，但是這些模型大多還有與エ藝相關(guān)的量或參數(shù)，需要エ藝相關(guān)確切參數(shù)數(shù)據(jù)。這些參數(shù)數(shù)據(jù)很難從エ藝廠商獲取，所以通過模型準(zhǔn)確反映エ藝的SET脈沖特性目前困難較大。而且，模型得到是ー 個確定的值，但在實際試驗中，對于大小一致的電路，在任意給定的線性能量傳輸(Linear Energy Transfer, LET)值，SET脈沖的持續(xù)時間分布很廣，從幾百ps到幾ns。所以不能僅僅基于模型的模擬，需要設(shè)計特定的測試系統(tǒng)以便通過實驗獲得エ藝的實際的SET瞬態(tài)特性。傳統(tǒng)的SET電流脈沖的測試方法是利用邏輯電路來捕捉脈沖的寬度和幅度。這種方法是利用邏輯電路對SET電流脈沖的放大作用，逐級向下傳遞，當(dāng)SET電流脈沖的幅度超過了電路的噪聲容限，達(dá)到下級電路的翻轉(zhuǎn)閾值，并且脈沖跨度足夠?qū)?，觸發(fā)正常邏輯電路發(fā)生不正常翻轉(zhuǎn)的時候，SET電流脈沖就被檢測電路所捕獲。但是這種方法有著很大的局限性，它不能真正意義上的捕獲SET電流脈沖的原始形態(tài)，只能在一個范圍內(nèi)檢測SET電流脈沖的寬度和幅度，而且它強(qiáng)烈依賴于邏輯電路的可靠性，不同的邏輯電路或者同一邏輯電路的不同単元都會有不同的驅(qū)動能力，這對SET瞬態(tài)電流脈沖的捕獲是很不利的
發(fā)明內(nèi)容
針對之前電路不能捕獲最原始的SET電流脈沖信號，難以精確獲取SET電流脈沖信號的特點，本發(fā)明提供ー種測量單粒子瞬態(tài)電流脈沖的系統(tǒng)，包括輻照裝置，用于對器件的待測區(qū)域進(jìn)行輻照；示波器，用于捕獲單粒子脈沖電流信號。通過以上的系統(tǒng)，可以捕獲初始單粒子瞬態(tài)電流脈沖波形，直觀地測量單粒子電流脈沖的上升時間、脈沖寬度、脈沖幅度等參數(shù)。而且可以進(jìn)一歩通過單粒子瞬態(tài)電流脈沖的波形分析表征電路的節(jié)點狀態(tài)，獲取單粒子電流脈沖在具體電路中的寬度分布，得到電路抗單粒子輻射的加固依據(jù)。


通過閱讀參照以下附圖所作的對非限制性實施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點將會變得更明顯圖1是根據(jù)本發(fā)明的--種收集和測量單粒子瞬態(tài)電流脈沖的方法流程圖2是根據(jù)本發(fā)明的輻照過程詳細(xì)流程圖3是根據(jù)本發(fā)明的--個實施例的系統(tǒng)的硬件電路框圖4是根據(jù)本發(fā)明的--個實施例的輻照電路示意圖5是根據(jù)本發(fā)明的--個實施例的信號傳輸電路示意圖6是根據(jù)本發(fā)明的--個實施例的微機(jī)控制系統(tǒng)與其他電路關(guān)系的示意圖7是根據(jù)本發(fā)明的--個實施例的軟件輻照控制模塊示意圖8是根據(jù)本發(fā)明的--個實施例的軟件平臺移動控制模塊示意圖9是根據(jù)本發(fā)明的--個實施例的數(shù)據(jù)獲取模塊示意圖10是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例使用本發(fā)明的方法測得SET電流脈沖波形圖
圖11是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的SET初始化面板示意圖12根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的SET測試面板示意具體實施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明的實施例作詳細(xì)描述。下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能解釋為對本發(fā)明的限制。下文的公開提供了許多不同的實施例或例子用來實現(xiàn)本發(fā)明的不同結(jié)構(gòu)。為了簡化本發(fā)明的公開，下文中對特定例子的部件和設(shè)置進(jìn)行描述。當(dāng)然，它們僅僅為示例，并且目的不在于限制本發(fā)明。此外，本發(fā)明可以在不同例子中重復(fù)參考數(shù)字和/或字母。這種重復(fù)是為了簡化和清楚的目的，其本身不指示所討論各種實施例和/或設(shè)置之間的關(guān)系。