專利名稱：一種測(cè)量晶體位置的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及晶體生長領(lǐng)域，具體涉及一種測(cè)量籽晶熔化面和晶體生長面位置的裝置。
背景技術(shù)：
在晶體的生長過程中，籽晶的融化程度、晶體大小以及生長速度對(duì)晶體生長工藝至關(guān)重要。目前在從坩堝底部開始生長晶體的各種工藝中，準(zhǔn)確測(cè)量籽晶融化程度、晶體大小以及生長速度等問題未能得到有效解決，一般僅憑借經(jīng)驗(yàn)來估計(jì)相關(guān)數(shù)據(jù)，顯然所得到的數(shù)據(jù)并不準(zhǔn)確，這對(duì)晶體的生長過程產(chǎn)生了不利影響。
發(fā)明內(nèi)容為了克服現(xiàn)有技術(shù)中從坩堝底部開始生長的晶體在生長過程中難以準(zhǔn)確測(cè)量晶體位置的問題，本實(shí)用新型的目的在于提供一種結(jié)構(gòu)簡單、緊湊，能實(shí)時(shí)準(zhǔn)確測(cè)量晶體生長過程中的裝置。本實(shí)用新型的技術(shù)方案是一種測(cè)量晶體位置的裝置，其技術(shù)特點(diǎn)是包括至少一直線導(dǎo)軌、在直線導(dǎo)軌上滑動(dòng)的滑動(dòng)體、至少一密封管，所述滑動(dòng)體上設(shè)有至少一磁體，所述密封管內(nèi)腔設(shè)有至少一與所述磁體同步移動(dòng)的移動(dòng)體，所述移動(dòng)體與至少一測(cè)量桿連接。所述磁體與移動(dòng)體為相吸或相斥作用狀態(tài)。所述直線導(dǎo)軌與測(cè)量桿平行方向設(shè)有一標(biāo)尺。所述密封管為石英管或陶瓷管或不銹鋼管。所述測(cè)量桿為鉬桿或鎢桿。所述移動(dòng)體為磁體或鐵或鎳。本裝置安裝于爐體上部，其密封管內(nèi)腔與爐體內(nèi)腔連通，且必要時(shí)測(cè)量桿下端可與晶體接觸。當(dāng)籽晶開始熔化或晶體由籽晶外表面開始生長時(shí)，爐體內(nèi)坩堝底部籽晶上表面下降或晶體生長面上升使與之接觸的測(cè)量桿下降或上升，測(cè)量桿頂部移動(dòng)體的位置同步下降或上升，由于磁力的作用，滑動(dòng)體上的磁體的位置隨移動(dòng)體相應(yīng)下降或上升，進(jìn)而使得與磁體固連的滑動(dòng)體的位置沿直線導(dǎo)軌方向下降或上升，此時(shí)通過標(biāo)尺刻度與基準(zhǔn)刻度比對(duì)，從而測(cè)量晶體熔化程度或晶體生長高度。本實(shí)用新型密封管內(nèi)腔為真空狀態(tài)，與晶體生長環(huán)境一致，且密封管優(yōu)選透明石英管，以便于觀察密封管內(nèi)移動(dòng)體帶動(dòng)測(cè)量桿的移動(dòng)情況；移動(dòng)體的材料可為磁性材料或鐵或鎳，所述磁體與移動(dòng)體間為相吸或相斥作用狀態(tài)，以保證移動(dòng)體隨著固連在滑動(dòng)體上的磁體上下運(yùn)動(dòng)而同步移動(dòng)；測(cè)量桿優(yōu)選耐高溫的鉬桿或鎢桿，以適應(yīng)晶體生長環(huán)境，確保使用安全、壽命長。本實(shí)用新型的測(cè)量晶體位置的裝置，能夠準(zhǔn)確測(cè)量從坩堝底部生長晶體的各種工藝中籽晶或晶體位置，這對(duì)從坩堝底部生長晶體的工藝提供了重要參考。
圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖1的旋轉(zhuǎn)視圖；圖3為圖1的俯視圖。圖中法蘭1，固定板2，直線導(dǎo)軌3，上夾板4，下夾板5，磁體6，密封管7，移動(dòng)體 8，測(cè)量桿9，標(biāo)尺10。
具體實(shí)施方式
圖1-3中，一種測(cè)量晶體位置的裝置包括法蘭1、固定板2、直線導(dǎo)軌3、上夾板4、 下夾板5、磁體6、密封管7、移動(dòng)體8、測(cè)量桿9和標(biāo)尺10。法蘭1與坩堝爐體封頭連接，三根直線導(dǎo)軌3沿圓周方向布置，三根直線導(dǎo)軌的底部均安裝于法蘭1上，三根直線導(dǎo)軌的頂部連接固定板2將三根直線導(dǎo)軌連成一整體結(jié)構(gòu)，保證直線導(dǎo)軌的垂直度和強(qiáng)度；三根直線導(dǎo)軌3上分別套裝一滑動(dòng)體，滑動(dòng)體包括上夾板4和下夾板5，上夾板活動(dòng)套接于直線導(dǎo)軌3上，下夾板經(jīng)直線軸承活動(dòng)套接于直線導(dǎo)軌上，上、下夾板間設(shè)有磁體6 ；密封管7密封固定于直線導(dǎo)軌3底端的法蘭1上，密封管采用石英管或銅管或不銹鋼管，優(yōu)選石英管，以隨時(shí)直觀觀察管體內(nèi)腔滑動(dòng)體和測(cè)量桿的動(dòng)態(tài)；密封管7內(nèi)腔安裝一耐高溫的測(cè)量桿9，測(cè)量桿為耐高溫桿，優(yōu)選鉬桿或鎢桿，測(cè)量桿的頂端或中上部連接一移動(dòng)體8，移動(dòng)體8與磁體6水平位置對(duì)應(yīng)，移動(dòng)體的材料優(yōu)選磁性材料或鐵或鎳，移動(dòng)體8與磁體6形成相吸或相斥作用力，使測(cè)量桿懸在密封管內(nèi)腔并隨磁體帶動(dòng)移動(dòng)體的上下滑動(dòng)而上下運(yùn)動(dòng)；直線導(dǎo)軌或密封管或固定板或法蘭或爐體上連接標(biāo)尺10，優(yōu)選設(shè)于固定板上。