圖1是根據(jù)本發(fā)明的一種收集和測量單粒子瞬態(tài)電流脈沖的方法流程圖。其中所示的方法通過根據(jù)本發(fā)明的實施例的測量單粒子瞬態(tài)電流脈沖的系統(tǒng)來實施。圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的測量單粒子瞬態(tài)電流脈沖的系統(tǒng)的硬件電路框圖。該系統(tǒng)主要包括輻照電路301、器件放置平臺302、信號傳輸電路303、微機(jī)控制系統(tǒng)304、和高頻示波器305。在設(shè)計電路時，首先需要考慮如何產(chǎn)生單粒子瞬態(tài)電流脈沖，所以在電路中有產(chǎn)生單粒子束流的輻照電路301，有供放置器件的器件放置平臺302。由于需要對器件的不同位置進(jìn)行測試，所以在電路中加入了微機(jī)控制系統(tǒng)304，以控制器件的位置，使得輻照電路可以對器件的不同區(qū)域進(jìn)行輻照。在收集和測量所述單粒子瞬態(tài)電流脈沖信號前，需要對所述信號進(jìn)行信號反射抑制、弱電流放大等處理，所以在電路中加入了信號傳輸電路303，在傳輸信號的過程進(jìn)行所述處理。信號傳輸電路303分別將待檢測信號和放大得到的觸發(fā)信號輸入高頻示波器，由高頻示波器305來完成捕獲所述單粒子瞬態(tài)電流脈沖的功能。圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的輻照電路示意圖；包括輻射源401，預(yù)準(zhǔn)直孔 402，長工作距離顯微鏡403，針孔404，束流開關(guān)405和金靶406。輻射源401可以是產(chǎn)生重離子微束的加速器，也可以是天然放射性源，還可以是激光脈沖。輻射源入射到半導(dǎo)體材料中都會引起單粒子效應(yīng)，誘發(fā)單粒子電流脈沖。當(dāng)束流經(jīng)過預(yù)準(zhǔn)直孔402，由束流開關(guān) 405打開束流快門，束流經(jīng)過金靶406和針孔404，輻射到芯片平臺的芯片上，將可能會產(chǎn)生 SET ；另外束流開關(guān)405受微機(jī)控制系統(tǒng)304控制，可以自動打開或關(guān)閉束流。 圖5是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的信號傳輸電路示意圖。該電路主要針對SET電流脈沖信號頻率高，幅度小的特點，抑制高頻信號傳輸過程中的反射現(xiàn)象，提高SET電流脈沖信號信噪比。利用阻抗匹配技木，采取統(tǒng)一的阻抗來抑制高頻信號的反射，采用弱電流放大技術(shù)來提高信噪比。如圖所示，芯片產(chǎn)生的SET電流脈沖信號分為兩路。上面一路是待測信號501，考慮到傳輸線電容電阻等阻抗的匹配，使用偏置器和延遲線來傳輸。下面一路是觸發(fā)信號502，通過使用偏置器和放大器將芯片產(chǎn)生的SET電流脈沖信號進(jìn)行放大，給高頻示波器捕獲SET電流脈沖提供觸發(fā)脈沖。圖6是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的微機(jī)控制系統(tǒng)與其他電路關(guān)系的示意圖。PC終端601控制整個SET電流脈沖收集和測試系統(tǒng)的自動化運行。利用Iabview等軟件平臺， 將硬件系統(tǒng)和軟件系統(tǒng)集成在一起。如圖所示，PC終端601產(chǎn)生DO控制信號，控制束流開關(guān)。隨著束流開關(guān)的開關(guān)狀態(tài)變化產(chǎn)生信號給單粒子輻射裝置，使其開始或者停止輻射芯片。同時產(chǎn)生信號給高頻示波器，控制其是否停止對SET信號采樣。另ー方面，PC終端601 通過AO產(chǎn)生控制信號，控制XY平臺的移動。考慮帶寬和采樣率，高頻示波器305對性能要求很高，它是通過數(shù)據(jù)采集，A/D轉(zhuǎn)換，軟件編程等一系列技術(shù)制造出來的高性能示波器，一般支持多級菜単，能給用戶提供多種選擇，多種分析功能，常被用于瞬態(tài)特性的測量。因此，數(shù)字示波器適合SET電流脈沖的測量。例如，本發(fā)明中使用泰克公司(Tektronix Inc)的TDS7254B型號的示波器。搭建好平臺后，通過如下步驟進(jìn)行檢測。步驟SlOl中，對器件的待測區(qū)域進(jìn)行輻照，產(chǎn)生單粒子脈沖信號。按照設(shè)計方案建立好所述實體設(shè)備后，將器件置于所述收集測試設(shè)備中，對所述器件的待測區(qū)域進(jìn)行輻照，產(chǎn)生單粒子脈沖電流信號；其中輻照的過程需要進(jìn)行控制。不同的注入劑量對SET測試結(jié)果的影響很大，因為離子束經(jīng)過針孔后會產(chǎn)生散射，如果輻照時間過長或者劑量過大將増加散射離子引發(fā)的SET，這樣收集到的脈沖可能不是待測區(qū)域經(jīng)輻照后產(chǎn)生的SET脈沖，而且輻照劑量過大也會增加輻射損傷的幾率。因此束流注量控制模塊要實現(xiàn)如下功能當(dāng)進(jìn)行某一個待測區(qū)域的輻照吋，粒子束流快門持續(xù)處于打開狀態(tài)。直到獲取到SET信號或者輻照劑量到達(dá)一定限值的時候，關(guān)閉粒子束流快門，完成輻照。其具體控制過程如圖2所示。圖2是根據(jù)本發(fā)明的輻照過程流程圖。在步驟S201中，打開輻照電路的快門，使得輻照電路產(chǎn)生的粒子束流可以照射到器件的待測區(qū)域。在步驟S202中，判斷輻照的過程中是否觸發(fā)了高頻示波器，如果是，則轉(zhuǎn)入步驟 S204進(jìn)行處理；如果沒有，則轉(zhuǎn)入步驟S203中進(jìn)行處理。在步驟S203中，判斷輻照劑量是否超過限定值，如果超過，則轉(zhuǎn)入步驟S204中進(jìn)行處理；如果仍未超過限定值，則繼續(xù)輻照，并轉(zhuǎn)入步驟S202。在步驟S204中，關(guān)閉快門，結(jié)束對器件的待測區(qū)域的輻照。此時，有兩種可能，一種是待測區(qū)域在輻照下產(chǎn)生了單粒子脈沖電流信號并被示波器捕獲；另ー種是待測區(qū)域在不超過限制劑量的輻照下沒有產(chǎn)生單粒子脈沖電流信號。為了實現(xiàn)上述步驟，編寫相應(yīng)的軟件來控制實體設(shè)備的運行過程，所述軟件中包括能夠?qū)崿F(xiàn)輻照控制功能的模塊，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，使用LabVIEW進(jìn)行系統(tǒng)集成的軟件編寫。LabVIEW軟件平臺將復(fù)雜的語言編程簡化為可視化數(shù)據(jù)流編程，以圖標(biāo)表示功能模塊，以圖標(biāo)間的連線表示數(shù)值傳輸。其中軟件的輻照控制模塊實現(xiàn)如圖7所示。圖7是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的軟件輻照控制模塊示意圖；當(dāng)進(jìn)行某ー個區(qū)域輻照時，測試系統(tǒng)發(fā)出“打開”的命令，輻照束流快門持續(xù)打開狀態(tài)。測試過程中若已經(jīng)獲取到SET或者輻照束流在該區(qū)域的輻照注量已經(jīng)達(dá)到上限值，則輸出“真”值，并對束流快門發(fā)出“關(guān)閉”命令，束流快門關(guān)閉。同時，為了能夠精確的控制器件的位置，從而對不同待測區(qū)域(量級精確到Pm 級)進(jìn)行測試，需要使用軟件來控制器件的移動過程。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，使用 LabVIEff進(jìn)行系統(tǒng)集成的軟件編寫。軟件的平臺控制模塊如圖8所示。圖8是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的軟件平臺移動控制模塊示意圖；該模塊通過 ESP300平臺控制器實現(xiàn)平臺的ニ維控制初始化，XY平臺以程序發(fā)送的掃描點陣的某個目標(biāo)點的位置作為移動目標(biāo)，采用目標(biāo)方式進(jìn)行X方向移動(PA.vi)。通過實時讀出位置值 (TP. vi)與目標(biāo)值的比較，判斷平臺是否移動到目標(biāo)位置。XY平臺X方向運動停止并判斷為“真”時，進(jìn)行下ー個軸(Y軸)的移動。在移動過程中，如果出現(xiàn)報錯或者需要停止平臺的運動，點擊清錯按鈕或者平臺停止按鈕，系統(tǒng)從平臺移動中跳出，執(zhí)行清除錯誤(CLEAR, vi)或者平臺停止(ST. vi)命令。經(jīng)過上述移動器件和控制輻照的操作，就可以在待測區(qū)域產(chǎn)生單粒子脈沖信號， 然后轉(zhuǎn)入步驟S102中。步驟S102中，用示波器捕獲所述單粒子脈沖電流信號。