上述實(shí)施例只是為了說明本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的是在于讓本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員能夠了解本實(shí)用新型的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。凡是根據(jù)本實(shí)用新型內(nèi)容的實(shí)質(zhì)所作出的等效的變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。工作時(shí)，首先確定未熔化時(shí)籽晶上表面所對(duì)應(yīng)的標(biāo)尺刻度為基準(zhǔn)刻度；籽晶開始熔化時(shí)，與移動(dòng)體固連的測(cè)量桿向下移動(dòng)至爐體內(nèi)坩堝底部籽晶上表面，密封管內(nèi)的移動(dòng)體帶動(dòng)滑動(dòng)體上的磁鐵同步向下移動(dòng)，滑動(dòng)體沿直線導(dǎo)軌方向向下移動(dòng)，使此時(shí)通過標(biāo)尺刻度與基準(zhǔn)刻度比對(duì)，從而得知籽晶熔化程度。當(dāng)籽晶熔化程度符合工藝要求，即開始晶體的生長過程；同理，在晶體的生長過程中，通過測(cè)量桿間隔測(cè)量生長中晶體上表面所對(duì)應(yīng)的標(biāo)尺刻度，直至晶體生長至標(biāo)尺上限定的標(biāo)尺刻度，晶體生長過程結(jié)束。此外，通過任意兩次測(cè)量結(jié)果(標(biāo)尺刻度、測(cè)量時(shí)間)的處理，得到晶體生長速度，進(jìn)而為晶體的生長提供可靠、 準(zhǔn)確的工藝參數(shù)。
權(quán)利要求1.一種測(cè)量晶體位置的裝置，其特征是包括至少一直線導(dǎo)軌、在直線導(dǎo)軌上滑動(dòng)的滑動(dòng)體、至少一密封管，所述滑動(dòng)體上設(shè)有至少一磁體，所述密封管內(nèi)腔設(shè)有至少一與所述磁體同步移動(dòng)的移動(dòng)體，所述移動(dòng)體與至少一測(cè)量桿連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種測(cè)量晶體位置的裝置，其特征是所述磁體與移動(dòng)體為相吸或相斥作用狀態(tài)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種測(cè)量晶體位置的裝置，其特征是所述直線導(dǎo)軌與測(cè)量桿平行方向設(shè)有一標(biāo)尺。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種測(cè)量晶體位置的裝置，其特征是所述密封管為石英管或陶瓷管或不銹鋼管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種測(cè)量晶體位置的裝置，其特征是所述測(cè)量桿為鉬桿或鎢桿。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種測(cè)量晶體位置的裝置，其特征是所述移動(dòng)體為磁體或鐵或鎳。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種測(cè)量晶體位置的裝置，包括至少一直線導(dǎo)軌、在直線導(dǎo)軌上滑動(dòng)的滑動(dòng)體、至少一密封管，所述的滑動(dòng)體上設(shè)有至少一磁體，所述密封管內(nèi)腔設(shè)有至少一與所述磁體同步移動(dòng)的移動(dòng)體，所述移動(dòng)體與至少一測(cè)量桿連接。本測(cè)量籽晶位置的裝置，能夠準(zhǔn)確測(cè)量從坩堝底部生長藍(lán)寶石的各種工藝中籽晶位置，對(duì)于從坩堝底部生長藍(lán)寶石的工藝提供了重要參考。
文檔編號(hào)G01B7/02GK202158836SQ20112023261
公開日2012年3月7日 申請(qǐng)日期2011年7月4日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月4日
發(fā)明者周世才, 徐敬 申請(qǐng)人:江蘇金泰隆機(jī)電設(shè)備制造廠