本步驟中，產(chǎn)生的單粒子脈沖電流信號經(jīng)過信號傳輸電路303進(jìn)行處理，生成示波器觸發(fā)信號以及經(jīng)過延遲的待測信號。之后，示波器觸發(fā)信號觸發(fā)示波器對經(jīng)過延遲的待測信號進(jìn)行測量和存儲。相應(yīng)的，使用LabVIEW為示波器編寫軟件來實現(xiàn)對所述信號的收集，如圖9所示。圖9是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的數(shù)據(jù)獲取模塊示意圖；通過OT-VISA協(xié)議對示波器的控制部分進(jìn)行了編寫，増加了獲取數(shù)據(jù)的長度(Reco Leng. vi)、問詢(Acq on. vi)、 掃描觸發(fā)形式(SL. vi)和觸發(fā)狀態(tài)判斷(TIR. vi)等子VI。每次收集吋，計算機(jī)與示波器通訊，進(jìn)行包括獲取數(shù)據(jù)長度等在內(nèi)的初始化設(shè)置，隨后開始進(jìn)行單次觸發(fā)模式的數(shù)據(jù)采集。 由于單次觸發(fā)能夠保存觸發(fā)發(fā)生時的數(shù)據(jù)，但是新的數(shù)據(jù)不能被存儲。因此在每次存儲命令結(jié)束后，通過SL. vi模塊進(jìn)行掃描功能設(shè)定并釋放示波器內(nèi)存中的數(shù)據(jù)。采集過程中，通過TIR. vi模塊判斷示波器的狀態(tài)，若示波器已經(jīng)觸發(fā)，則該模塊輸出“真”值，程序執(zhí)行條件結(jié)構(gòu)“真”一一計算機(jī)存儲示波器采集到的數(shù)據(jù)。若輸出為“假”，則示波器繼續(xù)進(jìn)行觸發(fā)狀態(tài)判斷?？刂圃O(shè)備將示波器采集到的數(shù)據(jù)存儲以后，可以在計算機(jī)上顯示出來，并有用戶來查看單粒子瞬態(tài)電流脈沖的各項數(shù)據(jù)。圖10是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例使用本發(fā)明的方法測得SET電流脈沖波形圖。圖中所示是將PN結(jié)加5V反向偏壓，使用48MeV的32S離子輻照p+n結(jié)的某一位置(大約為敏感區(qū)域中心位置)得到的SET波形圖，此處收集的總電荷為M2. 4fC、峰高為0. 67mA，上升時間為254ps。通過上述步驟就可以完成對某個待測區(qū)域的檢測過程。為了能夠?qū)ζ骷乃写郎y區(qū)域進(jìn)行遍歷檢測，在步驟S102之后，如果器件的所有待測區(qū)域沒有檢測完畢，則移動器件，再重復(fù)步驟SlOl S102，即可以完成對另ー待測區(qū)域的檢測。否則器件所有待測區(qū)域檢測完畢，中止器件檢測過程。該步驟未在附圖中示
JL| ο根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，使用LabVIEW對SET電流脈沖測試系統(tǒng)的軟件進(jìn)行版面設(shè)計，來控制整個器件檢測過程，所述版面包括初始化版面和SET測試分析版面，分別如圖11和圖12所示。圖11是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的SET初始化面板示意圖；測試開始前，首先在 SET初始化面板對XY平移臺、示波器及束流注量控制系統(tǒng)定義初始值，如圖中所示，設(shè)定X 軸和Y軸的平移速度均為0. 4mm/s, X軸和Y軸的平移步長均為1 μ m，X軸和Y軸的移動范圍均為ΙΟμπι。其余參數(shù)，包括示波器選用，X軸和Y軸平均點數(shù)，觸發(fā)電壓，針孔快門大小等也可以在面板上設(shè)置。另外XY平臺需要配置RS232串ロ、速度、掃描面積、運動步長、掃描結(jié)束返回位置等；輻照控制需要配置輻照束流快門RS232串ロ、注量計數(shù)上限等；示波器需要配置GPIB接ロ、通道選取、觸發(fā)電平等。同吋，需要配置好SET測試數(shù)據(jù)的文件的保存路徑。初始化配置完畢，即可開始進(jìn)行SET測試。圖12根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的SET測試面板示意圖；SET測試分析面板由測試控制面板1201和數(shù)據(jù)分析面板1202兩個主體部分構(gòu)成，左側(cè)的測試控制面板1201內(nèi)包含了測試功能的圖形、控制鍵等，從上至下分別為SET波形圖的實時顯示、注量顯示、平臺當(dāng)前位置坐標(biāo)顯示、測試控制按鈕等。右側(cè)的數(shù)據(jù)分析面板1202內(nèi)，下面的總電荷ニ維圖用于顯示器件表面的ニ維掃描狀況(可以選擇總電荷統(tǒng)計和峰高統(tǒng)計兩種方式)，圖中的十字游標(biāo)狀態(tài)選擇自動吋，該游標(biāo)位置即為平臺在當(dāng)前掃描范圍的空間位置。當(dāng)游標(biāo)控件改為手動吋，拖動光標(biāo)于ニ維圖形的某一點，即調(diào)出該位置獲取的SET數(shù)據(jù)，并在SET分析的波形圖中顯示該SET波形。同吋，在其右側(cè)列出其相應(yīng)的波形參數(shù)。通過圖11進(jìn)行初始化設(shè)定后，重復(fù)執(zhí)行上述步驟SlOl S102，對器件的所有待測區(qū)域進(jìn)行單粒子瞬態(tài)脈沖電流進(jìn)行檢測。在檢測過程中，可以使用圖12中的面板來測量單粒子瞬態(tài)脈沖電流的波形和參數(shù)。以保證器件的抗單粒子輻射性能。
雖然關(guān)于示例實施例及其優(yōu)點已經(jīng)詳細(xì)說明，應(yīng)當(dāng)理解在不脫離本發(fā)明的精神和所附權(quán)利要求限定的保護(hù)范圍的情況下，可以對這些實施例進(jìn)行各種變化、替換和修改。對于其他例子，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)容易理解在保持本發(fā)明保護(hù)范圍內(nèi)的同吋，處理步驟的次序可以變化。
權(quán)利要求
1.ー種測量單粒子瞬態(tài)電流脈沖的系統(tǒng)，包括 輻照裝置，用于對器件的待測區(qū)域進(jìn)行輻照； 示波器，用于捕獲單粒子脈沖電流信號。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，還包括信號傳輸電路，由單粒子脈沖信號生成示波器觸發(fā)信號和延遲的待測信號， 其中當(dāng)示波器檢測到示波器觸發(fā)信號吋，對延遲的待測信號進(jìn)行測量和存儲。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其中當(dāng)示波器檢測到示波器觸發(fā)信號時停止輻照。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，還包括用于放置器件的可移動的器件放置平臺。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述輻照裝置當(dāng)達(dá)到一定的輻照劑量時停止輻照。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其中所述信號傳輸電路對所述單粒子脈沖電流信號進(jìn)行放大和防反射處理。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中使用GPIB通用總線接ロ連接示波器和計算機(jī)，由計算機(jī)讀取示波器內(nèi)存后測量所述單粒子脈沖電流信號的數(shù)據(jù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的系統(tǒng)，其中測量得到的單粒子脈沖信號特征數(shù)值包括總電荷、峰高以及上升時間中的一種或者它們的組合。
全文摘要
本發(fā)明提供一種測量單粒子瞬態(tài)電流脈沖的系統(tǒng)，包括輻照裝置，用于對器件的待測區(qū)域進(jìn)行輻照；示波器，用于捕獲單粒子脈沖電流信號。通過本發(fā)明的方法和設(shè)備，可以捕獲初始單粒子瞬態(tài)電流脈沖波形，直觀地測量單粒子電流脈沖的上升時間、脈沖寬度、脈沖幅度等參數(shù)。而且可以進(jìn)一步通過單粒子瞬態(tài)電流脈沖的波形分析表征電路的節(jié)點狀態(tài)，獲取單粒子電流脈沖在具體電路中的寬度分布，得到電路抗單粒子輻射的加固依據(jù)。
文檔編號G01R29/02GK102565545SQ20111045771
公開日2012年7月11日 申請日期2011年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月30日
發(fā)明者梅博, 畢津順, 羅家俊, 韓鄭生 申請人:中國科學(xué)院微電子研究所